一种硅片切割装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及硅片切割【技术领域】，尤其涉及一种硅片切割装置，包括左侧主导轮、右侧主导轮、左侧轴承箱、右侧轴承箱和轴瓦，所述左侧主导轮和所述右侧主导轮分别通过所述轴瓦与所述左侧轴承箱和所述右侧轴承箱连接，所述轴瓦包括相互接触的轴瓦内表面和轴瓦外表面，所述轴瓦内表面和所述轴瓦外表面之间为圆锥面接触。本实用新型的轴瓦内表面和轴瓦外表面之间采用圆锥面接触，在精度控制上达到左右主导轮的径向跳动可以控制在10μm，提高了精度，在高速运转时，圆锥面的定心功能保障了主导轮拥有比较低的跳动值，大大降低了高速旋转时产生的跳动，减小了对切割硅片产生的影响，提高了硅片切割质量，减少了硅片切割的不良率，降低了制造成本。
【专利说明】—种硅片切割装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及硅片切割【技术领域】，尤其涉及一种硅片切割装置。
【背景技术】
[0002]硅片是生产太阳能电池片的必备物料，也是太阳能电池片制造环节中最为关键的原料之一，也是占整体成本最高的原物料。切割时，通过切割设备对硅棒进行切割，目前的切割方式通常为钢丝切割，因为对切割精度的要求比较高，因而对设备提出了较高的要求，硅片切割后再进行加工形成电池片。
[0003]如图1所示，现有的硅片切割装置，其包括左侧主导轮1、右侧主导轮2、左侧轴承箱3、右侧轴承箱4和轴瓦5，左侧主导轮I和所述右侧主导轮2分别通过轴瓦5与左侧轴承箱3和右侧轴承箱4连接，其中，轴瓦5包括轴瓦内表面51和轴瓦外表面52，轴瓦内表面51和轴瓦外表面52采用圆弧面接触，但是在精度控制上达到左右侧主导轮的径向跳动只能控制在50 μ m，在高速运转的时候，会带来较大的跳动，从而影响硅片切割质量，增加硅片切割的不良率，增加制造成本。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种硅片切割装置，能够降低高速旋转时产生的跳动，提高硅片切割质量，减少硅片切割的不良率，降低了制造成本。
[0005]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0006]本实用新型提供了一种硅片切割装置，包括左侧主导轮、右侧主导轮、左侧轴承箱、右侧轴承箱和轴瓦，所述左侧主导轮和所述右侧主导轮分别通过所述轴瓦与所述左侧轴承箱和所述右侧轴承箱连接，所述轴瓦包括相互接触的轴瓦内表面和轴瓦外表面，所述轴瓦内表面和所述轴瓦外表面之间为圆锥面接触。
[0007]进一步地，所述轴瓦内表面和所述轴瓦外表面之间通过压合方式接触。
[0008]进一步地，所述左侧主导轮和所述右侧主导轮上缠绕有等间隔的钢丝，用于切割娃片。
[0009]进一步地，所述左侧主导轮和所述右侧主导轮之间具有硅片切割区。
[0010]进一步地，所述左侧轴承箱包括左侧活动端轴承箱和左侧固定端轴承箱；
[0011]所述左侧活动端轴承箱和所述左侧固定端轴承箱分别通过所述轴瓦与所述左侧主导轮的两端连接；
[0012]所述左侧固定端轴承箱的内部设有动力装直；
[0013]所述右侧轴承箱包括右侧活动端轴承箱和右侧固定端轴承箱；
[0014]所述右侧活动端轴承箱和所述右侧固定端轴承箱分别通过所述轴瓦与所述右侧主导轮的两端连接；
[0015]所述右侧固定端轴承箱的内部设有动力装置。
[0016]进一步地，所述左侧主导轮和所述右侧主导轮为平行且对称设置。[0017]本实用新型的有益效果为:
[0018]本实用新型提供的硅片切割装置，轴瓦内表面和轴瓦外表面之间采用圆锥面接触，有效降低左右主导轮的径向跳动，提高了精度，在高速运转的时候，圆锥面的定心功能保障了左右侧主导轮拥有比较低的跳动值，大大降低了高速旋转时产生的跳动，减小了对切割硅片产生的影响，提高了硅片切割质量，减少了硅片切割的不良率，降低了制造成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是现有技术提供的硅片切割装置的结构示意图；
[0020]图2是本实用新型实施方式提供的硅片切割装置的结构示意图；
[0021]图3是图2中的A处局部放大图。
[0022]其中:
[0023]1、左侧主导轮；2、右侧主导轮；3、左侧轴承箱；4、右侧轴承箱；5、轴瓦；6、钢丝；
7、硅片切割区；
[0024]31、左侧活动端轴承箱；32、左侧固定端轴承箱；41、右侧活动端轴承箱；42、右侧固定端轴承箱；51、轴瓦内表面；52、轴瓦外表面。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图并通过【具体实施方式】进一步说明本实用新型的技术方案。
[0026]如图1所示，现有的`硅片切割装置中的轴瓦内表面和轴瓦外表面采用圆弧面接触，即，图1中所示的接触部位为弧线。两者相互接触时，由于高速运转会产生跳动，从而影响主导轮的硅片切割质量。针对这一缺陷，本实用新型在现有技术的基础上，作了进一步改进。
[0027]如图2和图3所示，本实施方式提供的一种硅片切割装置，包括左侧主导轮1、右侧主导轮2、左侧轴承箱3、右侧轴承箱4和轴瓦5，左侧主导轮1和右侧主导轮2为平行且对称设置，左侧主导轮1和右侧主导轮2分别通过轴瓦5与左侧轴承箱3和右侧轴承箱4连接，轴瓦5包括相互接触的轴瓦内表面51和轴瓦外表面52,轴瓦内表面51和轴瓦外表面52之间为圆锥面接触，即，图2中所示的接触部位为直线。
[0028]轴瓦内表面51和轴瓦外表面52之间采用圆锥面接触，在精度控制上达到左右主导轮的径向跳动可以控制在?ο μ m，提高了精度，在高速运转时，圆锥面的定心功能保障了左右侧主导轮拥有比较低的跳动值，大大降低了高速旋转时产生的跳动，减小了对切割硅片产生的影响，提高了硅片切割质量，减少了硅片切割的不良率，降低了制造成本。
[0029]其中，轴瓦内表面51和所述轴瓦外表面52之间通过压合方式接触，并随着左侧主导轮1和右侧主导轮2的转动而运动。左侧主导轮1和右侧主导轮2上缠绕有等间隔的钢丝6，用于切割硅片。左侧主导轮1和右侧主导轮2之间具有硅片切割区7。左侧主导轮1和右侧主导轮2转动时带动钢丝6运动，运动的钢丝6可以对硅棒进行薄片切割，硅棒则置于钢丝6正上方。
[0030]左侧轴承箱3包括左侧活动端轴承箱31和左侧固定端轴承箱32，左侧活动端轴承箱31和所述左侧固定端轴承箱32分别通过轴瓦5与左侧主导轮1的两端连接，左侧固定端轴承箱32的内部设有动力装置；右侧轴承箱4包括右侧活动端轴承箱41和右侧固定端轴承箱42，右侧活动端轴承箱41和右侧固定端轴承箱42分别通过轴瓦5与右侧主导轮2的两端连接，右侧固定端轴承箱42的内部设有动力装置。
[0031]当需要更换左右侧主导轮时，只需将左右侧活动端轴承箱卸下来，然后将左右侧主导轮抽出即可完成更换，而左右侧固定端轴承箱则为固定状态，不能随便搬动，内部连接入电机，为左右侧主导轮的转动提供动力。
[0032]以上结合【具体实施方式】描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本实用新型的保护范围内。
【权利要求】
1.一种硅片切割装置，包括左侧主导轮(1)、右侧主导轮(2)、左侧轴承箱(3)、右侧轴承箱(4)和轴瓦(5)，所述左侧主导轮(1)和所述右侧主导轮(2)分别通过所述轴瓦(5)与所述左侧轴承箱(3)和所述右侧轴承箱(4)连接，所述轴瓦(5)包括相互接触的轴瓦内表面(51)和轴瓦外表面(52)，其特征在于，所述轴瓦内表面(51)和所述轴瓦外表面(52)之间为圆锥面接触。
2.根据权利要求1所述的一种硅片切割装置，其特征在于，所述轴瓦内表面(51)和所述轴瓦外表面(52)之间通过压合方式接触。
3.根据权利要求1所述的一种硅片切割装置，其特征在于，所述左侧主导轮(1)和所述右侧主导轮(2)上缠绕有等间隔的钢丝(6)，用于切割硅片。
4.根据权利要求1所述的一种硅片切割装置，其特征在于，所述左侧主导轮(1)和所述右侧主导轮(2)之间具有硅片切割区(7)。
5.根据权利要求1所述的一种硅片切割装置，其特征在于，所述左侧轴承箱(3)包括左侧活动端轴承箱(31)和左侧固定端轴承箱(32)；所述左侧活动端轴承箱(31)和所述左侧固定端轴承箱(32)分别通过所述轴瓦(5)与所述左侧主导轮(1)的两端连接；所述左侧固定端轴承箱(32)的内部设有动力装置；所述右侧轴承箱(4)包括右侧活动端轴承箱(41)和右侧固定端轴承箱(42)；所述右侧活动端轴承箱(41)和所述右侧固定端轴承箱(42)分别通过所述轴瓦(5)与所述右侧主导轮(2)的两端连接；所述右侧固定端轴承箱(42)的内部设有动力装置。
6.根据权利要求1所述的一种硅片切割装置，其特征在于，所述左侧主导轮(1)和所述右侧主导轮(2)为平行且对称设置。
【文档编号】B28D5/04GK203542879SQ201320732208
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月18日 优先权日:2013年11月18日
【发明者】朱海波, 黎晓丰 申请人:阿特斯(中国)投资有限公司, 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司