专利名称：多晶硅棒破碎设备的制作方法
技术领域：
[0001]本实用新型涉及多晶硅材料加工技术领域，更具体地说，特别涉及ー种多晶硅棒破碎设备。
背景技术：
多晶硅为光伏产业和半导产业的基本原料，近年来在国内取得了井喷式的高速发展。在还原炉内生产得到的多晶硅棒需要进行破碎成单晶硅生产所必须的块状原料进行包装仓储，因此多晶硅棒的破碎是多晶硅エ厂后处理的ー个重要环节。目前国内多晶硅破碎方式普遍采用机械破碎方法，然而机械破碎方法极易对多晶硅棒带来金属离子污染。同时破碎过程中极易产生大量的碎屑和微粉，降低收率。进ー步地，细碎屑和微粉形成粉尘，污染环境。而且，直径在150微米以下的粉尘，分布在空气中易燃易爆，生产安全性降低。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供一种多晶硅棒破碎设备，以解决现有机械破碎方式导致的杂质玷污、收率降低、进ー步污染环境和降低生产安全性的问题。本实用新型提供一种多晶硅棒破碎设备，包括采用微波作为热源，对多晶硅棒进行加热的加热室；与所述加热室相连，用于将加热后的多晶硅棒快速冷却的冷却室。优选地，所述加热室和所述冷却室之间设有内闸门机构。优选地，所述冷却室底部设有由石英制成的圆锥状破碎镐。优选地，还包括用于将所述多晶硅棒放置到所述加热室，并将加热后的多晶硅棒送入到所述冷却室的送料机构。优选地，所述送料机构上设有张叉。优选地，所述加热室底部设置有物料提升机构。优选地，所述加热室内设有红外测温仪。优选地，所述加热室设有采用微波作为热源的微波源，所述加热室的内胆由石英制成，所述内胆外加有保温层。优选地，所述冷却室内设有高压制冷喷嘴。优选地，所述冷却室侧面设有门，且所述冷却室上设有高压制冷剂入口和高压制冷剂出口。应用上述技术方案，首先加热室采用微波作为热源，将多晶硅棒加热，其次，将加热后的多晶娃棒送到冷却室快速冷却，从而使多晶娃棒获得一个瞬间的晶间应力使自身瞬间破碎，避免产生大量的碎屑和微粉。因此，与现有技术相比，本技术方案解决了现有机械破碎方式导致的杂质玷污、收率降低、进ー步污染环境和降低生产安全性隐患。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地加以说明，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的一种结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的另ー种结构示意图； 图3为本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的再一种结构示意图；图4为本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的再一种结构示意图。
具体实施方式
下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。请參阅图1，其示出了本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的一种结构示意图，可以包括加热室I和冷却室2。其中，加热室I采用微波作为热源，对多晶硅棒进行加热至400°C至1100°C范围内。冷却室2与加热室I相连，加热后的多晶硅棒被送到冷却室2中，使加热后的多晶硅棒在冷却室2中快速冷却，从而使多晶硅棒获得ー个瞬间的晶间应力使自身瞬间破碎。上述加热室I和冷却室2之间设有内闸门机构3，如图I所示。内闸门机构3将加热室I和冷却室2隔开。冷却室2底部设有圆锥状破碎镐4，在多晶硅锭棒掉下到冷却室2的过程中，多晶娃棒以自由运动在自身的重力加速下闻速撞击圆维状破碎铜I 4,从而使多晶硅棒被瞬间击碎。圆锥状破碎镐4由石英制作而成，可以避免多晶硅棒不被金属污染。在本实用新型中，多晶硅棒破碎设备还包括送料结构5，如图2所示。图2是本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的另ー种结构示意图。其中，送料机构5采用链条传动方式，将多晶硅棒放置到加热室1，并将加热后的多晶硅棒送入到冷却室2中。此外，送料机构5设有ー张叉6,当加热后的多晶娃棒被送入冷却室2时,张叉6打开,从而多晶娃棒瞬间跌落到冷却室2内。同时，送料机构5由石英制作，以保证多晶硅棒不被金属污染。为了将多晶硅棒从送料结构5上取下放到加热室I内，本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备还包括物料提升机构7，如图3所示。其中，图3是本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的再一种结构示意图。物料提升机构7设置在加热室I的底部，在送料机构5把多晶硅棒送入到加热室I内后，物料提升机构7把多晶硅棒抬起，送料机构5返回到冷却室2，物料提升机构7下降把多晶硅棒放置到加热室I内。然后内闸门机构3的内闸门关闭，使整个加热室I为密封状态。待内闸门关闭后，对加热室I进行抽真空同时进行充高纯氮气，使加热室I内的空气得到置換，开始对多晶硅棒进行快速加热。在加热室I内还设有红外测温仪8，如图4所示。其中，图4是本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的再一种结构示意图。红外测温仪8用于测量加热室I内的加热温度。[0030]上述加热室I设有采用微波作为热源的微波源9，如图4所示。微波源9对多晶硅棒快速加热，多晶硅棒可以很好的吸收微波，因此在微波作用下，多晶硅棒能够快速加热至很高温度。如图4所示。加热室I的内胆10由石英制成，可以避免多晶硅棒受到金属污染，且内胆10外加有保温层，如图3所示。冷却室2内设有高压制冷喷嘴11，如图4所示，在多晶硅棒落入到冷却室2过程中，闻压制冷喷嘴11开始对多晶娃棒喷射闻压水，使多晶娃棒得到一个瞬间的晶间应力，从而能使多晶硅棒瞬间破碎。冷却室2内壁村有ー层石英，从而使多晶硅棒避免了与金属接触使之保护多晶硅棒在破碎过程中不被污染，保证了多晶硅棒的纯度，也免去了破碎后的酸洗エ序。上述冷却室2内还设有高压制冷剂入口 12和高压制冷剂出口 13，如图4所示。当 采用液态制冷剂时，高压制冷剂入口 12作为液态制冷剂入口及高压制冷剂喷嘴11通入冷却室2内，高压制制冷剂出口 13作为液态制冷剂循环出口 ；当采用气态制冷剂时，此时高压制冷剂入口 12关断只有高压制冷剂喷嘴11工作，高压制制冷剂出ロ 13作为液态制冷回收□。在冷却室2侧面还设有门14，如图2所示。在破碎过程门14始終密封关闭，在多晶硅棒破碎后，先将冷却室2内制冷剂抽走，然后打开门14将破碎后的多晶硅棒取走。应用上述技术方案，首先加热室I采用微波作为热源，将多晶硅棒加热，其次，将加热后的多晶娃棒送到冷却室2快速冷却，从而使多晶娃棒获得一个瞬间的晶间应力使自身瞬间破碎，避免产生大量的碎屑和微粉。因此，与现有技术相比，本技术方案解决了现有机械破碎方式导致的杂质玷污、收率降低、进ー步污染环境和降低生产安全隐患。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够很容易实现或很容易能够使用实用新型的中的技术要领。本领域的专业技术人员来对这些实施案例的所进行的各种修改所实现的任何方法或设备均属于本专利实用新型内容。由些可见，本文中所定义的一般原理可以在不脱离实用新型的内容主g或范围的情况下，在本领域的其它实施案例中得以实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，任何符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致方法与设备将都属于本专利保护范围。
权利要求1.ー种多晶娃棒破碎设备,其特征在于,包括 采用微波作为热源，对多晶硅棒进行加热的加热室； 与所述加热室相连，用于将加热后的多晶硅棒快速冷却的冷却室。
2.根据权利要求I所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述加热室和所述冷却室之间设有内闸门机构。
3.根据权利要求I所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述冷却室底部设有由石英制成的圆锥状破碎镐。
4.根据权利要求I所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，还包括用于将所述多晶硅 棒放置到所述加热室，并将加热后的多晶硅棒送入到所述冷却室的送料机构。
5.根据权利要求4所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述送料机构上设有张叉。
6.根据权利要求4所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在干，所述加热室底部设置有物料提升机构。
7.根据权利要求I所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述加热室内设有红外测温仪。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述加热室设有采用微波作为热源的微波源，所述加热室的内胆由石英制成，所述内胆外加有保温层。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述冷却室内设有高压制冷喷嘴。
10.根据权利要求9所述的多晶硅棒破碎设备，其特征在于，所述冷却室侧面设有门，且所述冷却室上设有高压制冷剂入口和高压制冷剂出ロ。
专利摘要本实用新型公开一种多晶硅棒破碎设备，包括采用微波作为热源，对多晶硅棒进行加热的加热室；与加热室相连，用于将加热后的多晶硅棒快速冷却的冷却室。应用上述技术方案，首先加热室采用微波作为热源，将多晶硅棒加热，其次，将加热后的多晶硅棒送到冷却室快速冷却，从而使多晶硅棒获得一个瞬间的晶间应力使自身瞬间破碎，避免产生大量的碎屑和微粉。因此，与现有技术相比，本技术方案解决了现有机械破碎方式导致的杂质玷污、收率降低、进一步污染环境和降低生产安全性隐患。
文档编号B02C19/00GK202387534SQ2011205159
公开日2012年8月22日 申请日期2011年12月12日 优先权日2011年12月12日
发明者戴煜, 羊建高, 谭兴龙 申请人:湖南顶立科技有限公司