专利名称：：液体吐出头用喷嘴板的制造方法、液体吐出头用喷嘴板及液体吐出头的制作方法
技术领域：
：本发明涉及液体吐出头用喷嘴板的制造方法、液体吐出头用喷嘴板及液体吐出头。
背景技术：
：近年来，要求高速、高分辨率的喷墨式打印机印刷。用于这种打印机的喷墨式记录头，其构成部件的形成方法采用以硅基板等为对象的半导体工序，它是一种微机械领域的细微加工技术。因此，有许多建议在硅基々反上实施蚀刻以形成细微构造的方法。其中，周知的有如下所述在硅基板上实施蚀刻形成喷墨式记录头喷嘴的方法。(1)在硅单结晶基板的表面形成抗蚀膜，去掉与喷嘴后端侧对应部分的抗蚀膜形成第l开口图案，去掉与喷嘴先端侧对应部分的抗蚀膜形成小于第i开口模样的第2开口图案，对于被第1开口、第2开口露出的硅单结晶基板表面的露出部分实施各向异性干蚀刻，形成从后端向先端阶梯状地截面变小的喷嘴(请参照专利文献l)。(2)通过干蚀刻从硅基板的一面形成小截面的喷嘴，从硅基板的另一面干蚀刻大截面喷嘴和腔板的油墨室截面的一部分，而该腔板备有与大截面喷嘴连通的油墨室、压力室、油墨供给路等，使与小截面喷嘴连通形成喷嘴(请参照专利文献2)。(3)在2张单结晶硅片之间夹入干蚀刻率慢于单结晶硅片的緩冲层，使它们紧密接合为一体，从一体化了的2张单结晶硅片的两面进行蚀刻加工，底部形成达各緩冲层的孔后，从孔底径小的一侧蚀刻加工緩冲层，形成喷嘴孔(请参照专利文献3)。形成喷嘴后的喷嘴板，其表面特性影响墨滴的喷射特性。例如，若在喷嘴板的吐出孔周边附上油墨发生不均匀的油墨蓄积，则产生墨滴吐出方向弯曲和墨滴大小不均，出现墨滴飞翔速度不安定等不良现象，存在问题。对此，公开了一种如专利文献4中记述的技术，在喷嘴板的液滴吐出方向的面上形成防液处理。据专利文献4所述，在形成了喷嘴的液体吐出头的吐出面涂布氟硅烷(fluoro-silane)进行热处理，其中氟硅烷持有硅原子，该硅原子是至少1个加水分解性基及至少1个氟素含有有机基的结合，热处理之后，进行表面处理除去残留氟硅烷。通过上述表面处理，在液体吐出头端的面上形成防液膜，能够防止墨滴附在吐出孔附近引起上述弊害。形成喷嘴孔的喷嘴形成部件为树脂材料时，为了提高上述防液膜的贴紧度，已经公开有一种在喷嘴形成部件和防液膜之间形成Si02膜的技术(请参照例如专利文献5)。中间形成这种Si02膜的喷嘴板，防液膜的贴紧度高，擦净等抹擦时能够显示较强的耐性。专利文献1:(日本)特开平11-28820号公报专利文献2:(日本)特开2004-106199号公报专利文献3:(日本)特开平6-134994号公报专利文献4:(日本)特开平5-229130号公报专利文献5:(日本)特开2003-341070号公报
发明内容发明名夂解决的;果题能够进行高分辨率印刷的喷墨式记录头中使用的喷嘴板，其上吐出油墨的多个吐出孔的直径精度高且一致，通往吐出孔开口的孔的长度也必须高精度形成。该孔的长度与油墨吐出时的流路阻力有关，孔的直径相同而孔的长度不同的话，油墨的吐出量和飞翔状态等吐出状态会有所不同，这样到达净皮印刷面的油墨状态不均。不能实现高质量的印刷，成为问题。专利文献1及2中记载的喷嘴的形成方法，都是通过干蚀刻形成吐出油墨的小截面喷嘴孔，但是，却没有记述有关精度良好地形成上述孔的长度、即小截面喷嘴孔的长度(称为喷嘴长)。用干蚀刻保持喷嘴长度一定地进行加工时，有时是事先进行实验等定出加工时使用的各蚀刻装置的蚀刻条件，在定出的条件下，用蚀刻处理时间控制蚀刻量以控制喷嘴长度的加工。但是，此时即使是相同的蚀刻装置设定相同蚀刻的条件，在实际蚀刻加工时，用时间控制来提高喷嘴长度加工的喷嘴长度精度存在限度，实际上出现喷嘴长度的参差。为了提高喷嘴长度的精度,必须繁瑣的工序，即在中途一旦停止喷嘴加工，从蚀刻装置取出并测定喷嘴长度，根据测定结果再次进行喷嘴加工。在要求高分辨率的高质量印刷的情况下，要求进一步减小由于上述喷嘴长度参差引起的印刷质量的降低。另外，专利文献3中记载的方法，使用的基材是用2张单结晶硅片夹住蚀刻率慢于单结晶硅片的缓冲层。此时，因为存在蚀刻率慢的缓沖层，所以蚀刻进展到该緩冲层则不再进展。因此，容易按照蚀刻率的大小用蚀刻控制加工量，而单结晶硅片的厚度几乎就此成为喷嘴长度，所以能够精度良好地形成喷嘴长度。但是，用2张硅片夹住緩沖层之基材的制造不容易。同样的基材SOI(SiliconOnInsulator)虽有出售但价格非常昂贵。并且除了从两面的孔加工之外，还必须除去孔底部緩冲层的工序，制造工序繁瑣。并且，最近的液体吐出装置中出现一个问题，即为了吐出更微小的液滴必须又小又精密地形成喷嘴的吐出孔。尤其是在备有弯月面形成手段和静电电压发生手段的静电吐出方式的液体吐出装置中，喷嘴径、喷嘴长度的参差大大影响喷嘴的吐出性能，存在问题，所谓弯月面形成手段是使在吐出孔中形成液滴弯月面的压电元件等；静电电压发生手段是使在吐出孔和接受液滴着落的对象物之间产生静电吸引力。然而，在备有多个喷嘴的液体吐出装置中，如果各喷嘴的吐出性能有不均的话，还存在一个必须按每个喷嘴调整驱动电压和波形之复杂的控制问题。本发明是鉴于上述课题的发明，目的在于提供一种液体能够从吐出孔没有不均地良好吐出的廉价液体吐出头用喷嘴板及其制造方法，并且备有上述喷嘴板的液体吐出头。用来解决课题的手段上述课题通过以下构成解决。1.一种液体吐出头用喷嘴板的制造方法，液体吐出头用喷嘴板由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴板制造方法的特征在于，按以下记述顺序进行下述各工序准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在所述第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜；对为所述第2蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述小径部开口形状的第2蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通所述第2基材为止；在所述第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；对为所述第1蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述大径部开口形状的第i蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通所述第l基材为止。2.—种液体吐出头用喷嘴板的制造方法，液体吐出头用喷嘴板由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴板制造方法的特征在于，按以下记述顺序进行下述各工序准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在所述第l基材的表面形成成为第l烛刻掩模的膜；对为所述第1蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述大径部的开口形状的第i蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通所述第l基材为止；在所述第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜；对为所述第2蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述小径部的开口形状的蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通所述第2基材为止。3.第1或第2项中记载的液体吐出头用喷嘴板的制造方法，其特征在于，所述第2基材为SiO2。4.第1至第3项的任何一项中记载的液体吐出头用喷嘴板的制造方法，其特征在于，具有在所述基板的形成了所述液滴吐出孔的一面设防液层之工序。5.—种液体吐出头用喷嘴板，由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔8由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴板的特征在于，构成所述大径部的基板材料为Si,构成所述小径部的基板材料，由Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于构成所述大径部的基板材料之蚀刻速度的材料构成。6.第5项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，构成所述小径部的基板材料为Si02。7.第5或第6项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，在所述基板的形成了所述液滴吐出孔的一面设防液层。8.第7项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述防液层厚度不到100nm,所述小径部的内径不到10pm。9.第8项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述防液膜是氟烷基硅烷(fluoro-alkyl-silane)系的单分子膜。10.第8或第9项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述小径部的内径不到6(im。11.第8或第9项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述小径部的内径不到4(im。12.—种液体吐出头，备有主体板和喷嘴板，所述主体板上形成了凹部，所述喷嘴板盖住所述主体板，将所述凹部形成为压力室，具有喷嘴，该喷嘴通过向所述压力室内的液体传达压力发生手段的位移而与该压力室连通从，吐出孔吐出所述液体的液滴，液体吐出头的特征在于，所述喷嘴板是第5至第11项的任何一项中记载的液体吐出头用喷嘴板。13.第12项中记载的液体吐出头，其特征在于，所述液体除了所述压力发生手段的作用之外，还由于与所述喷嘴板面对面的电极和喷嘴之间的静电力作用，作为液滴^L吐出。发明之效果根据第1、第2、第5项中记载的发明，本喷嘴板具有下述效果。小径部基材的Si各向异性干蚀刻时的蚀刻速度比大径部Si基板的蚀刻速度慢。用Si各向异性干蚀刻形成大径部时，一旦Si各向异性干蚀刻加工到达小径部基材则蚀刻速度变慢。因此，即使考虑由于Si各向异性干蚀刻所致的大径部长度加工参差，进行过度蚀刻，也能够抑制小径部的基材变薄，能够以小径部基材的厚度作为小径部的长度。因此，能够避免小径部的长度参差，精度良好地形成小径部。根据第8项中记载的发明，通过在具有小径部内径不到10iim的微小吐出孔的喷嘴板上薄薄地形成不到100nm的防液膜，能够防止防液膜进入吐出孔而引起喷嘴径的参差，同时抑制由于防液膜厚度不均而？I起喷嘴长度参差，能够避免其影响液滴吐出。也就是说，能够抑制各喷嘴间的吐出性能的不均。这样，因为能够抑制喷嘴长度参差，所以能够保持喷嘴吐出孔中形成的弯月面先端部的电场强度为一定。另外，因为薄薄地形成防液膜，所以能够抑制实质性的喷嘴长度和流路阻力的增大，能够抑制使液滴吐出时所必需的压力和压力发生手段的驱动电压的上升。根据第9项中记载的发明，通过在Si02膜上形成氟烷基硅烷系防液膜，能够形成良好的单分子膜。另外，通过采用氟烷基硅烷系防液膜，能够实现防液性不衰变的喷嘴板。才艮据第IO项中记载的发明，通过薄薄地形成防液膜，即使防液膜成膜时进入喷嘴内，也能够减小对吐出性能的影响，所以能够适用于6^m未满的微小喷嘴。根据第11项中记载的发明，通过薄薄地形成防液膜，即使防液膜成膜时进入喷嘴内，也能够减小对吐出性能的影响，所以能够适用于4pm未满的微小喷嘴。根据第12项中记载的发明，能够构成一种液体吐出头，其中采用的液体吐出头用喷嘴板所备有的喷嘴板具有上述效果。根据第13项中记载的发明，通过将具有上述效果的喷嘴板用于利用静电吐出液滴方式的液体吐出头，能够避免吐出液体从喷嘴的吐出孔渗出和吐出液滴附到吐出面等，所以不错乱弯月面先端部的电场强度，能够进一步提高吐出性能。另外，因为喷嘴板的吐出面侧的材料^f吏用绝缘性高的SiO2,所以能够进行所谓电场集中方式的吐出，即通过向喷嘴的吐出孔中隆起的弯月面的电场集中使吐出液滴，能够进行微小液滴的吐出。但也可以是不依靠高的集中电场强度的所谓静电协助方式的吐出。另外，通过使小径部的内径不到6pm或4^m，能够更薄地设定电场集中射出所必须的高绝缘性的Si02膜的厚度。因此，能够提供一种液体从吐出孔没有不均、能够良好吐出的廉价液体吐出头用喷嘴板，及其制造方法和备有它的液体吐出头。图1:喷墨式记录头的例子示意图。图2:喷墨式记录头的截面示意图。图3:喷嘴板吐出孔周边示意图。图4:形成小径部的工序示意图。图5:形成大径部的工序示意图。图6:用电场协助型液体吐出头构成的液体吐出装置的整体结构模式示意图。图7:本实施方式涉及的液体吐出装置的概略结构截面示意图。图8:喷嘴的吐出孔附近的电位分布模式示意图。图9:弯月面先端部的电场强度和小径部厚度的关系示意图。图10:弯月面先端部的电场强度和喷嘴径厚度的关系示意图。图11:液体吐出头的驱动控制的一例示意图。图12:施加在压电元件上的驱动电压的变形例示意图。具体实施例方式根据图示的实施方式对本发明进行说明，但本发明不局限于该实施方式。图1是构成液体吐出头例的喷墨式记录头(以下称为记录头)A的喷嘴板l、主体板2、压电元件3的模式示意图。喷嘴板1上配列着多个用来吐出油墨的喷嘴11。主体板2上形成了贴合喷嘴板1后成为压力室的压力室槽24、成为油墨供给路的油墨供给路槽23，以及成为共同油墨室的共同油墨室槽22,还有油墨供给口21。贴合喷嘴板1和主体板2,使喷嘴板1的喷嘴11和主体板2的压力室槽24——对应，由此形成流路单元M。后面的说明中，上述说明中4吏用的压力室槽、供给路槽、共同油墨槽的各个符号也用于压力室、供给路、共同油墨室。图2是该记录头A中的喷嘴板1、主体板2、压电元件3组装后，喷嘴板1的Y-Y以及主体板2的X-X位置的截面^^莫式示意图。如图2所示，流路单元M中，将压电元件3作为油墨吐出用驱动装置，接到主体板2的接喷嘴板1之面的反面的各压力室24底部25面上，由此记录头A完成。在该记录头A的各压电元件3上施加驱动脉冲电压，从压电元件3发生的振动传到压力室24底部25，该底部25振动使压力室24内的压力变动，由此使油墨滴从喷嘴11吐出。在图3中出示一个喷嘴11的截面。喷嘴11穿孔形成在喷嘴板1上。各喷嘴11是2段构造，分别为在喷嘴板1的吐出面12上具有吐出孔13的小径部14和位于其背后的径大于小径部14的大径部15。小径部14的长度是喷嘴板1中的喷嘴长度。该喷嘴长度与小径部14开口的吐出孔13的径同样必须精度良好地形成。30表示为第1基材的Si基板，32表示形成了小径部14的第2基材，45表示防液层。有关这些在后面说明。这里对有关喷嘴板1的制造作说明。图4、图5是制造图1喷嘴板1的工序概略截面模式示意图，完成的喷嘴板出示在图5(d)中。优选设防液层45的喷嘴板出示在图5(e)中。参照图4，说明有关形成小径部14的第1工序。喷嘴板1的基板是在第1基材的一侧上设第2基材。在为第1基材的Si基板30上，设形成小径部14的第2基材32(图4(a))。第2基材32的材料在Si各向异性干蚀刻时的蚀刻速度必须慢于Si的蚀刻速度。还优选能够在蚀刻处理中形成1pm至10)im程度孔的材料。作为这种材料，可以举出例如Si02、A12〇3等绝缘材料；Ni、Cr等金属；光致抗蚀剂等树脂。与Si相比的蚀刻速度，如果以Si为1的话，则SiO2、A12O3为1/300至1/200程度；Ni、Cr为1/500程度；光致抗蚀剂等树脂为1/50程度。在此，以该Si为1的蚀刻速度作为蚀刻选择比。这些蚀刻选择比由于蚀刻装置和蚀刻率等蚀刻条件前后变动，所以表示其大致值。该数值越小，越能够精度良好地保持小径部14的长度为一定。采用上述材料在Si基板30上设厚度相同于小径部14长度的第2基材32时，其形成方法没有特殊限定，可以举出与材料相应周知的方法，例如真空镀气法、飞溅法、CVD法、旋转涂布法等，根据所使用的材料作适当选择即可。以Si02作为第2基材时，也可以采用对硅基板30热氧化12后的材料。第2基材的厚度没有特殊限制，但存在一个问题，即太厚的话喷嘴11流^各阻力增大，液滴吐出所必须的驱动电压增大，而太薄的话强度受担心，所以可以根据需要适当设定。下面说明一下以SiO2为第2基材32时设小径部14的情况。首先，用周知的真空镀气法、飞溅法等，在第2基材32上设为蚀刻掩模34a的膜34,例如Ni膜(图4(b))。膜34对蚀刻第2基材32来说只要是为蚀刻掩模的膜不受特殊限定。膜34上，通过周知的光刻技术，用周知的光刻处理(抗蚀剂涂布、曝光、显影)形成光致抗蚀剂图案36,其用来形成形成吐出孔13及小径部14的蚀刻掩模34a(图4(c))。接下去，以该光致抗蚀剂36作为掩模，采用用盐酸气体等周知的反应性干蚀刻法，除去膜34没有被掩模的部分构成图案，由此得到蚀刻掩模34a。之后通过周知的氧等离子体的灰化法，除去残留的光致抗蚀剂图案36(图4(d))。接下去，用Ni的蚀刻掩模34a,通过采用CF4气体的周知的反应性干蚀刻法，形成贯通第2基材32的小径部14(图4(e))。小径部14贯通第2基材32后，只要后述大径部15的加工一结束，小径部14和大径部15便连通。详细在后述大径部15有关部分说明。并且，即使小径部14的长度长于第2基材的厚度进入Si基板30也不产生任何问题。接下去除去蚀刻掩4莫34a，由此在为第2基材32的Si02层上，小径部14完成(图4(f))。这里，以光致抗蚀剂作为第2基材32时，形成光致抗蚀剂图案就是形成小径部14。另外，以Ni、Cr等金属作为第2基材32时，可以在第2基材32上形成光致抗蚀剂图案后，通过湿蚀刻形成小径部14。并且，以树脂作为第2基材32时，可以在第2基材32上形成光致抗蚀剂图案后，通过氧等离子体的干蚀刻形成小径部14。接下去参照图5，说明有关第2工序大径部15的形成。大径部15的形成采用备有形成了小径部14的第2基材32的Si基板30，使与小径部14连通。设多个大径部15时的大径部15配列之际，把径做成使相邻大径部15之间的壁能够l^有厚度以确保壁的强度，例如，向喷嘴内的液体的加压力的干涉等不成问题。还考虑小径部14的间隔间距，适当定出为好。首先，在Si基板30的有设小径部14的第2基材32之面的反面，通过周知的光刻处理设膜40,该膜40是用来设大径部15的蚀刻掩模。膜40只要是对Si基板3O进行Si各向异性干蚀刻时的蚀刻掩模，没有特殊限定，有例如Si02膜。为了在膜40上形成掩;f莫图案，用周知的光刻4支术形成光致抗蚀剂图案42(图5(a))。接下去，将光致抗蚀剂图案42作为掩模，通过采用CHF3气体的周知的反应性干蚀刻法，形成Si02的蚀刻掩模40a。接下去，采用Si各向异性干蚀刻法，从Si基板3O的形成了小径部14的反面形成大径部15,直至至少贯通到形成在第2基材上的小径部14小径部14的截面全部露出为止。此时，形成了小径部14的第2基材32材料的蚀刻选择比小。因此，蚀刻大径部15时，蚀刻到达第2基材32后，该第2基材32的蚀刻速度相应蚀刻选择比降低。即使通过事先试验等定出用来形成大径部15所必需的蚀刻量(比如如果以相同蚀刻条件的话可以置换成蚀刻处理时间)，也难以保持所形成的大径部15的长度一定，例如，即使是在同样的Si基板上，根据基板的大小将有所不同，会产生士5%程度范围的参差。为了保证形成使大径部15与小径部14连通，必须设想在Si基板30上形成大径部15的长度参差中短的情况，设定使蚀刻量多一些。但是，设定得多的话有时大径部15的长度会太长，成为所谓过度蚀刻。结果，与过度蚀刻的大径部15连通的小径部14的长度，如果以小径部14材料的蚀刻选择比与Si相同(蚀刻选择比为1)的话，变得短于所定的长度。被组装了具有这种喷嘴的喷嘴板的记录头，印刷质量不会良好。在此，以蚀刻选择比小的材料作为第2基材32,即使过度蚀刻，蚀刻速度从到达第2基材32之时刻开始下降，对大径部15的蚀刻处理不再进展。因此，将用来加工大径部15而设定的蚀刻量设定为以下量，即在所定的加工量上加上考虑了加工不均的量，即使是过度蚀刻状态，对第2基材过度蚀刻所引起的加工量也减少。因此，能够抑制形成小径部14的第2基材的厚度变薄。例如，第2基材32如果是SiO2的话，蚀刻选择比小为1/300到1/200程度。假定为1/200的话，在过度蚀刻量为10(am时，由于过度蚀刻量而小径部14变短的量能够抑制在0.05nm程度。因为小径部14贯通第2基材32，所以如果大径部15如上所述以过度蚀刻状态形成的话，则大径部15与小径部14连通，完成所希望的小径部14的长度与第2基材的厚度几乎相同的喷嘴(图5(c))。之后，除去光致抗蚀剂图案42、蚀刻掩;f莫图案40a，则喷嘴板完成(图5(d))。也可以在蚀刻4务冲莫40a形成后立即除去光致抗蚀剂图案42。也可以交换形成小径部14的第1工序和形成大径部15的第2工序的顺序。即首先如图5所示，在设有第2基材32的Si基^反30上，与上述相同，用Si各向异性干蚀刻法形成大径部15。此时，第2基材上还没有形成小径部14。接下去如图4所示，在形成了大径部15的Si基板30(图4中没有图示大径部15)上，与上述相同，贯通第2基材32地形成小径部14即可。向上述Si基板30的喷嘴加工结束后，在Si基板30形成了吐出孔侧的面上设防液层45(图5(e))，之后采用沖模等分离成各个喷嘴板l。喷嘴板l的吐出面12是平面。通过以吐出面12为平面，喷嘴板l的加工容易，另外装到记录头中使用时，有吐出孔13的吐出面12的擦净清扫不成问题，能够容易进行。对有关防液层45作说明。优选图1所示的喷嘴板1的吐出孔13所在的吐出面上设有防液层45。通过设防液层45能够抑制液体从吐出孔13融合到吐出面12上的渗透和扩展。具体为如果液体是水性的话则采用具有防水性的材料，如果液体是油性的话则采用具有防油性的材料，但是，一般较多采用FEP(四氟化乙烯、六氟化丙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、氟硅氧烷、氟烷基硅烷、非晶同类氟树脂等氟树脂等，用涂布或镀气等方法在吐出面12上成膜。薄膜的厚度没有特别限定，但因为形成l00nm未满实质上能够减少对喷嘴长的影响，所以可以优选采用。防液层45还可以优选采用由氟烷基硅烷系单分子膜构成的。在喷嘴11吐出孔13之外的所有吐出面12上形成。氟烷基硅烷用以下一般式表示。R-Si-X3上式中，X为加水分解性基，优选碳原子数l~5的烷氧基；R为氟含有有机基，优选碳原子数l~20的氟烷基。采用有氟烷基硅烷系单分子膜构成的防液层，能够形成较少与基材发生化学结合引起衰变的防液膜。防液层45可以直接成膜在喷嘴板1的吐出面12上，为了提高防液层45紧贴度，也可隔有中间层地成膜。喷嘴11的截面形状不局限于圓形状，也可以以截面多角形状或截面星形状等代替圓形形状。截面形状非圓形时，例如，比小径大的大径是指，将大径部的截面面积置换到相同面积的圓形时的直径，大于将小径部的截面面积置换到相同面积的圆形时的直径。如图1所示，主体板2备有分别与喷嘴11连通的多个构成压力室的压力室槽24;分别与该压力室连通的多个构成油墨供给路的油墨供给槽23;与该油墨供给连通的构成共通油墨室的共通油墨室槽22;油墨供给口21。例如，通过采用周知的光刻处理(抗蚀剂涂布、曝光、显影)及Si各向异性千蚀刻技术，在另行准备的Si基板上形成上述各槽等，便构成主体板2。通过——对应喷嘴板1的喷嘴11和主体板2的压力室槽24地贴合喷嘴板1和主体板2，形成流路单元M。在流路单元M中，将压电元件3作为油墨吐出用传动装置，接合到主体板2的接有喷嘴板1之面相反的各压力室24底部25背面，记录头A完成。以上说明的喷嘴板l能够用于利用静电作用吐出液滴，即电场协助型液体吐出头。图6中模式性出示了采用电场协助型液体吐出头B(液体吐出头B)构成的液体吐出装置60的整体结构。液体吐出头B中使用的喷嘴板l,其例如大径部15的内周面上，设有为静电电压施加手段的带电用电极50，其由例如NiP、Pt、Au等导电材料构成，用来使喷嘴内的液体带点。通过设带电用电极50，带电用电极5O接触喷嘴板1大径部15内的液体。一旦静电电压电源5l在带电用电极50和备有液滴着落基材53的对面电极54之间施加静电电压，大径部15内的液体则同时带电。由于该带电，在液体吐出头的喷嘴孔11和设在对面位置上的对面电极54之间，尤其是在液体和被吐出的液滴着落的基材53之间，能够产生静电吸引力。被吐出液滴的液体可以举出如含有多数水等无机液体、甲醇等有机液体及高电传导率物质(银粉等)的导电性糊状物。各压力室24所对应的背面部分分别设有压电元件3，是作为压力发生手段的压电元件传动装置。压电元件3上连接着驱动电压电源52，用来向压电元件3施加驱动电压使压电元件3变形。压电元件3由于来自于驱动电压电源52的驱动电压的施加而变形，向喷嘴内的液体产生压力，使喷嘴ll吐出16孑L13中形成液体的弯月面。如上所述，这里在吐出孔13所在的吐出面12上设防液层45，由此，能够有效地防止喷嘴的吐出孔13部分中形成的液体弯月面延展到吐出孔13周围的吐出面12上引起向弯月面先端部的电场集中的降低。55是控制部，控制驱动电压电源52和静电电压电源51等液体吐出装置60。这样，通过压电元件3对液体的压力和带电用电极50向液体的静电吸引力的相辅相成效果，能够实现液体能够有效吐出的电场协助型液体吐出头。接下去参照附图，说明液体吐出装置的別的实施方式，液体吐出装置中采用了本发明涉及的喷嘴板。但发明范围不局限于图示例子。图7是第1实施方式涉及的液体吐出装置的整体结构截面示意图。本实施方式中涉及的液体吐出头102及液体吐出装置10l能够应用于所谓串行方式或线(line)方式等各种液体吐出装置。本实施方式中涉及的液体吐出装置10l备有液体吐出头l02，其具有多个喷嘴l10,吐出油墨等能够带电液体L的液滴D;对面电极l03,具有与液体吐出头102的喷嘴110面对面同时用对面支撑液滴D着落的基材K。液体吐出头102中对着对面电极l03的一侧上，i殳有被用于液体吐出头102的喷嘴板111,其上形成了多个喷嘴110，从吐出孔113吐出液滴。本实施方式中涉及的喷嘴板111，在硅基板l11a对着对面电极103—侧的面上，依次备有SiO2膜111b和厚度不到100nm的防液膜l11c。形成在喷嘴板111上的喷嘴110为2段结构，其中，备有贯通硅基板l11a的大径部115和贯通SiO2膜111b及防液膜111c的小径部114。因此，液体吐出头102^皮构成为具有平面吐出面的头，喷嘴IIO从喷嘴板111的对面电极103、对着基材K的吐出面112突出。各喷嘴110的小径部114及大径部115分别净皮形成为圆柱形状。优选喷嘴径被构成为使小径部114的内径在10pm以下，喷嘴IIO其他部分的尺寸可以根据需要适当设定。喷嘴板上形成了防液膜128。作为形成方法的一个例子可以举出下述方法一边使防液剂不渗入喷嘴110内地从喷嘴IIO喷出空气，一边涂布溶解了氟烷基硅烷的涂布液，使干燥后，充分烧成，形成单分子膜。防液膜128的形成方法没有特殊限制，可以采用下述各种方法制膜，例如，倒转辊涂料机等采用辊的表面涂层法；使用叶片等的表面涂层法；或CVD(ChemicalVaporDeposition)法。为了防止防液剂渗入喷嘴110内，可以在喷嘴110内充满液体L的状态下进行成膜。喷嘴板111与吐出面112相反一侧的面上设有层状带电用电极116，其由例如NiP等导电材料构成，用来使喷嘴110内的液体L带点。本实施方式中，带电用电极116被直至延设到喷嘴110的大径部115内周面117，与喷嘴内的液体L接触。带电用电极116上连接着作为静电电压施加手段的带电电压电源118,施加为了使产生静电吸引力的静电电压。本实施方式中，因为单一带电用电极116与喷嘴110内所有的液体L接触，所以，一旦从带电电压电源118对带电用电才及116施加静电电压，则喷嘴110内所有的液体L同时带电，在喷嘴110或后述腔120内的液体L和由对面电极103支撑的基材K之间，产生静电吸引力。带电用电极116的背后设有主体板119。主体板119面朝各喷嘴110大径部115开口端的部分上，分别形成了具有与开口端几乎相等内径的略圆筒状的空间，各空间被作为腔120，用来一时性储藏净皮/人喷嘴110吐出孔113吐出的液体L。主体板119的背后设有具有可挠性的金属薄板或由硅等构成的可挠层121,可挠层121使液体吐出头102内的液体L不漏到外部。主体板119中形成了没有图示的流路，用来向腔120供给液体L。具体如下，蚀刻加工作为主体板119的硅板，开设腔120和没有图示的共通流路及共通流路与腔120接通的流路。共通流路上联络着没有图示的供给管，从外部没有图示的液体箱供给液体L,通过设在供给管上的没有图示的供给泵，或通过液体箱配置位置的差压，付与流路和腔120或喷嘴110等内部的液体L所定的供给压力。本实施方式中，可挠层121外面与各个腔120对应的部分上分别设有压电元件122,作为压力发生手段的压电元件传动装置，压电元件122上电连接着驱动电压电源123，用来向元件施加驱动电压使元件变形。压电元件122被驱动电压电源123施加驱动电压而变形，向喷嘴内的液体L产生压力使之在喷嘴110的吐出孔113中形成液体L的弯月面。压力发生手段除了本实施方式所述的压电元件传动装置之外，也可以采用例如静电传动装置或热方式等。驱动电压电源123及前面所述的带电电压电源118分别与动作控制手段124连接，分别受动作控制手段124的控制。动作控制手段124由电脑构成，本实施方式中是通过没有图示的BUS连接CPU125、ROM126、RAM127等构成，CPU125根据ROMl26中格纳的电源控制程序，驱动带电电压电源118及各驱动电压电源123,使液体从喷嘴110的吐出孔113吐出。具体如下，动作控制手段124根据电源控制程序，控制为静电电压施加手段的带电电压电源118对所述带电用电极116的静电电压施力。，使喷嘴110和腔120内的液体L带电，在液体L和基材K之间产生静电吸引力。动作控制手段124还根据电源控制程序，驱动各驱动电压电源123，分别使各压电元件122变形，对喷嘴110内的液体L产生压力，在喷嘴110的吐出孔113中形成液体L的弯月面。液体吐出头102的下方，从反面支撑基材K的平板状的对面电极103被配置成平行于液体吐出头102的吐出面112且离开所定距离。对面电极103离开液体吐出头102的距离在0.1~3mm程度的范围内适当设定。本实施方式中，对面电极103被接地，-波维持在时常接地电位。因此，一旦从所述带电电压电源118对带电用电极116施加静电电压，则在喷嘴110吐出孔113的液体L和对面电极103对着液体吐出头102的对着的面之间产生电位差产生电场。一旦带电液滴D落到基材K上，则对面电极103通过接地放电。但并不局限于本实施方式中所述的接地对面电极103的方法，也可以使带电用电极116接地，对对面电极103施加静电电压。对面电极103或液体吐出头102上装有没有图示的定位手段，用来使液体吐出头102和基材K相对性移动，定出位置，由此，从液体吐出头102的各喷嘴110吐出的液滴D能够着落于基材K表面的任意位置上。能够由液体吐出装置IOI进行吐出的液体L没有特殊限制，可以使用周^口的液体。还可以将含有多数例如银粉等电传导率高的物质的导电性糊状物作为液体L使用。作为使溶解或分散在所述液体L中之目的的物质，除了像在喷嘴发生网眼堵塞的那种粗大粒子之外，不受特殊限制。并且，作为PDP(PlasmaDisplayPanel)、CRT(CathodeRayTube)、FED(FieldEmissionDisplay)等萸光体，可以没有特殊限制使用以往已知的物质。例如作为红色荧光体可以举出(Y，Gd)B03:Eu、YO3:Eu等；作为绿色焚光体可以举出Zn2Si04:Mn、BaAl12〇19:Mn、(Ba,Sr,Mg)O.a-A1203:Mn等；作为蓝色焚光体可以举出BaMgA114023:Eu、BaMgAl,。0!7:Eu等。为了使上述目的物质强固地粘接在基材K上，可以添加各种粘接剂。使用的粘接剂没有特殊限制，可以采用周知的树脂化合物。树脂化合物不仅仅是同一聚合物，在相溶的范围也可以采用搀和。将液体吐出装置101用作图案构成手段时，代表性的是可以用作显示器用途。具体可以举出PDP的荧光体的形成、PDP的肋的形成、PDP的电极的形成、CRT的荧光体的形成、FED的荧光体的形成、FED的肋的形成、LCD(LiquidCrystalDisplay)用RGB着色层和黑矩阵层等滤色器的形成、对应黑矩阵的图案或小点图案等LCD用垫片的形成等。肋一般意味障壁，取PDP为例，用来分离各色等离子体区域。作为本实施方式的其他用途，可以应用于下述各用途作为微型透镜、半导体用途，磁性体、强电介质、配线和天线的导电性糊状物等的图案构成涂布；作为图案化用途，通常印刷、胶片和布、向钢板等特殊媒体的印刷、曲面印刷、各种印刷版的刷版；作为加工用途，对粘结材、密封材等的涂布；作为生物、医疗用途，如混合多种微量成分的医药品、遗传因子诊断用试料等的涂布；等等。在此，对本实施方式中涉及的液体吐出头102中的液体L的吐出原理作说明。本实施方式中，从带电电压电源118对带电用电极116施加静电电压，使得在所有喷嘴110吐出孔113的液体L和对面电极103对着液体吐出头102的对面之间产生电场。另夕卜，从驱动电压电源123对与必须吐出液体L的喷嘴110对应的压电元件112施加驱动电压，使压电元件122变形，由此，通过在液体L上产生的压力，在喷嘴110的吐出孔113中形成液体L的弯月面M(参照图8)。此时，如图8所示，在喷嘴板lll内部，略垂直于吐出面112的方向上等电位线排列，产生向着喷嘴110小径部114的液体L和弯月面M的强电场。尤其由图8中可知，在弯月面M的先端部等电位线密度大，在弯月面M先端部产生非常强的电场集中。这样，由于电场的强静电力而弯月面M^皮拉断，/人喷嘴内的液体L分离成为液滴D。并且，液滴D由于静电力而加速，被吸引着落到由对面电极103支撑的基材K上。此时，因为液滴D受静电力作用而往最近处着落，所以落到基材K时的角度等安定，着落非常正确。形成在喷嘴110的吐出孔113中的弯月面M,如果延展到吐出面112上的话，那么弯月面M先端部的电场集中变弱，但是本实施方式中，因为在吐出面112上形成了防液膜lllc,所以防止了液体L在吐出面112的延展，弯月面M先端部的电场集中不会变弱。如上所述，只要利用本实施方式中涉及的液体吐出头102中的液体L的吐出原理，在具有平面吐出面的液体吐出头102中，也能够采用具有高体积电阻的喷嘴板lll,通过^f吏产生垂直于吐出面112方向的电位差，产生强电场集中，实现正确安定的液体L吐出状态。并且，通过防液膜lllc能够确切适当地形成弯月面M,同时减小小径部114中喷嘴长度参差，能够提高吐出性能。在此，发明人员在用由各种绝缘体形成的喷嘴板111进行的实验及模拟实验中，得到了以下见解，即弯月面M先端部的电场强度依存于喷嘴径及绝缘体的厚度，液滴吐出所需要的电场强度为1.5xl07V/m程度。详细参照图9及图10，只要设定成喷嘴径(小径部的内径)为10pm时绝缘性Si02膜111b的厚度在45pm以上；喷嘴径为5pm时绝缘性Si02膜111b的厚度设定在20pm以上；喷嘴径为2pm时绝缘性Si02膜111b的厚度设定在5pm以上；便能够得到电场集中吐出所必需的集中电场强度。模拟实验是用rPHOTO-VOLTJ(商品名称，抹式会社7才卜^制造)电场模拟软件，用电流分布解析方式通过模拟进行的。接下去，对本实施方式中涉及的液体吐出头102以及液体吐出装置101的作用作i兌明。图11是本实施方式中涉及的液体吐出装置中的液体吐出头的驱动控制说明图。本实施方式中，液体吐出装置101的动作控制手段124控制从带电电压电源118对带电用电极116施加一定的静电电压Vc。由此液体吐出头21102的各喷嘴110上被时常施加一定的静电电压Vc,液体吐出头102内的液体L和被对面电极103支撑的基材K之间产生电场。与此同时，喷嘴110的吐出孔113附近，在喷嘴板lll内部，略垂直于吐出面112方向上等电位线排列，向着喷嘴110小径部114内的液体L,产生强电场。并且，一旦动作控制手段124控制从驱动电压电源123对必须吐出液滴D的喷嘴110所对应的压电元件122施加脉冲状驱动电压Vd，则压电元件122变形，喷嘴内部的液体L的压力上升，喷嘴110的吐出孔113中从图11(A)的状态弯月面M隆起，到达如图11(B)所示弯月面M大大隆起的状态。此时，本实施方式中，因为在喷嘴板111的吐出面112上形成了氟化烷基硅烷防液膜lllc，所以，喷嘴110的吐出孔113中形成的弯月面M不会延展到吐出面112,保持弯月面M的隆起。如此隆起的弯月面M的先端部上产生高度电场集中，电场强度非常强，从由所述静电电压Vc形成的电场，对弯月面M作用强静电力。由于该强静电力的吸引，如图11(C)所示弯月面被拉断，形成径为1~10pm程度的微细液滴D。液滴D在电场被加速，被向对面电极方向吸引，着落于由对面电极103支撑的基材K上。此时，液滴D受空气阻力等，但如上所述，液滴D由于静电力作用将着落于最近处，所以，相对基材K的着落方向安定没有颤抖，正确地着落在基材K上。喷嘴110中如图11(D)所示，液滴D^U立断的分液体后退，但液体L被从腔120补充，很快恢复到图l1(A)的状态。作为施加到压电元件122上的驱动电压V。，可以是本实施方式所述的脉冲状电压，但也可以是施加其他例如电压渐增后渐减的所谓三角状电压；电压渐增后暂且保持一定值之后渐减的台形状电压；或正弦波电压。还可以是如图12(A)所示，在压电元件122上时常施加电压V。一旦切断，再次施加电压V。，在启动时使吐出液体D。另外，可以适当定出施加如图12(B)、(C)所示的各种驱动电压Vo。以上，根据本实施方式中的喷嘴板111及液体吐出装置101，在小径部114内径不到10pm和具有小吐出孔113的喷嘴110中，通过不到100nm地薄薄形成防液膜l11c,能够防止防液膜l11c进入吐出孔113引起喷嘴径的参差，同时能够抑制由于防液膜l11C的厚度不均引起喷嘴长度的参差，避免影响液滴吐出。这样，因为能够抑制喷嘴长度的参差，所以抑制了喷嘴110的吐出孔113中形成的弯月面M的隆起量的不均，能够保持先端部的电场强度一定。另外，因为薄薄地形成防液膜l11c，所以能够实现较小的喷嘴长度，能够抑制喷嘴110内的流路阻力的增大，能够抑制在使液滴吐出时对喷嘴110内液体L作用的压力增大。另夕卜，因为通过防液膜l11c能够避免液体L从喷嘴110吐的出孔113渗出和吐出液滴D附到吐出面112，所以弯月面M先端部的电场强度不发生错乱，能够进一步提高吐出性能。另外，因为能够精密地形成小径部114内径不到10pm和具有小吐出孔113的喷嘴110,所以能够用于所必须的集中电场强度是高电场集中方式的液体吐出头。另外，因为备有蚀刻率不同的硅基板l11a和Si02膜lllb，所以，能够通过从喷嘴板111的各侧面进行蚀刻来容易地形成大径部115和小径部114。并且，通过在Si02膜111b的吐出面上形成氟硅烷系防液膜111c,能够实现良好的单分子膜。另夕卜，通过采用氟硅烷系防液膜111c，能够实现防液性不衰变的喷嘴板111。本实施方式中，是通过压电元件122的变形来使弯月面M隆起，但是，压力发生手段只要是具有能够使弯月面M隆起功能的构成都可以，其他也可以是例如加热喷嘴IIO和腔120内部的液体L等，使产生气泡，利用其压力。另外，本实施方式中，叙述了将对面电极103接地的情况，但也可以是例如用动作控制手段124控制电源，控制从该电源向对面电极103施加电压，由此使得与带电用电极116的电位差为1.5kV等所定的电位差。实施例[实施例1]采用图4、图5,说明制造喷嘴板1的实施例。首先参照图4说明小径部14的形成。在厚度200pm的Si基板30的一个面上形成厚度5pm的Si02膜，作为第2基材32(图4(a))。形成方法采用等离子体CVD。接下去，用飞溅法成膜厚度O.3(im的Ni膜，作为蚀刻掩模34a的膜34(图4(b))。在Ni膜上通过光刻处理形成光致抗蚀剂图案36(图4(c))。然后，形成为蚀刻掩模34a的Ni膜图案，用来通过蚀刻，在为第2基材32的Si02膜上，形成以吐出孔作为开口直径5pm的小径部14(图4(d))。采用蚀刻掩模34a,通过以CF4为反应气体的干蚀刻，蚀刻为第2基材32的Si02膜，形成小径部14(图4(e))。通过事先实验等求得为了形成小径部14的蚀刻量，但考虑蚀刻量的不均范围，以多O.5pm(10%)的5.5卜通过增加10%蚀刻量，小径部14贯通为第2基材32的Si2膜。该小径部14的过度蚀刻虽然对Si基板30有影响，但因为接下去在Si基板30—侧设大径部15,所以不成为问题。接下去，参照图5说明大径部15的形成。在设有小径部14的Si基板3O的另一个面上，用与第2基材32相同的方法，形成为膜40的厚度1pm的Si02膜。在该Si02膜上形成光致抗蚀剂图案42(图5(a))。用该光致抗蚀剂图案42进行蚀刻处理，由此得到由Si02构成的蚀刻掩模40a(图5(b))。采用蚀刻掩模40a，通过Si各向异性干蚀刻蚀刻Si基板30,形成大径部15。通过事先实验等求得为了形成大径部15的蚀刻量，但考虑蚀刻量的不均范围采用210pm。另外，通过事先实验等求得Si02的蚀刻选择比为1/200。因此，一旦用Si各向异性干蚀刻蚀刻加工厚度200)im的Si基板30，则由于向形成了小径部14的Si02的第2基材的过度蚀刻引起大径部的长度超过为0.05pm。其结果，大径部115与小径部14不成问题地连通，且完成小径部14长度(喷嘴长)几乎在所定长度的喷嘴孔(图5(c))。接下去，通过反应性离子蚀刻法(RIE)除去作为蚀刻掩模40a的5i02膜(图5(d))。进一步，作为防液处理剂，调整11氟戊基乙烷三曱氧基硅烷(undeca-fluoro-penty-trimethoxy-silane)的1%三氣三氟酸(trichloro-trifluoroethane)溶液，涂布在形成了小径部的Si02膜上。之后用120。C加热3O分钟，由此形成防液膜(图5(e))。对通过上述操作形成的具有喷嘴孔的Si基板30，通过切断进行分离，由此制作具有喷嘴孔的喷嘴板1。接下去，制造图1所示的主体板2。采用Si基板，用周知的光刻处理(抗蚀剂涂布、曝光、显影)及Si各向异性干蚀刻技术，形成分别与喷嘴连通的多个压力室的压力室槽、分別与该压力室连通的多个油墨供给路的油墨供给槽，以及与该油墨供给连通的共通油墨室的共同油墨室槽，还有油墨供给口。接下去如图l所示，用粘接剂贴合制成的喷嘴板1和主体板2，并且在主体板2的各压力室24的背面上装上压力发生手段的压电元件3作为液滴吐出头A。使液滴吐出头A动作，确认到油墨没有不均，能够安定吐出。[实施例2]用实施例1中形成了小径部的SiO2膜的厚度以及小径部的径作各种变化的喷嘴板，制作本发明中涉及的液体吐出装置(表1的实施方式1)。在一张喷嘴板上形成了16个喷嘴。进一步用将防液膜改用厚度2pm的氟树脂防水剂的喷嘴板，制作本发明中涉及的液体吐出装置(表1的实施方式2)。采用如此制作的液体吐出装置进行吐出性能评价。吐出的液体是含有水52质量％、乙二醇22质量％、丙二醇22质量％、染料(CI酸性红l)3质量％、界面活性剂1质量％的油墨。另外，作为吐出性能评价，首先连续驱动所有液体吐出头24小时之后，在施加一定静电电压(1.5kV)的状态下，徐徐升压压电元件的驱动电压，测定液滴从各喷嘴开始吐出的电压(以下称为"限度驱动电压，，)。根据一张喷嘴板上形成的16个喷嘴中、最初吐出液滴的喷嘴的界限驱动电压和最后吐出液滴的喷嘴的界限电压之差，评价吐出性能不均。得到的评价结果出示在表l中。算出吐出性能不均的公式^口下戶斤示。吐出性能不均(％)=(最高限度驱动电压-最低限度驱动电压)/(16个喷嘴的最低驱动电压的平均值)x100表1实验No.喷嘴径(小—小径部长(—防水膜压电元^f牛驱动电压不均(％)液滴径评价1120实施方式14o2110实施方式17〇1实施方式19〇4320实施方式15〇10实施方式17〇63实施方式18〇720实施方式14o810实施方式17o9实施方式19o10820实施方式15o11810实施方式16o128实施方式17o131020实施方式18〇141010实施方式18o1510实施方式110〇16120实施方式239△17110实施方式244△181实施方式249△19320实施方式241△20310实施方式245△21实施方式252△2220实施方式237△2310实施方式244△24实施方式251△25820实施方式231△26810实施方式234△2785实施方式237△26<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>还对从各喷嘴吐出的着落液滴径的参差作了评价。其评价结果出示在表1。评价基准如下o:液滴径的参差小△:液滴径稍有参差但实用上不存在问题x:液滴径的参差大实用上存在问题由表1可知，通过采用实施方式1形成了防液膜的喷嘴板，进行了所定期间驱动后仍然保持初期状态的良好吐出状态，能够实现更优选的液体吐出装置的形态。权利要求1.一种液体吐出头用喷嘴板的制造方法，液体吐出头用喷嘴板由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴板制造方法的特征在于，按以下记述顺序进行下述各工序准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在所述第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜；对为所述第2蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述小径部开口形状的第2蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通所述第2基材为止；在所述第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；对为所述第1蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述大径部开口形状的第1蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通所述第1基材为止。2.—种液体吐出头用喷嘴板的制造方法，液体吐出头用喷嘴板由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴板制造方法的特征在于，按以下记述顺序进行下述各工序准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在所述第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；对为所述第l蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述大径部的开口形状的第1蚀刻掩;f莫图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通所述第l基材为止；在所述第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩;f莫的膜；对为所述第2蚀刻掩模的膜进行光刻处理以及蚀刻，形成具有所述小径部的开口形状的蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通所述第2基材为止。3.权利要求1或2中记载的液体吐出头用喷嘴板的制造方法，其特征在于，所述第2基材为Si〇2。4.权利要求1至3的任何一项中记载的液体吐出头用喷嘴板的制造方法，其特征在于，具有在所述基板的形成了所述液滴吐出孔的一面设防液层之工序。5.—种液体吐出头用喷嘴板，由具有贯通孔的基板构成，所述贯通孔由大径部和小径部构成，所述大径部开口于所述基板的一个面，所述小径部开口于所述基板的另一面且截面小于所述大径部的截面，以所述贯通孔的所述小径部的开口作为液滴吐出孔，液体吐出头用喷嘴^1的特征在于，构成所述大径部的基板材料为Si，构成所述小径部的基板材料，由Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于构成所述大径部的基板材料之蚀刻速度的材料构成。6.权利要求5中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，构成所述小径部的基板材料为Si02。7.权利要求5或6中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，在所述基板的形成了所述液滴吐出孔的一面设防液层。8.权利要求7中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述防液层厚度不到100nm，所述小径部的内径不到10pm。9.权利要求8中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述防液膜是氟烷基硅烷系的单分子膜。10.权利要求8或9中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述小径部的内径不到6inm。11.权利要求8或9项中记载的液体吐出头用喷嘴板，其特征在于，所述小径部的内径不到4jam。12.—种液体吐出头，备有主体板和喷嘴板，所述主体板上形成了凹部，所述喷嘴板盖住所述主体板，将所述凹部形成为压力室，具有喷嘴，该喷嘴通过向所述压力室内的液体传达压力发生手段的位移而与该压力室连通，从吐出孔吐出所述液体的液滴，液体吐出头的特征在于，所述喷嘴板是权利要求5至11的任何一项中记载的液体吐出头用喷嘴板。13.权利要求12中记载的液体吐出头，其特征在于，所述液体除了受到所述压力发生手段的作用之外，还由于与所述喷嘴板面对面的电极和喷嘴之间的静电力作用，作为液滴被吐出。全文摘要本发明涉及一种液体吐出头用喷嘴板的制造方法、液体吐出头用喷嘴板及液体吐出头。提供一种液体能够从吐出孔没有不均地良好吐出的廉价液体吐出头用喷嘴板。按以下记述顺序进行下述各工序准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜，在为第2蚀刻掩模的膜上，形成具有小径部开口形状的第2蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通第2基材为止；在第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；在为第1蚀刻掩模的膜上，形成具有大径部开口形状的第1蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通第1基材为止。文档编号B41J2/135GK101505967SQ2007800316公开日2009年8月12日申请日期2007年8月17日优先权日2006年8月31日发明者土井勋,梁田笃郎申请人:柯尼卡美能达控股株式会社