聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法与流程

文档序号:13911026阅读:1630来源:国知局

本发明属于纺织材料制备领域,尤其涉及一种聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法。



背景技术:

纳米纤维是一维纳米材料,主要包括两方面:一是纳米纤维尺寸定义,即直径小于100nm的纤维。另一概念是将纳米微粒混入到纤维中,采用性能不同的纳米微粒改性纤维,从而使纤维赋予功能性如:光催化、抗菌、远红外、抗静电以及防紫外等功能性。纳米复合纤维是一种新型功能纤维材料,它满足一种或多种相复合而成并且至少有一种相位于纳米级范围。静电纺丝技术是一种在高压电场力作用下制备纳米纤维的一种技术,它是由电喷技术演变过来的。在高压电场中,电场力使得高分子溶液表面带有一定的电荷,而溶液本身的表面张力和所受电场力的方向是相反的。当电压很低时,液滴所受电场力小于其表面张力,球形带电液滴在电场力作用下变为锥形的液滴,即形成“泰勒锥”。静电纺丝装置一般由高压电源、喷丝头和接收装置三部分组成,其中,高压电源是静电纺丝装置中最重要的组成部分,它分为直流高压电源和交流高压电源。喷丝头是用来产生聚合物液滴,提供射流激发位点的装置,分为无针头和针头两种喷丝头体系,而按针头的数量来分,又分为单针头、多针头等不同的类型。

然而,虽然静电纺丝可以相对简单的制出纳米级纤维,但一般其力学性能不够理想。而pedot存在着不溶不熔的缺点,给生产加工带来了很多困难,一定程度上限制了其商业应用。



技术实现要素:

本发明旨提供一种聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法。

本发明所述聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,包括如下步骤:(1)在室温称取0.25gpan,溶于2.75gdmf溶液中,在密闭条件下磁力搅拌2小时;溶液搅拌至均匀透明后用来静电纺丝;(2)用注射器抽取3ml配制好的pan/dmf纺丝溶液放置并夹持在注射泵上面,设置流速0.5ml/h,将高压静电发生器上的正极接到针头上;(3)用量筒量取0.1mledot,倒入盛有20ml酒精的烧杯中,之后超声振荡15min,期间不停的摇晃,使两种物质混合均匀;(4)把pan纳米纤维膜剪成3cm×3cm的方形,浸入edot/酒精混合液中,2h后取出并在40℃烘箱中烘10min;(5)把涂有edot的pan纳米纤维膜浸入fecl3和aps的混合溶液中,冰水浴中反应之后取出,先用蒸馏水冲洗三次,除去未反应的fecl3和aps,再用酒精冲洗一次,除去未反应的edot;之后再次放入烘箱中烘10min。

本发明所述的聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,步骤(1)所述磁力搅拌过程中采用超声振荡促进pan的溶解。

本发明所述的聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,步骤(2)所述高压静电发生器上设置有接收装置采用滚筒接收装置,滚筒上铺有一层铝箔纸,用于接收静电纺纤维。

本发明所述的聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,步骤(5)所述烘箱的温度为40℃。

本发明所述的聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,以聚丙烯腈(pan)为基体材料,通过静电纺丝法制备pan纳米纤维,并通过化学液相沉积法在纳米纤维表面沉积一层pedot,纺丝液电导率逐渐增加并趋于稳定,而纤维的直径也逐渐增加且形态变好,当纺丝电压、滚筒旋转速度一定时,纤维直径随纺丝距离的增加而增加;当纺丝距离、滚筒旋转速度一定时,纤维直径随纺丝电压的升高而降低;当纺丝距离、电压一定时,纤维的直径会随着滚筒转速的升高而降低。

具体实施方式

本发明所述聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,包括如下步骤:(1)在室温称取0.25gpan,溶于2.75gdmf溶液中,在密闭条件下磁力搅拌2小时;溶液搅拌至均匀透明后用来静电纺丝;(2)用注射器抽取3ml配制好的pan/dmf纺丝溶液放置并夹持在注射泵上面,设置流速0.5ml/h,将高压静电发生器上的正极接到针头上;(3)用量筒量取0.1mledot,倒入盛有20ml酒精的烧杯中,之后超声振荡15min,期间不停的摇晃,使两种物质混合均匀;(4)把pan纳米纤维膜剪成3cm×3cm的方形,浸入edot/酒精混合液中,2h后取出并在40℃烘箱中烘10min;(5)把涂有edot的pan纳米纤维膜浸入fecl3和aps的混合溶液中,冰水浴中反应之后取出,先用蒸馏水冲洗三次,除去未反应的fecl3和aps,再用酒精冲洗一次,除去未反应的edot;之后再次放入烘箱中烘10min。

本发明所述的聚丙烯腈基底的导电纳米纤维膜的制备方法,步骤(1)所述磁力搅拌过程中采用超声振荡促进pan的溶解。步骤(2)所述高压静电发生器上设置有接收装置采用滚筒接收装置,滚筒上铺有一层铝箔纸,用于接收静电纺纤维。步骤(5)所述烘箱的温度为40℃。当pan添加量较低时,纺丝液的电导率很低,因为dmf本身是一种极性很小的有机溶剂,溶液中几乎没有离子存在,因此纺丝液导电性能较差。随着pan含量的增加,纺丝液的电导率也逐渐增加,但是当pan的含量超过8.2wt.%时,电导率增加速率变得十分缓慢。实验过程中也发现,随着纺丝液浓度的增加,纺丝液粘度会急剧增加,当pan的质量分数大于10wt.%后,磁子不能在纺丝液中旋转,pan很难均匀的溶解于dmf中。随着pan纺丝液浓度的增加,纳米纤维的直径逐渐增加,同时纺丝过程中产生的串珠逐渐减少。当纺丝液浓度比较低时,纺丝液的粘度也很低,纺丝液在电场力作用下,不易在针头形成稳定的泰勒锥,所以不能被很好的拉伸成纤维,dmf不能快速的挥发掉,从而导致纤维直径较大以及串珠的形成。随着纺丝液浓度的增加,粘度也相应增加,更容易形成稳定的泰勒锥,因此纳米纤维的直径逐渐减小,纤维中的串珠也相应的减少。

随着pan浓度的增加,纳米纤维的平均直径从64.7nm增加到530nm,这是由于随着纺丝液浓度的增加,相同纺丝条件下被电场力牵拉出的纺丝液中的pan含量也相应增加导致的。同时,纳米纤维直径均匀程度的变异系数也由23.8降低到9.2,说明随着纺丝液浓度的增加,纳米纤维的直径分布变得更加均匀,纳米纤维的表面逐渐变得光滑,粗细均匀的现象相一致。当纺丝液浓度为9.2wt.%时,纳米纤维不存在串珠,纳米纤维表面光滑,并且纤维直径分布均匀。因此,可以确定9.2wt.%是制备pan纳米纤维膜的最适宜浓度。

当pan的浓度一定时,pan纳米纤维的直径随着纺丝距离的增加而变大,制备的纳米纤维表面都比较光滑,纺丝过程中无串珠产生,考虑到高压尖端放电会击穿空气,所以纺丝距离最少15cm。随着纺丝距离的增加,pan纳米纤维的平均直径从405.0nm增加到633.8nm,这与sem观察结果相一致。而反映纳米纤维直径均匀程度的变异系数也由11.4降低到9.0之后又增加到9.9,说明随着纺丝距离的增加,纳米纤维的直径均匀性先增加后降低。当纺丝浓度和电压一定时,pan纳米纤维的直径随着纺丝电压的增加逐渐降低,纳米纤维表面光滑,纺丝过程中无串珠产生。当电压很低时,电场强度低,电场力不能克服溶液的表面张力,从而不能形成稳定的射流,所以最低电压定位9kv。从表中的数据可以看出,随着电压的增加,纳米纤维的平均直径从514.8nm降低到401.4nm,而反映纳米纤维直径均匀程度的变异系数也由24.6降低到12.8,说明随着纺丝电压的增加,纳米纤维的直径均匀性也相应增加。

随着滚筒转速的增大,纳米纤维的平均直径从613.5nm降低到425.3nm,而反映纳米纤维直径均匀程度的变异系数也由8.2增加到14.1,说明随着滚筒旋转速度的增加,纳米纤维的直径均匀性相应降低。可能的原因是,当滚筒转速较低时,纳米纤维会直接被滚筒旋转接收,随着滚筒转速的增加,相同纺丝条件下,落到滚筒上的纳米纤维会受到沿柱面切线方向的作用力,使得纳米纤维受到一定的拉伸,而随着转速的增加,沿柱面切线方向的作用力越强,纳米纤维直径降低。考虑到转速越高,危险越大,而当滚筒转速为900r/min时,纳米纤维平均直径和变异系数相对较小,因此,滚筒转速900r/min是制备pan纳米纤维膜的最适宜电压。随着纺丝液浓度的增加,纺丝液电导率逐渐增加并趋于稳定,而纤维的直径也逐渐增加且形态变好,当纺丝液浓度为9.2wt.%时,纤维直径小而分布均匀且形态最好。当纺丝电压、滚筒旋转速度一定时,纤维直径随纺丝距离的增加而增加;当纺丝距离、滚筒旋转速度一定时,纤维直径随纺丝电压的升高而降低;当纺丝距离、电压一定时,纤维的直径会随着滚筒转速的升高而降低。

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