专利名称：陶瓷生片用抗静电剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷浆料组合物、陶瓷生片以及陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法。
背景技术：
以层叠电容器、层叠感应器、层叠LC过滤器、多层基板等为代表的层叠陶瓷电子部件是通过将形成了电路涂膜的陶瓷生片进行层叠并烧成而得到的。陶瓷生片是如下得到的将钛酸钡等电介体、铁氧体等磁性体、绝缘体等陶瓷粉末和粘合剂等与水或有机溶剂一起用球磨机等进行混炼，将得到的陶瓷浆料在例如用脱模剂处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下也称作PET薄膜)上用刮板法等成形为10 50 μ m厚的片状。如上所述形成的陶瓷生片在炉内被干燥后，再在其上印刷电路涂膜，并进行干燥。 接着，将上述陶瓷生片从上述PET薄膜上剥离，将多片层叠后，用例如加热至50°C的加压装置(模具)进行压接。然后，将得到的层叠体切成薄片状，在1200 1400°C下进行烧成后， 在得到的烧结物的两端面上涂布金属糊，然后在700 900°C下进行烧成以形成外部电极， 从而得到层叠陶瓷电容器。然而，在将上述陶瓷生片从PET薄膜上剥离时，由于PET薄膜是绝缘体，所以PET 薄膜和陶瓷生片上产生相反电荷的静电，从而会使陶瓷生片带电。如果陶瓷生片带电，则会吸附周边的尘土或陶瓷生片的碎片等异物，在层叠陶瓷生片时，这些异物也一起混入，所以得到的层叠陶瓷电容器的静电电容发生变化，有可能产生不符合标准的不良产品。为了抑制在将上述陶瓷生片从PET薄膜上剥离时产生静电，在下述专利文献1中提出了一种陶瓷生片的制造方法，其具有在经过抗静电处理的脱模性薄膜上涂布陶瓷生片用组合物的工序。另外，在专利文献1中，作为上述抗静电处理中使用的抗静电剂，例示出了高级醇环氧乙烷加成磷酸酯盐等。另外，在下述专利文献2中提出了如下技术为了对烧成前的陶瓷成形品赋予抗静电性和平滑性，在陶瓷浆料中加入由以脒基阳离子为构成成分的有机酸盐构成的分散剂。再者，在下述专利文献3中，作为陶瓷生片成形用的添加剂，例示出了在阴离子性官能团上同时带有非离子性官能团的表面活性剂以及胺系的阴离子系表面活性剂等。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开平5-253913号公报专利文献2 日本特开2002-321981号公报专利文献3 日本特开平7-33533号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，即使将以往的陶瓷生片成形用的抗静电剂加入陶瓷浆料中来成形陶瓷生片，抗静电效果也并不充分，有损作为陶瓷电子部件的电特性而成为了问题。本发明提供能够抑制静电发生的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷浆料组合物、 陶瓷生片以及陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法。用于解决课题的手段本发明的陶瓷生片用抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，在该组合物中，相对于上述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010 重量份以下。
权利要求
1. 一种陶瓷生片用抗静电剂组合物，其含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂， 在该组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下，式中，R表示碳数为8 22的烷基；A表示碳数为2 4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1 30的数；R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳数为1 18的烷基或碳数为1 3的羟基烷基，并且R1、R2和R3中的至少一个是碳数为1 3的羟基烷基。
2.根据权利要求1所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，在抗静电剂组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，钠离子的含量为0. 020重量份以下。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，所述有机溶剂的溶解度参数为 15. 0 30. 0 (MPa)1/2
4.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，所述有机溶剂是选自醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、二醇系溶剂和二醇醚系溶剂中的一种以上。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，R1、! 2和R3是羟基乙基。
6.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物，其中，A是亚乙基。
7.—种陶瓷浆料组合物，其含有权利要求1 6中任一项所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷材料和有机溶剂。
8.根据权利要求7所述的陶瓷浆料组合物，其中，所述陶瓷材料含有钛酸钡。
9.根据权利要求7所述的陶瓷浆料组合物，其中，在陶瓷浆料组合物中，相对于所述陶瓷材料100重量份，所述通式(I)所示的化合物的含量为0. 05 2. 5重量份。
10.一种陶瓷生片，其是使用权利要求7 9中任一项所述的陶瓷浆料组合物得到的。
11.一种陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其是权利要求1 6中任一项所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，将含有所述通式(I)所示的化合物和所述有机溶剂的混合物用吸附剂进行吸附处理。
12.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，所述通式 (I)所示的化合物是通过将下述通式(II)所示的化合物和下述通式(IV)所示的化合物进行混合而得到的，
13.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，所述吸附剂中的氧化铝含量为25 70重量％。
14.根据权利要求11所述的陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法，其中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，所述吸附剂的添加量为0. 7 7重量份。
15.一种抗静电剂组合物在陶瓷生片中的用途，其中，所述抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，在该组合物中，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0. 010重量份以下，
全文摘要
本发明提供能够抑制静电发生的陶瓷生片用抗静电剂组合物、陶瓷浆料组合物、陶瓷生片以及陶瓷生片用抗静电剂组合物的制造方法。本发明的陶瓷生片用抗静电剂组合物含有下述通式(I)所示的化合物和有机溶剂，相对于所述通式(I)所示的化合物100重量份，铁离子的含量为0.010重量份以下。通式(I)中，R表示碳数为8～22的烷基；A表示碳数为2～4的亚烷基；n表示氧化烯基的平均加成摩尔数，其为1～30的数；R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳数为1～18的烷基或碳数为1～3的羟基烷基，并且R1、R2和R3中的至少一个是碳数为1～3的羟基烷基。
文档编号C04B35/632GK102372485SQ20111019853
公开日2012年3月14日 申请日期2011年7月15日 优先权日2010年7月15日
发明者后藤伸也, 石桥洋一 申请人:花王株式会社