薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法

专利名称：薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法。特别地，根据本发明的
发光显示装置及其驱动方法分别适用于以类似矩阵的方式包括像素的发光显示装置及其驱动方法，其中每个像素由发光器件和用于向发光器件提供电流的驱动电路组成。这里应
当注意，例如，有机电致发光(EL)器件可用作发光器件。
背景技术：
近来，已经研究和开发了使用有机EL器件作为发光器件的有机EL显示器。在象这样的有机EL显示器中，通常使用其中在每个像素中提供驱动电路的有源矩阵(AM)有机EL显示器，以延长有机EL器件的寿命和实现高质量图像。相关驱动电路由在诸如玻璃或塑料等的基板上形成的薄膜晶体管(TFT)构成。在有机EL显示器中，基板和驱动电路部分被一起称为背板(back plane)。 作为用于有机EL显示器的背板的TFT，已经研究了非晶(amorphous)硅(下文中称为a-Si)或多晶硅(下文中称为p-Si)等。此外，新近已经提出了其中使用非晶氧化物半导体(在下文中称为AOS)作为其沟道层的TFT。这里，例如，使用非晶In(铟)-Ga(镓)-Zn(锌)-O(氧化物)(在下文中称为a-IGZO)作为AOS的材料。此外，例如，使用非晶Zn (锌)-In (铟)-0 (氧化物)(在下文中称为a-ZIO)作为AOS的材料。可以想到，其中使用AOS作为其沟道层的TFT具有十倍于或更多倍于a-Si TFT的迁移率并且还具有因非晶性引起的高均匀性。因此，其中使用AOS作为其沟道层的TFT有希望成为用于显示器的背板的TFT。在例如"Nomura， et al. ， Room_Temperature Fabrication of TransparentFlexible Thin FilmTransistors using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature,vol. 432， PP. 488-492(2004)，，禾口"Yabuta， et al. ， High-Mobility Thin-FilmTransistorwith Amorphous InGaZn04 Channel Fabricated by RoomTemperature RF_magnetronSputtering, Appl. Phys. Lett. (APL) ，89， 112123(2006)"中公开了其中使用AOS作为其沟道层的TFT。 不管怎样，在通过有源矩阵(AM)有机EL显示器实现高质量显示器的情况下存在数个问题。更具体地，(1)有机EL器件的电压-亮度特性随时间改变，(2)作为驱动电路的构成元件的TFT的特性相互不同，以及(3)TFT的特性因电应力而改变。
这里，在将A0S-TFT用于驱动电路的情况中，由于A0S-TFT的均匀性高并且采用了用于控制从A0S-TFT提供给有机EL器件的电流的驱动电路，因此可以改善上文的问题(1)和(2)。 另一方面，由于AOS-TFT的特性因电应力而改变，因而上文的问题(3)仍然还在。

发明内容
本发明的目的在于抑制随由于电应力引起的TFT的特性改变的显示质量的劣化。
本发明的一种驱动薄膜晶体管电路的方法，其中该薄膜晶体管电路包括薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而改变，该方法的特征在于包括在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。 此外，本发明的一种驱动发光显示装置的方法，其中该发光显示装置包括多个像素，每个像素具有发光器件和用于驱动该发光器件的驱动电路，该方法的特征在于，该驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，该至少一个薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变，并且该驱动方法包括在该发光显示装置的非显示期间中将电应力施加在该薄膜晶体管的栅极端和源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。 此外，本发明的一种薄膜晶体管电路包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆改变；和电压施加单元，用于在该薄膜晶体管的栅极端和源极端之间施加电压作为电应力，该薄膜晶体管电路的特征在于，该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。 此外，本发明的一种发光显示装置包括多个像素，每个像素具有发光器件和用于
驱动该发光器件的驱动电路，该发光显示装置的特征在于，该驱动电路包括薄膜晶体管，
该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆改变；和电压施加
单元，用于在该薄膜晶体管的栅极端和源极端之间施加电压作为电应力；并且该电压施加
单元在该发光显示装置的非显示期间中将电应力施加在该薄膜晶体管的栅极端和源极端
之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。 根据本发明，由于可以使用处在阈值电压相对于电应力饱和的区域中的薄膜晶体
管(TFT)，因此可以抑制因电应力引起的TFT的特性改变的影响。 通过下面的参考附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。


图1是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1 (在Si基板上)的视图。
图2是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1的IchVg(漏极电流对栅极电压)特性的视图。 图3是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1的因电应力的阈值改变的视图。 图4是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1的从改变的情况恢复的恢复特性的视图。 图5是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1的应力改变的栅极电压依赖性的视图。 图6是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造1的多个Id-Vg特性的视图。
图7是示出本发明实施例1中的a-IGZO TFT的构造2 (在玻璃基板上)的视图。
图8是示出本发明实施例1中的像素电路的视图。 图9是示出施加电压以便在薄膜晶体管中使漏极和源极电位低于栅极电位的情况的电路图。
图10是示出改变漏极电压的情况中的阈值电压的改变的视图。
图11是示出本实施例的有机EL显示装置的像素区域的视图。
具体实施例方式
本发明的发明人通过改进AOS-TFT (非晶氧化物半导体_薄膜晶体管)的评估，获 得了如下知识。 S卩，尽管AOS-TFT具有通过电应力使阈值电压偏移的性质，但是该阈值电压的偏 移趋于随时间而饱和。在栅极电位高于源极电位的情况中出现阈值电压的偏移。对于 AOS-TFT的阈值电压的偏移，存在如下性质，即，通过消除电应力并且将AOS-TFT放置一定 期间，返回到施加电应力之前的情形。即，基于通过施加和消除电应力AOS-TFT的阈值电压 可逆地改变的性质，提出了根据本发明的AOS-TFT。注意，本发明可应用于其阈值电压因施 加在栅极端和源极端之间的电应力而改变的TFT，并且本发明不限于所述AOS-TFT。
在下文中，作为本发明的实施例，将给出关于有机EL显示装置(用作发光显示装 置)的描述，其中驱动器电路具有其中a-IGZO作为沟道层的AOS-TFT，并且有机EL器件用 作发光器件。 然而，本发明还可应用于其中除a-IGZO以外的AOS作为半导体的发光显示装置，
或者其中使用除有机EL器件以外的发光器件(例如无机EL器件)的发光显示装置。此外，
本发明可广泛地用于具有使用非晶氧化物半导体作为沟道层的TFT的薄膜晶体管电路。 本发明的薄膜晶体管电路具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在
栅极端和源极端之间的电应力而改变；和电压施加单元，其在该薄膜晶体管的栅极端和源
极端之间施加作为电应力的电压。当该薄膜晶体管未被驱动时，电压施加单元在栅极端和
源极端之间施加电应力，以在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。具
体地，在栅极端和源极端之间施加电压，使得在薄膜晶体管中栅极电位变得高于源极电位。
在施加电应力时，在薄膜晶体管中栅极电位可被设定为变为等于或高于漏极电位。 可以将电压施加到薄膜晶体管的源极端以便于低于栅极电位。图9是示出施加电
压以便于在薄膜晶体管中使漏极和源极电位低于栅极电位的情况的电路图。电压施加单元
由两个开关和两个电源V^和U勾成。在通常使用薄膜晶体管的时间点处，电压Vg被施加
到栅极端，电压Vd被施加到漏极端并且电压Vj皮施加到源极端。在使用薄膜晶体管之前的
时间点处，可以通过在向栅极端施加电压Vg的状态下导通(switch on)源极端侧的电源V^
并且向源极端施加电压Vs(Vg > Vs)，使栅极电位Vg保持高于源极电位Vs。在该情况中，在
导通漏极端侧的电源Vda时可向漏极端施加电压Vd(假设Vg > Vd或者Vg = Vd)。 作为除所述发光显示装置以外的使用AOS-TFT的AM设备，其可应用于例如使用压
敏器件的压力传感器或者使用光敏器件的光学传感器，并且可获得相似的效果。 本发明中描述的非晶被定义为在X射线衍射中未观察到明显的峰。 本发明的有机EL显示装置具有多个像素，该像素具有有机EL器件和用于驱动该
有机EL器件的驱动器电路。在该驱动器电路中至少提供用于控制施加到有机EL器件的电
流的驱动器a-IGZO TFT和改变驱动器TFT的连接的一个或多个开关。此外，在显示期间中，
驱动器TFT在阈值电压相对于电应力饱和的区域中操作。在本实施例中，阈值电压饱和的
6区域意指薄膜晶体管的阈值电压相对于电应力的变化率处于小的水平的区域。这里，阈值 电压的变化率处于小的水平的区域意指阈值电压相对于电应力的改变不影响薄膜晶体管 的驱动的区域。 在本实施例的有机EL显示装置中，通过在非发光期间中，例如在显示器的开关断 开的情况中，闭合和断开开关，在驱动器TFT中将高电平电压施加到栅极端并且将低电平 电压施加到源极端和漏极端。根据该操作，由于电应力被持续施加到驱动器TFT，因此驱动 器TFT可在不恢复阈值电压的偏移的情况下维持饱和区域。对于电应力的施加，可持续地 或间断地(例如，多次脉冲)施加电压。 之后，如果再次执行显示操作，则驱动器TFT将在阈值电压饱和的区域中操作。因 此，在本实施例的有机EL显示装置中，TFT中的阈值电压相对于电应力的偏移可被减小至 小的水平，并且可以抑制显示质量的劣化。 此外，优选的是，本发明的有机EL显示装置在制造该显示装置之后，不迟于开始 使用该显示装置之前至少48小时，并且更优选的是不迟于开始使用该显示装置之前24小 时，执行将电压施加到驱动器TFT的操作。通过执行本操作，从开始使用显示装置的时间 起，驱动器TFT可以在阈值电压相对于电应力饱和的区域中操作。 此外，更优选的是，本实施例的有机EL显示装置配备附属电池。通过配备附属电 池，即使在显示装置在移动中未连接至外部电源的情况中，仍可以执行施加电应力的操作。 由于向驱动器TFT施加电压的操作几乎不需要提供电流，因此操作中的功耗导致小的消 耗。(实施例1) 首先，将描述其中要在本实施例中使用的a-IGZ0作为沟道层的TFT的特性。
将如下说明a-IGZ0 TFT的制造方法。 如图1中示出的，在高浓度地注入了诸如P(磷)或As(砷)的杂质的Si基板30 上形成厚度为100nm的热氧化Si02绝缘膜20。这里，Si基板30的一部分构成栅电极。
之后，通过将多晶IGZO作为靶的溅射淀积方法在室温下淀积厚度为50nm的 a-IGZO膜10。接着，通过用依赖于光刻方法和稀释的盐酸的湿法刻蚀工艺对a-IGZO膜10 构图，形成沟道层。 随后，在通过光刻方法对抗蚀剂构图后通过EB(电子束)气相淀积方法淀积Ti层
(5nm)50和Au层(40nm) 40之后，通过剥离方法形成Au/Ti的源极和漏极电极。 然后，进一步在30(TC的温度下执行退火工艺一小时。 根据上述工艺可以形成如图1中所示的a-IGZO TFT。 下面将说明可通过上述制造方法获得的a-IGZO TFT的电气特性。 图2示出了该TFT的Id-Vg特性。该TFT的沟道宽度为80 y m，沟道长度为10 y m，
阈值电压为-0. IV并且迁移率是18cm7Vs，该TFT的迁移率是普通a-Si TFT的迁移率的十倍大。 图3中示出了对于该TFT在栅极端和漏极端之间的部分被短路并且在漏极端和源 极端之间施加27iiA的恒定电流的情况中的阈值电压改变(AVTH)。图3中的横轴表示施加 电应力的时间。此时，使栅极电位高于源极电位。并且，使栅极电位等于漏极电位。例如， 图3中标在横轴上的标志5E+04表示5X 104。
在该情况中，恒定电压被施加到栅极端和漏极端。此外，在源极端上提供可变电 源，使得恒定电流在漏极端和源极端之间流动。即，由于在漏极端和源极端之间流动的电流 由栅极端和源极端之间的电位差确定，因此在源极端上提供的电源的电压被调节以使得在 漏极端和源极端之间流动的电流变为恒定电流。 并且，根据栅极端的电压大于源极端的电压的事实，电应力被施加到TFT。在该情 况中，TFT的阈值电压逐渐增加。因此，为了将漏极端和源极端之间流动的电流设置为恒定 电流，需要增加栅极端和源极端之间的电位差。出于该原因，进行调节以使得随着应力施加 时间的增加，在源极端上提供的电源的电压变为小的电压。 相比于在从过去了 20个小时(约70000秒)的时间到过去了 60个小时的时间的 期间中阈值电压变化约为1V的事实，在从开始测量的时间到过去了约70000秒的时间的期 间中阈值电压变化约3V。因此，这被认为在应力施加时间达到一定水平时，阈值电压因电 应力的变化率接近恒定水平。例如，在图3中示出的情况中，阈值电压变化约为1V的区域 (过去了约70000秒之后)是阈值电压的饱和区域，并且在该区域中驱动TFT。
顺便提及，图3示出了电应力被施加到使用非晶氧化物半导体的薄膜晶体管的情 况中的应力施加时间和阈值电压之间的关系的示例。应力施加时间和阈值电压之间的关系 根据要使用的非晶氧化物半导体的性质和应力施加条件(电压或温度等)而变化。
图4中示出了在向通过上述方法获得的另一a-IGZO TFT (沟道宽度是180 y m并 且沟道长度是30 ii m)施加栅极电压12V、漏极电压6V和源极电压OV的电应力800秒之前 和之后的Id-Vg特性的波形。图4中类似地示出了之后将同一 TFT存储在暗处两天之后的 Id-Vg特性的波形。根据图4，在将该TFT存储在暗处两天(48小时)的情况下，阈值电压因 电应力的改变被恢复。即，这说明在等于或小于48小时的期间中电应力保持影响。因此， 可以理解，阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而被可逆地改变。
此外，在将漏极电压固定于6V并且将源极电压固定于GND时，在一些栅极电压下， 将电应力施加到通过上述方法获得的另一 a-IGZO TFT(沟道宽度是180 y m并且沟道长度 是30iim)400秒。栅极电压的种类有五种-12V、-6V、4V、8V和12V。图5示出了阈值电压 因电应力的变化。根据图5，在栅极电压低于源极电压(等于或小于OV)的情况中几乎从未 观察到阈值改变。而且，在栅极电压高于源极电压和漏极电压的情况(12V)中，导致阈值改 变变为最大改变。 此外，在将栅极电压固定于20V并且将源极电压固定于GND时，在一些漏极电压 下，将电应力施加到a-IGZO TFT(沟道宽度是180iim并且沟道长度是30iim)400秒。图10 示出了改变漏极电压的情况中的阈值电压变化。根据图10，可以理解，随着漏极电压接近栅 极电压(20V)，阈值改变变小。 此外，图6中示出了通过上述方法获得的沟道宽度为180iim并且沟道长度为 30 ii m的a-IGZO TFT的Id-Vg特性。图6是重叠绘制的8个TFT的Id-Vg特性的视图，并 且当重叠绘制的特性越是几乎可以看成在一个特性中时，特性的均匀性达到越高的水平。
通过使用呈现出上述特性的a-IGZO TFT，将通过如下方法制造图7中示出的有机 EL显示装置。 首先，在玻璃基板60上通过气相淀积方法淀积由Ti层50-1、 Au层40_1和Ti层 51-1组成的Ti/Au/Ti堆叠膜，作为栅极线和栅极电极。通过使用光刻方法和剥离方法执行对Ti/Au/Ti堆叠膜的图案形成。 接着，通过溅射方法淀积Si0j莫作为绝缘层21。通过光刻方法和使用缓冲的氢氟 酸的湿法刻蚀方法执行对Si02膜的图案形成。 随后，通过溅射方法形成a-IGZO膜10作为沟道层。通过光刻方法和使用稀释的 盐酸的湿法刻蚀方法执行对a-IGZO膜10的图案形成。 随后，通过气相淀积方法淀积由Ti层50-2、 Au层40_2和Ti层51_2组成的Ti/ Au/Ti堆叠膜，作为数据配线和源极_漏极电极。通过使用光刻方法和剥离方法执行对Ti/ Au/Ti堆叠膜的图案形成。 随后，淀积Si02膜52作为层间绝缘膜。通过光刻方法和使用缓冲的氢氟酸的湿 法刻蚀方法执行对Si02膜52的图案形成。 随后，通过旋涂(spin coat)方法淀积光敏聚酰亚胺膜70作为平坦化膜。由于使
用光敏聚酰亚胺，因此可通过光刻方法执行曝光工艺并且执行分离工艺，执行对光敏聚酰
亚胺膜70的构图。 随后，形成有机EL器件。 首先，通过溅射方法淀积ITO(铟锡氧化物)膜80作为阳极电极。通过光刻方法 和使用ITO剥离溶液的湿法刻蚀方法或干法刻蚀方法执行对ITO膜80的图案形成。
随后，通过旋涂方法淀积光敏聚酰亚胺膜71作为器件分离膜。由于使用光敏聚酰 亚胺，因此可通过光刻方法执行曝光工艺并且执行分离工艺，执行对光敏聚酰亚胺膜71的 构图。 随后，通过气相淀积方法淀积有机膜90作为发光层。通过金属掩模方法执行对有 机膜90的图案形成。 随后，通过气相淀积方法淀积A1膜作为阴极电极100。通过金属掩模方法执行对 Al膜的图案形成。 最后，可通过使用玻璃基板61执行玻璃密封，制造有机EL显示装置(图7)。
图8示出了本实施例的有机EL显示装置中的像素电路。该像素电路对应于构成 除有机EL器件(OLED(有机发光二极管))之外的由虚线围绕的部分的电路。图ll示出了 本实施例的有机EL显示装置的像素区域。在图11中，参考符号S1至S6表示用于操作电 压施加单元的开关，并且像素由有机EL器件(OLED)和像素电路组成。在本实施例中，用作 驱动器电路的像素电路由三个a-IGZO TFT(TFT1、TFT2和TFT3)构成，并且电容器C存在于 TFT1的栅极端和源极端之间。TFT1是用于控制提供给有机EL器件(OLED)的电流的驱动 器TFT，并且TFT2和TFT3作为开关操作。 最初，将描述本实施例中的通常显示期间中的操作。这里，尽管将描述安置在由m 行和n列定义的位置上的像素的操作，但是其他像素的操作与上述像素的相同。在通常显 示期间中，开关Sl至S6处于断开状态。 在选择扫描线SLm的期间中，高电平电压被施加到扫描线SLm，并且TFT2和TFT3导 通。在该选择期间中，经由TFT2从数据线DLn向TFT1的栅极端施加灰度级(gray-scale) 电压。并且，经由TFT3从GND线向TFT1的源极端施加GND电压。之后，当选择下一级的扫 描线时，低电平电压被施加到扫描线SLm，并且TFT2和TFT3关断(switch OFF)。此时，对 于TFT1的栅极端和源极端之间的电压，通过电容器C保持选择期间中的灰度级电压。只要
9TFT1在饱和区域中操作，就通过该灰度级电压确定要在TFT1中流动的电流。因此，可通过 该灰度级电压的幅度控制提供给0LED的电流，即控制0LED的亮度。 对于显示器上的所有扫描线，上述扫描线的选择每秒执行60次。S卩，一个帧期间 对应于1/60秒的比例。 接着，将描述本实施例中的非显示期间中的操作。尽管将描述安置在由m行和n
列定义的位置的像素的操作，但是其他像素的操作与上述像素的相同。 在本实施例的有机EL显示装置中，在至少一部分非显示期间中选择所有扫描线
SLm和数据线DLn，并且TFT2和TFT3导通。并且，在使开关S4至S6导通时，高于GND电压
的恒定电压VB被施加到数据线DLn。而且，在使开关S1至S3导通时，TFT1的漏极电压(即
电压Vdd)被设置为GND电压。 此时，电流未在OLED中流动，同时电应力持续施加到TFT1。因此，TFT1保持阈值 电压相对于电应力的值是饱和的状态。 通过执行上述操作，本发明的有机EL显示装置可在阈值电压相对于电应力的饱
和区域中操作a-IGZO TFT。结果，可以抑制因电应力引起的图像质量的劣化。 注意，由于TFT2和TFT3作为开关操作，因此即使阈值电压偏移，如果TFT的驱动
电压预先被设定为预定值，则仍可以驱动TFT。因此，尽管不总是需要向TFT2和TFT3施加
电应力，但是在期望将TFT的驱动电压设定为恒定电压时，S卩，在期望抑制阈值电压变化的
影响时，可以通过与TFT1的情况类似的方式施加电应力。(实施例2) 本实施例的有机EL显示装置进一步在实施例1的有机EL显示装置中包括电池， 并且使得在不从外部提供电力的情况下能够在实施例1中示出的至少一部分非显示期间 中执行施加电应力的操作。 在完成产品制造之后，通过施加电应力可将TFT1实现为在阈值电压对于电应力
的饱和区域中操作。此外，通过使用电池执行上述非显示状态中的操作，可在直到开始使用
之前的时间，使TFT1保持在所述相对于电应力的改变饱和的区域中操作的状态。 而且，通过提供电池，即使在有机EL显示装置与电源分离并且移动的情况中，仍
可使TFT1保持在相对于电应力的改变饱和的区域中操作的状态。 然而，由于在等于或长于48小时的时间过去了之后发生上述特性的恢复，因此关 于上述操作，期望避免从开始使用的时间起空出(space)等于或长于48小时的时间。更优 选地，必须避免空出固定于24小时内的时间。 在上述非显示状态的操作中，由于不存在除泄漏电流之外的电流流动路线，因此 从电池提供的用于执行上述非显示状态中的操作的电力是小的电力。因此，在将本实施例 的有机EL显示装置安装在诸如笔记本型PC或移动电话的具有电池的装置上的情况中，通 过执行上述非显示状态中的操作而引起的对电池的可用供电期间的影响是非常小的。
在完成产品制造之后施加电应力的情况中，通过一起施加温度和电应力，可縮短 TFT1达到阈值电压相对于电应力饱和的区域所耗费的时间。 如上文所述，在本实施例中，在具有其中a-IGZO TFT用作组成要素的驱动器电路 的有机EL显示装置中，可以抑制因电应力引起的显示质量的劣化。 尽管在实施例1和2中给出了仅涉及a-IGZO膜作为沟道层的TFT的描述，但是本发明也可以应用于对于电应力具有相似特性的AOS-TFT。 此外，在实现在多灰度级方面更优异的显示装置的情况中，即使采用具有阈值校 正功能的驱动器电路或者具有电流镜构造的驱动器电路，通过如上文所述在非显示期间中 向驱动器TFT施加电压，仍可以获得相同的效果。 此外，在实施例2中，从发光显示装置配设的或者包括该显示装置的系统配设的
电池提供施加电压所需的电力，并且在不从发光显示装置的外部电源提供电力的情况下，
在非发光期间中施加电压。因此，即使未提供外部电源，仍可以施加电压。 本发明可应用于具有如下AOS-TFT的发光装置，在该AOS-TFT中，发光器件的驱动
器电路用于将AOS作为沟道层。本发明还可以应用于除发光显示装置以外的使用AOS-TFT
的AM设备，例如，使用压敏器件的压力传感器或者使用光敏器件的光学传感器。 尽管已参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的
示例性实施例。下面的权利要求的范围应予以最宽泛的解释，以便于涵盖所有这些修改以
及等效的结构和功能。 本申请要求在2007年8月10日提交的日本专利申请No. 2007-209984的优先权， 其整体内容在此处并入作为参考。
权利要求
一种薄膜晶体管电路的驱动方法，所述薄膜晶体管电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而改变，所述驱动方法包括在所述薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中通过使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位，来施加所述电应力。
3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中在施加所述电应力时，使所述薄膜晶体管的所述栅极电位等于或高于漏极电压。
4. 一种发光显示装置的驱动方法，所述发光显示装置包括多个像素，每个像素具有发光器件和用于驱动所述发光器件的驱动电路，其中所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而改变，并且所述驱动方法包括在所述发光显示装置的非显示期间中将所述电应力施加在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。
5. 如权利要求4所述的发光显示装置的驱动方法，其中通过使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位，来施加所述电应力。
6. —种薄膜晶体管电路，其包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而改变；和电压施加单元，其适于在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间施加电压作为所述电应力，其中所述电压施加单元在所述薄膜晶体管未被驱动时将所述电应力施加在所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。
7. 如权利要求6所述的薄膜晶体管电路，其中所述电压施加单元使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位。
8. 如权利要求6所述的薄膜晶体管电路，其中所述薄膜晶体管使用非晶氧化物半导体作为沟道层。
9. 一种发光显示装置，其包括多个像素，每个像素具有发光器件和用于驱动所述发光器件的驱动电路，其中所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而改变；和电压施加单元，其适于在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间施加电压作为所述电应力，并且所述电压施加单元在所述发光显示装置的非显示期间中将所述电应力施加在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。
10. 如权利要求9所述的发光显示装置，其中所述电压施加单元使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位。
11. 如权利要求9所述的发光显示装置，其中施加所述电压所需的电力由所述发光显示装置提供或者从包括所述发光显示装置的系统中设置的电池提供。
12. 如权利要求9所述的发光显示装置，其中所述发光显示装置的所述薄膜晶体管使用非晶氧化物半导体作为沟道层。
全文摘要
为了抑制在TFT的使用中电应力对TFT特性的影响，根据本发明的发光显示装置包括有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动电路。该驱动电路包括多个像素，每个像素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单元，其将该薄膜晶体管的栅极电位设定为高于源极电位。该电压施加单元在该薄膜晶体管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。
文档编号G09G3/20GK101772797SQ20088010208
公开日2010年7月7日 申请日期2008年7月29日 优先权日2007年8月10日
发明者安部胜美, 林享, 清水久惠 申请人:佳能株式会社