专利名称：：一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法
技术领域：
：本发明涉及一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料(PF-2L)的制备方法，可广泛用于航空航天、自动控制电力、汽车、医疗机械、家用电器等各领域，属于软磁铁氧体材料
技术领域：
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背景技术：
：软磁铁氧体已广泛用于航空航天、自动控制电力、汽车、医疗机械、家用电器等各领域，并己在变频技术方面得到进一步应用，在现有的技术中，磁性铁氧体的功耗Pcv为》400Kw/m3、Bs》480mT,由于电子设备小型化、平面化的发展趋势，功耗大和磁通密度低软磁铁氧体很难适应如液晶电视、便携式电子设备等的要求。
发明内容本发明的目的是提供一种增大磁性材料动态范围，降低磁材本身发热，体积小的高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法。为实现以上目的，本发明的技术方案是提供一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为第一步.将原料三氧化二铁70—71%、四氧化三锰21.5—22.5%、氧化锌7—8%、五氧化二钒0.02—0.03%、二氧化硅0.00125—0.0025%、碳酸钙0.025一O.05%充分拌和；第二步.将充分拌和的原料送入预烧炉,预烧温度为115(TC—120(TC，预烧时间为1—4小时,恒温1—4小时；第三步.将预烧后的原料,输送到球磨机里，进行50—60分钟砂磨，形成粒径为1.0—1.3ym的微小颗粒；第四步.把颗粒粉料通过压机成型；第五步.将成型产品在氮窑中烧结，保持温度1330土5(TC，氧含量为3-5%，降温开始后，氧含量急骤下降，在110(TC时氧含量保持在0.2M，以后氧含量在200-500PPm之间。要降低涡流损耗就要增加铁氧体材料的电阻率，本发明加入微量的二氧化硅，是在材料晶界处形成高阻层，铁氧体损耗明显下降。本发明的优点是铁氧体的饱和通密度增加，功耗明显降低，经实测功耗Pcv《360Kw/m3，Bs=410mT100KHz200mT。具体实施例方式以下结合实施例对本发明作进一步说明。实施例一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为第一步.将原料三氧化二铁70%、四氧化三锰21.938%、氧化锌8%、五氧化二钒0.02%、二氧化硅0.002%、碳酸钙O.04%充分拌和；第二步.将充分拌和的原料送入预烧炉,预烧温度为U5(TC，预烧时间为2小时，恒温2小时；第三步.将预烧后的原料，输送到球磨机里，进行60分钟砂磨，形成粒径为1.0—1.3um的微小颗粒；第四步.把颗粒粉料通过压机成型；第五步.将成型产品在氮窑中烧结，在烧结过程中，必须控制氧气含量，过多或过少氧气会形成铁氧体材料氧化，或缺氧，都不利铁氧体电性能，保持温度，1330土5(TC，氧含量为3-5%，降温开始后，氧含量急骤下降，在1100'C时氧含量保持在0.2%，以后氧含量在200-500PPm之间。本发明与原材料的性能对比表<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>权利要求1.一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为第一步.将原料三氧化二铁70-71％、四氧化三锰21.5-22.5％、氧化锌7-8％、五氧化二钒0.02-0.03％、二氧化硅为.00125-0.0025％、碳酸钙0.025-0.05％充分拌和；第二步.将充分拌和的原料送入预烧炉，预烧温度为1150℃-1200℃，预烧时间为1-4小时，恒温1-4小时；第三步.将预烧后的原料，输送到球磨机里，进行50-60分钟砂磨，形成粒径为1.0-1.3μm的微小颗粒；第四步.把颗粒粉料通过压机成型；第五步.将成型产品在氮窑中烧结，在烧结过程中，保持温度，1330土50℃，氧含量为3-5％，降温开始后，氧含量急骤下降，在1100℃时氧含量保持在0.2％，以后氧含量在200-500PPm之间。全文摘要本发明涉及一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为将原料三氧化二铁70-71％、四氧化三锰21.5-22.5％、氧化锌7-8％、五氧化二钒0.02-0.03％、二氧化硅为0.00125-0.0025％、碳酸钙0.025-0.05％充分拌和；将充分拌和的原料送入预烧炉，将预烧后的原料，输送到球磨机里，进行砂磨，把颗粒粉料通过压机成型；将成型产品在氮窑中烧结，保持温度1330±50℃，氧含量为3-5％，降温开始后，氧含量急骤下降，在1100℃时氧含量保持在0.2％，以后氧含量在200-500PPm之间。本发明的优点是铁氧体的饱和通密度增加，功耗明显降低。文档编号C04B35/26GK101097798SQ200710041440公开日2008年1月2日申请日期2007年5月30日优先权日2007年5月30日发明者薛志萍申请人:上海华源磁业有限公司