专利名称：可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，属于玻璃结构及材料技 术领域。
背景技术：
目前市场上普通的单银低辐射镀膜产品，随着国产设备性能的提升及大批量投入 使用，市场进一步被蚕食和压缩，因此大型玻璃深加工企业为了保持与小型加工厂的竞争 优势，就必须利用自身国外设备性能的优势，来提高生产效率，因此出现了可异地加工的单 银低辐射镀膜玻璃，生产厂家利用其高效的生产效率，来降低产品成本以提升竞争力，然而 目前市场上的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，经常由于膜层硬度不够，抗氧化能力较 差，在预处理过程中容易造成划伤、擦伤，且储存时间稍长便会出现氧化现象，严重影响了 产品的质量。
发明内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种膜层硬度大、抗氧化 能力强且不易划伤、擦伤，且储存时间长不会氧化的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃。本实用新型是通过以下技术方案来实现的一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，其从下向上共包括七层通 过镀膜形成的结构层，依次为底板玻璃、第一电介质层、第一保护层、银层、第二保护层、第 三保护层和第二电介质层。其中，所述的第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4 ；第一保护层和第二 保护层的材料为MCr ；第三保护层的材料为CrNx。本实用新型的有益效果是本实用新型通过其自身的膜层结构，使得其能够在进 行长途运输、加工预处理(切割、洗磨)、或者高温处理(钢化、热弯)时，其外观和性能均不会 受到影响，耐磨及抗氧化性能更好，可长期储存使用，并且可保证其热功性能优于普通单银 低辐射镀膜玻璃。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图；图2为本实用新型的镀制过程的工艺流程图。图中主要附图标记含义为1、底板玻璃 2、第一电介质层 3、第一保护层 4、银层5、第二保护层6、第三保护层呢个 7、第二电介质层。
具体实施方式
下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
[0014]图1为本实用新型一实施例的结构示意图。可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其从下向上共包括七层通过镀膜形成的结构 层，依次为底板玻璃1、第一电介质层2、第一保护层3、银层4、第二保护层5、第三保护层6 和第二电介质层7。其中，第一电介质层2和第二电介质层7的材料为Si3N4 ；第一保护层 3和第二保护层5的材料为NiCr ；第三保护层6的材料为CrNx。图2为本实用新型的镀制过程的工艺流程图。如图2所示首先将底板玻璃1进行清洗，清洗干净后干燥，再经过预真空过渡，依 次镀制第一电介质层2、第一保护层3、银层4、第二保护层5、第三保护层6和第二电介质层 7。其中，第一电介质层2和第二电介质层7通过旋转交流阴极的硅铝靶在氮、氩氛围 中溅射，其中Si:Al=92:8，作用是a、在银层和电解质层之间提供吸附力；b、保护整个膜层 结构，减少氧化，提高物理和化学性能；c、控制膜系的光学性能和颜色；银层4通过直流平面阴极的银靶在氩气氛围中溅射，其作为主要功能层的作用 是降低辐射率，以起到隔热、保温的效果；而第一保护层3和第二保护层5则通过直流平面阴极NiCr合金靶在纯氩氛围中 溅射，其中Ni: Cr=SO: 20，作用是a、保护银层不被氧化；b、增加银层同其它膜层的结合力；此外，第三保护层6通过直流平面阴极Cr靶在氮、氩氛围中溅射，作用是a、加强 对银层的保护；b、增加银层同其它膜层的结合力；本实用新型采用德国冯.阿登纳的磁控溅射镀膜机，采用表1列出的工艺参数，使 用7个交流旋转双阴极，4个直流平面阴极，制出本实用新型所述的改良型可异地加工的低 辐射单银镀膜玻璃，其工艺参数和靶的位置列表如下
权利要求1.一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，其从下向上共包括七层通过 镀膜形成的结构层，依次为底板玻璃、第一电介质层、第一保护层、银层、第二保护层、第三 保护层和第二电介质层。
2.根据权利要求1所述的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的第 一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4。
3.根据权利要求1所述的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的第 一保护层和第二保护层的材料为NiCr。
4.根据权利要求1所述的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的第 三保护层的材料为CrNx。
专利摘要本实用新型公开了一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，其从下向上共包括七层通过镀膜形成的结构层，依次为底板玻璃、第一电介质层、第一保护层、银层、第二保护层、第三保护层和第二电介质层。本实用新型通过其自身的膜层结构，使得其能够在进行长途运输、加工预处理(切割、洗磨)、或者高温处理(钢化、热弯)时，其外观和性能均不会受到影响，耐磨及抗氧化性能更好，可长期储存使用，并且可保证其热功性能优于普通单银低辐射镀膜玻璃。
文档编号C03C17/34GK201908045SQ20102069035
公开日2011年7月27日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏