[0182] 试样调温：100°C
[0183] 对于所得的阻气性膜使用X射线光电子能谱法（XPS法），进行组成分析，求出深度 方向的元素分布。算出各深度时的氧原子相对于硅原子的原子组成比和氮原子相对于硅原 子的原子组成比，将其最大值（max)和最小值（min)示于表1。
[0184] 此外，从所得的阻气性膜切出纵100mm、横140mm的试验片，实施水蒸气透过率的 评价。将结果示于表1。
[0185] (实施例2)
[0186] 作为高分子基材使用厚度50 μπι的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（东U株式会社制 ''少S歹一（注册商标）U48)。
[0187] 作为底涂层[C]形成用的涂液，配合上述聚氨酯化合物150质量份、二季戊四醇六 丙烯酸酯（共荣社化学社制，商品名卜7夕y U-卜DPE-6A)20质量份、1-羟基-环 己基苯基-酮（BASF 社制，商品名：IRGA⑶RE 184) 5质量份、3-甲基丙烯酰氧基丙 基甲基二乙氧基硅烷（信越シy 3 - y社制，商品名：KBM-503)3质量份、乙酸乙酯170质 量份、甲苯350质量份和环己酮170质量份，调整出涂液2。接着，采用微凹版式涂布机（凹 版线号150UR，凹版旋转比100% )将涂液2涂布在高分子基材上，在100°C干燥1分钟，干 燥后，在下述条件下实施紫外线处理，设置厚度1，OOOnm的底涂层[C]。
[0188] 紫外线处理装置：LH10-10Q_G( 7 1 - '3 > UVシ只亍厶X · A >社制）
[0189] 导入气体：N2 (氮气惰性BOX)
[0190] 紫外线发生源：微波方式无电极灯
[0191] 累计光量：400mJ/cm2
[0192] 试样调温：室温。
[0193] 接着，在底涂层[C]上设置无机层[Al]以使厚度成为180nm。无机层[Al]的组 成是Zn原子浓度为27. 5原子％、Si原子浓度为13. 1原子％、Al原子浓度为2. 3原子％、 0原子浓度为57. 1原子％。从形成了无机层[Al]的膜切出纵100mm、横IOOmm的试验片， 实施无机层[Al]的中心面平均粗糙度SRa的评价。将结果示于表1。
[0194] 进一步，作为硅化合物层[B]形成用的涂液，调制出将以全氢聚硅氮烷作为主成 分、包含钯系催化剂的涂布剂（AZ工U外口二7夕Yy 7少只''社制"NL120-20"，固体 成分浓度20质量份）100质量份用二丁基醚300质量份稀释得到的涂液1。接着，采用微凹 版式涂布机（凹版线号200UR，凹版旋转比100% )将涂液1涂布在无机层[Al]上，在120°C 干燥1分钟，干燥后，在下述条件下实施紫外线处理，设置厚度120nm的硅化合物层[B]，获 得了阻气性膜。
[0195] 紫外线处理装置：MEIRH-M-1-152-H(工厶· ·工?シY社制）
[0196] 导入气体：N2
[0197] 紫外线发生源：准分子灯（172nm)
[0198] 累计光量：3, 000mj/cm2
[0199] 试样调温：100°C
[0200] 从所得的阻气性膜切出纵100mm、横140mm的试验片，实施水蒸气透过率的评价。 将结果示于表1。
[0201] (实施例3)
[0202] 作为高分子基材使用厚度IOOym的非晶性环状聚烯烃膜（日本七'才 > 社制"七'才 7 77 4 AA"ZF14)，除此以外，与实施例1同样地操作，获得了阻气性膜。
[0203] (实施例4)
[0204] 作为高分子基材使用厚度IOOym的非晶性环状聚烯烃膜（日本七'才 > 社制"七'才 7 77 4少Λ "ZF14)，除此以外，与实施例2同样地操作，获得了阻气性膜。
[0205] (实施例5)
[0206] 设置无机层[Al]以使厚度成为950nm，除此以外，与实施例2同样地操作，获得了 阻气性膜。
[0207] (实施例6)
[0208] 代替无机层[Al]而设置无机层[A2]以使厚度成为150nm，除此以外，与实施例2 同样地操作，获得了阻气性膜。
[0209] (实施例7)
[0210] 设置硅化合物层[B]以使厚度成为50nm，除此以外，与实施例2同样地操作，获得 了阻气性膜。
[0211] (实施例8)
[0212] 设置硅化合物层[B]以使厚度成为l，000nm，除此以外，与实施例2同样地操作，获 得了阻气性膜。
[0213] (实施例9)
[0214] 涂布硅化合物层[B]用涂料并干燥后，代替紫外线处理，在氮气气氛下在80°C处 理3天，设置硅化合物层[B]，除此以外，与实施例2同样地操作，获得了阻气性膜。
[0215] (实施例 10)
[0216] 作为硅化合物层[B]用涂料，使用将以全氢聚硅氮烷作为主成分、包含胺系催化 剂的涂布剂（AZ工U外口二7夕Yy 7少只''社制"NAX120-20"，固体成分浓度20质量 份）100质量份用二丁基醚300质量份稀释得到的涂液，除此以外，与实施例2同样地操作， 获得了阻气性膜。
[0217] (实施例 11)
[0218] 作为硅化合物层[B]用涂料，使用将以全氢聚硅氮烷作为主成分、不含催化剂 的涂布剂（AZ工U外口二7夕Yy 7少只'、社制"NN120-20"，固体成分浓度20质量 份）100质量份用二丁基醚300质量份稀释得到的涂液，除此以外，与实施例2同样地操作， 获得了阻气性膜。
[0219] (比较例1)
[0220] 在高分子基材上不形成无机层[A]，在高分子基材的表面直接设置硅化合物层 [B]以使厚度成为120nm，除此以外，与实施例1同样地操作，获得了阻气性膜。
[0221] (比较例2)
[0222] 在无机层[A]上不设置硅化合物层[B]，除此以外，与实施例1同样地操作，获得了 阻气性膜。
[0223] (比较例3)
[0224] 在实施例1中，更换形成无机层[A]和硅化合物层[B]的顺序，获得了与实施例1 的层构成不同的阻气膜。
[0225] [表 1]
[0226]
[0227] 产业可利用性
[0228] 本发明的阻气性膜对氧气、水蒸气等的阻气性优异，因此可以有用地用作例如，食 品、药品等的包装材和平板电视、太阳能电池等电子器件用构件，但用途不限定于此。
[0229] 符号的说明
[0230] 1尚分子基材
[0231] 2 无机层[A]
[0232] 3硅化合物层[B]
[0233] 4 底涂层[C]
[0234] 5高分子基材
[0235] 6卷绕式溅射装置
[0236] 7卷绕室
[0237] 8卷出辊
[0238] 9、10、11卷出侧导辊
[0239] 12冷却鼓
[0240] 13溅射电极
[0241] 14、15、16卷绕侧导辊
[0242] 17卷绕辊
[0243] 18阻气性膜
[0244] 19金属圆柱
[0245] 20形成有无机层[A]和硅化合物层[B]的面的相反面。
【主权项】
1. 一种阻气性膜，是在高分子基材的至少一侧，从所述高分子基材侧起依次具有无机 层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层 [B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。2. 根据权利要求1所述的阻气性膜，在所述高分子基材与所述无机层[A]之间具有底 涂层[C]，所述底涂层[C]包含由具有芳香族环结构的聚氨酯化合物[Cl]交联而得的结构。3. 根据权利要求1或2所述的阻气性膜，所述无机层[A]为由氧化锌与二氧化硅与氧 化铝的共存相形成的无机层[Al]、和由硫化锌与二氧化硅的共存相形成的无机层[A2]中 的任一种。4. 根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层[A]为所述无机层[Al]，该无机层 [Al]是通过下述组成所构成的，所述组成是：通过ICP发射光谱分析法测定的锌原子浓度 为20~40原子％、硅原子浓度为5~20原子％、铝原子浓度为0. 5~5原子％、氧原子浓 度为35~70原子％。5. 根据权利要求3所述的阻气性膜，所述无机层[A]为所述无机层[A2]，该无机层 [A2]是通过下述组成所构成的，所述组成是：硫化锌相对于硫化锌与二氧化硅的合计的摩 尔分率为0.7~0.9。6. 根据权利要求1~5的任一项所述的阻气性膜，所述硅化合物层[B]在通过X射线 光电子能谱法测定元素分布时，氧原子相对于硅原子的原子组成比为〇. 1以上且小于2. 0， 并且氮原子相对于硅原子的原子组成比为0. 1以上且小于1. 0。7. 根据权利要求2~6的任一项所述的阻气性膜，所述底涂层[C]包含有机硅化合物 和/或无机硅化合物。8. -种电子器件，其具有权利要求1~7的任一项所述的阻气性膜。9. 一种阻气性膜的制造方法，其包括下述工序：工序a，在高分子基材上，通过溅射法 设置包含锌化合物和硅氧化物的无机层[A];工序b，在该无机层[A]上，涂布包含具有聚硅 氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛下对该涂膜进行 活性能量射线照射处理，从而设置包含硅氧氮化物的硅化合物层[B]。10. -种阻气性膜的制造方法，其包括下述工序：工序c，在高分子基材上，涂布包含具 有芳香族环结构的聚氨酯化合物[Cl]的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛 下对该涂膜进行活性能量射线照射处理，从而设置底涂层[C];工序a，在该底涂层[C]上， 通过溅射法设置包含锌化合物和硅氧化物的无机层[A];工序b，在该无机层[A]上，涂布 包含具有聚硅氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥来形成涂膜，接着在氮气气氛下 对该涂膜进行活性能量射线照射处理，从而设置包含硅氧化物和硅氧氮化物的硅化合物层 [B]。
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种具有高度的阻气性，并且耐弯曲性优异的阻气性膜。本发明的阻气膜，其特征在于，是在高分子基材的至少一侧，从上述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。
【IPC分类】C08J7/04, H05B33/10, H05B33/02, H01L51/50, B32B9/00
【公开号】CN104903089
【申请号】CN201380069794
【发明人】森健太郎, 上林浩行
【申请人】东丽株式会社
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年12月25日
【公告号】EP2944460A1, US20150337139, WO2014109231A1