等离子体处理装置和等离子体处理方法

专利名称：等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域：
本发明涉及利用等离子体来对等离子体处理装置的真空容器内进行清洁的技木。
背景技术：
在半导体器件的制造エ序中的对半导体晶片表面进行的等离子体处理中，随着处理次数的増加，在真空容器的内壁和载置台等上附着的反应生成物的附着量増加。由于当附着量变多时处理环境发生变化，因此有可能导致在晶片间进行的处理的均匀性变差，另夕卜，还成为产生颗粒的主要原因。因此，例如利用使清洁气体等离子体化而得到的等离子体来定期地对真空容器内进行清洁，例如，在使氟化碳(CF)类气体等离子体化进行等离子体蚀刻的装置中，作为清洁气体使用氧(O2)气，以使CF类反应生成物灰化。在这种情况下，为了防止载置台的表面的损伤，通常在载置台上载置仿真晶片后进行等离子体清洁。但是，在该方法中，需要将仿真晶片搬入、搬出真空容器的步骤，因此成为生产能力降低的主要原 因，另外，仿真晶片的成本高，因此存在制造成本变高的缺点。于是，也存在不使用仿真晶片进行清洁的情况，但在该情况下由于载置台的表面暴露在等离子体中，因此该表面变得粗糙，当其粗糙程度变大时，载置台与晶片的传热状态发生变化，导致晶片的エ艺温度偏离设定温度，其结果静电吸盘的更换频率变多。专利文献I中记载了在等离子体蚀刻时叠加直流电的技木，但并不如本发明那样地适用于等离子体蚀刻装置内部的清洁エ序。专利文献2中记载了基板处理室的清洁方法，但没有叠加直流电的记载。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007-180358号公报专利文献2 :日本特开2007-214512号公报

发明内容
发明要解决的课题本发明是在这样的背景下完成的，其目的在于提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。用于解决课题的手段本发明提供一种等离子体处理装置，其为平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与第二电极之间施加高频电カ使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对所述基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极；向所述直流电压施加用电极施加直流电压的直流电压电源部；清洁气体供给部，其供给用于对所述真空容器内进行清洁的清洁气体；和控制部，其输出控制信号以实施以下步骤在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体的步骤；在所述第一电极与第二电极之间施加高频电カ使清洁气体等离子体化的步骤；和在使清洁气体等离子体化的期间对所述直流电压施加用电极施加直流电压的步骤。另外，本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与和该第一电极相对的第二电极之间施加高频电カ使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对基板进行等离子体处理的エ序；在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体，在所述第一电极与所述第二电极之间施加高频电力，使清洁气体等离子体化的エ序；在进行所述使清洁气体等离子体化的エ序时，对在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极施加直流电压的エ序。发明的效果
根据本发明，在基板不存在于载置台的状态下，利用等离子体来对在等离子体处理装置的真空容器内部附着的反应生成物进行清洁时，能够通过对等离子体施加直流电压，来維持等离子体的高电子密度，并且降低等离子体的离子能量。由此，能够进行良好的清洁，另外，由于因等离子体引起的溅射作用降低，因此能够抑制载置台表面的损伤。


图I是表示本发明实施方式中的等离子体蚀刻装置的纵剖面的侧面图。图2是表示上述等离子体蚀刻装置的控制部的方框图。图3是说明上述实施方式中的蚀刻处理和清洁处理的エ序的流程图。图4是说明上述实施方式中的附着物的清洁处理的示意图。图5是说明本发明的作用的示意图。图6是表示本发明中的其它实施方式的示意图。图7是说明本发明的实施例的静电吸盘的表面的形状的示意图。图8是本发明的实施例中的试验結果。图9是本发明的实施例中的试验結果。图10是本发明的实施例中的试验結果。图11是本发明的实施例中的试验結果。图12是本发明的实施例中的试验結果。符号说明W 晶片I真空容器3基座(下部电极)37第一高频电源39第二高频电源4气体喷头(上部电极)46导通、断开开关47可变直流电源53第一气体供给系统
62第二气体供给系统7控制部82第三气体供给系统
具体实施例方式參照图I对作为本发明的等离子体处理装置的ー实施方式的等离子体蚀刻装置进行说明。该蚀刻装置作为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置而被构成。在真空容器I的底部，隔着由陶瓷等构成的绝缘层21配置有支承台2，在该支承台2上设置有由例如铝构成且构成为下部电极的基座3。在基座3的上部沿周边形成有台阶部31，在基座3的上部中央的凸部32设置有通过静电吸附保持晶片W的静电吸盘33，吸盘电极经由开关35与直流电源34电连接。作为下部电极的基座3，经由匹配器36与等离子体生成用的第一高频电源37电连接，另外，经由匹配器38与用于供给离子引入用的偏压电 力的第二高频电源39连接。在以包围静电吸盘33的方式形成于基座3上部的上述台阶部31上，配置有用于提高蚀刻的均匀性的被称为聚焦环等的环状部件22。在支承台2的内部，沿例如支承台2的周方向设置有制冷剂室23。从设置于外部的未图示的冷却设备经由配管24、25向该制冷剂室23循环供给规定温度的制冷剂例如冷却水，由此能够通过制冷剂的温度对基座3上的晶片W的处理温度进行控制。另外。来自未图示的传热气体供给机构的传热气体例如氦(He)气经由气体供给线被供给到静电吸盘33的上表面与晶片W的背面之间。在作为下部电极的基座3的上方，与基座3相对地设置有兼用气体喷头的上部电极4，上部电极4与下部电极(基座)3之间的空间成为等离子体生成空间。该上部电极4，具备主体部41和作为电极板的上部顶板42，隔着绝缘性遮断部件11被支承于真空容器I的上部。主体部41，由导电性材料例如表面被阳极氧化处理后的铝构成，在其下部能够拆装自如地支承有上述上部顶板42。在主体部41的内部，设置有与主体部41的上部的气体导入口 43连通的气体扩散室44，以从该气体扩散室44均等地分布例如多个气体喷出孔45的方式形成。向气体扩散室44供给的处理气体，经由气体喷出孔45在处理环境下被喷淋状地分散供给。在主体部41的上部的气体导入口 43与气体供给管5连接，在该气体供给管的基端侧分盆有分支管51、61、81。第一分支管51经由第一气体供给系统53与处理气体供给源52连接。作为该处理气体，可以举出将碳元素(C)和氟元素(F)作为有效成分而含有的气体，例如CF类气体、CHF类气体、或者它们的混合气体等。CF类气体具有例如C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等，作为CHF类气体，可以举出例如CHF3气体和CH2F2气体等。第二分支管61经由第二气体供给系统62与清洁气体供给源6连接。清洁气体使用例如氧(O2)气，通过O2气体的等离子体将由真空容器I内的聚合物构成的附着物灰化并除去。第三分支管81经由第三气体供给系统82与氩(Ar)气供给源8连接。为了使等离子体的稳定化，该Ar气体与清洁气体混合使用。在这些气体供给系统53、62、82中，包括阀54、55、63、64、83、84和流量调节部56、65、85等，通过来自下述控制部7的控制信号，进行气体的供给或断开、流量调整等。
上述上部电极4经由开关46与可变直流电源47电连接，该可变直流电源47通过导通、断开开关46能够实现供电的导通、断开。如下述证实的那样，通过对上部电极4施加适当大小的直流电压(DC)，能够不降低等离子体的电子密度地降低等离子体的离子能量。因此，即使在不使用仿真晶片地进行等离子体清洁的情况下，也能够抑制由等离子体离子引起的静电吸盘33的表面的损伤，并且将真空容器I内的附着物灰化并除去。该施加的直流电压的适当大小例如为-200V -320V，进ー步优选-200V -300V。在真空容器I的底部设置有排气ロ 12，该排气ロ 12通过排气管13经由压カ调整部14与真空排气机构15连接。由此，能够将真空容器I内减压到期望的真空压力。另外，在真空容器I的侧壁设置有通过闸阀17能够开关的晶片W的搬入搬出ロ 16。另外，在真空容器I的底部的、真空容器I的侧壁与支承台2之间，设置有挡板18。在本等离子体蚀刻装置中设置有控制部7。该控制部7如图2所示，具备CPU71和方案存储部72，在该方案存储部72中经由例如CD-ROM或DVD-R等存储介质存储有包括蚀刻处理中的例如处理条件的运行參数的数据等的处理方案73 ;和包括真空容器I内的清洁处理中的例如处理条件的运行參数的数据等的清洁方案74。第一高频电源37、第二高频电 源39、可变直流电源47、导通、断开开关46、第一气体供给系统53和第二气体供给系统62等，由控制部7基于处理方案73和清洁方案74进行控制。75为总线。其次，对本实施方式的作用进行说明。目前，当清洁真空容器I内，并再次运行本装置时，在控制部7，通过图3的步骤SI将处理次数设定为“I”(设η = I)，并开始蚀刻处理(步骤S2)。首先将闸阀17设为敞开状态，通过设置于真空容器I的外部的未图示的搬运臂，将作为蚀刻对象的被处理基板的晶片W经由搬入搬出ロ 16搬入真空容器I内，经由未图示的升降销载置于基座3上，且静电吸附于静电吸盘33上。在关闭闸阀17后，从处理气体供给源52将包含含有碳和氟的化合物的气体的处理气体以规定的流量经由气体喷头(上部电极)4向真空容器I内供给，并且将真空容器I内的压カ设为例如O. IPa 150Pa的真空环境。另外，对作为下部电极的基座3从第一高频电源37以规定功率施加等离子体生成用的高频电力，并且从第二高频电源39以规定功率施加离子引入用的高频电力。由此，使处理气体等离子体化，通过生成的等离子体中的自由基、离子对晶片W的被处理面进行蚀刻。蚀刻处理完成后的晶片W通过与搬入动作相反的动作被搬出至真空容器I的外部。接着，对后续的晶片W进行蚀刻处理(步骤S3、S4、S2)，当晶片W的处理片数达到预先设定的设定片数时，转移到进行真空容器I内部的清洁处理的エ序(步骤S5)。在清洁エ序的开始时刻，如图4所示，基座3的表面为相对于等离子体处理区域露出的状态，在真空容器I的内壁、环状部件22等的基座3上的晶片W的载置区域周边，附着有因蚀刻处理而生成的反应生成物A。在该例中，作为处理气体，使用CF类或CHF类气体，因此，因蚀刻而以聚合物为主成分的反应生成物A附着在真空容器I内。在该状态下，即在不将仿真晶片载置于基座3上而将晶片W的载置区域保持露出的状态下，从清洁气体供给源6将清洁气体例如O2气体以规定的流量例如700sccm(standard cc/min :标况毫升姆分)供给向真空容器I内，并且从Ar气体供给源8将Ar气体以规定的流量例如700sccm供给向真空容器I内。而且，将真空容器I内的压カ设定为例如400mTorr后，以例如800W施加等离子体生成用的40MHz的高频电力。而且，从可变直流电源47向上部电极4施加例如-200V -320V的直流电压。清洁气体(02气体)通过高频电カ而等离子体化，作为附着于真空容器I内的附着物的聚合物A，通过氧自由基、离子而被灰化，并被排出到真空容器I夕卜。清洁处理进行例如I分钟。在此，使用图5对等离子体清洁处理中产生的作用的详细内容和施加直流电压产生的效果进行说明。在不对上部电极施加直流电压的情况下，如图5(a)所示，通过对下部电极施加高频电压Vap,产生等离子体电势Vp的等离子体。此时的等离子体电势Vp与高频电压Vap的差值电压为等离子体中的离子能量。当对上部电极3施加直流电压并对等离子体施加直流电压时，高频电压Vap的振幅变小。这在下述实施例中由高频电压Vap的Vpp (上侧峰值与下侧峰值的差值)的測量结果证实。此外，通过施加直流电压，基座3和环状部件22等的直流电位Vdc下降(负电压的绝对值变大)。当高频电压Vap的振幅变小时，等离子体电势Vp也降低，因此，其结果是离子能量的最大值Vm变小。 另ー方面，离子能量与由等离子体中的氩离子、氧离子引起的物理溅射作用的强度密切相关，特别是当该离子能量的最大值Vm，即在等离子体电势Vp和高频电压Vap为最小的时刻下的离子能量大时，对基座3表面的溅射作用变大,而使表面的粗糙变大。因该表面粗糙程度而左右晶片W的处理状态。因此，通过对等离子体施加直流电压而使得离子能量的最大值Vm降低，因此能够在抑制基座3上的晶片W的载置区域的表面粗糙的状态下实现真空容器I内的清洁。另外，如果只为了减小等离子体生成用离子能量，则减小第一高频电源37的功率即可，但这样一来，气体的离解程度变小，等离子体密度(详细而言，等离子体的活性种的密度)降低，不能进行有效的清洁。因此，本实施方式的清洁手法，能够确保充分的等离子体密度并且降低离子能量，抑制过度的溅射作用。根据上述实施方式，在等离子体蚀刻处理后，在使基座3的表面露出的状态下，利用等离子体P来清洁真空容器I内部，对清洁时的等离子体P施加直流电压。因此，能够得到高密度的等离子体并且降低离子能量，能够进行良好的清洁并且抑制基座3表面的损伤。如上所述，因基座3的表面粗糙的程度而改变基座3与晶片W之间的热传递性，因此，通常在无晶片清洁中，随着清洁次数的増加，晶片W间的处理的均匀性降低。为了避免这种情况，需要进行更换静电吸盘33等的定期维护，但通过抑制基座3表面的损伤，具有能够延长维护周期(能够降低维护的频率)的效果。无晶片清洁在不使用仿真晶片这一点上有利，但存在损伤基座3表面的课题，因此上述实施方式是有效的技木。在上述实施方式中，对兼作气体喷头的上部电极4施加直流电压，但如图6所示，也可以对电极9a施加直流电压，该电极9a以面向等离子体处理区域的侧面的方式配置。另夕卜，在图6中，对于实现与上述实施方式相同的功能的机构,在上述实施方式的符号中标注“a”，并省略其说明。此外，本发明，可以在上下双频的等离子体处理装置(对上部电极供给等离子体产生用的高频电カ，且对下部电极供给偏压用的高频电カ的装置)中对上部电极施加直流电压，也可以在与上述实施方式同样的下部双频的等离子体处理装置中对被称为聚焦环的等离子体的状态调整用的环状部件22施加直流电压。在上述实施方式中，作为清洁气体使用O2气体，但清洁气体只要选择与除去对象的附着物的组成成分对应的气体即可。例如，在作为对多晶硅薄膜进行蚀刻时使用的气体包含O2气体的情况下，对作为因蚀刻而生成的生成物的氧化硅类附着物，可以使用例如氟气。此外,清洁气体也可以与例如其它种类的清洁气体混合使用。
在上述实施方式中，以等离子体蚀刻处理后的清洁为对象，但本发明不限于此，例如也适用于以下情况在CVD(Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)处理后,通过使例如CF类清洁气体或氟气等离子体化，来对附着于真空容器内的薄膜进行清洁。实施例以下，叙述本发明进行的实验。(实验I:静电吸盘表面的损伤试验)如图7所示，在静电吸盘33b的表面，遍及整个表面地形成有无数微小的圆柱状的岛状部分91b，当载置晶片W时该岛状部分91b的平坦的上表面与晶片W接触。因此，在等离子体清洁的前后岛状部分91b的形状不变是重要的。当不使用仿真晶片地进行等离子体清洁时，有可能导致该岛状部分91b的形状发生变化，而与晶片W的接触面积減少。当晶片W与岛状部分91b的接触面积减少时，导致晶片W与基座之间 的热传递的动作改变，而难以将半导体器件的品质保持为一定。因此，在某些一定的处理条件下，在不使用仿真晶片而使静电吸盘33b的表面露出至处理区域的状态下，对进行等离子体清洁处理时有无因施加直流电压(DC)引起的岛状部分91b的形状变化进行调查。将等离子体处理前的试样作为參考例1，将施加直流电压进行等离子体处理的情况和不施加直流电压进行等离子体处理的情况的试样分别作为实施例I和比较例I。处理条件如下所示。·真空容器内的压力53·3Pa (400mTorr)·第一高频电カ800W·清洁气体的种类和流量02气体、700sccm·等离子体处理时间50小时·施加直流电压0V (比较例I)、-300V(实施例I)在等离子体处理后，通过扫描型电子显微镜(SEM !Scanning ElectronMicroscope)分别对晶片W的中央部和周边部的岛状部分91b的上表面的损伤状态进行观察，并且分别对晶片W的中央部和周边部的岛状部分91b的上表面的表面粗糙度(算木平均粗糙度Ra)和岛状部分91b的上表面的直径进行测量，与等离子体处理前的值进行比较。在该试验结果中，岛状部分91b的上表面的表面粗糙度和直径如表I所示。另外，在表I中记载了与等离子体处理前相差的值。实施例I的岛状部分91b的表面粗糙度和直径均与參考例I大致相等，但与实施例I相比，比较例I的表面粗糙度增加且直径減少。由此，能够确认出在不使用仿真晶片的等离子体清洁处理中，通过施加直流电压，能够减轻静电吸盘33b的表面的损伤。(实验2:等离子体的溅射作用引起侵蚀试验)为了通过施加直流电压的大小来定量因等离子体引起的溅射作用的強度如何变化，而将多晶硅芯片载置于内部干净的真空容器中进行等离子体处理，且对该多晶硅的芯片的厚度、表面粗糙度(Ra)和通过SEM观察到的表面进行观察。处理条件如下所示。·真空容器内的压力53·3Pa (400mTorr)·第一高频电カ800W·清洁气体的种类和流量02气体、700sccm·等离子体处理时间5小时·施加直流电压0V (比较例2)、-300V(实施例2)
作为本实验的參数的施加直流电压的大小设为OV和-300V，将该试样分别作为比较例2、实施例2，将处理前的试样作为參考例2。其结果如图8所示。首先，关于比较例2，可知与參考例2相比较，表面粗糙度減少，在SEM观察下表面也变平滑。此外，芯片的厚度也減少。一般认为这是因等离子体的溅射作用而引起的。关于实施例2，其结果在芯片的厚度、表面粗糙度和SEM观察中的任意一项均与參考例2大致相同。因此，确认出通过对等离子体施加直流电压，能够降低因等离子体引起的溅射作用。(实验3:因等离子体的溅射作用引起的侵蚀试验)为了通过有无施加直流电压来定量因等离子体引起的溅射作用的力的強度(下面，称为溅射力)如何变化，而对形成有热氧化(Th-SiO2)膜的晶片进行等离子体处理，且对晶片的径向位置的溅射率进行测量。处理条件如下所示。
·真空容器内的压力53·3Pa (400mTorr)·第一高频电カ800W·清洁气体的种类和流量氩(Ar)气体、700sccm·等离子体处理时间1分钟·施加直流电压0V (比较例3)、-300V (实施例3)将施加了 -300V的直流电压的试样作为实施例3，将不施加直流电压的试样作为比较例3，其结果如图9所示。在比较例3中，从晶片的中央部到周边部溅射率大致均匀，为O. 2nm/min O. 3nm/min0另ー方面，在实施例3中，在晶片的任何位置完全未被溅射。由此，确认出通过施加直流电压，起到抑制因等离子体引起的溅射作用。(实验4:施加直流电压与Vpp的关系)如上所述，等离子体的溅射カ与等离子体的离子能量的最大值Vm的大小密切相关，而该离子能量的最大值Vm与高频电压Vap的Vpp (上侧峰值和下侧峰值的差值)密切相关。因此，通过测量该Vpp，能够推测出等离子体的溅射力。在该实验4中，改变施加的直流电压的大小并对此时的Vpp进行测量，对能够较低地抑制溅射カ的适当的施加直流电压的大小进行调查。运转条件如下所示。·真空容器内的压力53·3Pa (400mTorr)·第一高频电カ800W·清洁气体的种类和流量02气体、700sccm 施加直流电压0V、-300V其结果如图10所示。通过施加-300V的施加直流电压，能够使Vpp降低。由此，能够推测出通过施加直流电压，能够减轻等离子体引起的溅射カ。(实验5:施加直流电压与离子能量的关系)离子能量的最大值Vm与等离子体电势Vp密切相关。因此，通过测量等离子体电势Vp，能够推测等离子体的溅射力。在该实验5中，改变施加的直流电压的大小，并对此时的等离子体电势Vp进行测量，对能够较低地抑制溅射カ的适当的施加直流电压的大小进行调查。运转条件如下所示。·真空容器内的压力53·3Pa (400mTorr)
·第一高频电カ800W·清洁气体中离子的种类Ar+离子、CF+离子、CF3+离子·施加直流电压0V、-300V其结果如图11所示。对任ー种气体施加-300V的直流电压，都能够降低等离子体电势Vp。由此，能够推测出在各种等离子体气体中，通过施加直流电压能够降低离子能量。(实验6:施加直流电压与灰分率和存储效应的关系)改变施加直流电压的大小，并且对等离子体处理的灰分率和存储效应进行測量。在真空容器内事先生成在通常的蚀刻处理中不可能产生的程度的大量的CF类附着物并使 其附着的情况下，进行等离子体处理，并对存储效应进行调查。在晶片的周边部测量灰分率和存储效应。处理条件如下。·真空容器内的压カ53. 3Pa(400mTorr)·第一高频电カ800W·清洁气体的种类和流量02气体、700sccm·等离子体处理时间1分钟 施加直流电压0V、-150V、-300V其结果如图12所示。关于灰分率，在施加直流电压从OV到-150V的期间为大致水平，但在-300V期间灰分率増加。另ー方面，关于存储效应，在从OV到-300V的期间持续減少。由此，能够确认出通过施加直流电压，能够提高真空容器内的清洁效果，此外也能够降低此时的存储效应。表I
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其为平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与第二电极之间施加高频电カ使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对所述基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括 在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极； 向所述直流电压施加用电极施加直流电压的直流电压电源部； 清洁气体供给部，其供给用于对所述真空容器内进行清洁的清洁气体；和控制部，其输出控制信号以实施以下步骤在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体的步骤；在所述第一电极与第二电极之间施加高频电カ使清洁气体等离子体化的步骤；和在使清洁气体等离子体化的期间对所述直流电压施加用电极施加直流电压的步骤。
2.如权利要求I所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述等离子体处理是使用CF类气体对基板进行蚀刻的处理， 所述清洁气体是氧气。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于 对所述直流电压施加用电极施加的直流电压为-200V -320V。
4.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括 在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与和该第一电极相対的第二电极之间施加高频电カ使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对基板进行等离子体处理的エ序； 在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体，在所述第一电极与所述第二电极之间施加高频电力，使清洁气体等离子体化的エ序； 在进行所述使清洁气体等离子体化的エ序时，对在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极施加直流电压的エ序。
全文摘要
本发明提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后，在使基座(3)的表面露出的状态下，利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空容器(1)的内部进行清洁，并除去附着于真空容器(1)的内部的反应生成物(A)。此时，对等离子体(P)施加直流电压。由此，能够得到高密度的等离子体(P)并且降低该等离子体(P)的离子能量，因此能够进行良好的清洁并且抑制基座(3)表面的损伤。
文档编号B08B7/00GK102693892SQ20121008026
公开日2012年9月26日 申请日期2012年3月23日 优先权日2011年3月25日
发明者村上贵宏 申请人:东京毅力科创株式会社