专利名称：用于制备硅片样品的切割装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体领域失效分析实验的设备，具体涉及一种用于制备硅 片样品的切割装置。
背景技术：
目前用于半导体失效分析的样品切割主要以手动裂片、定点切割为主。主要步骤 如下1、在光学显微镜下确定裂片的位置；2、用金刚笔在需裂片的位置边缘划出裂痕；3、双手沿裂痕点左右同时用力使硅片分离；4、用光学显微镜观察裂片位置是否正确。由于这种手动裂片的方法无法精确定位及角度切割，需要通过定点切割机切割特 定位置，费用昂贵。如果需要带角度的样品制备，则只有通过研磨才能达到分析要求，通常 样品制备需耗费的时间较长。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于制备硅片样品的切割装置，它可 以快速、高效地进行硅片样品制备。为解决上述技术问题，本实用新型用于制备硅片样品的切割装置的技术解决方案 为包括样品台、轨道支撑座、刀片轨道、刀具，样品台上设置有刀片轨道，刀片轨道 的两端分别连接轨道支撑座；轨道支撑座活动设置于样品台上；刀具活动设置于刀片轨道 内；所述样品台设置有多个通孔，通孔连接真空泵。所述刀具包括圆形刀片、固定轴承，固定轴承穿过刀片的中心，刀片与固定轴承固 定连接。所述刀片的两侧分别设有加固环，加固环与刀片之间通过固定螺丝连接。所述刀 片中心的厚度大于边缘的厚度。所述样品台为圆形，样品台的直径大于硅片的直径。所述样品台的中央标有刻度。 所述刻度包括角度、X轴、Y轴刻度。所述轨道支撑座设有沿高度方向延伸的插孔，所述刀片轨道的一端通过插孔与轨 道支撑座连接，刀片轨道的一端能够沿插孔上下移动。所述轨道支撑座上沿高度方向标有 刻度。本实用新型可以达到的技术效果是本实用新型能够精确定位，实现多角度、多方位地切割、截取样品，切割位置精确。本实用新型能够解决手工裂片位置选择差，制样单一，成功率低的问题，并且降低 了使用定点切割机的费用，节省了研磨需耗费的时间，提高失效分析的工作效率。以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明
图1是本实用新型用于制备硅片样品的切割装置的结构示意图；图2是
图1的俯视图；图3是本实用新型的刀具的结构示意图；图4是图3的俯视图；图5是本实用新型的样品台的示意图；图6是本实用新型的轨道支撑座的示意图。图中附图标记说明1为样品台，2为轨道支撑座，3为刀片轨道，4为刀具，21为小圆柱，22为大圆柱，41为圆形刀片，42为加固环，43为固定轴承，44为固定螺丝，A为样品放置区。
具体实施方式
如
图1、图2所示，本实用新型用于制备硅片样品的切割装置，包括样品台1、轨道 支撑座2、刀片轨道3、刀具4，样品台1上设置有刀片轨道3，刀片轨道3的两端分别连接轨 道支撑座2，两个轨道支撑座2用于固定刀片轨道3 ；轨道支撑座2活动设置于样品台1上； 刀具4活动设置于刀片轨道3内。如图3、图4所示，刀具4包括圆形刀片41、加固环42、固定轴承43，固定轴承43 穿过刀片41的中心，刀片41与固定轴承43固定连接；刀片41的两侧分别设有加固环42 ； 加固环42与刀片41之间通过固定螺丝44连接。刀片41中心的厚度大于边缘的厚度，刀片41的边缘为刀刃。如图5所示，样品台1为圆形，样品台1的直径大于硅片的直径。样品台1的中央 为样品放置区A。样品放置区A标有刻度，包括角度、X轴、Y轴刻度，用于确定样品切割的 角度、纵横坐标。样品台1设置有多个通孔，通孔连接真空泵。真空泵开启时，在样品台1表面形成 真空，使硅片10及轨道支撑座2固定于样品台1上。如图6所示，轨道支撑座2包括大圆柱22、小圆柱21，小圆柱21设置于大圆柱22 的顶部；小圆柱21上沿高度方向标有刻度，小圆柱21设有沿高度方向延伸的插孔，刀片轨 道3的一端通过插孔与轨道支撑座2连接，刀片轨道3的一端能够沿插孔上下移动，从而调 节刀片轨道3的高度。使用时，将硅片10放置于样品台1的样品放置区，根据样品台1的刻度调节轨道 支撑座2的位置，设定取样区域；根据硅片10的厚度，通过轨道支撑座2上的刻度调节刀片 轨道3的高度，以达到控制刀具4高度的目的；打开样品台1的真空泵，使硅片10固定于样品台1上，将刀具4放置于刀片轨道 3内，握住刀具4的固定轴承43两端，推动刀具4，使刀具4滚动，即可取样。4[0039] 本实用新型用于失效分析实验室中硅片样品的制备。
权利要求1.一种用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于包括样品台、轨道支撑座、刀片轨 道、刀具，样品台上设置有刀片轨道，刀片轨道的两端分别连接轨道支撑座；轨道支撑座活 动设置于样品台上；刀具活动设置于刀片轨道内；所述样品台设置有多个通孔，通孔连接真空泵。
2.根据权利要求1所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述刀具包括 圆形刀片、固定轴承，固定轴承穿过刀片的中心，刀片与固定轴承固定连接。
3.根据权利要求2所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述刀片的两 侧分别设有加固环，加固环与刀片之间通过固定螺丝连接。
4.根据权利要求2或3所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述刀片 中心的厚度大于边缘的厚度。
5.根据权利要求1所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述样品台为 圆形，样品台的直径大于硅片的直径。
6.根据权利要求5所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述样品台的 中央标有刻度。
7.根据权利要求6所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述刻度包括 角度、X轴、Y轴刻度。
8.根据权利要求1所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述轨道支撑 座设有沿高度方向延伸的插孔，所述刀片轨道的一端通过插孔与轨道支撑座连接，刀片轨 道的一端能够沿插孔上下移动。
9.根据权利要求1或8所述的用于制备硅片样品的切割装置，其特征在于所述轨道 支撑座上沿高度方向标有刻度。
专利摘要本实用新型公开了一种用于制备硅片样品的切割装置，包括样品台、轨道支撑座、刀片轨道、刀具，样品台上设置有刀片轨道，刀片轨道的两端分别连接轨道支撑座；轨道支撑座活动设置于样品台上；刀具活动设置于刀片轨道内；所述样品台设置有多个通孔，通孔连接真空泵。本实用新型能够精确定位，实现多角度、多方位地切割、截取样品，切割位置精确。本实用新型能够解决手工裂片位置选择差，制样单一，成功率低的问题，并且降低了使用定点切割机的费用，节省了研磨需耗费的时间，提高失效分析的工作效率。
文档编号B28D1/24GK201824483SQ20102055149
公开日2011年5月11日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日
发明者廖炳隆, 苏佳伟, 裘莺 申请人:上海华虹Nec电子有限公司