专利名称：一种三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种玻璃，具体涉及一种三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术：
低辐射镀膜玻璃(又称LOW-E玻璃)，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。低辐射镀膜玻璃是一种既能像普通玻璃一样让室外的太阳能、可见光透过，又能像红外反射镜一样(尤其对中远红外线具有很高的反射率)，将物体二次辐射热反射回去的新一代镀膜玻璃。在任何气候环境下使用，均能达到控制阳光、节约能源热量控制调节及改善环境的作用。三银低辐射玻璃(即Triple-silver L0W-E)，作为低辐射镀膜玻璃中的高端产品，由多达三层的银层和多层金属氧化或氮化化合物组成，具有较高的可见光透过率、很高的 红外线反射率，可以获得极佳的隔热保温效果。然而，传统的以Ag作为红外反射膜层的低辐射镀膜玻璃，通常在Ag层前后增加金属阻挡层，以防止Ag层被侵蚀，然而由于金属阻挡层的加入使得光透过率明显降低，特别是三银低辐射镀膜玻璃，传统的低辐射玻璃为了获得更低的U值(传热系数)、SC (遮阳系数)和良好的光热比(LSG)，就必须通过增加银层的厚度来降低膜层的辐射率，以得到理想的LSG，但是随着银层的增加，就意味着可见光透过率的降低、外观颜色呈现干扰色、颜色选择受限，无法满足客户日益增长的需求。因此，一种可见光透过率较高、成本较低、颜色可选范围较广的镀膜玻璃亟待出现。
发明内容
为解决现有的三银低辐射镀膜玻璃在增加银层改善镀膜玻璃性能时产生的银层过厚，可见光透过率较低，外观颜色呈现干扰色、颜色选择受限等问题，本发明公开了一种三银低辐射镀膜玻璃，以达到提高可见光透过率、提升产品性能、扩大颜色可选范围的目的。本发明的技术方案如下
一种三银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃本体以及涂布于所述玻璃本体上的镀膜，所述镀膜包括两层电介质组合层、三层银层以及两层间隔层电介质组合层；
所述两层电介质组合层分别位于所述镀膜层的上下两层，所述三层银层以及所述两层间隔层电介质组合层依次相间设置于所述两层电介质组合层之间；
所述电介质组合层、间隔层电介质组合层均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2λ ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2Λ AZOΛ Si3N4' Si02、SiOxNy Λ BiO2Λ Al2O3λ Nb2O5' Ta2O5' In2O3'MoO3中的一种或多种膜层组成，且所述每种膜层可设置I层或多层。优选的，所述电介质组合层的厚度为10_80nm。优选的，所述间隔层电介质组合层的厚度为10_200nm。
优选的，所述银层的厚度为5_40nm。一种三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，采用真空磁控溅射镀膜方式，具体工艺步骤如下
(1)、玻璃本体清洗干燥后，将其置于真空溅射区；
(2)、在所述玻璃本体上沉积形成第一电介质组合层；
(3)、在所述第一电介质组合层沉积形成第一银层；
(4)、在所述第一银层上沉积形成第一间隔层电介质组合层；
(5)、在所述第一间隔层电介质组合层上沉积形成第二银层；
(6)、在所述第二银层上沉积形成第二间隔层电介质组合层；
(7)、在所述第二间隔层电介质组合层上沉积形成第三银层；
(8)、在所述第三银层上沉积形成第二电介质组合层；
(9)、形成产品。优选的，所述电介质组合层与间隔层电介质组合层均采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式沉积。优选的，所述银层采用平面阴极、直流磁控溅射方式沉积。优选的，所述交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行。优选的，所述平面阴极、直流磁控溅射方式是在纯氩、氩氧或氩氮氛围中进行。本发明公开的三银低辐射镀膜玻璃，与传统的镀膜玻璃相比取消了三银低辐射膜层中的金属阻挡层，采用新型材料的电介质组合层对银层进行保护，这样便可以有效降低膜层对可见光透过率的影响，从而得到较高的可见光透过率、低辐射率、及良好的光热比，提高产品的性能；而且在一定程度上避免了干扰色的产生；采用和玻璃材质相近的高硬度材料作为间隔层电介质组合层不仅可以在玻璃本体和银层之间起到很好的粘接作用，并且可以抵消复合膜层的内部应力，特别是在抗划伤、耐磨和抗腐蚀方面效果更加明显，且颜色选择多样化，适用范围较广。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本发明公开的一种三银低辐射镀膜玻璃的结构示意 图2为本发明公开的一种三银低辐射镀膜玻璃制备工艺的流程图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种三银低辐射镀膜玻璃，以达到提高可见光透过率、提升产品性能、扩大颜色可选范围的目的。如图1、2所示，一种三银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃本体I以及涂布于玻璃本体上镀膜，该镀膜包括两层电介质组合层1-1与1-2、三层银层2-1、2-2、2-3以及两层间隔层电介质组合层3-1、3-2，电介质组合层、间隔层电介质组合层均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2>InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZ0、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5'Ta2O5, In2O3^MoO3中的一种或多种膜层组成的组合层，且每种膜层可设置I层或多层。电介质组合层1-1、1_2分别位于镀膜层的上、下两层，银层2-1、2-2、2_3以及间隔层电介质组合层3-1、3-2依次相间设置于两层电介质组合层之间。电介质组合层的厚度为10-80nm,间隔层电介质组合层的厚度为10_200nm,银层的厚度为5_40nm。电介质组合层与间隔层电介质组合层均采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式沉积形成膜层，银层采用平面阴极、直流磁控溅射方式沉积形成膜层。其中电介质组合层的厚度还可为15、20、30、50、70等，间隔层电介质组合层的厚度为25、40、60、80、120、160nm等，银层的厚度为5、10、16、20、26、8、35nm等。具体膜层厚度均视具体情况而定， 在此不做限制。交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行，平面阴极、直流磁控溅射方式是在纯氩、氩氧或氩氮氛围中进行，中频频率可为20-40KHZ。一种三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，采用真空磁控溅射镀膜方式，具体工艺步骤如下
(1)、玻璃本体清洗干燥后，将其置于真空溅射区；
(2)、采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式在玻璃本体上沉积形成第一电介质组合层；
(3)、采用平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第一电介质组合层沉积形成第一银层；
(4)、采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第一银层上沉积形成第一间隔层电介质组合层；
(5)、采用平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第一间隔层电介质组合层上沉积形成第二银层；
(6)、采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第二银层上沉积形成第二间隔层电介质组合层；
(7)、采用平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第二间隔层电介质组合层上沉积形成第三银层；
(8)、采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式在所述第三银层上沉积形成第二电介质组合层；
(9)、形成产品。实施例I
本发明具体实施使用磁控溅射镀膜机，包括23个交流旋转双阴极，8个直流平面阴极，采用下表列出的工艺参数，使用14个交流旋转双阴极，3个直流平面阴极，制出本发明三银低辐射镀膜玻璃，其工艺参数和靶的位置列表如下
三银低辐射镀膜玻璃靶位及工艺参数
权利要求
1.一种三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃本体以及涂布于所述玻璃本体上的镀膜，所述镀膜包括两层电介质组合层、三层银层以及两层间隔层电介质组合层； 所述两层电介质组合层分别位于所述镀膜层的上下两层，所述三层银层以及所述两层间隔层电介质组合层依次相间设置于所述两层电介质组合层之间； 所述电介质组合层、间隔层电介质组合层均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2> ZnO> ZnSnOx> ZnSnPbOx> ZrO2> AZO> Si3N4、Si02、SiOxNy > BiO2>A1203> Nb2O5> Ta2O5> ln203、MoO3中的一层或多层膜层组成，且所述每种膜层可设置I层或多层。
2.根据权利要求I所述的三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述电介质组合层的厚度为 10_80nm。
3.根据权利要求I所述的三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述间隔层电介质组合层的厚度为10-200nm。
4.根据权利要求I所述的三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述银层的厚度为5_40nmo
5.一种三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，采用真空磁控溅射镀膜方式，其特征在于，具体工艺步骤如下 (1)、玻璃本体清洗干燥后，将其置于真空溅射区； (2)、在所述玻璃本体上沉积形成第一电介质组合层； (3)、在所述第一电介质组合层沉积形成第一银层； (4)、在所述第一银层上沉积形成第一间隔层电介质组合层； (5)、在所述第一间隔层电介质组合层上沉积形成第二银层； (6)、在所述第二银层上沉积形成第二间隔层电介质组合层； (7)、在所述第二间隔层电介质组合层上沉积形成第三银层； (8)、在所述第三银层上沉积形成第二电介质组合层； (9)、形成产品。
6.根据权利要求5所述的三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述电介质组合层与间隔层电介质组合层均采用交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或平面阴极、直流磁控溅射方式沉积。
7.根据权利要求5所述的三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述银层采用平面阴极、直流磁控溅射方式沉积。
8.根据权利要求6所述的三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述交流双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行。
9.根据权利要求6或7所述的三银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述平面阴极、直流磁控溅射方式是在纯氩、氩氧或氩氮氛围中进行。
全文摘要
一种三银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃本体以及涂布于所述玻璃本体上的镀膜，所述镀膜包括两层电介质组合层、三层银层以及两层间隔层电介质组合层；所述两层电介质组合层分别位于所述镀膜层的上下两层，所述三层银层以及所述两层间隔层电介质组合层依次相间设置于所述两层电介质组合层之间；所述电介质组合层、间隔层电介质组合层均由SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3中的一种或多种膜层组成。本发明公开的三银低辐射镀膜玻璃，取消了传统膜层结构中的金属阻挡层，采用新型材料的电介质组合层对银层进行保护，这样便可以有效降低膜层对可见光透过率的影响，从而得到较高的可见光透过率、低辐射率、及良好的光热比；且颜色选择多样化，适用范围较广。
文档编号C03C17/36GK102898040SQ20111021208
公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月27日 优先权日2011年7月27日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏