透明耐热阻气性薄膜的制造方法
【专利摘要】本发明提供具有良好的阻气性且不需要大型设备、大量的工序，能够简便并且低成本地制造，即便在250℃以上进行热处理也具有良好的物性的透明耐热阻气性薄膜的制造方法。所述透明耐热阻气性薄膜的制造方法包括在由具有特定结构的重复单元的聚酰亚胺形成的透明聚酰亚胺薄膜的至少一侧的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180℃以上的温度下进行焙烧从而层叠硅氧化物层的工序。
【专利说明】透明耐热阻气性薄膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及透明耐热阻气性薄膜的制造方法，特别是涉及具有良好的阻气性并且不需要大型设备、大量的工序、且能够以简便并且低成本地制造的透明耐热阻气性薄膜的制造方法。
【背景技术】
[0002]显示器用基板等电子装置中所使用的基板从阻气性以及耐热性等出发使用玻璃。然而，近年来在进行使用具备轻量化、无裂纹、加工性优异等性质的塑料薄膜来制造柔性显示器的研究。然而，塑料薄膜与玻璃相比，存在容易通过水蒸气等气体、此外耐热性不足等问题，在实用化中存在许多问题。
[0003]为了解决这样的问题，专利文献I中公开了在透明高分子薄膜层叠有由等离子体化学蒸镀法形成的硅氧化物层和通过涂布包含聚硅氮烷的液体后进行加热处理而得到的硅氧化物层的阻气性薄膜。然而，在等离子体化学蒸镀法中存在无机化合物的膜形成需要大型真空装置，进而由于膜形成的生产速度缓慢因而难以降低制造成本的问题。
[0004]专利文献2中公开了在基材的至少单面具有对聚硅氮烷膜实施等离子体处理而形成的阻隔层的阻气性薄膜。然而，该方法中存在必定需要等离子体处理的装置的问题。此夕卜，根据使用的基材存在在加热处理工序后阻隔性大幅恶化的问题。
[0005]专利文献3中公开了柔性阻气薄膜的制造方法，在树脂基材上层叠通过涂布将硅氮烷骨架作为基本单元的聚合物并照射真空紫外光而得到的聚合物膜。然而，该方法中存在需要照射真空紫外光的设备，此外进行层叠因此工序多的问题。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开平8-281861号公报
[0009]专利文献2:日本特开2007-237588号公报
[0010]专利文献3:日本特开2009-255040号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的问题
[0012]本发明的课题在于提供具有良好的阻气性、并且不需要大型设备、大量的工序，能够简便并且低成本地制造，即便在250°C以上进行热处理也具有良好的物性的透明耐热阻气性薄膜的制造方法。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]本发明人等为了解决上述问题进行深入研究，结果发现，将具有包含特定的四羧酸结构的重复单元的耐热性优异的透明聚酰亚胺薄膜用作基板、将聚硅氮烷溶液在180°C以上进行焙烧处理层叠硅氧化物，从而能够不需要特別的设备、处理，硅氧化物的结构变得致密、体现优异的阻气性，从而完成发明。[0015]即，本发明提供透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其包括下述工序:在由具有下式
(I)表示的重复单元的聚酰亚胺形成的透明聚酰亚胺薄膜的至少一侧的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180°c以上的温度下进行焙烧从而层叠硅氧化物层的工序。
[0016]
【权利要求】
1.一种透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其包括下述工序:在由具有下式(I)所示的重复单元的聚酰亚胺形成的透明聚酰亚胺薄膜的至少一侧的面上涂布包含聚硅氮烷的溶液之后，在180°c以上的温度下进行焙烧从而层叠硅氧化物层的工序，
2.根据权利要求1所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其中，所述透明聚酰亚胺薄膜的由差示扫描量热测定获得的玻璃化转变温度为250°C以上、且总透光率为80%以上。
3.根据权利要求1或2所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其中，所述式(I)中的R为从环己烷去掉4个氢原子而形成的4价基团。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其中，所述硅氧化物层的厚度为0.1~2.0 μ m。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其中，所述包含聚硅氮烷的溶液含有钯催化剂。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其还包括在所述硅氧化物层之上通过物理蒸镀法或化学蒸镀法层叠由硅氧化物和/或硅氧氮化物形成的层的工序。
7.根据权利要求1~6的任一项所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其还包括在所述硅氧化物层之上层叠由氧化铟和氧化锡的混合物形成的透明导电膜层或由氧化锌形成的透明导电膜层的工序。
8.根据权利要求1~7的任一项所述的透明耐热阻气性薄膜的制造方法，其中，所述透明耐热阻气性薄膜用于电子装置用构件。
【文档编号】B32B27/34GK103917364SQ201280054747
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2012年11月8日 优先权日:2011年11月11日
【发明者】末永修也, 三树泰 申请人:三菱瓦斯化学株式会社