专利名称：一种用树脂作为耐磨层的薄膜热印头及耐磨层的成膜工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜热印头，尤其是薄膜热印头的耐磨层。
作为薄膜型热印头必不可少的耐磨层目前都是采用厚度为5～10μm的金属氧化物，如Ta2O5。如果要想进一步提高耐磨性能，延长薄膜热印头使用寿命，就只有增加耐磨层的厚度，这样一来，势必影响热印头的热传导效果，使印刷质量下降；而且金属氧化物价格较高，同时现有技术中由于耐磨层材料本身的局限，使得耐磨层成膜工艺及局部垫高发热电阻体部位的方法都必须采用真空镀膜工艺，所需设备价格高，工艺过程复杂，影响成膜质量的因素多，尤其为保证发热电阻体部位与纸面充分接触，在解决电阻点部位凹陷的方法上，除成膜外，必须进行一次或多次光刻腐蚀成形工艺，腐蚀工艺掌握略有不当，便会给其他膜层带来损伤，从而影响产品质量与成品率。
与本发明最接近的现有技术主要有两篇日本专利文献昭61-169261，
公开日昭和61年(1986)7月30日；昭57-22077，
公开日昭和57年(1982)2月4日。
本发明的目的在于提供一种已知树脂，利用这种树脂热响应速度高、价格低廉等特点来作为薄膜热印头的耐磨层，通过增加耐磨层的厚度来提高薄膜热印头的使用寿命而且不影响其印刷质量，同时提供了树脂的成膜工艺，在成膜过程中进一步解决发热电阻体的垫高问题。
本发明的目的是这样实现的采用已知的COPNA缩合多环多核芳香烃树脂(以下简称树脂)作为薄膜热印头的耐磨层，厚度为10～15μm。
该发明的成膜工艺采用通用的匀胶技术，丝网漏印技术，喷涂技术就可实现，主要步骤为将树脂先制成一定浓度的胶体，然后均匀涂敷于薄膜热印头防氧化层表面，待其凉干后，通过一定时间的烘烤加热使其固化，即可成膜。
在与发热电阻体对应的耐磨层处增加树脂涂层厚度，使耐磨层局部凸起，以垫高发热电阻体。
图1是本发明薄膜热印头单点结构示意图。图中1—基板，2—釉层，3—发热电阻体，4—电极引线，5—防氧化层，6—树脂耐磨层，7—局部加厚的树脂膜。
下面结合附图给出本发明的树脂成膜实施例。(1)用有机溶剂(如四氢呋喃)将树脂制成一定浓度的胶体；(2)采用匀胶工艺或丝网印刷技术喷涂将树脂均匀涂敷于防氧化层5表面，涂层厚度为10～15μm，将涂层凉干后，置于120℃下烘烤20小时，再置于200℃环境下烘烤1小时，使其固化后，即可形成树脂耐磨层6；(3)在树脂凉干后，通过局部增加树脂耐磨层7厚度，使耐磨层呈凸起状，凸起高度为5～10μm，增加厚度部位与发热电阻体3位置相对应，涂敷、烘干树脂方法同前。
由于本发明采用COPNA缩合多环多核芳香烃树脂作为薄膜热印头耐磨层，与现有金属氧化物耐磨层相比，具有价格低廉，热响应速度高等特点，因此增加树脂厚度可以提高耐磨层的使用寿命而不影响印字质量；同时树脂涂敷工艺比现有耐磨层成膜技术简单，固化树脂温度低于发热电阻体工作时的局部温升，不影响其他膜层质量，另外由于所垫高发热电阻体部位是在各膜层最上边的耐磨层处，因此固化树脂前若发现问题可及时清除，重新涂敷，可修复性能好。
权利要求
1.一种薄膜热印头由基板、釉层、发热电阻体、电极、防氧化层，耐磨层组成，其特征在于其中的耐磨层是COPNA缩合多环多核芳香烃树脂，厚度为10～15μm。
2.一种根据权利要求1所述薄膜热印头耐磨层的成膜工艺，采用如下步骤(1)将COPNA缩合多环多核芳香烃树脂用有机溶剂制成一定浓度的胶体；(2)将树脂均匀涂敷于防氧化层表面，涂层厚度为10～15μm；(3)将树脂涂层凉干后，置于120℃下烘烤20小时，再置于200℃下烘烤1小时。
3.根据权利要求1或2所述薄膜热印头及薄膜热印头耐磨层的成膜工艺，其特征在于通过局部增加耐磨层厚度使耐磨层呈凸起状，凸起部分与发热电阻体位置对应，凸起高度为5～10μm。
全文摘要
本发明提供了一种增加薄膜热印头使用寿命并简化薄膜热印头制造工艺的方法。其特点是采用COPNA缩合多环多核芳香烃树脂为薄膜热印头的耐磨层，将树脂制成一定浓度的胶体后，均匀地将树脂涂敷于防氧化层表面，烘干后即可成膜，薄膜热印头其它膜层不会受到影响，在解决电阻发热体部位凹陷问题上，只需在电阻点对应的耐磨层部位增加树脂厚度即可。
文档编号B41J2/335GK1117920SQ95105989
公开日1996年3月6日 申请日期1995年6月8日 优先权日1995年6月8日
发明者张生才, 申云琴, 陈德里, 牛秀文, 孙锡兰, 齐建华 申请人:天津大学