制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法
【专利摘要】本发明提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。为此，本公开的第1方式所涉及的制造方法包括如下工序，通过水膜(902)来保护芯片(811)的背面(811b)，同时使具有羟基的芯片(811)的表面(811a)接触使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂(905a)而得到的有机溶液(905)，从而在芯片(811)的表面(811a)形成防水性的薄膜。
【专利说明】制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法。
【背景技术】
[0002]专利文献I公开了一种将芯片那样的微小的构件20配置在基板10上的方法。该方法被称为“FSA法”。在FSA法中，如图15A所示，准备具备多个亲水性区域11以及包围该亲水性区域11的防水性区域12的基板10。接着，如图15B所示，将配置于基板10的构件20分散于实质上不溶于水的溶剂40，来准备构件含有液50。由于构件20的背面是亲水性的，因此构件20的背面能够与I个亲水性区域11接合。另一方面，表面是防水性的。不仅表面是防水性的，构件20的背面以外的面都是防水性的。
[0003]接着，如图15C所示，利用第I刮板(squeegee) 61在多个亲水性区域11配置水30。然后，图MD所示,利用第2刮板62，涂敷构件含有液50，使构件含有液50与配置于亲水性区域11的水31接触。在该过程中，各构件20在配置于亲水性区域11的水31中移动。此时，亲水性背面面向亲水性区域11。然后，去除水31以及构件含有液50所含的溶剂，在亲水性区域11配置构件20。所配置的构件20的背面与亲水性区域11相接。专利文献I作为参照而编入本说明书。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:美国专利第7，730, 610号说明书
【发明内容】
[0007]发明要解决的课题
[0008]本公开的目的在于，提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。
[0009]解决课题的手段
[0010]本公开所涉及的制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法，包括如下工序:
[0011]工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第I基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的；
[0012]工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第I基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触；
[0013]工序(C)，将所述层叠体浸溃在第I疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第I疏水性溶剂；
[0014]工序⑷，去除所述第I基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出；
[0015]工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的有机溶液，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，并且所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和
[0016]工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
[0017]发明效果
[0018]本公开提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(a)。
[0020]图2表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(b)。
[0021]图3表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(C)。
[0022]图4表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(d)。
[0023]图5表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(e)。
[0024]图6表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0025]图7表示图6后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0026]图8表示图7后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0027]图9表示图8后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0028]图10表不图9后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0029]图11表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0030]图12表示图11后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0031]图13表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0032]图14表示图13后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。
[0033]图15A表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。
[0034]图15B表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。
[0035]图15C表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。
[0036]图MD表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。
【具体实施方式】
[0037]本公开的第I方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:
[0038]工序(a)，准备隔着蜡膜830而在背面侧具备芯片811的第I基板110，并且芯片811具备表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a与蜡膜830相接，且芯片811的背面811b是亲水性的；
[0039]工序(b)，使芯片811的背面811b接触在表面具有水膜902的第2基板120，获得由第I基板110以及第2基板120构成的层叠体100，并且芯片811的背面811b与水膜902接触；
[0040]工序(c)，使层叠体100浸溃在第I疏水性溶剂903a中，使蜡膜830溶解于第I疏水性溶剂903a ；[0041]工序(d)，去除第I基板110，获得在表面附着了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b与水膜902接触，且芯片811的表面811a露出；
[0042]工序(e)，通过水膜902来保护芯片811的背面811b，同时使具有羟基的芯片811的表面811a接触有机溶液905，该有机溶液905是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiYS溶解于第2疏水性溶剂905a而得到的，从而在芯片811的表面811a形成防水性的薄膜，其中R1表示烃基或氟化烃，R2表示烷氧基，且Y表示卤素；和
[0043]工序(f)，去除第2基板120，从而获得具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。
[0044]第2方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，蜡膜830也可以是粘着性的。
[0045]第3方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第I疏水性溶剂903a也可以是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
[0046]第4方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，在工序(e)中，也可以将在表面附着了芯片811的第2基板102浸溃在有机溶液905中。
[0047]第5方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第2疏水性溶剂905a也可以是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。
[0048]此外，本公开的第6方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:
[0049]工序(a)，准备隔着蜡膜830而在背面侧具备芯片811的第I基板110，并且芯片811具备表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a与蜡膜830相接，且芯片811的背面811b是亲水性的；
[0050]工序(b)，使芯片811的背面811b与在表面具有水膜902的第2基板120接触，获得由第I基板110以及第2基板120构成的层叠体100，并且芯片811的背面811b与水膜902接触；
[0051 ] 工序(c)，使层叠体100浸溃在第I疏水性溶剂903a中，使蜡膜830溶解于第I疏水性溶剂903a ；
[0052]工序(d)，去除第I基板110，获得在表面附着了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b与水膜902接触，且芯片811的表面811a露出；
[0053]工序(e)，通过水膜902来保护芯片811的背面811b，同时使具有金膜的芯片811的表面811a接触含有R1-SH的有机溶液905，该有机溶液905溶解于第2疏水性溶剂905a，使烷基或氟化烷基与芯片811的表面结合来赋予防水性，其中R1表示烃基或氟化烃；和
[0054]工序(f)，去除第2基板120，获得具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。
[0055]第7方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，蜡膜830也可以是粘着性的。
[0056]第8方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，第I疏水性溶剂903a也可以是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
[0057]第9方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，在工序(e)中，也可以将在表面附着了芯片811的第2基板102浸溃在有机溶液905中。
[0058]第10方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，第2疏水性溶剂905a也可以是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。[0059]以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。
[0060]在实施方式中，依次执行工序(a)?工序(f)。
[0061](工序(a))
[0062]首先，如图1所示，准备第I基板110。
[0063]第I基板110在背面具有蜡膜830。蜡膜830的材料的例子是萜烯酚醛树脂。蜡被涂敷在第I基板Iio的背面811b，形成蜡膜830。涂敷蜡的方法的例子是旋涂法。
[0064]隔着蜡膜830，将芯片811设置在第I基板110的背面811b。芯片811包含表面811a以及背面811b。表面811a与蜡膜830相接。另一方面，背面811b露出。
[0065]用语“表面”是指上表面。另一方面，用语“背面”是指底面。
[0066]为了抑制芯片811从第I基板110的背面落下，优选蜡膜830是粘着性的。
[0067]芯片811的例子是半导体元件或太阳能电池元件。电极最好在芯片811的背面811b露出。若通过FSA法而将芯片811配置于具有电极的基板10，则露出到背面811b的电极与基板10的表面所具备的电极电连接。
[0068]芯片811的背面811b是亲水性的。在以下的项目(a)?(C)中记述对背面811b赋予亲水性的方法的例子。
[0069](a)对附着了芯片811的第I基板110的背面进行等离子照射处理。
[0070](b)在芯片811的背面811b形成SiO2层或SiN层。
[0071](c)在芯片811的背面811b形成金层或铜层之后，将由X-R-SH表示的有机化合物提供给芯片811的背面811b。X表示-C00H、-OH、_S03、或-S0”
[0072](工序(b))
[0073]接着，如图2所示，使芯片811的背面811b与在表面具有水膜902的第2基板120接触。如此，能够获得由第I基板Iio以及第2基板120构成的层叠体100。如图2所示，芯片811的背面811b与水膜902接触。
[0074](工序(C))
[0075]在工序(c)中，如图3所示，将层叠体100浸溃在含有第I疏水性溶剂903a的容器903中。第I疏水性溶剂903a使蜡膜830溶解。第I疏水性溶剂903a的例子为乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。在后述的实施例中，使用了乙酸丁酯。
[0076]水膜902不溶解于第I疏水性溶剂903a，因此芯片811的背面811b保持亲水性。换言之，通过水膜902保护了芯片811的亲水性背面811b免受第I疏水性溶剂903a的影响。
[0077](工序(d))
[0078]由于在工序(C)中蜡膜830被溶解，因此如图4所示，第I基板110被简单地去除。最好第I基板Iio在第I疏水性溶剂903a中从第2基板120分离。如此，能够获得在表面附着了芯片811的第2基板120。芯片811的背面811b与水膜902接触。另一方面，芯片811的表面露出。
[0079](工序(e))
[0080]在工序(e)中，对芯片811的表面811a赋予防水性。以下说明对表面811a赋予防水性的方法的例子。
[0081]如图5所示，将在表面附着了芯片811的第2基板120浸溃在含有有机溶液905的容器904中。有机溶液905含有R1-Si (OR2) 3、R1-SiY3、或R1-SH15在此，R1表示烃基或氟化烃。R2表示烷氧基。Y表示卤素。优选卤素为氯。
[0082]芯片811的表面811a与R1-Si (OR2) ^R1-SiY3'* R1-SH发生反应，在芯片811的表面811a形成防水性的薄膜。
[0083]有机溶液905的溶剂是疏水性的。为了与第I疏水性溶剂903a区分，在工序(e)中使用的疏水性溶剂称为“第2疏水性溶剂905a”。第2疏水性溶剂905a的例子是具有6以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。在后述的实施例中，使用了氯仿/十六烷混合溶液。
[0084]与工序(c)中的说明相同，因为水膜902不溶解于第2疏水性溶剂905a，所以芯片811的背面811b保持亲水性。换言之，通过水膜902保护了芯片811的亲水性背面811b不受第2疏水性溶剂905a的影响。因此，防水性的薄膜不形成在芯片811的亲水性背面811b。另一方面，如上所述，防水性的薄膜形成在芯片811的背面811a。
[0085]有机溶液905中含有的R1-S1-(OR2)3与存在于芯片811的表面811a的羟基发生反应，形成防水性的薄膜。这样的羟基通过将芯片811暴露于自然氧化环境中而形成。因此，优选在将芯片811浸溃于有机溶液905之前，将芯片811暴露于自然氧化环境中。
[0086]有机溶液905中含有的R1-SH与形成在芯片811的表面811a的金膜发生反应，形成防水性的薄膜。因此，优选在将芯片811浸溃于有机溶液905之前，在芯片811的表面811a形成金膜。
[0087](工序(f))
[0088]工序(e)之后，去除第2基板120。由于第2基板120的表面不具有粘着性，因此第2基板120能够简单地去除。如此，能够获得具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。
[0089](实施例)
[0090]在以下的实施例中，对本公开更详细地进行说明。
[0091]作为芯片811，准备了多个平板状GaAs元件。参照附图来说明制造平板状GaAs元件的方法。
[0092]首先，如图6所示，准备GaAs基板作为支撑基板800。支撑基板800的厚度是450微米。接着，如图7所示，具有100纳米的厚度的AlAs层820形成在支撑基板800的表面。进而，具有5微米的厚度的GaAs层810形成在AlAs层820的表面。
[0093]然后，如图8所示，在GaAs层810的表面上形成掩模层900。如图9所示，没有被掩模层900覆盖的部分通过湿法蚀刻而被去除。然后，去除掩模层900。如此，如图10所示，由GaAs元件构成的多个芯片811形成在支撑基板800上。
[0094]各芯片811具有150微米的长度、150微米的宽度、以及5.1微米的厚度。
[0095]另一方面，如图11所示，准备具有700微米的厚度的玻璃基板作为第I基板110。在第I基板110的表面，通过旋涂法，涂敷萜烯酚醛树脂蜡，形成蜡膜830。萜烯酚醛树脂蜡购买了日化精工株式会社生产的商品名“SPACE LIQUID”。蜡膜830具有1.5微米的厚度。
[0096]然后，如图12所示，将第I基板110翻过来。
[0097]如图13所示，在支撑基板800上层叠第I基板110，使蜡膜830与芯片811的表面811a接触。然后，如图14所示，将支撑基板800以及第I基板110浸溃在具有IM的浓度的盐酸水溶液901中，将AlAs层820溶解。如此，去除了支撑基板800，获得了如图1所示的、隔着粘着性的蜡膜830而在背面侧具备芯片811的第I基板110。
[0098]从第I基板110的背面侧起进行氧等离子处理，使芯片811的背面侧811b成为亲水性。
[0099]另一方面，准备硅基板作为第2基板120。该第2基板120具有525微米的厚度。第2基板120的表面在氧气氛下暴露于等离子处理。如此,对第2基板120的表面赋予了亲水性。接着，将第2基板120浸溃在水中，在第2基板120的表面形成了水膜902。
[0100]接着，如图2所示，将第I基板110的背面附着在第2基板120的表面，使得芯片811的背面811b与水膜902相接，从而获得了层叠体100。
[0101]如图3所示，层叠体100在40°C的温度下浸溃在乙酸丁酯中。蜡膜830被乙酸丁酯溶解。然后，如图4所示，第I基板110在乙酸丁酯中被容易地去除。如此，获得了隔着水膜902而在表面具有多个芯片811的第2基板120。
[0102]接着，如图5所示，将该第2基板120在含有具有0.1vol %的浓度的CH3CH2CH2SiCl3(以下，称为“PTS”)的氯仿/十六烷混合溶液(体积比=I:4)中浸溃60分钟。接下来，将在该第2基板120的表面配置的多个芯片811在纯净的氯仿中洗净，然后去除氯仿。如此，平板状的芯片811的表面811a被由PTS构成的防水膜覆盖。在此期间，芯片811的亲水性背面811b被水膜902保护。因此，防水膜没有形成在芯片811的背面811b。换言之，芯片811的背面811b没有被防水膜覆盖。
[0103]如此，获得了具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。更详细来说，表面811a的整个面是防水性的，背面811b的整个面是亲水性的。
[0104]-工业实用性-
[0105]通过本公开所获得的芯片可以在FSA法中使用。
[0106]-符号说明-
[0107]100层叠体
[0108]110 第 I 基板
[0109]120 第 2 基板
[0110]811 芯片
[0111]811a防水性表面
[0112]811b亲水性背面
[0113]830 蜡膜
[0114]902 水膜
[0115]903 容器
[0116]903a第I疏水性溶剂
[0117]904 容器
[0118]905有机溶液
[0119]905a第2疏水性溶剂
[0120]800支撑基板
[0121]810 GaAs 层
[0122]820 AlAs 层
[0123]900掩模层
【权利要求】
1.一种制造方法，制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片， 所述制造方法包括如下工序: 工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第I基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的； 工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第I基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触； 工序(c)，将所述层叠体浸溃在第I疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第I疏水性溶剂； 工序(d)，去除所述第I基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出； 工序(e)， 通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触有机溶液，该有机溶液是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，其中所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和 工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 所述蜡膜是粘着性的。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 所述第I疏水性溶剂是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 在所述工序(e)中，将在表面附着了所述芯片的所述第2基板浸溃在所述有机溶液中。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 所述第2疏水性溶剂是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。
6.一种制造方法，制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片， 所述制造方法包括如下工序: 工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第I基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的； 工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第I基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触； 工序(c)，将所述层叠体浸溃在第I疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第I疏水性溶剂； 工序(d)，去除所述第I基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出； 工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有金膜的所述芯片的所述表面接触含有R1-SH的有机溶液，该有机溶液溶解于第2疏水性溶剂，使烷基或氟化烷基与所述芯片的所述表面结合来赋予防水性，并且所述R1表示烃基或氟化烃；和 工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述蜡膜是粘着性的。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其中， 所述第I疏水性溶剂是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其中， 在所述工序(e)中，将在表面附着了所述芯片的所述第2基板浸溃在所述有机溶液中。
10.根据权利要求6所述的制造方法，其中， 所述第2疏水性溶剂是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。
【文档编号】B32B27/00GK103582563SQ201380001476
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年3月14日 优先权日:2012年3月28日
【发明者】荒濑秀和, 小森知行 申请人:松下电器产业株式会社