显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的制作方法

专利名称：显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备、特别地涉及
包含电光元件的像素以行列状(矩阵状)配置而成的平面型(flat panel型) 的显示装置、该显示装置的驱动方法以及具有该显示装置的电子设备。
背景技术：
近年来，在进行图像显示的显示装置的领域，迅速普及包含发光元件像 素(像素电路)以行列状配置而成的平面型的显示装置。作为平面型的显示 装置，开发使用了根据流过设备的电流值而发光亮度变化的所谓的电流驱动 型的电光元件、例如利用了对有机薄膜施加电场则发光的现象的有机EL (电 致发光Electro Luminescence )元件的有机EL显示装置，并发展其商品化。
有机EL显示装置具有以下的特点。即，由于有机EL元件能够以10V 以下的施加电压来驱动因此低耗电，此外由于是自发光元件，因此与通过对 包含液晶单元的每个像素由该液晶单元来控制来自光源(背光灯)的光强度 从而显示图像的液晶显示装置相比，图像的可见度高，而且由于无需液晶显 示装置所需的背光灯等照明部件，因此容易实现轻量化和薄型化。另外，由 于有机EL元件的响应速度为数Kisec左右，非常快，因此不发生运动图像显 示时的余像。
在有机EL显示装置中，与液晶显示装置相同地，作为其驱动方法，能 够采用单纯(无源passive)矩阵方式和有源矩阵(active matrix)方式。其 中，单纯矩阵方式的显示装置虽然结构简单，但电光元件的发光期间根据扫 描线(即、像素数)的增加而减少，因此存在难以实现大型且高精度的显示 装置等问题。
因此，近年来，盛行通过设置在与电光元件同一像素电路内的有源元件， 例如绝》彖栅极型场效应晶体管(一般为TFT (薄膜晶体管Thin Film Transistor)),从而控制流过该电光元件的电流的有源矩阵方式的显示装置的 开发。有源矩阵方式的显示装置由于电光元件经过1帧的期间持续发光，因此容易实现大型且高精度的显示装置。
但是， 一般，已知有机EL元件的I一V特性(电流一电压特性)随着时 间的经过而劣化(即，经时劣化)。在使用N沟道型的TFT作为用于电流驱 动有机EL元件的晶体管(以下，称为"驱动晶体管")的像素电路中，由于 在驱动晶体管的源极侧连接有机EL元件，因此若有机EL元件的I—V特性 经时劣化，则驱动晶体管的栅极一源极间电压Vgs变化，其结果，有机EL 元件的发光亮度也变化。
对此更具体地进行说明。驱动晶体管的源极电位由该驱动晶体管和有机 EL元件的动作点来决定。且，若有机EL元件的I一V特性劣化，则导致驱 动晶体管和有机EL元件的动作点变动，因此即使对驱动晶体管的栅极施加 相同的电压，驱动晶体管的源极电位也变化。由此，由于驱动晶体管的源极 一栅极间电压Vgs变化，因此流过该驱动晶体管的电流值变化。其结果，流 过有机EL元件的电流值也变化，因此，有机EL元件的发光亮度变化。
此外，在使用了多晶硅(poly silicon ) TFT的像素电路中，除了有机EL 元件的I一V特性的经时劣化以外，驱动晶体管的阈值电压Vth和构成驱动晶 体管的沟道的半导体薄膜的迁移率(以下、称为"驱动晶体管的迁移率，，)p 随着时间而变化，或者由于制造工艺的偏差而阈值电压Vth和迁移率p对每 个像素而不同(每个晶体管特性具有偏差)。
由于若驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率p对每个像素不同，则对每 个像素流过驱动晶体管的电流值产生偏差，因此即使在驱动晶体管的栅极施 加在像素之间相同的电压，对有机EL元件的发光亮度在像素之间产生偏差， 其结果，画面的一致性(uniformity)受到破坏。
因此，为了即使有机EL元件的I—V特性经时劣化，或者驱动晶体管的 阈值电压Vth和迁移率|1经时变化，也不受其影响地将有机EL元件的发光 亮度保持一定，采用以下结构即使每个像素电路具有对于有机EL元件的 特性变动的补偿功能，而且具有对于驱动晶体管的阈值电压Vth的变动的校 正(以下，称为"阈值校正")、和对于驱动晶体管的迁移率)i的变动的校正 (以下，称为"迁移率校正，，)的各个校正功能(例如参照专利文献l)。
由此，通过使各个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功 能以及对于驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率|a的变动的校正功能，从而 即使有机EL元件的I一V特性经时劣化，或者驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率pi经时变化，也能够不受其影响地将有才几EL元件的发光亮度保持一定。
专利文献1:(曰本)特开2006-133542号公报
在上述的各个校正、特别是迁移率校正中，若将写入像素的视频信号的 信号电压设为Vsig,将像素电容(像素内的电容)的电容设为C,则迁移率 校正的最佳校正时间t由在tKV(knVsig)式中提供的像素电容的电容值C来决 定。这里，k为常数。此外，像素电容的电容值C是保持信号电压Vsig的保 持电容和有机EL元件的电容分量(以下，称为"EL电容")的各个电容值的 合成。另外，根据情况，有时设置用于补充EL电容的电容不足量的辅助电 容。此时，辅助电容的电容值也包含在像素电容的电容值C中。
但是，如果推进显示装置的高精度化，伴随于此像素尺寸变得微小化， 则随着在一个像素(子像素)内形成保持电容和辅助电容，不能充分确保这 些电容的面积。不能充分确保保持电容和辅助电容的面积意味着这些电容的 电容值不得不变小。而且若保持电容和辅助电容的各个电容值变小，则不能

发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种即使随着显示装置的高精度化而像素 尺寸的微小化被推进，也能够确保充分的时间作为各个校正时间、特别是迁 移率校正时间的显示装置、该显示装置的驱动方法以及使用了该显示装置的 电子设备。
为了达到上述目的，在本发明中，显示装置具有包含电光元件的像素以 行列状配置而成的像素阵列单元，其特征在于，对所述像素阵列单元的相同 像素行的多个像素共同地设置像素电路，所述像素电路具有写入视频信号的 写入晶体管、保持通过所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、以 及基于保持在所述保持电容的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体 管，将包含在所述多个像素的所述电光元件的每一个选择性地设为正偏置状 态，从而通过所述像素电路将所述电光元件的每一个分时地驱动。
在上述结构的显示装置和具有该显示装置的电子设备中，以相同像素行 的多个、例如2个像素为单位，对成为该单位的2个像素共同设置电光元件 以外的1个像素程度的像素电路，从而与对每个像素配置像素电路的情况相比，能够将保持电容的布局面积扩大为2倍以上，因此能够将保持电容的电 容值增大为2倍以上。阈值校正和迁移率校正的各个校正时间、尤其是迁移 率校正的最佳校正时间由该保持电容的电容值决定。从而，即使随着显示装 置的高精度化而推进像素尺寸的微小化，也能够增大保持电容的电容值，从 而能够确保充分的时间作为迁移率校正的最佳校正时间。
根据本发明，通过能够确保充分的时间作为各个校正时间、特别是迁移 率校正的最佳校正时间，从而能够可靠地进行迁移率校正动作，因此能够实 现显示画面的高质量化。


图1是表示参考例的有机EL显示装置的结构的概要的系统结构图。 图2是表示参考例的有机EL显示装置的像素(像素电路)的具体的结 构例的电路图。
图3是表示像素的截面结构的一例的截面图。
图4是用于参考例的有机EL显示装置的基本动作说明的定时波形图。 图5 (A)至图5 (D)是参考例的有机EL显示装置的电路动作的说明 图(之一)。
图6 (A)至图6 (D)是参考例的有机EL显示装置的电路动作的说明 图(之二)。
图7是用于说明起因于驱动晶体管的阈值电压Vth的偏差的课题的特性图。
图8是用于说明起因于驱动晶体管的迁移率p的偏差的课题的特性图。 图9 (A)至图9 (C)是用于说明基于阈值校正、迁移率校正的有无的
视频信号的信号电压Vsig、和驱动晶体管的漏极/源极间电流Ids之间的关系
的特性图。
图10是表示由于迁移率校正的最佳校正时间变短而发生的线状的亮度 不均勻的状况的图。
图11是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的结构的概要的系
统结构图。
图12是用于本实施方式的有机EL显示装置的动作说明的定时波形图。 图13是用于本实施方式的变形例的有机EL显示装置的动作说明的定时波形图。
图14是表示其他的像素结构的电路图。
图15是表示应用了本发明的电视机的外观的斜视图。
图16是表示应用本发明的数字照相机的外观的斜视图，图16(A)是从 前側看的斜视图，图16 (B)是从后侧看的斜视图。
图17是表示应用本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。
图18是表示应用本发明的摄像机的外观的斜视图。
图19是表示应用本发明的移动电话机的外观图，图19(A)是打开状态 下的正面图，图19(B)是其侧面图，图19 (C)是关闭状态下的正面图， 图19 (D)是左侧面图，图19 (E)是右侧面图，图19 (F)是上面图，图 19 (G)是下面图。
标号说明
10、 IO，...有机EL显示装置，20…像素(子像素),21、 21i、 21i+l…有 机EL元件，22...驱动晶体管，23...写入晶体管，24...保持电容，25...EL电 容，26...辅助电容，30…像素阵列单元，31 (31-l~31-m)...扫描线，32 (32-l~32-m)...电源供给线，33 ( 33陽卜33陽n)...信号线，34...公共电源供给 线，35...第一驱动线，36…第二驱动线，40...写入扫描电路，50...电源供给 扫描电路，60...水平驱动电路，70...显示面板，80...第一驱动扫描电路，90... 第二驱动扫描电路
具体实施例方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。参考例
首先，为了便于理解本发明，说明成为本发明的前提的有源矩阵型显示 装置作为参考例。本参考例的有源矩阵型显示装置是由本申请人在(日本) 特愿2006-141836号说明书中提出的显示装置。
图1是表示参考例的有源矩阵型显示装置的基本的结构的概要的系统结 构图。这里，作为一例，举例说明以下情况，即使用根据流过设备的电流值 而发光亮度变化的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件(有机电场发 光元件)作为像素(像素电路)的发光元件的有源阵列型有机EL显示装置 的情况。如图1所示，参考例的有机EL显示装置10具有像素阵列单元30和配 置在该像素阵列单元30的周边的、用于驱动各个像素20的驱动单元，所述 像素阵列单元30构成为以R (红)G (绿)B (蓝)为单位构成一个像素 (lpixel)的子像素(以下，为了方便称为"像素")20以行列状(矩阵状) 二元配置。作为驱动像素20的驱动单元，例如，设置有写入扫描电路40、 电源供给扫描电路50以及水平驱动电路60。
在像素阵列单元30中，对m行n列的像素排列，对每个像素行布线扫 描线31-l~31-m和电源供给线32-l~32-m，对每个像素列布线信号线 33-l 33-n。
像素阵列单元30通常形成在玻璃基板等透明绝缘基板上，成为平面型 (flat型)的面板结构。像素阵列单元30的各个像素20能够使用非晶硅TFT (Thin Film Transistor;薄膜晶体管)或者低温多晶硅TFT来形成。在使用了 低温多晶硅TFT的情况下，写入扫描电路40、电源供给扫描电路50以及水 平驱动电路60也能够安装在形成像素阵列单元30的显示面板(基板)70上。 写入扫描电路40由与时钟脉沖ck同步地依次移位(传送)开始脉沖sp 的移位寄存器(shift register)而构成，对像素阵列单元30的各个像素20写 入视频信号时，通过对扫描线31-l~31-m依次提供写入脉沖(扫描信号) WSl WSm，从而以行为单位依次扫描(线依次扫描)像素阵列单元30的各 个像素20。
电源供给扫描电路50由与时钟脉冲ck同步地依次移位开始脉冲sp的移 位寄存器(shift register)等而构成，通过与写入扫描电路40的线依次扫描同 步地、对电源供给线32-l 32-m提供由第1电位Vccp和比该第1电位Veep 低的第2电位Vini来切换的电源供给线电位DSl DSm,从而进行像素20的 发光/非发光的控制。
水平驱动电路60适当选择与从信号供给源(未图示)提供的亮度信息相 应的视频信号的信号电压(以下，有时仅称为"信号电压")Vsig和偏移(offset) 电压Vofs的任一个，并经由信号线33-l 33-n对像素阵列单元30的各个像素 20例如以行为单位写入。即，水平驱动电i 各60采用以行(line )为单位写入 视频信号的信号电压Vsig的线依次写入的驱动方式。
这里，偏移电压Vofs是成为视频信号的信号电压Vsig的基准的基准电 压(例如，相当于黑电平的电压)。此外，第2电位Vini #皮_没定为，比偏移电压Vofs低的电位，例如将驱动晶体管22的阈值电压设为Vth时比Vofs-Vth 低的电位，优选比Vofs-Vth充分低的电位。 (像素电路)
图2是表示参考例的有机EL显示装置10的像素(像素电路)20的具体 的结构的电路图。
如图2所示，像素20包含根据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流 驱动型的电光元件、例如有机EL元件21作为发光元件，除了包括该有机EL 元件21以外，还包括驱动晶体管22、写入晶体管23以及保持电容24。
这里，使用N沟道型的TFT作为驱动晶体管22和写入晶体管23，其中， 这里的驱动晶体管22和写入晶体管23的导电型的组合只是一例，并不限定 于这些组合。
有机EL元件21，其阴极连接在对所有的像素20公同布线的公共电源供 给线34。驱动晶体管22,其源极连接在有机EL元件21的阳极，漏极连接 在电源供给线32 ( 32-l~32-m )。
写入晶体管23，其栅极电极连接在扫描线31 (31-l~31-m),其余电极中 的一个电极(源极/漏极)连接在信号线33 ( 33-l~33-n),另一个电极(漏极 /源极)连接在驱动晶体管22的栅极。
保持电容24的一个电极连接在驱动晶体管22的栅极，另一个电极连接 在驱动晶体管22的源极(有机EL元件21的阳极)。另外，有时也采用在有 机EL元件21的阳极和固定电位之间连接辅助电容，从而补充有机EL元件 21的EL电容的电容不足量的结构。
在上述结构的像素20中，写入晶体管23响应于从写入扫描电路40通过 扫描线31而施加到栅极的扫描信号WS而成为导通状态，从而对与通过信号 线33从水平驱动电路60提供的亮度信息对应的视频信号的信号电压Vsig或 偏移电压Vofs进行采样并写入^f象素20内。
该被写入的信号电压Vsig或者偏移电压Vofs,被施加到驱动晶体管22 的栅极并保持在保持电容24中。驱动晶体管22在电源供给线32( 32-l~32-m ) 的电位DS为第1电位Vccp时，从电源供给线32接受电流的供给，从而对 有机EL元件21提供与保持在保持电容24中的信号电压Vsig的电压值对应 的电流值的驱动电流，并对该有机EL元件21进行电流驱动，从而使其发光。 (像素结构)图3是表示像素20的截面结构的一例的截面图。如图3所示，像素20 成为以下结构即在驱动晶体管22、写入晶体管23等像素电路形成的玻璃 基板201上依次形成有绝缘膜202、绝缘平坦膜203以及围绕(wind)绝缘 膜204，并在该围绕绝缘膜204的凹部分204A设置有机EL元件21 。
有机EL元件21包括由在上述围绕绝缘膜204的凹部分204A的底部 形成的金属等构成的阳极205、在该阳极205上形成的有机层(电子输送层、 发光层、空穴(hole)输送层/空穴注入层)206、以及在该有机层206上对全 部像素公共地形成的由透明导电膜等构成的阴极207。
在该有机EL元件21中，有机层206在阳极205上依次堆积空穴输送层 /空穴注入层2061、发光层2062、电子输送层2063以及电子注入层(未圓示) 而形成。而且，在图2的驱动晶体管22的电流驱动下，从驱动晶体管22通 过阳极205对有机层206流过电流，从而在该有机层206内的发光层2062中 电子和空穴再结合时发光。
如图3所示，在像素电路被形成的玻璃基板201上，经由绝缘膜202、 绝缘平坦膜203以及围绕绝缘膜204,以像素为单位形成有机EL元件21后， 经由钝化(passivation )膜208，密封基板209通过粘接剂210被连接，通过 该密封基板209有机EL元件21被密封，从而形成显示面板70。 (参考例的有机EL显示装置的电路动作)
接着，基于图4的定时波形图，利用图5和图6的动作说明图，说明参 考例的有机EL显示装置10的基本电路动作。另外，在图5和图6的动作说 明图中，为了简化图面，以开关符号表示写入晶体管23。还图示了有机EL 元件21的EL电容25。
在图4的定时波形图中，共用时间轴，表示1H (H为水平期间)内的扫 描线31 (31-l 31-m)的电位(扫描信号/写入信号)WS的变化、电源供给 线32( 32-l~32-m )的电位DS的变化、信号线33( 33匿l 33-n )的电位(Vofs/Vsig ) 的变化、驱动晶体管22的栅极电位Vg以及源极电位Vs的变化。
<发光期间>
在图4的定时图中，在时刻tl之前有机EL元件21为发光状态(发光期 间)。在该发光期间，电源供给线32的电位DS为第1电位Vccp，此外，写 入晶体管23为非导通状态。此时，由于驱动晶体管22被设定为在饱和区域 动作，因此如图5(A)所示，从电源供给线32通过驱动晶体管22对有机EL元件21提供与该晶体管22的栅极一源极间电压Vgs对应的驱动电流(漏 极一源极间电流)Ids。从而，有机EL元件21以与驱动电流Ids的电流值对 应的亮度进行发光。
<阈值校正准备期间>
此后，成为时刻tl时，进入线依次扫描的新的场(field),如图5(B) 所示，电源供给线32的电位DS从第1电位(以下，称为"高电位")Vccp 切换为比信号线33的偏移电压Vofs-Vth充分低的第2电位(以下，称为"低 电位，，)Vini。
这里，在将有机EL元件21的阈值电压设为Vel，将7>共电源供给线34 的电位设为Vcath时，若将低电位Vini设为Vini<Vel+Vcath,则驱动晶体管 22的源极电位Vs几乎等于低电位Vini，因此有机EL元件21成为反偏置状 态而熄灭。
接着，在时刻t2扫描线31的电位WS从低电位侧转移至高电位侧，从 而如图5 (C)所示，写入晶体管23成为导通状态。此时，从水平驱动电路 60对信号线33提供偏移电压Vofs,因此驱动晶体管22的栅极电位Vg成为 偏移电压Vofs。此外，驱动晶体管22的源极电位Vs为比偏移电压Vofs充分 <氐的电位Vini。
此时，驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs成为Vofs-Vini。这里， 若Vofs-Vini不比驱动晶体管22的阈值电压Vth大，则由于不能进行后述的 阈值校正动作，因此需要设定为Vofs-Vini〉Vth的电位关系。由此，阈值校正 准备的动作为'分别将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定为偏移电压Vofs, 将源极电位Vs固定为低电位Vini (使其确定)，从而进行初始化的动作。
<阈值校正期间>
接着，在时刻t3,如图5 (D)所示，电源供给线32的电位DS从低电 位Vini切换为高电位Vccp时，驱动晶体管22的源极电位Vs开始上升。立 刻，驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs收敛为该驱动晶体管22的阈值 电压Vth,相当于该阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中。
这里，为了便于说明，将对收敛为驱动晶体管22的阈值电压Vth的栅极 一源极间电压Vgs进行检测从而将相当于该阈值电压Vth的电压保持在保持 电容24中的期间称为阈值校正期间。另外，在该阈值校正期间，为了使电流 全部流过保持电容24侧，而不流过有机EL元件21侧，设预先设定公共电源供给线34的电位Vcath，以使有机EL元件21成为截止状态。
接着，如图6(A)所示，通过在时刻t4扫描线31的电位WS转移到低 电位侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极 成为浮动状态，但由于栅极一源极间电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压 Vth，因此该驱动晶体管22成为截止状态。从而，驱动晶体管22中不流过漏 极一源极间电流Ids。
<写入期间/迁移率校正期间>
接着，如图6(B)所示，在时刻t5,信号线33的电位从偏移电压Vofs 切换为视频信号的信号电压Vsig。接着，在时刻t6，扫描线31的电位WS 转移到高电位侧，从而如图6 (C)所示，写入晶体管23成为导通状态，从 而对视频信号的信号电压Vsig进行采样，将其写入像素20内。
通过该写入晶体管23的信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电 位Vg成为信号电压Vsig。然后，在根据视频信号的信号电压Vsig而驱动晶 体管22被驱动时，该驱动晶体管22的阈值电压Vth与保持在保持电容24中 的相当于阈值电压Vth的电压相抵，从而进行阈值校正。对于阈值校正的原 理，将在后面叙述。
此时，有机EL元件21通过开始处于反偏置状态，从而处于截止状态(高 阻抗状态)。有机EL元件21在处于反偏置状态时显示电容性。从而，根据 视频信号的信号电压Vsig,从电源供给线32流过驱动晶体管22的电流(漏 极一源极间电流Ids )流进有机EL元件21的EL电容25中，且该EL电容 25开始充电。
根据该EL电容25的充电，驱动晶体管22的源极电位Vs随着时间的经 过而上升。此时，驱动晶体管22的阈值电压Vth的偏差已被校正，驱动晶体 管22的漏极一源极间电流Ids依赖于该驱动晶体管22的迁移率p。
立刻，若驱动晶体管22的源极电位Vs上升至Vofs-Vth+AV的电位，则 驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs成为Vsig-Vofs+Vth-AV。即，源极 电位Vs的上升量AV从保持在保持电容24的电压(Vsig-Vofs+Vth)被减去， 换言之，起到对保持电容24的充电电荷进行放电的作用，其结果等于施加负 反馈。从而，源极电位Vs的上升量AV成为负反馈的反馈量。
由此，通过将流过驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids输入到该驱动 晶体管22的栅极，即负反馈至栅极一源极间电压Vgs,从而消除对驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids的迁移率n的依赖性，即进行校正迁移率p的 每个像素的偏差的迁移率校正。
更具体地说，由于视频信号的信号电压Vsig越高漏极一源极间电流Ids 越大，因此负反馈的反馈量(校正量)AV的绝对值也变大。由此，进行基 于发光亮度电平的迁移率校正。此外，在将视频信号的信号电压Vsig设为一 定时，驱动晶体管22的迁移率p越大负反馈的反馈量AV的绝对值也变得越 大，因此能够去除每个像素的迁移率n的偏差。对于迁移率校正的原理，将 在后面叙述。
<发光期间>
接着，如图6(D)所示，通过在时刻t7，扫描线31的电位WS转移至 低电位侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。由此，驱动晶体管22的栅 极从信号线33切断而成为浮动状态。
这里，在驱动晶体管22的栅极处于浮动状态时，通过在驱动晶体管22 的栅极一源极间连接保持电容24,从而若驱动晶体管22的源极电位Vs变动， 则联动(跟随)于该源极电位Vs的变动而驱动晶体管22的4册极电位Vg也 变动。这就是基于保持电容24的自举(bootstrap )动作。
驱动晶体管22的栅极成为浮动状态，与此同时，驱动晶体管22的漏极 一源极间电流Ids开始流过有机EL元件21,从而有机EL元件21的阳极电 位根据驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids而上升。
有机EL元件21的阳极电位的上升即是驱动晶体管22的源极电位Vs的 上升。若驱动晶体管22的源极电位Vs上升，则由于保持电容24的自举动作， 驱动晶体管22的栅极电位Vg也联动地上升。
此时，假设自举增益为1 (理想值)时，栅极电位Vg的上升量等于源极 电位Vs的上升量。因此，发光期间驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs 固定保持在Vsig-vofs+Vth-AV。然后，在时刻t8信号线33的电位从视频信 号的信号电压Vsig切换为偏移电压Vofs。 (阈值校正的原理)
这里，说明驱动晶体管22的阈值校正的原理。驱动晶体管22被设计为 在饱和区域动作，因此作为恒流源而工作。由此，从驱动晶体管22对有机 EL元件21提供由下式(1 )提供的固定的漏极一源极间电流(驱动电流)Ids。
<formula>formula see original document page 14</formula> ...... ( 1 )这里，W是驱动晶体管22的沟道宽度，L是沟道长度，Cox是单位面积 的栅极电容。
图7表示驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids对栅极一源极间电压 Vgs的特性。
如该特性图所示，若不进行对于驱动晶体管22的阔值电压Vth的每个像 素的偏差的校正，则在阈值电压Vth为Vthl时，与栅极一源极间电压Vgs 对应的漏才及一源才及间电流Ids成为Idsl 。
与此相反，在阈值电压Vth为Vth2 ( Vth2>Vthl )时，与相同栅极一源 极间电压Vgs对应的漏极一源极间电流Ids成为Ids2 (Ids2<Ids )。即，若驱 动晶体管22的阈值电压Vth变动，则即使栅极一源极间电压Vgs固定，漏极 一源才及间电流Ids也变动。
另一方面，在上述结构的像素(像素电路)20中，如先前所述，由于发 光时的驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-A V,因此 若将其代入式(1 )，则漏极一源极间电流Ids表示为
Ids= ( 1/2 ) p ( W/L ) Cox(Vsig-Vofs -A V)2 ...... ( 2 )
即，驱动晶体管22的阈值电压Vth的项被取消，从驱动晶体管22提供 给有机EL元件21的漏极一源极间电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阈值电 压Vth。其结果，即使由于驱动晶体管22的制造工艺的偏差和经时变化而驱 动晶体管22的阈值电压Vth对每个像素变动，由于漏极一源极间电流Ids不 变动，因此能够将有机EL元件21的发光亮度保持为一定。 (迁移率校正的原理)
接着，说明驱动晶体管22的迁移率校正的原理。图8以对驱动晶体管 22的迁移率ii相对较大的像素A、和驱动晶体管22的迁移率n相对较小的 像素B进行比较的状态表示特性曲线。在由多晶硅薄膜晶体管等构成驱动晶 体管22的情况下，如像素A和像素B那样，不能避免在像素间迁移率n偏 差。
在像素A和像素B中对迁移率p存在偏差的状态下，例如对两个像素A、 B写入相同电平的视频信号的信号电压Vsig的情况下，若不进行这些迁移率 l_i的校正，则导致在流过迁移率ia较大的像素A的漏极一源极间电流Idsl，和 流过迁移率n较小的像素B的漏极一源极间电流Ids2，之间存在较大的差异。 这样，若起因于迁移率p的每个像素的偏差而在像素之间漏极一源极间电流Ids产生较大的差异，则画面的均匀性受损。
这里，从先前所述的式(1 )的晶体管特性式可知，迁移率^越大漏极一
源极间电流Ids越大。从而，迁移率p越大负反馈的反馈量AV越大。如图8 所示，迁移率ja较大的像素A的反馈量AV1，比迁移率ia较小的像素B的反 馈量AV2大。
因此，由于通过迁移率校正动作将驱动晶体管22的漏极一源极间电流 Ids负反馈至视频信号的信号电压Vsig侧，从而迁移率jx越大负反馈量越大， 因此能够抑制迁移率p的每个像素的偏差。
具体地说，在迁移率p较大的像素A施加反馈量AV1的校正，则漏极 —源极间电流Ids从Idsl，大幅下降至Idsl。另一方面，由于迁移率p较小的 像素B的反馈量A V2较小，因此漏极一源极间电流Ids从Ids2，下降至Ida2， 并不下降很大程度。其结果，像素A的漏极一源极间电流Idsl和像素B的漏 极一源极间电流Ids2变得几乎相等，因此迁移率p的每个像素的偏差被校正。
总结以上内容，在存在迁移率p不同的像素A和像素B的情况下，迁移 率p较大的像素A的反馈量AV1，比迁移率p较小的像素B的反馈量AV2 大。即，迁移率p越大的像素反馈量AV越大，漏极一源极间电流Ids的减 小量越大。
从而，通过将驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids负反馈至视频信号 的信号电压Vsig侧，从而迁移率p不同的像素的漏极一源极间电流Ids的电 流值被均匀化。其结果，能够校正迁移率p的每个像素的偏差。
这里，使用图9说明，在图2所示的像素(像素电路)20中，基于阈值 校正、迁移率校正的有无的视频信号的信号电位(采样电位)Vsig、和驱动 晶体管22的漏极/源极间电流Ids之间的关系。
在图9中，(A)表示阈值校正和迁移率校正都不进行的情况，(B)表示 不进行迁移率校正，仅进行阈值校正的情况，(C)表示阈值校正和迁移率校 正同时进行的情况。如图9(A)表示，在阈值校正和迁移率校正都不进行的 情况下，起因于阈值电压Vth和迁移率|a的像素A、 B每个像素的偏差，在 像素A、 B间漏极一源极间电流Ids产生较大的差异。
与此相反，在仅进行阈值校正的情况下，如图9(B)所示，虽然根据该 阈值校正能够一定程度上减小漏极一源极间电流Ids的偏差，但还残留起因 于迁移率p的像素A、 B每个像素的偏差的、在像素A、 B之间的漏极一源极间电流Ids的差异。
而且，如图9(C)所示，由于通过同时进行阈值校正和迁移率校正，从
而能够几乎消除由于阈值电压Vth和迁移率n的每个像素A、 B的偏差所引 起的像素A、 B之间的漏极一源极间电流Ids的差异，因此，无论哪个色阶， 都不发生有机EL元件21的亮度偏差，能够得到画质良好的显示图像。
此外，图2所示的像素20除了阈值校正和迁移率校正的各校正功能之夕卜， 还具有先前所述的自举功能，从而能够得到以下的作用效果。
即，即使有机EL元件21的I一V特性经时变化，与此同时驱动晶体管 22的源极电位Vs变化，根据保持电容24的自举动作，驱动晶体管22的栅 极一源极间电位Vg维持为固定，因此流过有机EL元件21的电流不变化。 从而，由于有机EL元件21的发光亮度也保持为一定，因此即使有机EL元 件21的1—V特性经时变化，也能够实现没有与其伴随的亮度劣化的图像显 示。
从以上说明可知，参考例的有机EL显示装置10中，成为子像素的像素 20以具有驱动晶体管22和写入晶体管23的两个晶体管的像素结构，就能与 除了这些晶体管之外还具有几个晶体管的像素结构的专利文献1所述的有机 EL显示装置一样，实现对于有机EL元件21的特性变动的补偿功能、阈值校 正和迁移率校正的各校正功能，且像素20的结构元件少相应地能够实现像素 尺寸的微小化、显示装置的高精度化。随着高精度化的问题点
这样，包含驱动晶体管22和写入晶体管23两个晶体管的像素结构的像 素20，由于结构元件数量少，因此有利于显示装置的高精度化。但是，若进 一步提高显示装置的高精度化，成为对应于面板精度为300ppi( pixel per inch ) 等的超高精度的微小的像素，则即使是驱动晶体管22、写入晶体管23以及 保持电容24 (也存在包含用于补充EL电容的电容不足的辅助电容情况)的 较少结构元件，也难以将这些结构元件配置在像素20内。
此外，如先前所述，由于迁移率校正的最佳校正时间t由t=C/(lqiVsig) 等公式来提供，由像素电容的电容值C来决定，因此若推进像素微小化，不 能充分地取像素电容的电容值C,则迁移率校正的最佳校正时间t变短。而且， 随着最佳校正时间t变短，较强地受到起因于决定迁移率校正期间(图4的 t6—t7)的脉沖偏差的校正时间的偏差的影响。其结果，如图IO所示，在显示画面(发光有效区域)上发生横向延伸的线状的亮度不均匀等。本实施例的特征部分
因此，本发明的一实施例的有机EL显示装置采用以下结构，即以像素 阵列单元30的相同像素行的多个像素(子像素)为单位，对成为该单位的多 个像素共同地设置有机EL元件21以外的1个像素程度的像素电路，具体地 说共同地设置具有驱动晶体管22、写入晶体管23以及保持电容24 (也存在 包含辅助电容的情况)的、用于驱动有机EL元件21的像素电路，通过该像 素电路将多个有机EL元件21的每个选择性地设为正偏置状态，从而分时地 驱动多个有机EL元件21的每一个。
图11是表示本发明的一实施例的显示装置的结构的概要的系统结构图， 图中，为了便于理解，对与图1和图2相等的部分附加相同标号而表示。
在本实施方式中，作为一例，也举例说明使用根据流过设备的电流值而 改变发光亮度的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件(有机电场发光 元件)作为像素(像素电路)的发光元件的有源矩阵型有机EL显示装置的 情况。
在本实施方式的有机EL显示装置IO，中，举例以下情况即以像素阵列 单元30的相同像素行的多个像素(例如，两个像素)为电位，对成为该单位 的多个像素共同设置有机EL元件21以外的一个像素程度的像素电路。此外， 在图11中，为了简化图面，对某一个像素行的相邻的两个像素20i、 20i+l的 像素电路，概略表示其结构。 (像素电路)
将有机EL元件21i、 21i+l设置在各个像素20i、 20i+l。另一方面，具 有驱动有机EL元件21i、 21i+l的像素电路，具体地说具有驱动晶体管22、 写入晶体管23以及保持电容24，对两个像素20i、 20i+l共同设置一个用于 驱动有机EL元件21i、 21i+l的像素电路200。
本例中的像素电路200除了驱动晶体管22、写入晶体管23以及保持电 容24以夕卜，还具有用于补充有机EL元件21i、 21i+l的电容不足量的辅助电 容26。辅助电容26，其一端(一个电45j连4妄在驱动晶体管22的源;f及，另 一端(另一个电极)连接在固定电位Vcc。该辅助电容26从后面的动作说明 中可知，具有通过补充有冲几EL元件21i、 21i+l的电容不足量，从而补充一见 频信号的写入增益(输入增益)G的不足量的功能。为了通过像素电路200以分时方式选择性地驱动有机EL元件21 i、 21 i+1, 在先前所述的参考例中，对有机EL元件21的阳极全部像素共同地布线公共 电源供给线34 (参照图2)，与此相反，在本实施方式中，采用对有机EL元 件21i和有机EL元件21i+l的各个阴极分别布线第一、第二驱动线35、 36， 并经由这些驱动线35、 36通过第一、第二驱动扫描电3各80、 90对有机EL 元件21i、 21i+l的各个阴极电位进行控制的结构。
另夕卜，在图11中，仅表示对于驱动线35、 36的有机EL元件21i、 21i+l 的各个阴极的连接关系，但实际上，在与有才几EL元件21i、 21i+l相同的像 素行中，由包含有机EL元件21i的每隔一个像素的有机EL元件构成的组的 各个阴极共同地连接在第一驱动线35,由包含有机EL元件21i+l的每隔一 个像素的有机EL元件构成的组的各个阴极共同地连接在第二驱动线36。在 其他的像素行也相同。
与写入扫描电路40和电源供给扫描电路50—样，第一、第二驱动扫描 电路80、 90同样由移位寄存器构成，有机EL元件21i、 21i+l的选择性的驱 动时，对每个像素行在一个场(field)(—个帧)期间适当输出第一、第二驱 动信号dsl、 ds2,并经由第一、第二驱动线35、 36提供给有机EL元件21i、 21i+l的各个阴极。
这里，第一、第二驱动信号dsl、 ds2是脉冲信号，在将电源供给线32 的电位DS的低电位Vini设为例如地电平(ground level) ( 0V )时，高电位 侧相对于地电平被设定为比有机EL元件21i、21i+l的阈值电压Vd高的电压、 例如10V左右的电压。在电源供给线32的电位DS为高电位Vccp时，对于 低电位侧将其设定为有机EL元件21i、 21i+l成为正偏置状态的电位、例如 0V。
在对于电源供给线电位DS的低电位Vini的第一、第二驱动信号dsl、 ds2的高电位的所述的电位关系中，在先前所述的参考例中的电路动作的说明 中可知，在阈值校正、信号写入以及迁移率校正的一连串的动作期间，第一、 第二驱动扫描电路80、 90输出高电位作为第一、第二驱动信号dsl、 ds2,并 将该第一、第二驱动信号dsl、 ds2提供给有机EL元件21i、 21i+l,从而这 些有机EL元件21i、 21i+l表示成为反偏置状态的电容性。对于第一、第二 驱动信号dsl、 ds2的定时关系的细节，将在后面叙述。 (像素结构)像素20i、 20i+l的像素结构基本上与图3所示的像素20的像素结构相 同。从图3的像素结构可知，具有驱动晶体管22、写入晶体管23、保持电容 24以及辅助电容26的像素电路200形成在玻璃基板201上的TFT层，相比 之下，有机EL元件21形成在围绕绝缘膜204的凹部分204A。
由此，形成像素电路200的层和形成有机EL元件21的层不同，从而即 使对两个像素20i、 20i+l共同设置像素电路200,对有机EL元件21i、 21i+l 来说，能够被形成在以一定的间距行列状配置的像素20i、 20i+l的每一个。
另一方面，作为每一个像素电路200的布局面积，能够确保像素20i和 像素20i+l的两个像素程度的面积。此外，由于对一个像素20i/20i+l,不存 在像素电路200,因此若包含此部分，则作为保持电容24和辅助电容26的 布局面积，与对每个像素配置像素电路200的情况相比能够确保2倍以上。
能够将形成这些电容24、 26的平行平板的面积扩大为2倍以上。而且，由于 形成在平行平板间的电容的电容值与平行平板的面积成比例，因此通过能够 将保持电容24和辅助电容26的布局面积确保为2倍以上，从而与对每个像 素配置像素电路200的情况相比，能够将保持电容24和辅助电容26的各个 电容值设定为2倍以上。
此外，对于有机EL元件21i、 21i+l的各个阴极提供第一、第二驱动信 号dsl、 ds2的第一、第二驱动线35、 36,在图3的像素结构中，相当于阴极 207。即，从图3的像素结构可知，具有驱动晶体管22、写入晶体管23、保 持电容24以及辅助电容26的像素电路200形成在玻璃基板201上的TFT层， 与此相比，第一、第二驱动线35、 36形成在围绕绝缘膜204。
这样，通过在与形成像素电路200的TFT层不同的层形成第一、第二驱 动线35、 36，从而即使第一、第二驱动信号dsl、 ds2作为脉冲信号而电位变 化，伴随于此第一、第二驱动线35、 36的电位不稳定，也不必担心由于此电 位的不稳定而像素电路200的电路动作受到影响。 (有机EL显示装置的电路动作)
接着，利用图12的定时波形图说明本实施方式的有机EL显示装置10， 的电路动作。
图12表示1F ( F为场/帧期间)的信号线33的电位(Vofs/Vsig )的变化、 扫描线31的电位(扫描信号)WS的变化、电源供给线32的电位DS的变化、第一、第二驱动线35、 36的电位(第一、第二驱动信号)dsl、 ds2的变化、 驱动晶体管22的栅极电位Vg以及源极电位Vs的变化。
另外，像素20i、 20i+l每个的阈值校正准备、阈值校正、信号写入&迁 移率校正以及发光的各个具体的动作，与先前所述的参考例的有机EL显示 装置10的电路动作的情况基本相同。
在非发光的状态下，在时刻tll扫描线31的电位WS从低电位侧转移到 高电位侧，同时，第一、第二驱动线35、 36的电位dsl、 ds2从低电位侧转 移到高电位侧。时刻tll相当于图4的定时波形图的时刻t2。
此时，信号线33的电位处于偏移电压Vofs的状态，该偏移电压Vofs根 据写入晶体管23而被写入驱动晶体管22的栅极电极。此外，第一、第二驱 动线35、 36的电位dsl、 ds2同时处于高电位,电源供给线32的电位DS为 低电位Vini，从而有机EL元件21i、 21i+l同时处于反偏置状态，表示电容 性(EL电容)。
接着，在时刻t12电源供给线32的电位DS从低电位Vini切换到高电位 Vccp,从而开始阈值校正动作。时刻tl2，相当于图4的定时波形图中的时刻 t3。从时刻t12至扫描线31的电位WS从高电位侧转移到低电位侧的t13的 期间(阈值校正期间)进行阈值校正动作。
这里，若将有机EL元件21i的EL电容的电容设为Celi，将有机EL元 件21i+l的EL电容的电容设为Celi+1，则作为阈值校正动作的像素电容的电
使用有机EL元件21i、 21i+l的各个EL电容的电容值Celi、 Celi+1。
接着，在时刻t14从水平驱动电路60对信号线33提供视频信号的信号
电压Vsig，接着，在时刻t15扫描线31的电位WS重新从低电位侧转移到高
电位侧，从而视频信号的信号电压Vsig通过写入晶体管23被写入驱动晶体
管22的栅极。时刻tl4、 tl5相当于图4的定时波形图中的时刻t5、 t6。
该写入信号电压Vsig被保持在保持电容24。此时，处于有机EL元件
21i、 21i+l共同连接在驱动晶体管22的源极的状态，从而在保持电容24中
实际上保持的电压Vgs以以下式(3)来表示。
Vgs=Vsig x {l-Cs/ ( Cs+Csub+Celi+Celi+1 ) } ...... ( 3 )
从而，电压Vgs对信号电压Vsig之比、即写入视频信号的信号电压Vsig
时的写入增益(输入增益)G (=Vgs/Vsig)由以下式(4)来提供。G=l-Cs/ ( Cs+Csub+Celi+Cdi+1) ...... ( 4 )
从该式(4)可知，与对每个像素配置像素电路200的情况相比，能够使 保持电容24的电容值Cs和辅助电容26的电容值Csub提高为2倍以上，而 且由于对一个驱动晶体管22两个像素的有机EL元件21i、 21i+l并列连接， 因此对EL电容也能使其成倍，从而与对每个像素配置像素电路200的情况 相比，也能够将写入增益G设定为比较大。
而且，与信号写入同时进行迁移率校正，但作为该迁移率校正动作的像 素电容的电容值C,使用(Cs+Csub+Celi+Celi+,)。即能够使像素电容的总电 容值C成为对每个像素配置像素电容200的情况下的约2倍。
如先前所述，在迁移率校正中，其最佳校正时间t由式t=C/ (kpVsig) 来提供，像素电容(保持电容24、 EL电容25以及辅助电容26)的合成电容 值C成为约2倍，从而能够将迁移率校正的最佳校正时间t设定为2倍，因 此作为最佳校正时间t能够确保充分的时间。由此，由于在高精度像素中也 能够得到充分的迁移率校正偏差余量，因此能够可靠地进行迁移率校正动作， 从而能够实现高画质。
接着，在时刻tl6扫描线31的电位WS从高电位側转移到低电位侧，同 时第一驱动线35的电位dsl从高电位转移到低电位，从而想要发光的像素20i 侧的有机EL元件21i成为正偏置状态而进入发光期间。此时，相反的非发光 像素20i+l侧的第二驱动线36的电位ds原样保持高电位，从而有机EL元件 21i+l的保持反偏置状态。
与这些发光/非发光的初换动作无关，在像素电路200的保持电容24中， 进行阈值校正和迁移率校正的驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs被保 持，因此使设计的电流值原样流过发光侧像素20i的有机EL元件21i,能够 使该有纟几EL元件21 i发光。
由此，对于像素20i的一连串的动作、即阈值校正、信号写入&迁移率校 正以及发光的各个动作结束。而且，在此1/2F期间后，对像素20i+l进行与 对像素20i的一连串的动作相同的动作，A/v而发光元件20i+l侧的有机EL元 件20i+l成为发光状态，且非发光像素20i侧的有机EL元件20i成为非发光 状态。
即，在时刻t21扫描线31的电位WS从低电位侧转移到高电位侧，同时， 第一驱动线35的电位dsl从低电位侧转移到高电位侧。此时，第二驱动线36的电位ds2保持为在时刻tll转移到的高电位。
在时刻t21,信号线33的电位处于偏移电压Vofs的状态且该偏移电压 Vofs通过写入晶体管23被写入驱动晶体管22的栅极。此外，第一、第一驱 动线35、 36的电位dsl、 ds2共同处于高电位，电源供给线32的电位DS为 低电位Vini，从而有机EL元件21i、 21i+l都处于反偏置状态而表示电容性。
接着，在时刻t22电源供给线32的电位DS从低电位Vini切换到高电位 Vccp从而开始阈值校正动作。在该阈值校正动作中，如先前所述，作为像素 电容的电容值C,除了保持电容24的电容值Cs和辅助电容26的电容值Csub 之外，还使用有机EL元件21i、 21i+l的各个EL电容的电容值Celi、 Celi+1。
接着，在时刻t24从水平驱动电路60对信号线33提供视频信号的信号 电压Vsig，接着，在时刻t25扫描线31的电位WS重新从低电位转移至高电 位，从而视频信号的信号电压Vsig通过写入晶体管23被写入驱动晶体管22 的栅极。
接着，在时刻t26扫描线31的电位WS从高电位侧转移到低电位侧，同 时第二驱动线36的电位ds2从高电位转移到低电位，从而要发光的像素20i+l 侧的有机EL元件21i+l成为正偏置而进入发光期间。此时，相反的非发光像 素20i侧的第一驱动线35的电位dsl原样处于高电位，从而有才几EL元件21i 原样成为反偏置状态。
(本实施方式的作用效果)
如上所述，采用以下结构即以像素阵列单元30的相同像素行的多个、 例如两个像素20i、 20i+l为单位，对成为该单位的两个像素20i、 20i+l共同 设置有机EL元件21i、 21i+l以外的一个像素程度的像素电路200，通过该像 素电路200在一个场(1帧)期间分时地对有机EL元件21i、 21i+l选择性地 进行驱动，能够将保持电容24和辅助电容26的布局面积扩大为对每个像素 配置像素电路200时的2倍以上，因此能够将保持电容24的电容值C和辅助 电容26的电容值Csub增加为2倍以上。
而且，在阈值校正和迁移率校正的各个校正动作时，对一个驱动晶体管 22并列连接有机EL元件21i、 21i+l，因此EL电容Cel也能成倍 (Cel=Celi+Celi+1 )。
由此，与对每个像素配置像素电路200的情况相比，保持电容24和辅助 电容26的各个电容值Cs、 Csub成2倍以上，在校正动作时EL电容Cd成倍，从而确保充分的时间作为由这些电容值Cs、 Csub、 Cel决定的阈值校正 和迁移率校正的各个校正时间、尤其是迁移率校正的最佳校正时间t ，并能 够可靠地进行迁移率校正动作，因此能够实现显示画面的高画质(高 uniformity画质)。
作为晶体管数量，共用像素电路的每个单位像素为两个晶体管，但在本 例中，由于单位像素相当于两个子像素，因此成为每个子像素一个晶体管的 像素结构。即，本例的情况下，与参考例的每个子像素两个晶体管的像素结 构相比，能够减半每个子像素的晶体管数量。相反，不必将保持电容24和辅 助电容26的布局面积扩大为2倍以上的情况下，相应地能够实现子像素(像 素)的微小化。变形例
在上述的实施方式中，举例了像素电路200具有辅助电容26的情况，但 辅助电容26并不是必需的结构要素，也能适用于像素电路200不具有辅助电 容26的情况。即使是不具有辅助电容26的情况下，通过应用本发明从而能 够使保持电容24的电容值Cs变大，伴随于此能够充分地确保迁移率校正的 最佳校正时间t。
此外，在上述的实施方式中，在电源供给线32的电位DS的低电位Vini 例如设定为OV的情况下，在进行阈值校正和迁移率校正的期间，将第一、 第二驱动线35、 36的电位dsl、 ds2共同设为高电位，从而使有机EL元件 21i、 21i+l成为反偏置状态(截止状态)从而使用这些有机EL元件21i、 21i+l 作为电容(EL电容)，但这只是一例。
例如，将电源供给线32的电位DS的低电位Vini设定为比0V低一定电 压的电位，例如设定为-4V左右的电位，并在进行阄值4交正和迁移率校正的 期间，如图13的定时波形图所示，通过将第一、第二驱动线35、 36的电位 dsl、 ds2同时设为低电位(例如0V)，从而能够对有机EL元件21i、 21i+l 施加反偏置而设为截止状态，乂人而使用这些有机EL元件21i、 21i+l作为电 容。
此外，在上述的实施方式中，举例说明应用于以下像素结构的有机EL 显示装置10的情况即具有像素20,所述像素20包括用于驱动有机EL元 件21的驱动晶体管22、写入视频信号的信号电压Vsig的写入晶体管23、以 及保持通过写入晶体管23写入的视频信号的信号电压Vsig的保持电容24,在高电位Vccp和低电位Vini间切换提供给驱动晶体管22的漏极的电源供给 线电位Ds,且从信号线33选择性地写入基准电压Vofs，但本发明并不限定 于作为像素晶体管而具有两个晶体管的像素结构的应用例子。
作为其他的像素结构的一例，如图14所示，对还具有开关晶体管51和 开关晶体管52、 53的像素结构的有机EL显示装置也同样能够应用，所述开 关晶体管51控制有机EL元件21的发光/非发光，所述开关晶体管52、 53用 于完成以下动作即在有机EL元件21的电流驱动之前，通过成为适宜导通 状态，从而将驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs初始化为基准电 压Vofs和低电位Vini，之后检测驱动晶体管22的阈值电压Vth,并将该检测 到的阈值电压Vth保持在保持电容24 。
而且，在上述实施方式中，举例说明了作为像素电路20的电光元件而应 用于使用了有机EL元件的有机EL显示装置的情况，但本发明并不限定于该 应用例，可适用于使用了根据流过设备的电流值而改变发光亮度的电流驱动 型的电光元件(发光元件)的全部的显示装置。应用例
以上说明的本发明的显示装置，作为一例，可适用于如图15~图19所示 的各种各样的电子设备的显示装置，例如将被输入到数字照相机、笔记本型 个人计算机、移动电话等的移动终端装置、摄像机等电子设备的视频信号或 者在电子设备内生成的视频信号作为图像或视频来显示的所有领域的电子设 备的显示装置。
这样，由先前所述的实施方式的说明可知，通过作为所有领域的电子设 备的显示装置而使用本发明的显示装置，从而本发明的显示装置能够确保充 分的时间作为迁移率校正的最佳校正时间，并可靠地进行迁移率校正动作， 因此具有在各种电子设备中，能够由高均匀的画质来进行图像显示的优点。
另外，本发明的显示装置还包括被密封构成的模块形状的装置。例如， 相当于在像素阵列单元30上粘贴在透明的玻璃等相对部分而形成的显示模 块。该透明的相对部分上还可以设置滤色器、保护膜等、还可以设置上述的 遮光膜。另外，在上述显示模块上还可以设置用于输入输出从外部到像素阵 列单元的信号等的电路单元和FPC (柔性印刷电路flexible print circuit)等。
以下，说明应用本发明的电子设备的具体例子。
图15是表示应用了本发明的电视机的外观的斜视图。本应用例的电视机包括由前面板102和过滤玻璃103构成的视频显示画面单元101,作为该视 频显示画面单元101而使用本发明的显示装置。
图16是表示应用本发明的数字照相机的外观的斜视图，(A)是从前面 看的斜视图，(B)是从后面看的斜视图。本应用例的数字照相机包括闪光用 的发光单元lll、显示单元112、菜单开关113、以及快门按钮114等，作为 其显示单元112而使用本发明的显示装置。
图17是表示应用本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。本应用 例的笔记本型个人计算机,其本体121包括在输入字符等时被操作的键盘 122、以及显示图像的显示单元123等，作为其显示单元123而^f吏用本发明的 显示装置。
图18是表示应用本发明的摄像机的外观的斜视图。本应用例的摄像机包 括本体单元131、向着前方的侧面的被摄体摄影用的镜头132、摄像时的开始 /停止开关133、以及显示单元134等，作为其显示单元134而使用本发明的
显示装置。
图19是表示应用本发明的移动终端装置、例如移动电话机的外观图， (A)是打开的状态下的正面图，(B)是其侧面图，(C)是关闭状态下的正 面图，(D)是左侧面图，(E)是右侧面图，(F)是上面图，(G)是下面图。 本应用例的移动电话机包括上侧筐体141、下侧筐体142、连接部分(这里 为铰链部分)143、显示器144、子显示器145、图像灯(picture light) 146、 以及照相机147等，且作为该显示器144和子显示器145而使用本发明的显 示装置。
权利要求
1、一种显示装置，其特征在于，包括像素阵列单元，包含电光元件的像素以行列状配置而成；像素电路，具有写入视频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、以及基于保持在所述保持电容的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管，对所述像素阵列单元的相同像素行的多个像素共同地设置；以及多个扫描电路，将包含在所述多个像素的所述电光元件的每一个分时地选择性地设为正偏置状态。
2、 如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个扫描电路通过控制包含在所述多个像素中的所述电光元件的每 一个的阴极电位，从而将所述电光元件的每一个设为正偏置状态。
3、 如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素电路具有校正所述驱动晶体管的迁移率的每个像素的偏差的校 正功能，该迁移率的校正期间由所述保持电容和所述电光元件的电容分量的 各个电容值决定。
4、 如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个扫描电路在所述迁移率的校正期间将所述电光元件的每个设为 反偏置状态。
5、 如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素电路具有连接在所述驱动晶体管的源极和固定电位之间的校正 电容。
6、 如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述像素电路具有校正所述驱动晶体管的迁移率的每个像素的偏差的校 正功能，该迁移率的校正期间由所述保持电容和所述校正电容以及所述电光 元件的电容分量的各个电容值决定。
7、 一种显示装置的驱动方法，所述显示装置具有包含电光元件的像素以 行列状配置而成的像素阵列单元，所述显示装置的驱动方法其特征在于，对所述像素阵列单元的相同像素行的多个像素共同地设置像素电路，所 述像素电路具有写入视频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容、以及基于保持在所述保持电容的所述视频信号 驱动所述电光元件的驱动晶体管，将包含在所述多个像素的所述电光元件的每一个选择性地设为正偏置状 态，从而通过所述像素电路将所述电光元件的每一个分时地驱动。
8、 一种电子设备，其特征在于，具有显示装置，所述显示装置包括 像素阵列单元，包含电光元件的像素以行列状配置而成；像素电路，具有写入视频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管 写入的所述视频信号的保持电容、以及基于保持在所述保持电容的所述视频 信号驱动所述电光元件的驱动晶体管，对所述像素阵列单元的相同像素行的多个像素共同地设置；以及多个扫描电路，将包含在所述多个像素的所述电光元件的每一个分时地 选择性地设为正偏置状态。
全文摘要
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备。本发明的显示装置，即使随着显示装置的高精度化而推进像素尺寸的微小化，也能够确保充分的时间作为各个校正时间、尤其是迁移率校正的校正时间。本发明采用以下结构以像素阵列单元(30)的相同像素行的例如2个像素(20i、20i+1)为单位，对成为该单位的2个像素共同设置有机EL元件(21i、21i+1)以外的一个像素程度的像素电路(200)，且选择性地将两个像素设为正偏置状态，从而通过该像素电路分时选择性地驱动有机EL元件。由此，与对每个像素配置像素电路的情况相比，将保持电容(24)和辅助电容(26)的各个电容值(Cs、Csub)设定为2倍以上，且确保充分的时间作为由这些电容值决定的迁移率校正的最佳校正时间(t)。
文档编号G09G3/30GK101419776SQ20081016912
公开日2009年4月29日 申请日期2008年10月27日 优先权日2007年10月26日
发明者内野胜秀, 山下淳一 申请人:索尼株式会社