氧化硅玻璃坩埚的制造方法,氧化硅玻璃坩埚的制作方法

专利名称：氧化硅玻璃坩埚的制造方法,氧化硅玻璃坩埚的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法以及氧化硅玻璃坩埚。
背景技术：
举例说明一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其具备在旋转模具内面堆积平均粒径为300 μ m左右的氧化硅粉末而形成氧化硅粉层的氧化硅粉层形成工序，以及从模具侧对氧化硅粉层进行减压的同时对氧化硅粉层进行电弧熔融而形成氧化硅玻璃层的电弧熔化工序(该方法称之为“旋转模具减压法”)。并且，为了消除电弧熔化工序之后的坩埚高度的偏差，实施切除坩埚上端部而对齐坩埚高度的切除工序。制造一种具有坩埚内面侧的实际上不含气泡的透明氧化硅玻璃层(以下，称作 “透明层”)，以及坩埚外面侧的含气泡的氧化硅玻璃层(以下，称作“含气泡层”)的两层结构的坩埚时，在电弧熔化工序的初期通过对氧化硅粉层加大减压程度来去除气泡而形成透明层，之后，减弱减压程度而形成残留气泡的含气泡层。制造坩埚时，对所有坩埚进行切除工序，因此会产生大量的被切除的废玻璃。并且，有时通过电弧熔化工序制得的坩埚，有时会出现不符合要求，而且也不能修正，这时通常会进行废弃处分，因此这种坩埚也成为废玻璃。[现有技术文献][专利文献]专利文献1 日本公开专利特开2000-344535号公报专利文献2 日本公开专利特开2004-131317号公报专利文献3 日本公开专利特开平8483065号公报

发明内容
本发明要解决的课题坩埚制造工序中产生的废玻璃的纯度非常高，本发明的发明人对这些废玻璃进行粉碎并制得平均粒径为300 μ m左右的氧化硅粉末，然后使用该氧化硅粉末并利用旋转模具减压法尝试着制造上述具有两层结构的坩埚。然而，即使在电弧熔化时对氧化硅粉层进行强有力的减压，坩埚内面侧的层上也会残留气泡，而未能形成透明层。本发明是鉴于这种问题而完成的，本发明提供一种采用废玻璃制造具有透明层的氧化硅玻璃坩埚的方法。为解决课题的技术手段本发明提供一种制造单晶或多晶硅锭用的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，具备玻璃化工序，其中，对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体，从内面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化，由此对所述氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化，并且具备(1)所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行减压，(2)所述电弧熔化时在所述氧化硅粉末烧结体的内面散布合成氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层，之中的至少一种工序。本发明的发明人在使用粉碎废玻璃而得的氧化硅粉末来制造坩埚时，对不能形成透明层的原因进行了调查发现废玻璃中含有大量气泡，即使粉碎成平均粒径300μπι左右，也无法完全除去气泡，气泡仍残留在氧化硅粉末的各个颗粒内部，而残留在该颗粒内部的气泡即成为无法形成透明层的原因。其次，使气泡不会残留于颗粒内部，更加细小地粉碎废玻璃而获得了平均粒径为 50 μ m左右的氧化硅粉末，并尝试着使用该氧化硅粉末并通过旋转模具减压法来制作坩埚， 但是，因为氧化硅粉末太小，所以当将其堆积在模具内面时氧化硅粉末会飞散，因此，很难形成具有一定厚度的氧化硅粉层。并且，即使在模具内面堆积氧化硅粉末，也因电弧冲击波致使氧化硅粉末飞散，特别是在电弧正下面部分发生飞散现象。在这种状况下，本发明的发明人发现如果对使用粉碎废玻璃而得的氧化硅粉末制造的氧化硅粉末烧结体，从坩埚外面侧对氧化硅粉末烧结体进行减压的同时，从坩埚内面侧对氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化，而使得氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部玻璃化，由此发现可以在坩埚内面形成实质上不含有气泡的透明层。并且还发现当电弧熔化时，如果在氧化硅粉末烧结体的内面散布合成氧化硅粉，则能够在坩埚内面形成实质上不含有气泡的透明的合成氧化硅玻璃层。根据本发明，利用如对氧化硅粉末烧结体在减压环境下进行电弧熔化，或者，在电弧熔化时散布合成氧化硅粉的非常简单的方法即可形成透明层，因此，可以利用废玻璃轻易制造在内面具有透明层的坩埚。


图1(a)是表示用于制造本发明的一实施方式的氧化硅玻璃坩埚的、电弧熔化前的氧化硅粉末烧结体结构的截面图，图1(b)是表示对图1(a)的烧结体进行电弧熔化时的状态的截面图，图1(c)是表示图1(b)的电弧熔化结果获得的氧化硅玻璃坩埚结构的截面图。图2是表示对图1所示的烧结体散布合成氧化硅粉的同时进行电弧熔化而制得的氧化硅玻璃坩埚结构的截面图。图3是表示对图1所示的烧结体开始进行电弧熔化后，立即开始散布合成氧化硅粉，并且，形成合成氧化硅玻璃层后随即停止电弧熔化而制得的氧化硅玻璃坩埚结构的截面图。符号的说明1 坩埚，3 氧化硅粉末烧结体，5 合成氧化硅玻璃层，7 模具，8 碳电极，9 未熔化烧结体层，10 电弧放电，11 通气口
具体实施例方式以下，参照图1 图3来说明本发明的一实施方式所涉及的氧化硅玻璃坩埚制造方法。本实施方式的氧化硅玻璃坩埚的制造方法是一种用于制造单晶或多晶的硅锭的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其具备对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体3，从内面侧对氧化硅粉末烧结体3进行电弧熔化，由此对氧化硅粉末烧结体3的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化的工序，并且，具备(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对氧化硅粉末烧结体3进行减压， (2)进行所述电弧熔化时在氧化硅粉末烧结体3的内面散布合成氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层5，之中的至少一种工序。以下，详细说明各结构要素。(1)氧化硅粉末烧结体3本实施方式的方法所使用的氧化硅粉末烧结体3具有如图1(a)所示的坩埚形状。 图1(a)中示出了具有圆底坩埚形状的氧化硅粉末烧结体3，但是，氧化硅粉末烧结体3亦可具有平底坩埚形状。并且，本实施方式的方法以单晶硅锭提拉用坩埚和多晶硅锭制造用坩埚双方为对象，从坩埚上方看到的形状可以为圆形也可以为四角形。氧化硅粉末烧结体3只要是对氧化硅粉末进行烧结的物质即可，并不限定氧化硅粉末具有特定的粒径，或对烧结体进行特定的制造方法。氧化硅粉末的平均粒径优选为 1 250μπι。平均粒径太大会导致在氧化硅粉末的各个粒子内容易含气泡，太小会导致粉碎时花费工夫和时间。本发明的一个目的是循环利用废玻璃，因此，作为氧化硅粉末烧结体3，优选使用粉碎废玻璃而得的氧化硅粉末来制造。所谓废玻璃是指，例如，可以为切掉坩埚上部的缘部切割工序中被切掉的部分，或者，通过电弧熔化而得的坩埚不符合制品规格且无法修正时， 未出货而被处分掉的玻璃，不过，并非局限于此，可以为坩埚制造工序中产生的、作为成品出货之外的材料。并且，电弧熔化时从外面侧对烧结体进行减压的状况下，氧化硅粉末的粒径太小会导致烧结体内部空间的体积(气孔率)变得太小，因而进行电弧熔化时，即使从坩埚的外面侧减压，其减压效果也很难波及到坩埚的内面侧。氧化硅粉末的平均粒径可以为1、5、10、 20、40、60、80、100、120、140、160、180、200、250 μ m,亦可所列的任意2个数值范围内的值。在此，所谓“粒度”是，如通常的JIS Z 8901 “试验用粉状体及试验用粒子”的用语定义项所述的，可以以利用筛子分离法测量的试验用筛子的裂缝表示，可以以利用沉淀法的斯托克斯相应直径表示，可以以利用显微镜法的圆相应直径表示，以及可以以利用光散射法的球相应、和利用电阻试验方法的球相应值表示(亦称作粒径)，在本说明书中，测量粒度分布时采用以激光为光源的激光衍射·散射式测量法。在此利用的是向粒子照射光时在各粒径散射的散射光量与類型不同的原理(米氏散射(Mie scattering) )0对粒子照射激光时，粒径越大对整个圆周方向的散射强度越强，特别是检测到的向前方散射光强度很强。并且，随着粒径变小，整体上散射光强度变弱， 检测到的原本很强的前方散射光变弱。为此，当粒子的粒径较大时，在通过粒子而散射的光中，利用凸透镜聚集前方散射光的话，其焦点面上会产生衍射图样。这些衍射光的亮度和大小由粒子的大小(粒径)而定。从而，若利用这些散射光信息就可以轻易获得粒径。另一方面，粒径变小时，前方散射光的强度减少，设置在前方的检测器很难进行检测，不过，侧方及后方的散射光的散射图形因粒径而不同，因此，测量这些即可求得粒径。比较以上的测量结果和表示出与所得的光的散射图形相同的散射图形的球形粒子，并作为粒度分布而输出。从而，例如，是与Iym直径的球表现出相同的衍射 散射光图形的被测量粒子的话，不管其具有何种形状，均判定为其具有Iym的直径。从而，在其他测量方法中，目测或图像分析时，对于随机配向的粒子，对一定轴向的长度进行测量的“定向直径”，或粒子投影面积相同的理想形状(通常是圆形)的粒子大小的“相应直径”，除此之外的表示粒子长轴和短轴比率的纵横尺寸比不同。并且，所谓“平均粒径”是指在获得的粒度分布中的累计值50% 上的粒径。优选的，氧化硅粉末烧结体3是通过将粉碎氧化硅玻璃而得的氧化硅粉末与分散剂相混合而制得浆料，并将其形成为坩埚形状之后进行烧成的工序而制造。作为分散介质， 只要是可以将氧化硅粉末做成浆料状的物质，则没有特别限定，不过，为了避免杂质包含在烧结体内，优选使用纯水。并且，有必要时可以添加分散剂或粘合剂。此时，作为分散剂和粘合剂最好使用可以在烧成温度下通过热处理能被除去的物质。对于烧成温度，只要是可以形成烧结体的温度就没有特别限定，但是800 1500°C为佳。烧成温度太低就无法形成烧结体，烧成温度太高可能会引起烧结体的。作为烧成温度，例如，可以是 800"C、900"C > 10000C > 11000C >1200"C、1300"C、1400°C、1500"C，在此列举的任意2个数值范围之内的温度。作为烧成时间只要是能够充分形成烧结体的时间即可，例如，可以为0. 5 100小时，具体来讲，假如是0. 5，1，3，5，10，20，30，40，50，100小时，或者是在此列举的任意2个数值范围之内的时间。烧成时间太短就会无法恰当地形成烧结体，烧成时间太长会导致生产效率下降。将浆料形成为坩埚形状的方法，没有特别的限定，不过，优选为粉浆浇铸法，根据此方法，可以比较容易地制造大型坩埚。粉浆浇铸法是众所周知的陶瓷烧结体的成形方法。通常，通过采用石膏等具有吸水性材料所构成的模框，从注入到该模框的腔体内的浆料 (陶瓷粉末的悬浮液，也称作粉浆)中吸收水分使浆料固化来进行。所获得的成形体经过脱脂处理后，再经过烧成而成为成品。这种方法一般适用于制造复杂形状的成形体，但是由于制造厚壁的成形体需要时间，因此也有一种边向浆料施加压力边进行粉浆浇铸成形的加压成形法。根据这种粉浆浇铸加压成形法能强制进行粉浆的脱水，从而能制造出壁厚比较厚的成形体。对于氧化硅粉末烧结体3的气孔率没有特别的限定，例如，可以为1 30 %。气孔率越小，电弧熔化时即使从坩埚外面侧减压其效果也会涉及到坩埚的内面侧，同时氧化硅粉末烧结体3的强度也会变高。气孔率是可以通过改变氧化硅粉末的粒径来进行调节的。 并且，也可以通过改变粒径不同的多种氧化硅粉末的配合比例来调节气孔率。例如，气孔率是1%、2%、5%、10%、15%、20%、25%、30%，也可以在所举出的任意两个数字的范围内。(2)电弧熔化在电弧熔化工序中，如图1(b)所示，将氧化硅粉末烧结体3设置到模具7上，在此状态下从坩埚内面侧对氧化硅粉末烧结体3进行电弧熔化，从而使氧化硅粉末烧结体3的厚度方向的全部或局部进行玻璃化。由此，获得具有氧化硅玻璃层5的氧化硅玻璃坩埚1， 而该氧化硅玻璃层5是融化坩埚形状的氧化硅粉末烧结体3的内面而形成的。电弧熔化可以按照一边旋转模具7 —边在碳电极8之间进行电弧放电10的方式来进行。氧化硅粉末烧结体3的熔化厚度可以通过改变电弧熔化时间来进行调节。可以进行充分长时间的电弧熔化，而使整个氧化硅粉末烧结体3进行玻璃化而制作氧化硅玻璃层 5，也可以进行较短时间的电弧熔化，而使未熔化烧结体层9残留在坩埚外层。未熔化烧结CN 102531344 A体层9的强度比较高，通过在外层上设置未熔化烧结体层9，可以提高坩埚1的强度。作为未熔化烧结体层9的厚度，例如，可以是坩埚1的壁厚的30% 90%，30 60%时更佳，具体来讲，例如可以是，30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %，或者在此列举的任意2个数值之间的范围亦可。厚度太薄会导致坩埚1的强度提高的效果较小，厚度太厚会导致内面的氧化硅玻璃层5的厚度变得太薄。在氧化硅粉末烧结体3内表面上的电弧熔化的温度优选为1700 ^00°C。电弧熔化的温度太低会导致烧结体3很难被玻璃化，温度太高会导致浪费能量。作为电弧熔化的温度，例如，可以是 1700"C、1800"C、1900"C、2000°C、2100°C、2200"C、2300"C、2400"C、 2500°C、2600°C，或者在所列举的任意2个温度之间的范围亦可。由于氧化硅粉末烧结体3以玻璃作为原料，所以，即使对于电弧熔化之前的烧结体进行X射线衍射的测量，也不会出现峰值，由此可知是非晶质。针对于此，进行了通过电弧熔化而形成的氧化硅玻璃层5的X射线衍射测量发现，出现了结晶性的峰值。该结果意味着不添加Ba等的矿化元素的情况下，至少局部的氧化硅玻璃层5已被结晶化。经进一步详细分析可知，氧化硅玻璃层5的一部分变成了白色，而该部位是结晶质。一般来讲，结晶的强度高于玻璃的强度，根据本实施方式的方法，可以制造高强度的坩埚。当进行电弧熔化时，从坩埚外面侧对氧化硅粉末烧结体3进行减压，或者，在氧化硅粉末烧结体3内面散布合成氧化硅粉。通过采用这些方法中的至少一种，能够轻易制造在内面侧具有透明层的坩埚。(2-1)减压模具7上设置有多个通气口 11，通过这些通气口 11可以从坩埚外面侧对氧化硅粉末烧结体3进行减压。减压压力为_50kPa以上且不满-95kl^为佳。在强烈地减压到这程度时，如果氧化硅粉末烧结体3被熔化的话，包含在其内的气泡会立刻被去除掉，而可以制造出实质上不含气泡的(气泡含有率不满0.5%的)透明层。在本说明书中，压力的值是指相对周围气压的值。利用在背景技术部分中所述的旋转模具减压法制造坩埚时，氧化硅粉末的粒径下限为100 μ m左右，而形成氧化硅粉层时直径小于此数值的话粉末会飞散，因此，无法稳定地形成氧化硅粉层。并且，即使形成了氧化硅粉层，也会因为受到电弧冲击波的影响，氧化硅粉末的特别是处于电弧正下方的部分会飞散掉。从而，氧化硅粉末的粒径必须做到某种程度的大小，而且各个氧化硅粉末的粒子内含有气泡。并且，该气泡还包含在电弧熔化后的氧化硅玻璃层中。另一方面，根据本实施方式的方法，可以将氧化硅粉细小地粉碎成每个粒子内部不含气泡的程度的大小，并利用如此被粉碎的氧化硅粉末来轻易形成氧化硅粉末烧结体，因此，可以轻易地除去各个粒子中的气泡，从而，可以轻易地形成实质上不含气泡的透明层。并且，形成透明层之后，将减压的压力调节为0以上不满-IOkPa,由此，在透明层的外侧可以形成气泡含有率是0.5%以上不满50%的含气泡层。在本说明书中，所谓气泡含有率是指对坩埚一定体积(W1)的气泡占有体积(W2)的比OvV1)。(2-2)合成氧化硅玻璃层的形成在此，具备形成合成氧化硅玻璃层的工序为佳，其中，该工序具体如下对烧结体 3边减压边进行电弧熔化或者减压的同时，进行电弧熔化时在氧化硅粉末烧结体3内面散布合成氧化硅粉(不图示)，由此，在坩埚内面形成合成氧化硅玻璃层(以下称作“合成层”)。此时，如图2所示，可以获得内面侧具有合成层13的坩埚1。所谓合成氧化硅粉是指，通过四氯化硅(SiCl4)的气相氧化(干式合成法)，硅醇盐(Si(OR)4)的加水分解(溶胶-凝胶法)等化学合成方法制造的氧化硅粉末。在因电弧放电的热量而变热的坩埚1内面的部位上散布合成氧化硅粉，由此使合成氧化硅粉附着到壁上时会立即被熔化，而成为合成层13。通常，氧化硅粉末烧结体3以废玻璃为原料来制造，因此，有时会出现熔化氧化硅粉末烧结体3而形成的氧化硅玻璃层的纯度较低的情况。根据本实施方式，坩埚1内面覆盖有高纯度的合成层，因此，可以抑制杂质混入到硅熔液。在氧化硅粉末烧结体的内表面开始被熔化时，再开始进行合成氧化硅粉的散布为好。在内表面开始熔化之前就开始散布的话，散布的合成粉不会附着于侧壁上，而顺着壁部移动到坩埚底部，使得底部的合成层变得太厚。并且，在其他实施方式中，在上述氧化硅粉末烧结体的内表面开始熔化之后立即开始合成氧化硅粉的撒布，并在形成所需厚度的合成层之后立即结束电弧融化。通过这种方法形成合成层的话，烧结体壁厚中的未熔化的残留部分比例会变大。根据这个方法，如图 3所示，可以获得从坩埚外面侧依次具有厚度较厚的未熔化烧结体层9、厚度较薄的氧化硅玻璃层5、以及合成层13的坩埚1。未熔化烧结体层9越厚，坩埚1的强度就会越高，因此，未熔化烧结体层9的厚度最好是坩埚壁厚(未熔化烧结体层9、氧化硅玻璃层5以及合成层13的厚度总和)的30% 以上，具体来讲，例如，可以是30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%，也可以是在此列举的任意1个值以上，或者任意2个数值之间的范围内。从强度角度考虑，未熔化烧结体层9 的厚度没有上限，但是，形成合成层13时氧化硅粉末烧结体会被熔化，因此，考虑到制造的容易性，未熔化烧结体层9的厚度为坩埚壁厚的60%以下为佳。<实施例>1.氧化硅玻璃层的形成制造外径470mm、高度345mm、壁厚15mm的平底氧化硅粉末烧结体，将所述氧化硅粉末烧结体设置于模具中，从模具侧进行减压的状态下，从坩埚内面侧对氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化，当氧化硅粉末烧结体在其厚度方向上已熔化一半时结束电弧熔化，将其冷却使之玻璃化。电弧熔化温度约为2200°C，减压压力为-70kPa。其结果，确认到在坩埚内面侧形成有实质上不含气泡的氧化硅玻璃层。其次，对电弧熔化之前的烧结体和所形成的氧化硅玻璃层进行了 X射线衍射测量。其结果，在进行电弧熔化之前的烧结体的测量中未发现峰值，由此可知烧结体为非晶质。另一方面，对氧化硅玻璃层的测量中，在氧化硅玻璃层中的白色部分中确认到峰值，这表示该部分被结晶化，由此可知，氧化硅玻璃层至少在局部部位上被结晶化。发明人认为通过该结晶化坩埚强度有提高。2.合成层的形成制造外径470mm、高度345mm、壁厚15mm的平底的氧化硅粉末烧结体，该氧化硅粉末烧结体设置于模具中，对氧化硅粉末烧结体从坩埚内面侧进行电弧熔化，当氧化硅粉末烧结体开始溶融之后，立即开始合成氧化硅粉的散布，由此形成了厚度为Imm的合成层，并结束了电弧熔化。电弧熔化温度为约2200°C。其结果发现在坩埚内面侧形成有透明的合成层。并且，相对坩埚壁厚的未溶融烧结体层的厚度为壁厚全体的50%左右。
权利要求
1.一种用于制造单晶或多晶硅锭的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于具备玻璃化工序，其中，对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体，从内面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化而对所述氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化，并且具备(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行减压，(2) 进行所述电弧熔化时在所述氧化硅粉末烧结体的内面散布合成氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层，之中的至少一种工序。
2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述氧化硅粉末烧结体的内表面开始熔化之后，开始散布所述合成氧化硅粉。
3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述氧化硅粉末烧结体的内表面开始熔化之后，立即开始散布所述合成氧化硅粉，形成所需厚度的合成氧化硅玻璃层之后，立即结束所述电弧熔化。
4.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于在所述电弧熔化中， 使所述氧化硅粉末烧结体的内表面温度达到1700 ^00°C。
5.如权利要求1至4的任意一项所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述氧化硅粉末烧结体是通过将粉碎氧化硅玻璃而得的氧化硅粉末与分散剂相混合而制得浆料，并将其形成为坩埚形状之后进行烧成的工序来制造的。
6.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述氧化硅玻璃是在氧化硅玻璃坩埚制造工序中产生的废玻璃。
7.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述氧化硅粉末的平均粒径为1 250 μ m。
8.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于所述烧成温度为 800 1500"C。
9.一种氧化硅玻璃坩埚，其特征在于具备使坩埚形状的氧化硅粉末烧结体的内面进行熔化而形成的氧化硅玻璃层。
10.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于所述氧化硅玻璃层实质上不含有气泡。
11.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于在所述氧化硅玻璃层上具备合成氧化硅玻璃层。
12.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于所述氧化硅玻璃层至少在局部被结晶化。
13.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于在所述坩埚的外面侧具有未熔化烧结体层。
14.如权利要求13所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于所述氧化硅玻璃层上具备合成氧化硅玻璃层，所述未熔化烧结体层的厚度为坩埚壁厚的30% 90%。
全文摘要
本发明提供一种利用废玻璃制造具有透明层的氧化硅玻璃坩埚的方法。根据本发明，一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，用于制造单晶或多晶硅锭，所述坩埚具备玻璃化工序，其中，对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体，从坩埚内面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化而使对所述氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化，并且具备(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行减压，(2)进行所述电弧熔化时在所述氧化硅粉末烧结体的内面散布氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层，之中的至少一种工序。
文档编号C03B19/09GK102531344SQ20111040484
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月1日 优先权日2010年12月1日
发明者吉冈拓磨, 山崎真介, 铃木光一, 须藤俊明 申请人:日本超精石英株式会社