一种医用电磁缓冲电梯的制作方法

文档序号:8103646阅读:332来源:国知局
一种医用电磁缓冲电梯的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种医用电磁缓冲电梯,包括曳引机、厢体和控制器,还包括:设置在所述厢体左右侧壁外表面的第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组,第一位置传感器、第二位置传感器和第三位置传感器;第一开关管,其一端连接到第一电流源,其另一端连接到所述第一电磁绕组,其控制端连接到所述第一位置传感器;第二开关管,其一端连接到第二电流源,其另一端连接到所述第二电磁绕组,其控制端连接到所述第二位置传感器;第三开关管,其一端连接到第三电流源,其另一端连接到所述第三电磁绕组,其控制端连接到所述第三位置传感器;固定绕组,固定绕组的位置与所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组的位置相对。
【专利说明】—种医用电磁缓冲电梯
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及机械领域,特别涉及一种医用电磁缓冲电梯。
【背景技术】
[0002]医院中的医用电梯,乘客中患者居多,甚至有通过手术推车运送的重症患者,这些乘客对于电梯的稳定性要求更高,如果振动感强烈,会造成严重的后果。对于刚做完手术的患者,电梯停靠时振动过大,会对伤口造成破坏,为患者增加不必要的痛苦。
[0003]电梯靠曳引系统输出与传递动力,现有的曳引系统主要由曳引机、曳引钢丝绳,导向轮,反绳轮组成。因此,现有的曳引系统靠钢丝绳的牵引力控制厢体的升降,停靠过程中会有明显的失重感和振动感。
[0004]虽然很多研发团队对曳引机及其控制电路进行了很多创新和改进,停靠过程也更加均匀平缓,但是无法从根本上克服曳引系统所固有的缺点,因此,如何提供一种停靠时平稳舒适的医用电梯,是目前亟待解决的问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型提出一种医用电磁缓冲电梯,解决了现有技术中电梯停靠过程中有失重感和振动感的问题。
[0006]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0007]一种医用电磁缓冲电梯,包括曳引机、厢体和控制器,还包括:
[0008]设置在所述厢体左右侧壁外表面的第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组,所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组自上而下依次排列;
[0009]与所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组并列设置的第一位置传感器、第二位置传感器和第三位置传感器,第一位置传感器、第二位置传感器和第三位置传感器的控制端连接到所述控制器;
[0010]第一开关管,其一端连接到第一电流源,其另一端连接到所述第一电磁绕组,其控制端连接到所述第一位置传感器;第二开关管,其一端连接到第二电流源,其另一端连接到所述第二电磁绕组,其控制端连接到所述第二位置传感器;第三开关管,其一端连接到第三电流源,其另一端连接到所述第三电磁绕组,其控制端连接到所述第三位置传感器;
[0011]设置在电梯井每一层左右墙壁上的固定绕组,固定绕组的位置与所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组的位置相对;
[0012]所述第一电流源、第二电流源和第三电流源的电流值依次增大。
[0013]可选地,所述第一开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第一电流源,其漏极连接到所述第一电磁绕组,其控制端连接到所述第一位置传感器的输出端;所述第二开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第二电流源,其漏极连接到所述第二电磁绕组,其控制端连接到所述第二位置传感器的输出端;所述第三开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第三电流源,其漏极连接到所述第三电磁绕组,其控制端连接到所述第三位置传感器的输出端。
[0014]本实用新型的有益效果是:
[0015]本实用新型的医用电梯通过电磁绕组之间的磁阻产生阻力,对电梯的厢体产生制动力,辅助曳引机的停靠过程,使厢体的停靠更加平稳。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本实用新型一种医用电磁缓冲电梯的正视结构示意图;
[0018]图2为本实用新型一种医用电磁缓冲电梯的侧视结构示意图;
[0019]图3为本实用新型一种医用电磁缓冲电梯的电路控制框图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0021]如图1、图2和图3所示,本实用新型的一种医用电磁缓冲电梯,包括曳引机50、厢体(图中未示出)和控制器40,还包括:设置在所述厢体左右侧壁外表面的第一电磁绕组
10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30,所述第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30自上而下依次排列;与所述第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30并列设置的第一位置传感器11、第二位置传感器21和第三位置传感器31,第一位置传感器11、第二位置传感器21和第三位置传感器31的控制端连接到所述控制器40,第一位置传感器11、第二位置传感器21和第三位置传感器31分别用于检测厢体下降过程中所处的位置,控制器40向曳引机50发送停靠控制信号的同时,将该信号作为第一位置传感器11、第二位置传感器21和第三位置传感器31的开启信号,位置感应器对厢体的位置进行检测,由于自上而下设置了三个位置传感器,可以精确定位厢体的位置;第一开关管12,其一端连接到第一电流源13,其另一端连接到所述第一电磁绕组10,其控制端连接到所述第一位置传感器11 ;第二开关管22,其一端连接到第二电流源23,其另一端连接到所述第二电磁绕组20,其控制端连接到所述第二位置传感器21 ;第三开关管32,其一端连接到第三电流源33,其另一端连接到所述第三电磁绕组30,其控制端连接到所述第三位置传感器31 ;设置在电梯井每一层左右墙壁上的固定绕组60,固定绕组60的位置与所述第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30的位置相对;所述第一电流源13、第二电流源23和第三电流源33的电流值依次增大。
[0022]本实用新型的医用电磁缓冲电梯在使用过程中,通过第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30与固定绕组60之间的磁阻作用,实现停靠过程最后阶段的缓冲。通过曳引机实现厢体停靠速度的粗调,通过第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30实现对厢体停靠速度的精调,使厢体的停靠过程更加平稳。
[0023]第一电磁绕组10、第二电磁绕组20和第三电磁绕组30自上而下依次排列,而且第一电流源13、第二电流源23和第三电流源33的电流值依次增大,这种设置方式,使得厢体在下降停靠过程中,缓冲力逐渐减小,停靠过程平稳。
[0024]优选地,上述的医用电磁缓冲电梯,所述第一开关管12为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第一电流源13,其漏极连接到所述第一电磁绕组10,其控制端连接到所述第一位置传感器11的输出端;所述第二开关管22为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第二电流源23,其漏极连接到所述第二电磁绕组20,其控制端连接到所述第二位置传感器21的输出端;所述第三开关管32为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第三电流源33,其漏极连接到所述第三电磁绕组30,其控制端连接到所述第三位置传感器31的输出端。
[0025]上述控制器40可以选用现有的单片机、DSP处理器等控制器,并没有对现有的电梯控制程序进行改进,控制器40向曳引机50发送停靠控制信号的同时,将该信号作为第一位置传感器11、第二位置传感器21和第三位置传感器31的开启信号,位置感应器对厢体的位置进行检测,开通相应的电磁绕组,对厢体进行缓冲。
[0026]本实用新型的医用电磁缓冲电梯通过电磁绕组之间的磁阻产生电磁阻力,在厢体停靠过程中产生制动力,辅助曳引机的牵引停靠过程,使厢体停靠更加平稳。
[0027]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种医用电磁缓冲电梯,包括曳引机、厢体和控制器,其特征在于,还包括: 设置在所述厢体左右侧壁外表面的第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组,所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组自上而下依次排列; 与所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组并列设置的第一位置传感器、第二位置传感器和第三位置传感器,第一位置传感器、第二位置传感器和第三位置传感器的控制端连接到所述控制器; 第一开关管,其一端连接到第一电流源,其另一端连接到所述第一电磁绕组,其控制端连接到所述第一位置传感器;第二开关管,其一端连接到第二电流源,其另一端连接到所述第二电磁绕组,其控制端连接到所述第二位置传感器;第三开关管,其一端连接到第三电流源,其另一端连接到所述第三电磁绕组,其控制端连接到所述第三位置传感器; 设置在电梯井每一层左右墙壁上的固定绕组,固定绕组的位置与所述第一电磁绕组、第二电磁绕组和第三电磁绕组的位置相对; 所述第一电流源、第二电流源和第三电流源的电流值依次增大。
2.如权利要求1所述的医用电磁缓冲电梯,其特征在于,所述第一开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第一电流源,其漏极连接到所述第一电磁绕组,其控制端连接到所述第一位置传感器的输出端;所述第二开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第二电流源,其漏极连接到所述第二电磁绕组,其控制端连接到所述第二位置传感器的输出端;所述第三开关管为MOSFET晶体管,其源极连接到所述第三电流源,其漏极连接到所述第三电磁绕组,其控制端连接到所述第三位置传感器的输出端。
【文档编号】B66B5/28GK203740798SQ201420136273
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2014年3月13日
【发明者】由波 申请人:由波
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