专利名称：组织处理装置的制作方法
组织处理装置本发明涉及组织处理装置(tissue treatment apparatus)，其包括射频(r. f.)发 生器和处理仪器，该处理仪器可连接至所述发生器并连接至用于产生等离子流的可电离气 源(ionisable gas)。该系统的主要用途是皮肤表面修复(skin resurfacing)。申请日为2002年2月22日的美国专利No. 6，723，091、申请日为2002年2月13日的美国专利No. 6，629，974以及申请日为2004年3月5日美国专利申请No. 10/727, 765 公开了 一种组织处理系统。这些专利和申请中每一个的完整公开内容都通过引用方式被纳入本申请。在该已 知的系统中，手持式处理仪器具有一个气体导管，该气体导管终止于一个等离子体喷嘴。一 电极与该导管相连，该电极被联接至一分立的射频功率发生器，该射频功率发生器被布置 用于将射频功率传送至该电极，从而将通过导管供给的气体形成等离子体。所传送的射频 功率一般在大约2. 45GHz的UHF (超高频)范围内，所述仪器包含在该频率范围内谐振的一 个结构，从而将电场集中在导管内，用于冲击喷嘴上游的等离子体，等离子体形成的喷射流 从喷嘴出现并且可被用于影响组织表面的局部加热。将脉冲能量传送至病人的组织的系统的临床效果取决于所传送的能量数量，更具 体地说，取决于在激活时间内综合的瞬时功率。如果系统发生故障——导致例如所施加的脉冲的持续时间相当大地增加或者导 致脉冲的能量相当大地增加，那么等离子体所对准的组织会被无可弥补地损坏。同样地，如 果系统发生故障——导致所施加的脉冲的持续时间显著变短或者导致脉冲的能量相当大 地减少，那么等离子体所对准的组织可能不会被充分处理，达不到预期目的。因此，重要的 是能够确认由系统所传送的能量相应于发生器的设置(这可由用户设定)并且在系统的规 格范围内。在一先前的实践中，在等离子体脉冲期间，发生器接收来自手持式处理仪器(在 下文中为“手持件”)的反射的射频功率。接下来，反射的射频功率的平均水平将用于确定 发电量是否正常(即，是否反射了相对低水平的射频功率)；或者通过检查以下两种情况， 即(i)反射功率水平是否落在下阈值水平和上阈值水平之间，或者(ii)在诸如断开射频电 缆的更加严重的情况下，确定所反射的功率水平是否在上阈值之上，从而确定是否存在妨 碍或限制等离子体发生的问题(诸如有缺陷的喷嘴)。检测反射射频信号需要区分该反射信号与较大的发射射频信号。在一现有系统 中，这种区分是使用一循环器(circulator)实现的。循环器具有三个端口 第一(输入)端 口，用于接收来自于射频功率发生器的射频功率；第二端口，其连接至手持件；第三端口， 从所述手持件反射的射频功率被导向到所述第三端口上。在最佳情况下，没有反射功率到 达输入端口，仅反射功率被联接至第三端口，因此可实现对发射射频功率和反射射频功率 的独立测量。区分发射射频功率和反射射频功率的第二种方法是使用一定向耦合器，该定向耦 合器具有第一和第二(输入和输出)连接，以及第三连接，该第三连接提供流经设备的主信 号的定向取样。根据将该设备插入到功率流动路径中的方向，这种设备可提供用于外部电路的测量的前向取样(forward samples)或逆向取样(reverse samples)。上述循环器和定向耦合器都是相对昂贵的，并且除了在手持件处产生的等离子体 相关的反射之外发生的反射会损害性能。这种多重反射不易被分析，从而不能与反射射频 功率信号相区分。另外，反射射频功率信号不是对满意的等离子体产生的真实指示。仍可能发生故 障，从而产生微小反射的射频功率，因为发射射频功率被辐射进周围空间，和/或被转化为 在电缆或手持件内的热量。所述系统会错误地将其认为是关于等离子体产生的良好状态， 即使等离子体并不存在。本发明的目的在于提供一种在用于组织表面修复的系统中、确认满意的等离子体 发生的改进装置。本发明提供一种组织处理装置，该装置包括射频(r. f.)发生器、处理仪器以及光 学分析设备，其中所述仪器具有气体导管，该气体导管终止于一个等离子喷嘴并且可连接 至一个可电离气源；以及与所述导管相联的一对电极，该对电极可连接至所述发生器并被 布置为当被发生器提供一射频电压时在导管内产生一电场，从而当该仪器被供给以气体时 在流经所述导管的可电离气体中产生等离子体，以及其中所述光学分析设备包括至少一 个光学检测器，其被布置为直接从管道内接收由所述等离子体发出的辐射；处理器装置，其 用于处理来自所述或每个光学检测器的输出信号，从而将输出信号的代表与一基准代表进 行比较，并响应于一预定比较结果产生一故障信号(faultsignal)，所述故障信号表明在装 置内的故障；以及控制装置，其用于响应于所述故障信号来控制所述发生器的射频能量的 产生。有利地，所述或每个光学检测器通过在处理仪器的侧面中所形成的孔接收辐射。在一优选实施方案中，所述组织处理装置还包括至少一光学纤维，用于将等离子 体所发出的辐射导向至所述至少一个光学检测器。优选地，所述处理器被布置为控制被供给至所述仪器的可电离气体的流动。有利地，所述组织处理装置还包括一用户界面，以及经由该用户界面向使用者表 明故障的装置。优选地，所述控制装置被布置为，如果处理器接收到要求防止进一步的等离 子体生产的具体故障信号，就防止这种进一步的等离子体生产。有利地，所述控制装置还被 布置为，如果处理器接收到不要求防止等离子体制造的具体故障信号，就允许进一步的等 离子体生产。在优选实施方案中，所述处理器和控制装置构成所述发生器的一部分，所述处理 器装置被布置为，当来自于光学分析设备的输出信号表明如下两种情况时就产生一故障信 号即，(a)在发生器开始向所述仪器传送射频能量之后一预定间隔内在所述导管内不存 在辐射，或者(b)在所述发生器产生射频能量的过程中所述导管内的辐射没有保持近似恒 定。从而，一旦处理脉冲开始，光学分析设备的输出以及等离子体自身为了一致性都被进行 监控，直到处理脉冲终止。这可通过将来自于光学分析设备的输出与上输出阈值和下输出 阈值进行比较而实现。通常，如果当需要来自于发生器的射频能量，而输出没有保持在预定 范围内时，将射频能量的发生终止。根据本发明的另一方面，还提供了一种控制组织处理装置的方法，该组织处理装 置具有射频发生器、等离子体施加仪器以及光学分析设备，所述仪器可连接至所述发生器并连接至一个可电离气源，当被供给以可电离气体并被发生器提供能量时，该仪器用来在其喷嘴处运行产生等离子流，其中该方法包括如下步骤从所述气体导管供给可电离气体； 运行所述发生器将一射频电压施加至与所述导管相联的一对电极，以在该导管内产生电 场，从而在流经该导管的可电离气体中产生等离子体；在至少一个光学检测器中接收由等 离子体所发出的辐射，所述辐射是直接从所述导管内接收到的；将从所述至少一个光学检 测器中的输出信号的代表与一基准代表进行比较；响应于预定比较结果产生一故障信号， 该故障信号表明在装置内的故障；以及响应于该故障信号，控制所述发生器的射频能量的 产生。优选地，所述方法还包括如下步骤，即，将一故障指示给使用者，更具体而言，将所 述故障经由一用户界面指示给用户。有利地，所述辐射是由所述至少一个光学检测器经由至少一光学纤维接收到的。在本发明的优选实施方案中，所述光学检测器对于可见频谱中的辐射敏感。然而， 本发明包括使用整体或主要对可见频谱之外的电磁波——尤其是紫外或红外辐射——敏 感的光学检测器的系统。现在将通过实施例的方式、参照附图更加详细地描述本发明，在所述附图中
图1是根据本发明的组织处理系统的总图；图2是根据本发明的第一实施方案的手持件的截面图；图3是根据本发明的第二实施方案的手持件的截面图；图4是根据本发明的第三实施方案的手持件的截面图；图5A、5B和5C是手持件的截面图，所述手持件分别代表第一、第二、第三实施方案 的手持件的变体；图6是根据本发明的系统的结构图；以及图7是示出在图6的系统中使用的故障检测方法的流程图。参照图1，组织处理系统具有一基本单元(base unit) 10和一手持式组织处理仪 器12，该仪器借助于塞绳(cord) 14连接至所述基本单元。该仪器12包括具有可重复使用 的手持件主体12A和一次性的前端组件(nose assembly) 12B。所述基本单元10包括射频 (r. f.)发生器16，以及用于将发生器设置至不同能量水平设置的用户界面18。基本单元10具有用于当仪器不使用时存储该仪器的仪器固定器20。在塞绳14内存在一个用于将射频能量从发生器16传输至所述仪器12的同轴电 缆，以及一个用于将氮气从基本单元10内部的气体存储器或气源(未示出)中供给氮气的 气体供给管。塞绳14还包括一个用于将可见光从基本单元10中的光源传送至仪器12的 光学纤维光导34(参见图2)。在其远端，塞绳14穿进手持件主体12A的外壳22中。在可重复使用的手持件主体12A中，同轴电缆14A连接至内电极24和外电极26， 如图2中所示，从而将所述电极联接至发生器16以接收射频功率。内电极24在外电极26 内纵向延伸。在它们之间是被容纳在一次性仪器前端组件12B(图1)内的(优选由石英制 成的)耐热管28形式的气体导管。当前端组件12B被固定至手持件主体12A时，管28的 内部与气体供给管内部相连通，前端组件12B被接收在主体12A内，使得内电极24、外电极 26与管相连，内电极24轴向延伸进管，外电极26在管外部周围延伸。螺旋卷绕的不锈钢线圈30形式的谐振器位于石英管28内，所述线圈被布置使得，当一次性前端组件12B被固定在手持件主体12A上的位置中时，线圈的近端相邻于内电极 24的远端。所述线圈被卷绕使得其相邻于并紧密接触所述石英管28的内表面。在仪器的使用过程中，氮气通过一供给管29被供给至管28的内部，在管28处，氮气达到所述内电极24的远端附近的一位置。当一射频电压经由同轴电缆被施加至电极24 和26时，在内电极的远端区域中形成强射频电场。所述电场强度被螺旋线圈30加强，该 螺旋线圈在发生器的运行频率谐振，并且以这种方式加速将氮气转化为等离子体，所述等 离子体在石英管28的喷嘴28A处流出为喷射流。以处理光束轴线32 (该轴线是管28的轴 线)为轴心的等离子流被导向在待处理的组织上，典型地，喷嘴28A被保持为距离组织的表 面数毫米。手持件12还包括一光学纤维光导34，该光导延伸穿过塞绳14进入手持件，该光 导管的远端部分34A被向内弯曲朝向由石英管28所限定的处理轴线，以终止于限定一相 邻于喷嘴28A的出口孔的远端。在该点的纤维光导34的倾斜角限定一个用于将目标标识 (targetmarker)投射到组织表面的投射轴线。在重复使用该仪器之后，需要更换石英管28及其谐振线圈30。包含这些元件的一 次性前端组件12B与仪器的可重复使用部分12A轻易附接或分离，在仪器的两个部件12A、 12B之间的接口提供石英管28和线圈30相对于电极24、36的准确定位。在本发明的该第一实施方案中，光学检测器36借助于一安装构件38被可拆卸地 附接至外电极26的表面。该光学检测器36被定位，使得其通过在外电极26的表面中的小 孔40从石英管28内接收辐射。所述光学检测器36连接至(a)电源线42，所述电源线42 的另一端连接至一电源(未示出)以向光学检测器提供功率；(b)信号线44，所述信号线44 的另一端连接至包含在基本单元10内部的一中央处理器(CPU)(未示出)。可使用任意合 适的光学检测器36，例如，由Integrated Photo-Optics Limited公司所制造的集成光电传 感器(型号IPL 10530 DAL)。所述孔40被配置使得仅少量射频能量从石英管28内泄漏 出，同时允许足够光学能量到达检测器。所述孔40被定位使得光学检测器36检测来源于内电极24的远端的辐射。在生 产等离子体的初期，谐振线圈30的围绕该内电极24的远端的区域用于形成电弧。在这些 电弧的形成过程中所发出的辐射被光学检测器36检测到，并经由信号线44被反馈至CPU 进行分析。在本发明的第二实施方案中，如图3中所示，光学检测器36如之前一样借助于安 装构件38被可拆卸地连接至外电极26的表面，但是该光学检测器被设置在谐振线圈30的 远端。发射自谐振线圈30内的辐射穿过一个小孔40，并且被光学检测器36检测到，所述光 学检测器的输出经由信号线44被供给至CPU。在该实施方案中，光学检测器36检查正在谐 振线圈30内形成并从内电极的远端流动的等离子体，直到等离子体到达石英管28的喷嘴 28A。在本发明的第三实施方案中，如图4所示，光学检测器36借助于一安装构件38被 可拆卸地连接至石英管28的喷嘴28A端。由于在该实施方案中，光学检测器36被布置在 外导体26的远端以外并直接附接至石英管28，该石英管是基本透明的，不需要小孔。随着 在谐振线圈30内产生的等离子体流过石英管28，石英会变热。因此，优选的是，光学检测器 36借助于一垫圈(未示出)与石英的表面间隔开，以避免光学检测器的过度受热以及避免其可能的损坏。在该实施方案中，由于光学检测器36被定位在石英管28的远端，被检测到的等离子体辐射主要源自Lewis-Rayleigh余辉。石英管28以及因此安装构件38形成一次性组 件12B的一部分，使得在去除所述前端组件之前，应首先将光学检测器36从安装构件中去 除，允许其附接至新的前端组件的安装构件。或者，光学检测器可构成所述一次性组件的整体部分，同时使用一可去除装置形成与所述发生器的电连接。在图5A、5B和5C中示出的实施方案分别是在图2、3、4中所示的实施方案的变体， 从而光学检测器36和安装构件38用一光学纤维46替代，该光学纤维可借助于一光学纤维 安装构件48分别可去除地附接至外电极26或石英管28的外表面。在图5A和5B所示的实 施方案中，光学纤维46通过在外电极26的表面中的小孔40从石英管28内接收辐射。在 图5C所示的实施方案中，光学纤维46被定位在外电极26的远端以外并被直接附接至基本 透明的石英管28相邻于喷嘴28A。如图4的实施方案一样，在这种情况下不需要小孔。光 学纤维46将所述辐射传输至安装在基本单元10中或者位于另一合适位置的一检测器(未 示出)。现在参照图6，其是根据本发明的一个系统的结构图。交流(AC)输入电源100接收外部主交流电200，并在连接至用于磁控管(magnetron) 102的高压电源101、中央处理器 (CPU) 109以及磁控管热丝电源105内的电源电路的供给线201、206和207上产生电压。磁控管102包括一个关联的同轴馈电传输(coaxial feedtransition)，并从磁控 管高压电源101接收高压驱动202，从磁控管热丝电源105接收低压、高电流驱动，以便在 输出线路203上产生射频功率。在该实施方案中，所述射频功率产生于超高频范围内，具体 在2. 45GHz或其接近。磁控管102所产生的射频功率被输送到一超高频循环器103，在线 路204上的超高频循环器的输出被馈送至一超高频隔离器(isolator) 104，该超高频隔离 器提供电子隔离安全屏障。隔离器104的输出205经由包含在塞绳14内的射频同轴电缆 14A(参见图2)被联接至手持件12。在线路202上产生磁控管高压电源电压需要从CPU 109中同时呈现如下两个控制。首先，磁控管电流需求控制线路215将来自于CPU109的电流需求信号传送至磁控管 高压电源101，以通过确定在供给线路202上用于磁控管的电流水平，来确定在输出203上 由磁控管102所产生的射频功率的瞬时射频输出功率水平。在线路202上所产生的电流 与磁控管电流需求控制线路215上的电压成比例。因为由输出203上的磁控管所提供的 射频功率水平与供给线路202上的供给电流成比例，在控制线路215上的磁控管电流需求 信号决定射频输出功率水平。其次，输出允许信号控制线路(output enablement signal controlline)216——其将来自于CPU 109的输出允许信号传至磁控管高压电源101—— 本质上将高压电源101的输出接通或断开。既然CPU 109控制了在控制线路216上的允许 信号，由此也可决定所述输出电流202的持续时间，以及在线路203上的射频功率输出的持 续时间。从而，CPU 109借助于线路215上的磁控管电流需求信号设置射频输出功率水平， 并借助于线路216上的允许信号设置产生射频功率输出的持续时间。在超高频循环器103、隔离器104、它们各自的互联线路(未示出)、以及同轴电缆14A(其通向手持件12)中发生的射频功率的损耗，被公知地或通过其他方法进行补偿。由 此可确定在等离子体发生手持件12的输入端205处的射频功率水平。一个受压氮气源107通过连接设备210被连接至一个气阀108，该气阀经由一控制 反馈212被操作。所述氮气经由气体供给管29 (还参见图2)被进给入所述手持件12中。在操作过程中，CPU 109启动控制线路212，导致将高压氮气供给至手持件12。磁控管高压电源101的磁控管电流需求通过在控制线路215上的电压水平被设 置。当来自于气源107的气体流入手持件12时，所述允许信号控制线路216被CPU 109设 置，用于根据在磁控管电流需求控制线路215上的电压幅度在磁控管输出线路上产生一定 功率水平的射频功率203。输出线路203上的射频功率以公知功率水平被产生，只要在控制 线路216上的允许信号启动磁控管高压电源101。等离子体发生通常开始于射频功率被施加至所述手持件的0.5毫秒内。当不再向 手持件施加射频功率时，或者当射频功率降至用于维持等离子体发生所需的水平之下时， 等离子体发生就立即终止。在单独等离子体脉冲的发生过程中，发生如下过程1.根据CPU 109经由控制线路212所提供的信号，从气源107中释放出气体。2.根据在控制线路215上的电压，确定在电源线路203上的射频功率水平，以及被 供给至手持件12的射频功率。3.产生具有已知功率水平Pl和脉冲宽度Tl的单个脉冲，这是通过在相同时段 Tl (忽略公知的和可重复的传播延迟和其他激活延迟)内经由控制线路216对磁控管高压 电源101的输出202的激活而产生的。4.等离子体生产典型地开始于在时段Tl开始的0. 5ms内。5.在时段Tl结束时，将控制线路216禁止。从而，超高频射频功率输出202停止， 等离子体发生也停止。6.在时段Tl之前，或者在时段Tl结束时，CPU 109经由阀控制线路212将气源 107禁止，或者如果在时段T2内需要另一等离子体脉冲时，则维持所述气源107，其中T2是 一个相对短的时间，否则将被根据需要进行控制以确保足够的等离子体生产。用户界面18连接至CPU 109，并为用户提供设置所需的等离子体脉冲参数的装置。光学检测器36——其借助于一安装构件38 (参见图2 4，以及图5A 5C)连接 至手持件12的外表面——接收来自于在等离子体发生腔(plasma generating chamber) 内的辐射，并经由适配器输出信号线路219向CPU 109反馈输出。信号线路219上的电压 的模-数转换发生在CPU 109中。通过这种转换，并且通过以足够快的速率将信号线路 219上的信号抽样，CPU 109可判断该信号的脉冲光学输出轮廓(pulse optical output profile)，并在单个脉冲的持续时间内将其与一正常等离子体脉冲的预期表现进行比较。 如果输出轮廓区别于正常等离子体脉冲相关的预定轮廓，则CPU 109将该轮廓与数个预定 错误轮廓进行比较，从而可确定当其发生时在等离子体发生中的故障。用户界面18可被用 于向用户指出故障的类型。如果，由于正在发生的故障，需要立即终止等离子体发生，那么CPU 109将信号线 路216禁止，防止进一步的等离子体发生。
现在将参照图7，CPU 109可响应于从光学检测器36所接收的输出信号219确定六种可能的错误。一旦发出等离子体脉冲(步骤300)，CPU 109就确定来自于光学检测器36中的光学输出是否被记录在施加所述射频功率的大约0.5ms内(步骤302)。如果是的话，CPU 109判断输出是否继续位于预定的下阈值a之上且位于预定上阈值b之下的一个近似恒定 的值，直到射频功率的供给停止(步骤304)。如果是的话，系统被认为是正常运行，同时正 在进行最佳等离子体发生。在时段Tl结束时，CPU借助于在线路216上的控制信号将磁控 管高压电源101禁止，防止进一步的射频功率发生。如果需要另一脉冲(由使用者经由用户界面18所设置的参数决定)(步骤306)， 系统返回步骤300，在此发出另一等离子体脉冲。在其中输出被记录在供给射频功率开始的大约0. 5ms内，但是其中所述输出没有 继续位于在上阈值b和下阈值a之间的一大约恒定值的情况下，CPU 109判断输出是否在一 预设时段内位于最大值，如果是的话，记录一点火不良错误(misfire error) 310, CPU 109 将经由信号线路216防止在时段Tl的剩余部分进一步供给射频功率，并经由用户界面18 通知用户。如果在步骤308中确定了如下情况，即输出在一预设时间内位于低于下阈值a的 水平，那么CPU 109将经由信号线路216防止在时段Tl的剩余部分进一步供给射频功率， 并经由用户界面18通知使用者。如果在等离子体脉冲发射300之后，在射频功率发生开始的大约0. 5ms内未记录 到一输出信号时，CPU 109判断所述输出是否记录在射频功率被施加的大约Ims内(步骤 314)。如果输出被记录在大约Ims内，则CPU 109判断所述输出是否继续位于在预定下阈 值a之上且在预定上阈值b之下的一个近似恒定的值。如果是的话，则确定发生了一个延 迟的等离子体发生错误318，但是还是令人满意的。在该情况下，CPU可将时段Tl延长，以 便作为一种确保准确能量传输的方法用于补偿在等离子体生产中的延迟。如果在步骤316 中，确定到所述输出在一预设时段内分别位于上阈值b之上或下阈值a之下，则CPU经由信 号线路216防止在时段Tl的剩余部分进一步供给射频功率，并经由用户界面18通知使用 者一个未知错误320。如果在步骤300将等离子体脉冲发出之后，约Ims以后在步骤314未记录一输出， 则CPU 109判断在射频功率被施加的约4ms内是否记录到一输出(步骤322)。如果记录 到一输出的话，则CPU使用控制线路216防止在时段Tl的剩余时间内进一步供给射频功 率，并经由用户界面18通知使用者一个未知错误320。然而，如果在射频功率被施加的大约 4ms之后仍未记录到一输出，则CPU 109记录由一缺失喷嘴或故障喷嘴所导致的错误(步骤 324)。在这种情况下，CPU 109经由信号线路216防止进一步向手持件12施加射频功率。对于本领域普通技术人员将显而易见的是，可运用如下公知方法将本系统确定故 障状态的能力最优化即，通过使用光学纤维、或者通过一检测器或者多个检测器的频谱响 应特性、或者其组合，将光谱的某些选定部分(无论对于人眼可见或不可见)进行削弱、或 者优先。对于本领域普通技术人员还将显而易见的是，除了较简单的光学检测器，或者取代 所述较简单的光学检测器，还可使用诸如频谱仪的设备。对于本领域普通技术人员还将显 而易见的是，可使用如下一种方法，诸如根据进入检测器及其相联的光学滤波器的光的不 同入射角度，选择性地将其对于所检测到的整体光学水平的贡献进行权衡。
权利要求
组织处理装置，其包括射频(r.f.)发生器、处理仪器以及光学分析设备，其中所述仪器具有气体导管，该气体导管终止于一个等离子喷嘴并且可连接至一个可电离气源；以及与所述导管相连的一对电极，该对电极可连接至所述发生器并被布置为当被发生器提供一射频电压时在导管内产生一电场，从而当该仪器被供给以气体时在流经所述导管的可电离气体中产生等离子体，以及其中所述光学分析设备包括至少一个光学检测器，其被布置为直接从管道内接收由所述等离子体发出的辐射；处理器级，其用于处理来自所述至少一个光学检测器的输出信号，从而将输出信号的代表与一基准代表进行比较，并响应于一预定比较结果产生一故障信号，所述故障信号表明在装置内的故障；以及控制级，其用于响应于所述故障信号来控制所述发生器的射频能量的产生。
2.根据权利要求1所述的组织处理装置，其中所述至少一个光学检测器通过在处理仪 器的侧面中所形成的孔接收辐射。
3.根据权利要求1所述的组织处理装置，还包括至少一光学纤维，其用于将等离子体 所发出的辐射导向至所述至少一个光学检测器。
4.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，其中所述处理器被布置为控制被供给 至所述仪器的可电离气体的流动。
5.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，还包括一用户界面。
6.根据权利要求5所述的组织处理装置，还包括经由所述用户界面向使用者表明故障 的装置。
7.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，其中所述控制装置被布置为，如果处 理器接收到要求防止进一步的等离子体生产的具体故障信号，就防止进一步的等离子体生产。
8.根据权利要求1 6中任一权利要求所述的组织处理装置，其中所述控制装置被布 置为，如果处理器接收到不要求防止等离子体生产的具体故障信号，就允许进一步的等离 子体生产。
9.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，其中所述处理器级和控制级构成所述 发生器的一部分。
10.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，其中所述处理器级被布置为，当来自 于光学分析设备的输出信号表明在发生器开始向所述仪器传送射频能量之后一预定间隔 内在所述导管内不存在辐射时，产生一故障信号。
11.根据任一上述权利要求所述的组织处理装置，其中所述处理器级被布置为，当来自 于光学分析设备的输出信号表明在所述发生器产生射频能量的过程中所述导管内的辐射 没有保持近似恒定时，产生一故障信号。
12.—种控制组织处理装置的方法，该组织处理装置具有射频(r.f.)发生器、处理仪 器以及光学分析设备，所述仪器具有终止于一等离子体喷嘴的气体导管，所述仪器可连接 至所述发生器并连接至一个可电离气源，当被供给以可电离气体并被发生器提供能量时， 该仪器用来在其喷嘴处产生等离子流，该方法包括如下步骤从所述气体导管供给可电离气体；运行所述发生器将一射频电压施加至与所述导管相联的一对电极，以在该导管内产生电场，从而在流经该导管的可电离气体中产生等离子体；在至少一个光学检测器中接收由等离子体所发出的辐射，所述辐射是直接从所述导管 内接收到的；将从所述至少一个光学检测器中的输出信号的代表与一基准代表进行比较； 响应于预定比较结果产生一故障信号，该故障信号表明在装置内的故障；以及 响应于该故障信号，控制所述发生器的射频能量的产生。
13.根据权利要求12所述的方法，其中当所述比较步骤表明在所述发生器开始工作之 后的预定时间间隔内、在导管内不存在辐射时，产生所述故障信号。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其中当所述比较步骤表明在导管内的辐射没有 在所述发生器的工作过程中保持近似恒定时，产生所述故障信号。
15.根据权利要求12 14中任一权利要求所述的方法，其中所述辐射由所述至少一个 光学检测器经由至少一光学纤维接收到。
全文摘要
在用于皮肤表面修复的组织处理装置中，该装置具有一手持式处理仪器，该仪器具有连接至一射频发生器的电极，通过将穿过在该仪器内的气体导管的气体进行电离从而产生等离子体流，所述等离子体从导管末端的喷嘴处喷出。在该仪器内包含一光学检测器，该光学检测器直接从所述导管内接收由所述等离子体发出的辐射并产生输出信号，所述输出信号被处理，从而在开始将射频能量输送至该仪器之后的预定间隔内不存在辐射的情况下或者如果在输送射频能量的过程中辐射不在近似恒定的水平，就表明一故障状态。
文档编号A61B18/00GK101801297SQ200880105164
公开日2010年8月11日 申请日期2008年6月24日 优先权日2007年6月28日
发明者K·潘尼 申请人:里泰克有限公司