一种掩膜版清洁装置及其清洁方法
一种掩膜版清洁装置及其清洁方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法，涉及显示【技术领域】，能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，解决掩膜版污染的问题。在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s～1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
【专利说明】一种掩膜版清洁装置及其清洁方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light EmittingD1de, OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003]在OLED的制备过程中，常采用真空蒸镀工艺结合掩膜工艺形成图案化的薄膜层。如图1所示，利用掩膜版100，通过步进式(side by side)位移在基板10的表面依次蒸镀上红色11、绿色12以及蓝色13的有机电致发光材料。在此过程中，产生的掩膜污染物会吸附在掩膜版100上，并可能造成掩膜版100开口处的堵塞。这样在上述移位的过程中将导致重复性缺陷以及成膜不均的不良现象的产生。
[0004]现有技术中，为了解决上述掩膜版污染的问题，一般采用的掩膜版清洁方法包括:湿式药液浸泡、干式吸集、干式物理性粘附、干式等离子等。其中，干式吸集，是利用物理性抽气方式，利用气流去除掩膜版表面附著的污染物；干式物理性粘附，是利用物理性或化学性粘板，将掩膜版表面附着的污染物粘附去除。然而上述方式均难以清洁微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物，其清洁效果有限。而干式等离子灰化清洁，则是利用高能量等离子，对掩膜版表面污染物进行灰化，该方法能够去除有机污染物与细小粉尘，但很难去除较大的无机污染物，而且在灰化过程中容易对掩膜版表面造成划伤。此外，对于湿式药液浸泡方法而言，是将掩膜版表面的污染物利用有机药液浸泡去除，但此法容易在掩膜版细缝处残留药液，对掩膜版造成腐蚀，降低掩膜版的使用寿命。并且还需要耗费人力、物力对采用湿式药液浸泡的清洁装置进行定期的保养与维护。与此同时，采用在该方法的过程中还会产生废弃溶液对环境造成污染。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法，能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，解决掩膜版污染的问题。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例的一方面，提供一种掩膜版清洁方法，包括:
[0008]将掩膜版放置于载物台的承载面；
[0009]在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
[0010]本发明实施例的另一方面，提供一种掩膜版清洁装置，包括:
[0011]腔室，所述腔室用于容纳掩膜版；
[0012]干冰喷射设备，所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
[0013]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。其中，所述清洁方法包括将掩膜版放置于载物台的承载面后，在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S的速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述方法能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为现有技术中制作OLED的制作过程示意图；
[0016]图2为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁过程示意图；
[0017]图3a_图3c为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁过程中各个阶段的A局部结构示意图；
[0018]图4为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁方法流程图；
[0019]图5为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁装置的结构示意图。
[0020]【专利附图】
【附图说明】:
[0021]01-腔室；02_干冰喷射设备；212-压力部件；211_干冰输送通道；04_吹送部件；
05-吸集部件；06_干冰制备设备；07_存储腔；08_空压进气室；09_超声波发生源；10_基板；11-红色有机电致发光材料；12_绿色有机电致发光材料；13_蓝色有机电致发光材料；100-掩膜版；101-干冰颗粒；102-污染物；20-载物台；201-传送装置；202-喷头；203_进风口 ；204-出风口。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0023]本发明实施例提供一种掩膜版清洁方法，如图2所示，可以包括:在清洁时间T内，将干冰颗粒群(主要由高密度的干冰颗粒101构成)以340m/s?1000m/S的速度朝着掩膜版100的表面进行喷射，干冰颗粒群中的干冰颗粒101对掩膜版100的表面进行撞击。其中，上述喷射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，当干冰颗粒101的喷射速度小于340m/s时，由于撞击力度过小，撞击污染物102的力度弱小，在污染物102出现裂缝后，可能刚进入裂缝的干冰颗粒101就会升华成气体，而无法对裂缝施加作用力使其扩大，从而造成污染物102无法去除。另一方面，当速度大于1000m/s时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是与此同时也会对掩膜版100造成划伤。例如，对于有铁镍合金构成的掩膜版100而言，当其表面附着的污染物为有机污染物时，干冰颗粒群的运行速度可以为340m/s?1000m/s时，能够有效的对上述污染物进行去除。
[0024]需要说明的是，第一、具体的清洁过程可以为，如图3a所示(图2中A处的局部视图)，在干冰颗粒101高速(速度接近音速340m/s)连续撞击下，附着于掩膜版100上的污染物102表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，如图3b所示，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒101进入上述裂缝中，将该裂缝扩大，降低了污染物102的附着力；如图3c所示另一部分干冰颗粒101对污染物102的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物102最终从掩膜版100的表面脱落，最终达到清洁掩膜版100的效果。
[0025]第二、本领域技术人员可以根据附着于掩膜版100表面的污染物的类型，可以对上述清洁时间T，以及干冰颗粒101的大小进行设定。例如，当附着于掩膜版100的污染物为微小污染物时，可以将减小干冰颗粒101的大小以及减小清洁时间T。当污染物102的体积较大且，粘性较大时，可以增大干冰颗粒101的体积，并增加清洁时间T。
[0026]其中，优选的，干冰颗粒101的粒径可以为I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，当干冰颗粒101的粒径小于I μπι时，撞击污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于100 μ m时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。
[0027]本发明实施例提供一种掩膜版的清洁方法，包括将掩膜版放置于载物台的承载面后，在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述方法能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
[0028]以下，如图4、图5所示，对上述掩膜版清洁方法进行详细的描述。
[0029]S101、将掩膜版100放置于腔室01中的载物台20上。
[0030]S102、通过传送装置201移动用于放置掩膜版100的载物台20，以将掩膜版100移动至预设清洁位置。如图2所示，该传送装置201可以为传送带，当其沿着箭头方向进行转动时，位于载物台20上的掩膜版100被移动至预设清洁位置。
[0031]其中，该预设清洁位置可以根据清洁方式的不同进行设定，本发明对此不作限制。例如，在一个实施例中，可以将预设清洁位置设置于腔室01的中心位置。当传送装置201将掩膜版100的中心位置移动至该预设清洁位置(腔室01的中心位置)后停止移动。开始利用干冰颗粒101对掩膜版100进行清洁，直至清洁时间T结束。然后，传送装置201将掩膜版100移出该腔室01。上述方法操作简单，易于实现。
[0032]或者，在另一个实施例中，还可以将预设清洁位置设置于对应喷头202的位置。传送装置201可以采用变速传送的方式，首先，以较快的速度将掩膜版100先进入腔室01的一侧移动至该预设清洁位置。然后，在清洁过程中以较缓慢的速度向前移动，干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁结束。这样掩膜版100的待清洁表面的各个位置均经过上述预设清洁位置处，并被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁。当清洁过程结束后，传送装置201又采用较快的速度将掩膜版100移出腔室01。这样一来，采用上述变速传送的清洁方式，虽然操控相对复杂，但是可以节省清洁工序的时间，并且由于掩膜版100的待清洁表面的各个位置均在上述预设清洁位置处，被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁，因此能够提升清洁效果。
[0033]S103、在清洁时间T内，当干冰颗粒群中的干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?
1.6g/cm3时，将压强为1.97X10 _3PA?9.7X 15PA的气体作用于干冰颗粒群，以使得从喷头202喷出的干冰颗粒群能够以340m/s?1000m/S的速度朝着掩膜版100的表面进行喷射。进而干冰颗粒群中的干冰颗粒101对掩膜版100表面的污染物102进行清洁。具体的，上述压强为1.97X 1^3PA?9.7X 15PA的气体可以由压力部件212进行制备。需要说明的是，上述气体可以选择不会对干冰颗粒群、掩膜版100以及清洁设备的物理、化学性质产生影响的气体，例如，空气、惰性气体等。
[0034]其中，在上述清洁时间T内，当干冰颗粒群中的干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?
1.6g/cm3时，可以设定从喷头202喷射出的干冰颗粒群的馈送率为6.18X10 _9kg/min?0.6kg/min。这样一来，能够在清洁时间T内，提供足够覆盖整个掩膜版100的干冰颗粒101的同时，提高干冰颗粒101与污染物102的接触几率，从而能够提高清洁效率。
[0035]S104、向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的表面吹风。具体的，可以通过设置于腔室01(例如顶部)的进风口 203将空气输入。从而防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而导致清洁效果的降低。
[0036]S105、在所述干冰颗粒101撞击掩膜版100的同时，向掩膜版100输送频率为IK?100K赫兹的超声波。由于超声波能够使得被清洁后的掩膜版100的表面发生震动，从而避免从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，当超声波的频率小于IK赫兹时，由于超声波的能量较小，无法使得掩膜版100的表面发生震动。另一方面，当超声波的频率大于100K赫兹时，由于输入的超声波具有的能量太大，导致掩膜版100的表面震动过于剧烈，从而可能会引起掩膜版100的变形。具体的，可以通过超声波发生源09向掩膜版100输送超声波。
[0037]S106、对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。具体的，可以通过设置于腔室01顶部的出风口 204进行收集。这样一来，对腔室Ol中处于游离状态的污染物102进行清洁，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面，造成清洁效果的降低。
[0038]需要说明的是，本发明对上述步骤S104至步骤S106的先后顺序不做限制。优选的，可以将步骤S104至步骤S106与步骤S103同时进行。这样一来，在干冰颗粒101对掩膜版100进行清洗的过程中，可以通过进风口 203输送的空气，并通过上述超声波发生源09向掩膜版100输送超声波，以将脱离于掩膜版100表面的污染物102带离至远离掩膜版100的表面，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面。在此情况下，通过出风口 204将腔室01中处于游离状态的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。以避免腔室01被游离状态的污染物102污染，而降低掩膜版100的清洁效果。此外，还可以减少对腔室01的保养次数，从而能够降低成本。
[0039]此外，本领域技术人员还可以根据实际需要只进行步骤S104，或只进行步骤S105o
[0040]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置，如图5所示，可以包括:腔室01以及干冰喷射设备02。
[0041]其中，所述腔室01用于容纳掩膜版100。
[0042]所述干冰喷射设备02用于朝着所述掩膜版100以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒101对所述掩膜版100的表面进行撞击。所述干冰喷射设备02与腔室01顶部的202相连接，用于在T内，将干冰喷射设备02内的干冰颗粒群以340m/s?1000m/s的速度供给至腔室01内，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒101撞击掩膜版100的表面。其中，上述撞击喷射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，当喷射速度小于340m/s时，由于撞击力度过小，撞击污染物102的力度弱小，在污染物102出现裂缝后，可能刚进入裂缝的干冰颗粒101就会升华成气体，而无法对裂缝施加作用力使其扩大。从而造成污染物102无法去除。另一方面，当喷射速度大于1000m/S时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是与此同时也会对掩膜版100造成划伤。
[0043]需要说明的是，第一、本领域技术人员可以根据附着于掩膜版100表面的污染物的类型，可以对上述清洁时间T，以及干冰颗粒101的大小进行设定。例如，当附着于掩膜版100的污染物为微小污染物时，可以将减小干冰颗粒101的大小以及减小清洁时间T。当污染物102的体积较大且，粘性较大时，可以增大污染物的体积，并增加清洁时间T。
[0044]其中，优选的，干冰颗粒101的粒径可以为I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，当干冰颗粒101的粒径小于I μπι时，撞击污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于100 μ m时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于10ym时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。
[0045]第二、干冰喷射设备02向掩膜版100供给干冰颗粒群的馈送率为6.18Χ 10_9kg/min?0.6kg/min。这样一来，能够在清洁时间T内，提供足够覆盖整个掩膜版100的干冰颗粒101的同时，提高干冰颗粒101与污染物102的接触几率，从而能够提高清洁效率。
[0046]第三、上述干冰喷射设备02可以包括:干冰输送通道211、喷头202以及压力部件212。
[0047]其中，所述干冰输送通道211用于容纳干冰颗粒群；其中，在所述干冰颗粒101的粒径为I μπι?100 μm的情况下，所述干冰输送通道211的管径为Imm?3mm。
[0048]所述喷头202的头部位于腔室01中，所述喷头202的连接部与所述干冰输送通道211相连接；
[0049]所述压力部件212，用于向干冰输送通道211提供压强为1.97Χ10_3ΡΑ?9.7 X 15PA的气体作用于所述干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3的所述干冰颗粒群，以使得干冰颗粒101可以以340m/s?1000m/S的速度撞击掩膜版100表面，对该掩膜版100进行清洁。
[0050]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置，可以包括用于容纳掩膜版的腔室以及干冰喷射设备。所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒撞击掩膜版的表面。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S的速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述清洁装置能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
[0051]为了更好的提升清洁效果，该掩膜版清洁装置还可以包括吹送部件04以及超声波发生源09。
[0052]具体的，吹送部件04与所述腔室01 (例如顶部)的进风口 203相连接，能够向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的表面吹风。从而防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而导致清洁效果的降低。
[0053]在所述干冰颗粒101撞击所述掩膜版100的同时，该超声波发生源09可以向掩膜版100输送频率为IK?100K赫兹的超声波。由于超声波能够使得被清洁后的掩膜版100的表面发生震动，从而避免从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，当超声波的频率小于IK赫兹时，由于超声波的能量较小，无法使得掩膜版100的表面发生震动。另一方面，当超声波的频率大于100K赫兹时，由于输入的超声波具有的能量太大，导致掩膜版100的表面震动过于剧烈，从而可能会引起掩膜版100的变形。需要说明的是，上述超声波发生源09可以如图5所示，设置于腔室01的内部，或者设置于腔室01的外部通过进风口 203，将超声波输送至掩膜版100，本发明对此不做限制。
[0054]此外，该掩膜版清洁装置还可以包括与所述腔室01 (例如顶部)的出风口 204相连接的吸集部件05，能够对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。这样一来，对腔室01中处于游离状态的污染物102进行清洁，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面，造成清洁效果的降低。此外，还可以减小腔室01内部的污染，并且能够对收集至吸集部件05中的污染物102进行统一处理，避免了污染物102对环境造成不利的影响。
[0055]需要说明的是，在清洁时间T内，上述干冰喷射设备02以及吹送部件04和吸集部件05可以同时工作。这样一来，在干冰颗粒101对掩膜版100进行清洗的过程中，可以通过进风口 203输送的空气和超声波将脱离于掩膜版100表面的污染物102带离至远离掩膜版100的表面，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面。在此情况下，通过出风口 204将腔室01中处于游离状态的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。以避免腔室01被游离状态的污染物102污染，而降低掩膜版100的清洁效果。此外，还可以减少对腔室01的保养次数，从而能够降低成本。
[0056]进一步地，所述掩膜版清洁装置还可以包括载物台20，用于承载掩膜版100，以及传送装置201，用于在腔室01中移动载物台20。
[0057]需要说明的是，该传送装置201可以为传送带，当其沿着箭头方向进行转动时，位于载物台20上的掩膜版100被移动至预设清洁位置。
[0058]其中，该预设清洁位置可以根据清洁方式的不同进行设定，本发明对此不作限制。例如，可以将预设清洁位置设置于腔室01的中心位置。当传送装置201将掩膜版100的中心位置移动至该预设清洁位置(腔室01的中心位置)后停止移动。干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁时间T结束。然后，传送装置201将掩膜版100移除该腔室Olo上述方法操作简单，易于实现。
[0059]或者，还可以将预设清洁位置设置于对应喷头202的位置。传送装置201可以采用变速传送的方式，首先，以较快的速度将掩膜版100先进入腔室01的一侧移动至该预设清洁位置。然后，在清洁过程中，以较缓慢的速度向前移动，干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁结束。这样掩膜版100的待清洁表面的各个位置均经过上述预设清洁位置处，并被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁。当清洁过程结束后，传送装置201又采用较快的速度将掩膜版100移出腔室01。这样一来，采用上述变速传送的清洁方式，虽然操控相对复杂，但是可以节省清洁工序的时间，并且由于掩膜版100的待清洁表面的各个位置均在上述预设清洁位置处，被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁，因此能够提升清洁效果。
[0060]进一步地，为了提高生产制备工艺的自动化进程，还可以在上述掩膜版清洁装置中设置干冰制备设备06。该干冰制备设备06可以包括用于存储液态二氧化碳的存储腔07以及用于向存储腔07提供压缩空气，以使得所述液态二氧化碳转换为干冰颗粒101的空气进气室08。
[0061]其中，所述存储腔07的出料口连接干冰喷射设备02 ;所述存储腔07的进气口相连接的空压进气室08。
[0062]具体的自动化清洁过程可以为:首先，空压进气室08将向存储腔07内输送压缩空气，在压缩空气的作用下，将液态二氧化碳转换为干冰颗粒101。然后，存储腔07将干冰颗粒101输送至干冰喷射设备02。接下来，干冰喷射设备02将干冰颗粒群可以以340m/s?1000m/s的速度喷射至掩膜版100表面，且干冰颗粒101对该掩膜版100进行清洁。在此清洁过程中，吹送部件04通过进风口 203向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的吹风和输送频率为IK?100K赫兹的超声波，以防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。同时，吸集部件05通过出风口 204对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。从而进一步提升清洁效果，并减小腔室01内部的污染。这样一来，在各个设备的工作参数设置好的情况下，整个清洁过程无需操作人员手动操作，从而可以提高清洁过程的效率。
[0063]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种掩膜版清洁方法，其特征在于，包括: 在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?lOOOm/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
2.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，在所述清洁时间内，当所述干冰颗粒群中的干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3时，所述干冰颗粒群的馈送率为6.18 X109kg/min ?0.6kg/min。
3.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，在所述清洁时间内，当所述干冰颗粒群中的干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3时，将压强为1.97X10_3PA?9.7X 105PA的气体作用于所述干冰颗粒群，所述干冰颗粒群以340m/s?1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
4.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，还包括对脱离所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰颗粒转换的二氧化碳进行收集。
5.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，还包括: 向被所述干冰颗粒撞击后的所述掩膜版的表面吹风；和/或， 在所述干冰颗粒撞击所述掩膜版的同时，向所述掩膜版输送频率为1K?100K赫兹的超声波。
6.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述干冰颗粒的粒径为1 μ m ?100 μ m。
7.一种掩膜版清洁装置，其特征在于，包括: 腔室，所述腔室用于容纳掩膜版； 干冰喷射设备，所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
8.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，所述干冰喷射设备包括: 干冰输送通道，所述干冰输送通道用于容纳所述干冰颗粒群，其中，在所述干冰颗粒的粒径为1 μ m?100 μ m的情况下，所述干冰输送通道的管径为1_?3_ ； 喷头，所述喷头的头部位于所述腔室中，所述喷头的连接部与所述干冰输送通道相连接; 压力部件，所述压力部件用于向所述干冰输送通道提供压强为1.97Χ10_3ΡΑ?9.7Χ 105ΡΑ的气体作用于所述干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm3的所述干冰颗粒群。
9.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，所述干冰喷射设备向所述掩膜版供给所述干冰颗粒群的馈送率为6.18 X 10_9kg/min?0.6kg/min，其中，所述干冰颗粒群中干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm3。
10.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括: 吸集部件，与所述腔室的出风口相连接，用于对脱离所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰颗粒转换的二氧化碳进行收集。
11.根据权利要求7-10任一项所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括:吹送部件以及超声波发生源； 其中，所述吹送部件，与所述腔室的进风口相连接，用于向被所述干冰颗粒撞击后的所述掩膜版的表面吹风；和/或， 所述超声波发生源，用于在所述干冰颗粒撞击所述掩膜版的同时，向所述掩膜版输送频率为1K?100K赫兹的超声波。
12.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括:干冰制备设备；所述干冰制备设备包括用于存储液态二氧化碳的存储腔，以及用于向所述存储腔提供压缩空气，以使得所述液态二氧化碳转换为干冰颗粒的空气进气室； 其中，所述存储腔的出料口连接所述干冰喷射设备，所述存储腔的进气口连接所述空压进气室。
【文档编号】B08B7/02GK104492761SQ201410817986
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月24日 优先权日:2014年12月24日
【发明者】江元铭, 张鹏 申请人:京东方科技集团股份有限公司
【专利摘要】本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法，涉及显示【技术领域】，能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，解决掩膜版污染的问题。在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s～1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
【专利说明】一种掩膜版清洁装置及其清洁方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light EmittingD1de, OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003]在OLED的制备过程中，常采用真空蒸镀工艺结合掩膜工艺形成图案化的薄膜层。如图1所示，利用掩膜版100，通过步进式(side by side)位移在基板10的表面依次蒸镀上红色11、绿色12以及蓝色13的有机电致发光材料。在此过程中，产生的掩膜污染物会吸附在掩膜版100上，并可能造成掩膜版100开口处的堵塞。这样在上述移位的过程中将导致重复性缺陷以及成膜不均的不良现象的产生。
[0004]现有技术中，为了解决上述掩膜版污染的问题，一般采用的掩膜版清洁方法包括:湿式药液浸泡、干式吸集、干式物理性粘附、干式等离子等。其中，干式吸集，是利用物理性抽气方式，利用气流去除掩膜版表面附著的污染物；干式物理性粘附，是利用物理性或化学性粘板，将掩膜版表面附着的污染物粘附去除。然而上述方式均难以清洁微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物，其清洁效果有限。而干式等离子灰化清洁，则是利用高能量等离子，对掩膜版表面污染物进行灰化，该方法能够去除有机污染物与细小粉尘，但很难去除较大的无机污染物，而且在灰化过程中容易对掩膜版表面造成划伤。此外，对于湿式药液浸泡方法而言，是将掩膜版表面的污染物利用有机药液浸泡去除，但此法容易在掩膜版细缝处残留药液，对掩膜版造成腐蚀，降低掩膜版的使用寿命。并且还需要耗费人力、物力对采用湿式药液浸泡的清洁装置进行定期的保养与维护。与此同时，采用在该方法的过程中还会产生废弃溶液对环境造成污染。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法，能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，解决掩膜版污染的问题。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例的一方面，提供一种掩膜版清洁方法，包括:
[0008]将掩膜版放置于载物台的承载面；
[0009]在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
[0010]本发明实施例的另一方面，提供一种掩膜版清洁装置，包括:
[0011]腔室，所述腔室用于容纳掩膜版；
[0012]干冰喷射设备，所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
[0013]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置及其清洁方法。其中，所述清洁方法包括将掩膜版放置于载物台的承载面后，在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S的速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述方法能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为现有技术中制作OLED的制作过程示意图；
[0016]图2为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁过程示意图；
[0017]图3a_图3c为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁过程中各个阶段的A局部结构示意图；
[0018]图4为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁方法流程图；
[0019]图5为本发明实施例提供的一种掩膜版清洁装置的结构示意图。
[0020]【专利附图】
【附图说明】:
[0021]01-腔室；02_干冰喷射设备；212-压力部件；211_干冰输送通道；04_吹送部件；
05-吸集部件；06_干冰制备设备；07_存储腔；08_空压进气室；09_超声波发生源；10_基板；11-红色有机电致发光材料；12_绿色有机电致发光材料；13_蓝色有机电致发光材料；100-掩膜版；101-干冰颗粒；102-污染物；20-载物台；201-传送装置；202-喷头；203_进风口 ；204-出风口。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0023]本发明实施例提供一种掩膜版清洁方法，如图2所示，可以包括:在清洁时间T内，将干冰颗粒群(主要由高密度的干冰颗粒101构成)以340m/s?1000m/S的速度朝着掩膜版100的表面进行喷射，干冰颗粒群中的干冰颗粒101对掩膜版100的表面进行撞击。其中，上述喷射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，当干冰颗粒101的喷射速度小于340m/s时，由于撞击力度过小，撞击污染物102的力度弱小，在污染物102出现裂缝后，可能刚进入裂缝的干冰颗粒101就会升华成气体，而无法对裂缝施加作用力使其扩大，从而造成污染物102无法去除。另一方面，当速度大于1000m/s时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是与此同时也会对掩膜版100造成划伤。例如，对于有铁镍合金构成的掩膜版100而言，当其表面附着的污染物为有机污染物时，干冰颗粒群的运行速度可以为340m/s?1000m/s时，能够有效的对上述污染物进行去除。
[0024]需要说明的是，第一、具体的清洁过程可以为，如图3a所示(图2中A处的局部视图)，在干冰颗粒101高速(速度接近音速340m/s)连续撞击下，附着于掩膜版100上的污染物102表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，如图3b所示，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒101进入上述裂缝中，将该裂缝扩大，降低了污染物102的附着力；如图3c所示另一部分干冰颗粒101对污染物102的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物102最终从掩膜版100的表面脱落，最终达到清洁掩膜版100的效果。
[0025]第二、本领域技术人员可以根据附着于掩膜版100表面的污染物的类型，可以对上述清洁时间T，以及干冰颗粒101的大小进行设定。例如，当附着于掩膜版100的污染物为微小污染物时，可以将减小干冰颗粒101的大小以及减小清洁时间T。当污染物102的体积较大且，粘性较大时，可以增大干冰颗粒101的体积，并增加清洁时间T。
[0026]其中，优选的，干冰颗粒101的粒径可以为I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，当干冰颗粒101的粒径小于I μπι时，撞击污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于100 μ m时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。
[0027]本发明实施例提供一种掩膜版的清洁方法，包括将掩膜版放置于载物台的承载面后，在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?1000m/S的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述方法能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
[0028]以下，如图4、图5所示，对上述掩膜版清洁方法进行详细的描述。
[0029]S101、将掩膜版100放置于腔室01中的载物台20上。
[0030]S102、通过传送装置201移动用于放置掩膜版100的载物台20，以将掩膜版100移动至预设清洁位置。如图2所示，该传送装置201可以为传送带，当其沿着箭头方向进行转动时，位于载物台20上的掩膜版100被移动至预设清洁位置。
[0031]其中，该预设清洁位置可以根据清洁方式的不同进行设定，本发明对此不作限制。例如，在一个实施例中，可以将预设清洁位置设置于腔室01的中心位置。当传送装置201将掩膜版100的中心位置移动至该预设清洁位置(腔室01的中心位置)后停止移动。开始利用干冰颗粒101对掩膜版100进行清洁，直至清洁时间T结束。然后，传送装置201将掩膜版100移出该腔室01。上述方法操作简单，易于实现。
[0032]或者，在另一个实施例中，还可以将预设清洁位置设置于对应喷头202的位置。传送装置201可以采用变速传送的方式，首先，以较快的速度将掩膜版100先进入腔室01的一侧移动至该预设清洁位置。然后，在清洁过程中以较缓慢的速度向前移动，干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁结束。这样掩膜版100的待清洁表面的各个位置均经过上述预设清洁位置处，并被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁。当清洁过程结束后，传送装置201又采用较快的速度将掩膜版100移出腔室01。这样一来，采用上述变速传送的清洁方式，虽然操控相对复杂，但是可以节省清洁工序的时间，并且由于掩膜版100的待清洁表面的各个位置均在上述预设清洁位置处，被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁，因此能够提升清洁效果。
[0033]S103、在清洁时间T内，当干冰颗粒群中的干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?
1.6g/cm3时，将压强为1.97X10 _3PA?9.7X 15PA的气体作用于干冰颗粒群，以使得从喷头202喷出的干冰颗粒群能够以340m/s?1000m/S的速度朝着掩膜版100的表面进行喷射。进而干冰颗粒群中的干冰颗粒101对掩膜版100表面的污染物102进行清洁。具体的，上述压强为1.97X 1^3PA?9.7X 15PA的气体可以由压力部件212进行制备。需要说明的是，上述气体可以选择不会对干冰颗粒群、掩膜版100以及清洁设备的物理、化学性质产生影响的气体，例如，空气、惰性气体等。
[0034]其中，在上述清洁时间T内，当干冰颗粒群中的干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?
1.6g/cm3时，可以设定从喷头202喷射出的干冰颗粒群的馈送率为6.18X10 _9kg/min?0.6kg/min。这样一来，能够在清洁时间T内，提供足够覆盖整个掩膜版100的干冰颗粒101的同时，提高干冰颗粒101与污染物102的接触几率，从而能够提高清洁效率。
[0035]S104、向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的表面吹风。具体的，可以通过设置于腔室01(例如顶部)的进风口 203将空气输入。从而防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而导致清洁效果的降低。
[0036]S105、在所述干冰颗粒101撞击掩膜版100的同时，向掩膜版100输送频率为IK?100K赫兹的超声波。由于超声波能够使得被清洁后的掩膜版100的表面发生震动，从而避免从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，当超声波的频率小于IK赫兹时，由于超声波的能量较小，无法使得掩膜版100的表面发生震动。另一方面，当超声波的频率大于100K赫兹时，由于输入的超声波具有的能量太大，导致掩膜版100的表面震动过于剧烈，从而可能会引起掩膜版100的变形。具体的，可以通过超声波发生源09向掩膜版100输送超声波。
[0037]S106、对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。具体的，可以通过设置于腔室01顶部的出风口 204进行收集。这样一来，对腔室Ol中处于游离状态的污染物102进行清洁，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面，造成清洁效果的降低。
[0038]需要说明的是，本发明对上述步骤S104至步骤S106的先后顺序不做限制。优选的，可以将步骤S104至步骤S106与步骤S103同时进行。这样一来，在干冰颗粒101对掩膜版100进行清洗的过程中，可以通过进风口 203输送的空气，并通过上述超声波发生源09向掩膜版100输送超声波，以将脱离于掩膜版100表面的污染物102带离至远离掩膜版100的表面，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面。在此情况下，通过出风口 204将腔室01中处于游离状态的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。以避免腔室01被游离状态的污染物102污染，而降低掩膜版100的清洁效果。此外，还可以减少对腔室01的保养次数，从而能够降低成本。
[0039]此外，本领域技术人员还可以根据实际需要只进行步骤S104，或只进行步骤S105o
[0040]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置，如图5所示，可以包括:腔室01以及干冰喷射设备02。
[0041]其中，所述腔室01用于容纳掩膜版100。
[0042]所述干冰喷射设备02用于朝着所述掩膜版100以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒101对所述掩膜版100的表面进行撞击。所述干冰喷射设备02与腔室01顶部的202相连接，用于在T内，将干冰喷射设备02内的干冰颗粒群以340m/s?1000m/s的速度供给至腔室01内，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒101撞击掩膜版100的表面。其中，上述撞击喷射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，当喷射速度小于340m/s时，由于撞击力度过小，撞击污染物102的力度弱小，在污染物102出现裂缝后，可能刚进入裂缝的干冰颗粒101就会升华成气体，而无法对裂缝施加作用力使其扩大。从而造成污染物102无法去除。另一方面，当喷射速度大于1000m/S时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是与此同时也会对掩膜版100造成划伤。
[0043]需要说明的是，第一、本领域技术人员可以根据附着于掩膜版100表面的污染物的类型，可以对上述清洁时间T，以及干冰颗粒101的大小进行设定。例如，当附着于掩膜版100的污染物为微小污染物时，可以将减小干冰颗粒101的大小以及减小清洁时间T。当污染物102的体积较大且，粘性较大时，可以增大污染物的体积，并增加清洁时间T。
[0044]其中，优选的，干冰颗粒101的粒径可以为I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，当干冰颗粒101的粒径小于I μπι时，撞击污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于100 μ m时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。另一方面，当干冰颗粒101的粒径大于10ym时，虽然其对污染物102的撞击力度增大，但是对狭缝处的污染物去除效果不理想。
[0045]第二、干冰喷射设备02向掩膜版100供给干冰颗粒群的馈送率为6.18Χ 10_9kg/min?0.6kg/min。这样一来，能够在清洁时间T内，提供足够覆盖整个掩膜版100的干冰颗粒101的同时，提高干冰颗粒101与污染物102的接触几率，从而能够提高清洁效率。
[0046]第三、上述干冰喷射设备02可以包括:干冰输送通道211、喷头202以及压力部件212。
[0047]其中，所述干冰输送通道211用于容纳干冰颗粒群；其中，在所述干冰颗粒101的粒径为I μπι?100 μm的情况下，所述干冰输送通道211的管径为Imm?3mm。
[0048]所述喷头202的头部位于腔室01中，所述喷头202的连接部与所述干冰输送通道211相连接；
[0049]所述压力部件212，用于向干冰输送通道211提供压强为1.97Χ10_3ΡΑ?9.7 X 15PA的气体作用于所述干冰颗粒101的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3的所述干冰颗粒群，以使得干冰颗粒101可以以340m/s?1000m/S的速度撞击掩膜版100表面，对该掩膜版100进行清洁。
[0050]本发明实施例提供一种掩膜版清洁装置，可以包括用于容纳掩膜版的腔室以及干冰喷射设备。所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒撞击掩膜版的表面。具体的，在干冰颗粒以340m/s?1000m/S的速度连续撞击下，撞击力度不会造成掩膜版表面的损伤，而附着于掩膜版上的污染物表面温度骤降，使其表面脆化出现裂缝。接下来，后续撞击于掩膜版的一部分干冰颗粒进入上述裂缝中，干冰颗粒迅速升华为气体，气体的体积是原干冰颗粒体积的大约700倍，因此迅速增大的气体体积能够将该裂缝进一步扩大，降低了污染物的附着力；另一部分干冰颗粒对污染物的表面进行进一步的撞击，以使得碎裂的污染物最终从掩膜版的表面脱落，最终达到清洁掩膜版的效果。通过上述清洁装置能够有效的去除微小、有粘性以及在边角细缝处的污染物。此外，由于干冰颗粒不具有腐蚀性因此不会对掩膜版进行腐蚀，并且撞击后的干冰颗粒会迅速升华为二氧化碳，因此不会产生污染介质。从而能够在不增加污染介质，不损伤掩膜版表面的情况下，提升掩膜版的清洁效果，降低生产成本，减小工业污染。
[0051]为了更好的提升清洁效果，该掩膜版清洁装置还可以包括吹送部件04以及超声波发生源09。
[0052]具体的，吹送部件04与所述腔室01 (例如顶部)的进风口 203相连接，能够向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的表面吹风。从而防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而导致清洁效果的降低。
[0053]在所述干冰颗粒101撞击所述掩膜版100的同时，该超声波发生源09可以向掩膜版100输送频率为IK?100K赫兹的超声波。由于超声波能够使得被清洁后的掩膜版100的表面发生震动，从而避免从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，当超声波的频率小于IK赫兹时，由于超声波的能量较小，无法使得掩膜版100的表面发生震动。另一方面，当超声波的频率大于100K赫兹时，由于输入的超声波具有的能量太大，导致掩膜版100的表面震动过于剧烈，从而可能会引起掩膜版100的变形。需要说明的是，上述超声波发生源09可以如图5所示，设置于腔室01的内部，或者设置于腔室01的外部通过进风口 203，将超声波输送至掩膜版100，本发明对此不做限制。
[0054]此外，该掩膜版清洁装置还可以包括与所述腔室01 (例如顶部)的出风口 204相连接的吸集部件05，能够对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。这样一来，对腔室01中处于游离状态的污染物102进行清洁，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面，造成清洁效果的降低。此外，还可以减小腔室01内部的污染，并且能够对收集至吸集部件05中的污染物102进行统一处理，避免了污染物102对环境造成不利的影响。
[0055]需要说明的是，在清洁时间T内，上述干冰喷射设备02以及吹送部件04和吸集部件05可以同时工作。这样一来，在干冰颗粒101对掩膜版100进行清洗的过程中，可以通过进风口 203输送的空气和超声波将脱离于掩膜版100表面的污染物102带离至远离掩膜版100的表面，防止其再次落入清洁后的掩膜版100的表面。在此情况下，通过出风口 204将腔室01中处于游离状态的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。以避免腔室01被游离状态的污染物102污染，而降低掩膜版100的清洁效果。此外，还可以减少对腔室01的保养次数，从而能够降低成本。
[0056]进一步地，所述掩膜版清洁装置还可以包括载物台20，用于承载掩膜版100，以及传送装置201，用于在腔室01中移动载物台20。
[0057]需要说明的是，该传送装置201可以为传送带，当其沿着箭头方向进行转动时，位于载物台20上的掩膜版100被移动至预设清洁位置。
[0058]其中，该预设清洁位置可以根据清洁方式的不同进行设定，本发明对此不作限制。例如，可以将预设清洁位置设置于腔室01的中心位置。当传送装置201将掩膜版100的中心位置移动至该预设清洁位置(腔室01的中心位置)后停止移动。干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁时间T结束。然后，传送装置201将掩膜版100移除该腔室Olo上述方法操作简单，易于实现。
[0059]或者，还可以将预设清洁位置设置于对应喷头202的位置。传送装置201可以采用变速传送的方式，首先，以较快的速度将掩膜版100先进入腔室01的一侧移动至该预设清洁位置。然后，在清洁过程中，以较缓慢的速度向前移动，干冰颗粒101开始对掩膜版100进行清洁，直至清洁结束。这样掩膜版100的待清洁表面的各个位置均经过上述预设清洁位置处，并被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁。当清洁过程结束后，传送装置201又采用较快的速度将掩膜版100移出腔室01。这样一来，采用上述变速传送的清洁方式，虽然操控相对复杂，但是可以节省清洁工序的时间，并且由于掩膜版100的待清洁表面的各个位置均在上述预设清洁位置处，被从喷头202喷射出的干冰颗粒101清洁，因此能够提升清洁效果。
[0060]进一步地，为了提高生产制备工艺的自动化进程，还可以在上述掩膜版清洁装置中设置干冰制备设备06。该干冰制备设备06可以包括用于存储液态二氧化碳的存储腔07以及用于向存储腔07提供压缩空气，以使得所述液态二氧化碳转换为干冰颗粒101的空气进气室08。
[0061]其中，所述存储腔07的出料口连接干冰喷射设备02 ;所述存储腔07的进气口相连接的空压进气室08。
[0062]具体的自动化清洁过程可以为:首先，空压进气室08将向存储腔07内输送压缩空气，在压缩空气的作用下，将液态二氧化碳转换为干冰颗粒101。然后，存储腔07将干冰颗粒101输送至干冰喷射设备02。接下来，干冰喷射设备02将干冰颗粒群可以以340m/s?1000m/s的速度喷射至掩膜版100表面，且干冰颗粒101对该掩膜版100进行清洁。在此清洁过程中，吹送部件04通过进风口 203向被干冰颗粒101撞击后的掩膜版100的吹风和输送频率为IK?100K赫兹的超声波，以防止在干冰颗粒101的清洁作用下，从掩膜版100表面脱落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。同时，吸集部件05通过出风口 204对脱离掩膜版100表面的污染物102以及由干冰颗粒101转换的二氧化碳进行收集。从而进一步提升清洁效果，并减小腔室01内部的污染。这样一来，在各个设备的工作参数设置好的情况下，整个清洁过程无需操作人员手动操作，从而可以提高清洁过程的效率。
[0063]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种掩膜版清洁方法，其特征在于，包括: 在清洁时间内，将干冰颗粒群以340m/s?lOOOm/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
2.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，在所述清洁时间内，当所述干冰颗粒群中的干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3时，所述干冰颗粒群的馈送率为6.18 X109kg/min ?0.6kg/min。
3.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，在所述清洁时间内，当所述干冰颗粒群中的干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm 3时，将压强为1.97X10_3PA?9.7X 105PA的气体作用于所述干冰颗粒群，所述干冰颗粒群以340m/s?1000m/s的速度朝着所述掩膜版的表面进行喷射，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
4.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，还包括对脱离所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰颗粒转换的二氧化碳进行收集。
5.根据权利要求1-4任一项所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，还包括: 向被所述干冰颗粒撞击后的所述掩膜版的表面吹风；和/或， 在所述干冰颗粒撞击所述掩膜版的同时，向所述掩膜版输送频率为1K?100K赫兹的超声波。
6.根据权利要求1所述的掩膜版清洁方法，其特征在于，所述干冰颗粒的粒径为1 μ m ?100 μ m。
7.一种掩膜版清洁装置，其特征在于，包括: 腔室，所述腔室用于容纳掩膜版； 干冰喷射设备，所述干冰喷射设备用于朝着所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度喷射出干冰颗粒群，所述干冰颗粒群中的干冰颗粒对所述掩膜版的表面进行撞击。
8.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，所述干冰喷射设备包括: 干冰输送通道，所述干冰输送通道用于容纳所述干冰颗粒群，其中，在所述干冰颗粒的粒径为1 μ m?100 μ m的情况下，所述干冰输送通道的管径为1_?3_ ； 喷头，所述喷头的头部位于所述腔室中，所述喷头的连接部与所述干冰输送通道相连接; 压力部件，所述压力部件用于向所述干冰输送通道提供压强为1.97Χ10_3ΡΑ?9.7Χ 105ΡΑ的气体作用于所述干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm3的所述干冰颗粒群。
9.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，所述干冰喷射设备向所述掩膜版供给所述干冰颗粒群的馈送率为6.18 X 10_9kg/min?0.6kg/min，其中，所述干冰颗粒群中干冰颗粒的密度为1.4g/cm3?1.6g/cm3。
10.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括: 吸集部件，与所述腔室的出风口相连接，用于对脱离所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰颗粒转换的二氧化碳进行收集。
11.根据权利要求7-10任一项所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括:吹送部件以及超声波发生源； 其中，所述吹送部件，与所述腔室的进风口相连接，用于向被所述干冰颗粒撞击后的所述掩膜版的表面吹风；和/或， 所述超声波发生源，用于在所述干冰颗粒撞击所述掩膜版的同时，向所述掩膜版输送频率为1K?100K赫兹的超声波。
12.根据权利要求7所述的掩膜版清洁装置，其特征在于，还包括:干冰制备设备；所述干冰制备设备包括用于存储液态二氧化碳的存储腔，以及用于向所述存储腔提供压缩空气，以使得所述液态二氧化碳转换为干冰颗粒的空气进气室； 其中，所述存储腔的出料口连接所述干冰喷射设备，所述存储腔的进气口连接所述空压进气室。
【文档编号】B08B7/02GK104492761SQ201410817986
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月24日 优先权日:2014年12月24日
【发明者】江元铭, 张鹏 申请人:京东方科技集团股份有限公司
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