显示板的驱动电路和显示设备的制作方法

专利名称：显示板的驱动电路和显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示板的驱动电路和一种显示设备。
背景技术：
已知各种平板显示设备，诸如电子束显示设备、等离子显示设备
和有机EL显示设备。这种显示设备具有显示板(矩阵板)，在显 示板中，多个显示器件以矩阵图案被排列；以及驱动显示器件的驱动 电路。
第2003-131611号日本特许公开专利申请^Hf 了 一种显示设备的 驱动电路，其使用运算放大器来控制电压的反馈。然而，在该电路配 置中，为了在电位转移时抑制过沖和下冲，应该在宽的输出电压范围 上确保放大器的相位特性，所述输出电压范围包括选择电位到非选择 电位。
第2004-4429号日本特许公开专利申请公开了一种驱动电路，其 使用具有不同导通状态电阻(ON-state resistance)的多个MOSFET 的组合。然而，在该电路配置中，为了避免由MOSFET的导通状态 电阻导致的电压下降，应该增加MOSFET的尺寸。

发明内容
本发明的目的在于提供一种显示板的驱动电路和一种显示设备， 其能够以简单且便宜的电路配置来输出稳定的驱动波形。
本发明的第一方面是一种显示板的驱动电路，其驱动具有配线以 及连接到配线的显示器件的显示板，所述驱动电路包括第一开关， 用于将所述配线的电位向第一电位转移；反馈放大器，用于将所述配 线的电位保持在第一电位；以及第二开关，用于选择是否将来自反馈放大器的输出提供给所述配线，其中，第一开关和第二开关并联连接 到所述配线，以及第一开关的驱动能力低于反馈放大器的驱动能力。
本发明的第二方面是一种显示设备，其包括上述驱动电路l; 以及,皮所述驱动电路驱动的显示板。
根据本发明，可提供显示板的驱动电路以及显示设备，其中，所 述驱动电路能够以简单且便宜的电路配置来输出稳定的驱动波形。


图l是示出根据第一实施例的扫描驱动单元的电路配置的示图； 图2A是示出图像显示设备的平面图，图2B是示出图像显示设 备的截面图3是示出扫描驱动单元的框图4是示出根据第一实施例的扫描驱动单元的操作和输出波形 的示图5是示出根据第二实施例的扫描驱动单元的电路配置的示图； 图6是示出自开关(selfswitch)的电路配置的示图； 图7是示出传统扫描驱动单元的电路配置的示图； 图8是解释图7的电路的操作的示图；以及 图9A是示出驱动液晶背光的结构的平面图，图9B是驱动液晶 背光的结构的截面图。
具体实施例方式
以下将参照附图来描述本发明的实施例。在实施例的所有附图 中，相同或相应的部分由相同的符号来表示。
本发明可优选地应用于具有显示板(矩阵板)的图像显示设备， 在所述显示板中，多个显示器件以矩阵图案被排列。这种图像显示设 备的例子为电子束显示设备、等离子显示设备和有机EL显示设备。 在电子束显示设备中，优选地，使用冷阴极器件，诸如FE类型的电 子发射器件、MIM类型的电子发射器件或表面传导电子发射器件。
4<第一实施例> (图像显示设备的结构)
图2A和图2B是示出图像显示设备的结构的示图，图2A是平面 图，图2B是截面图。图像显示设备包括矩阵板(显示板)l、控制 单元4、扫描驱动单元5和调制驱动单元6。扫描驱动单元5和调制 驱动单元6分别由IC (集成电路)组成。矩阵板1具有背板1A和面 板3B，在背板1A上排列有多个电子发射器件3A (还作为电子源)， 在面板3B上排列有荧光体3C。表面传导电子发射器件被用作电子发 射器件3A。背板1A上的电子发射器件是通过扫描配线2和调制配线 3矩阵驱动的。扫描配线2经由柔性的印刷配线板(FPC)等连接到 扫描驱动单元5的输出端。调制配线3经由FPC等连接到调制驱动 单元6的输出端。
控制单元4控制扫描驱动单元5和调制驱动单元6,几十伏的驱 动电压被施加到扫描配线2与调制配线3之间。结果，从电子发射器 件3A发射电子。几kV到几十kV的高电压被施加到面板3B。从电 子发射器件3A发射的电子被吸引到面板3B，并碰撞到荧光体3C。 结果，可获得光发射。通过在预定的时间段碰撞到荧光体3C的电子 量来确定此时的亮度。因此，可通过驱动电压的值或施加时间段或者 它们两者来控制亮度。结果，实现了灰度显示。
在第一实施例中，控制单元4控制将被施加到扫描配线2的扫描 信号以及将被施加到调制配线3的调制信号的电压，从而显示各种视 频。通过电子发射器件的驱动电压(扫描信号与调制信号之间的电位 差)来确定如先前所述通过来自荧光体3C的光发射获得的亮度。因 此，为了获得精确的亮度特征，电子发射器件3A的驱动电压的稳定 性(即，防止驱动电压的波形扰动(waveform disturbance)(过冲、 下冲、振铃现象(ringing)等))变得重要。 (驱动单元)
扫描驱动单元5是选择一个或多个扫描配线2的驱动电路。扫描 驱动单元5将选择电位施加到将被选择的扫描配线2,并将非选择电
5位施加到其它扫描配线2。将被选择的扫描配线2被顺序地切换，从 而实现垂直方向的扫描。扫描驱动单元5由集成电路组成。如果一个 集成电路扫描所有的扫描配线，则从该集成电路到各个扫描配线的路 径长度差变大。为了解决这一问题，使用多个(4个)集成电路，从 而组成该实施例中的扫描驱动单元5.
调制驱动单元6是将基于输入图像信号调制的调制信号施加到 调制配线3的驱动电路。从单个或多个恒压电源的输出产生调制信号。 调制驱动单元6也由几个集成电路(在该实施例中为5个集成电路) 组成。
(调制信号)
参照图4来描述调制信号。标号207指示将被施加到行N上的 扫描配线的扫描信号的波形，标号208指示将被施加到行N+1上的扫 描配线的扫描信号的波形。负十几V到正几十V的选择电位被施加 到将被选择的行达到预定的时间段(例如， 一个水平扫描时间段)。 标号209指示将被施加到特定调制配线的调制信号的波形。调制驱动 单元6在选择电位被施加到扫描配线的时间段(LOW时间段)期间 输出调制信号。在该实施例中，使用脉宽调制波形为正几十V的调制 信号。通常，在使用表面传导电子发射器件的图像显示设备中，脉宽 越宽，亮度的积分值变得越大，器件变得越亮。因此，在图4的示例 中，行N+1上的显示器件的亮度高于行N上的显示器件的亮度。 (扫描驱动电路)
以下将具体描述扫描驱动电路5的结构和操作。图3是扫描驱动 单元5的框图。如图3所示，扫描驱动单元5具有移位寄存器单元 7、緩冲开关8、反馈开关9B和反馈放大器9。
移位寄存器单元7是确定将被选择的行并产生/输出控制信号的 逻辑电路。移位寄存器单元7包括由D触发器组成的移位寄存器(未 示出)以及用于对来自移位寄存器的输出、移位时钟和移位数据的输 出执行逻辑操作的逻辑装置。
緩冲开关8是这样一种电路，其用于将从移位寄存器单元7输出的移位数据(控制信号)转换为驱动扫描配线所需的电压/电流电平， 并输出转换的数据。
反馈开关9B是这样一种电路，其用于基于来自移位寄存器单元 7的信号来选择哪个IC驱动输出(输出端焊盘)IO将被连接到放大 器9的输入9A。所选择的行(扫描配线)的电位被反馈到放大器9。 选择电位vi作为参考电位REF被连接到放大器9的另一输入。放大 器9将所选择的扫描配线的电位与参考电位REF进行比较，从而使 用根据两者之间的差的信号来控制緩沖开关8。结果，所选择的扫描 配线的电位被保持在参考电位REF。
以下将具体描述緩冲开关和放大器的操作。为了简化描述，仅描 述涉及一个通道的输出的结构。
参照图7和图8来描述传统结构。图7中用于反馈的N-ch MOSFET相应于图3中的反馈开关9B。强驱动能力P-ch MOSFET (高驱动能力的P-chMOSFET) 12将IC驱动输出IO控制到非选择 电位V2，从而将扫描配线的电位调节到非选择电位V2。强驱动能力 N-ch MOSFET (高驱动能力的N-ch MOSFET) ll将扫描配线的电 位调节到选择电位VI。用于每一扫描配线的强驱动能力N-ch MOSFET 11的源端被连接到公共行，公共行经由AMP—N-ch MOSFET 14被连接到OPAMP (运算放大器)15的输出端。图8所 示的N-行FB选择SW信号IOI在选择时间段期间被输入到用于反馈 的N-ch MOSFET 13。用于反馈的N-ch MOSFET 13随后导通，选择 的IC驱动输出10的电位被反馈到OPAMP 15。由于由流入扫描配线 的电流和强驱动能力N-ch MOSFET 11的导通状态电阻造成的电压 下降，IC驱动输出10的电位低于选择电位VI。因此，OPAMP 15 将IC驱动输出10的电位与参考电位(选择电位VI)进行比较，并 控制AMP_N-ch MOSFET 14，从而IC驱动输出10变为参考电位。 结果，可获得如图8所示的N-行输出波形103。
在传统结构中，放大电路的工作电压应该应付非选择电位V2到 选择电位VI之间的所有电位。为了抑制波形扰动，放大器频带和转换速率应该净皮控制在整个扫描电压范围之内。因此，OPAMP 15和 AMP—N-ch MOSFET 14在整个电压范围之内需要高的速度，因此， 这导致成本的增加。
在该实施例中，实现了对所述AMP电路没有施加严格要求的电 路配置和驱动方法。参照图l和图4来具体描述扫描驱动单元的结构。 为了简化例示，图l仅示出用于两个通道的输出电路的结构，但是以 相应于通道数量(扫描配线的数量)的方式来提供输出电路。对于多 个通道共同提供反馈放大器。
在图1中，IC驱动输出10是连接到扫描配线2的输出端焊盘。
包括强驱动能力P-ch MOSFET 12和弱驱动能力P-ch MOSFET (低
驱动能力的P-ch MOSFET)17的这两个开关作为用于非选择电位V2
的驱动装置并联连接到扫描配线。强驱动能力P-ch MOSFET 12将扫
描配线2驱动到非选择电位V2。弱驱动能力P-ch MOSFET 17是驱
动能力低于强驱动能力P-ch MOSFET 12的驱动能力(例如，导通状
态电阻是10倍高的)的开关，用于将扫描配线的电位从选择电位转 移到非选择电位。
包括强驱动能力N-ch MOSFET ll和弱驱动能力N-ch MOSFET U氐驱动能力的N-ch MOSFET) 16的两个开关作为用于选择电位 VI的驱动装置并联连接到扫描配线。提供扫描配线的电位所反馈到 的OPAMP 15，并且OPAMP 15的输出被连接到强驱动能力N-ch MOSFET 11的源极。弱驱动能力N-ch MOSFET 16 (第一开关)是 驱动能力低于强驱动能力N-ch MOSFET 11的驱动能力(例如，导通 状态电阻是10倍高)的开关，并用于将扫描配线的电位从非选择电 位转移到选择电位(第一电位)。弱驱动能力N-ch MOSFET 16的驱 动能力〗氐于OPAMP 15的驱动能力。OPAMP 15是将扫描配线的电 位保持在选择电位的反馈放大器。强驱动能力N-ch MOSFET 11 (第 二开关)是选择是否将来自OPAMP 15的输出提供给扫描配线的开 关。
用于反馈的N-ch MOSFET 13是将选择的扫描配线(由选择电位驱动)的电位连接到OPAMP 15的输入的开关。反馈截止(off) 开关18是用于当扫描配线的电位被从选择电位转移到非选择电位或 从非选择电位转移到选择电位时将OPAMP 15的输出固定在参考电 位的开关。波形与移位时钟200的波形(见图4)相同且电平被移位 的信号被输入到反馈截止开关18的栅极。至于它的DC电位，Lo是 AMP_N-ch MOSFET 14的漏极电压，Hi是它的漏极电压(5V)。在 扫描配线的电位转移时间段期间，反馈截止开关18被导通，即，没 有扫描配线处于选择电位。
以下参照图4来具体描述扫描配线的驱动方法。 移位寄存器单元7基于移位时钟200和移位数据200A来输出 N-行选择WEAK—SW信号201。 N-行选择WEAK—SW信号201通过 电平移位器(未示出)被电平移位到可驱动弱驱动能力N-ch MOSFET 16的栅极的电压电平。弱驱动能力N-ch MOSFET 16在N-行选择 WEAK一SW信号201是Hi期间导通。结果，N-行驱动波形207 (将 被输出到N-行扫描配线的信号的波形)稳定地从非选择电位(例如， +10V)转移到选择电位(例如，-10V)。弱驱动能力N-chMOSFET 16的导通状态电阻被设置到几十Q到几十kQ,从而在电位转移时不 会出现波形扰动(过冲、下冲、振铃现象等)。将扫描配线的电位控 制到选择电位。
移位寄存器单元7输出N-行FB—SW/N-行选择AMP—SW信号 202。该信号由緩沖开关8中的电平移位器移位到强驱动能力N-ch MOSFET 11的栅极和用于反馈的N-ch MOSFET 13的栅极可被驱动 的电压电平。结果，强驱动能力N-ch MOSFET 11和用于反馈的N-ch MOSFET 13同时导通。此外，N-行FB—SW/N-行选择AMP—SW信号 202被反转，它的电平被移位，以便使反馈截止开关18截止。结果， 选择的扫描配线的电位被控制到参考电位(选择电位(例如，-10V))。
所述反馈控制校正由于扫描配线2的电流改变和强驱动能力 N-ch MOSFET 11的导通状态电阻造成的电压下降的影响，从而扫描 配线的电位可保持恒定。然后，当N-行FB—SW/N-行选择AMP—SW信号202是Lo时， N-行IC驱动输出10从反馈电路断开。同时，对N+l-行选择 WEAK一SW信号204进行电平移位。在N+l-行选择WEAK一SW信号 204是Hi的时间段期间，用于行N+l的弱驱动能力N-ch MOSFET 16 导通，用于行N的弱驱动能力P-ch MOSFET 17导通。弱驱动能力 P-ch MOSFET 17的导通状态电阻被设置到几十Q到几十kQ ，从而在 电位转移时不会出现波形扰动。结果，N-行驱动波形207稳定地从选 择电位转移到非选择电位。然后，强驱动能力p-ch MOSFET 12将
N-行IC驱动输出固定到非选择电位。
根据该实施例中的电路配置，通过OPAMP 15的反馈控制，扫 描配线上的驱动信号的电位(选择电位)保持在适当值。由于在电位 转移时使用低驱动能力的开关，所以电位的突发改变可被抑制，从而 可防止波形扰动，诸如，过冲、下冲或振铃现象。由于OPAMP 15 工作的时序是在借助于弱驱动能力N-ch MOSFET 16转移到选择电 位之后，所以OPAMP15的输出电位几乎不会从作为参考电位(选择 电位)的大约-10V偏离。为此，可在大约-10V的较小电压范围内确 保对转换速率和AMP频带的要求。提供专门用于电压转移的开关， 从而减緩对于OPAMP15的性能需求。因此，可便宜地制造具有反馈 放大器的高度可靠的驱动电路。
<第二实施例>
在第一实施例中，通过从移位寄存器单元7发送的控制信号来控 制从开关驱动到AMP驱动的切换。通常，通过较低的电压(例如， 3.3V)来操作诸如移位寄存器的逻辑电路。为此，为了驱动用于输出 大约十伏到几十伏的驱动电压的开关，应该通过电平移位器来移位控 制信号的电压电平。
相反，在第二实施例中，通过在緩冲开关8中的自开关(控制电 路)来实现从开关驱动到AMP驱动的切换。结果，简化了电路配置， 并实现了从开关到AMP的精确切换时序。由于第二实施例的结构的 其它部分与第一实施例的类似，所以以下将主要描述第二实施例的特
10征结构。
(扫描驱动单元)
图5是示出根据第二实施例的扫描驱动单元的框图。如图5所示， 用于P-ch的自开关19被连接到强驱动能力P-ch MOSFET 12的栅极。 用于P-ch的自开关19是这样一种电路，其用于根据来自弱驱动能力 P-ch MOSFET 17的输出来输出用于控制强驱动能力P-ch MOSFET 12的控制信号。用于N-ch的自开关20被连接到强驱动能力N-ch MOSFET 11的栅极。用于N-ch的自开关20是这样一种电路，其用 于根据来自弱驱动能力N-ch MOSFET 16 (第一开关)的输出来输出 用于控制强驱动能力N-ch MOSFET 11 (第二开关)的控制信号。
(自开关)
图6示出自开关的电路配置。自开关包括由运算放大器组成的电 压比较器43以及AND门电路44。用于P-ch的自开关19和用于N-ch 的自开关20具有相同的基本结构。
电压比较器43的一个输入40被连接到扫描配线(弱性能 MOSFT 16和17的输出)，电压比较器43的另一个输入41被连接 到标准电位。在用于P-ch的自开关19中，参考电位被设置到低于非 选择电位V2的电位(例如，V2-l伏)。在用于N-ch的自开关20中， 参考电位被设置到高于选择电位VI的电位(例如，Vl+1伏)。
VC和VE是电压比较器43的电源端。由于电压比较器43将输 入/输出电压视为等同于选择电位VI或非选择电位V2，所以根据输 入/输出电压的电源电压是必要的。在该实施例中，VC被连接到GND， VE被连接到选择电位VI减去几V (例如，V1-5V)的电源。将高于 将被提供给移位寄存器单元7的电源电压(例如，不超过3.3伏)的 电源电压(例如，大于等于5伏到多达几十伏)提供给自开关。
AND门电路44的一个输入被连接到电压比较器43的输出，以 及AND门电路44的另一个输入被连接到WEAK一MOSFET的栅极 (电平移位器的输出)。AND门电路44的输出被连接到 STRONG MOSFET的栅极。(P-Ch自开关的操作)将具体描述用于P-ch的自开关19的操作。弱驱动能力P-chMOSFET17导通，输出IO的电位向非选择电 位V2上升。用于P-ch的自开关19的电压比较器43将输出10的电 位与参考电位(例如，V2-l伏)进行比较。当输出10的电位超出参 考电位时，电压比较器43输出ON信号。AND门电路44获得来自电 压比较器43的输出与通过将弱驱动能力P-ch MOSFET 17的栅极控 制信号反向而获得的信号的AND。也就是说，当弱驱动能力P-ch MOSFET 17处于ON状态且输出10的电位升至接近非选择电位V2 (目标值)时，栅极控制信号被从AND门电路44输出到强驱动能力 P國ch MOSFET 12。结果，强驱动能力P-ch MOSFET 12导通。通过 锁存电路(未示出)来保持强驱动能力P-ch MOSFET 12的ON状态， 直到弱驱动能力N-ch MOSFET 16导通。 (N-ch自开关的操作)将具体描述用于N-ch的自开关20的操作。弱驱动能力N-ch MOSFET 16导通，输出10的电位向着选择电 位V1下降。用于N-ch的自开关20的电压比较器43将输出10的电 位与参考电位(例如，Vl+1伏)进行比较。当输出10的电位低于参 考电位时，电压比较器43输出ON信号。AND门电路44获得来自电 压比较器43的输出与来自弱驱动能力N-ch MOSFET 16的栅极控制 信号的电压的AND。也就是i兌，当弱驱动能力N-ch MOSFET 16处 于ON状态且输出10的电位降至接近选择电位VI (目标值)时，栅 极控制信号被从AND门电路44输出到强驱动能力N-ch MOSFET 11。结果，强驱动能力N-ch MOSFET 11导通。通过锁存电路(未示 出)来保持强驱动能力N-ch MOSFET 11的ON状态，直到弱驱动能 力P-ch MOSFET 17导通。在第一实施例中使用电平移位器的结构中，由于按照电平移位器 的时序来控制MOSFET的驱动，所以高速且精确的电平移位器是必 需的。相反，在第二实施例的结构中，自开关根据输出电位(即，当输出电位到达目标值时)自动开始驱动强能力MOSFET。因此，可 按照适当和精确的时序来驱动各个MOSFET。由于对精度的要求降 低，所以电路可被简化。此外，由于可大大减少电平移位器的数量， 所以可减少驱动IC的芯片面积。 <第三实施例>在第一和第二实施例中，扫描驱动单元5驱动图像显示设备的矩 阵板，但是在第三实施例中，扫描驱动单元5驱动液晶显示设备的 LED背光。结果，当背光的亮度不规则得到抑制时，实现了在低成本 下对行的连续驱动。图9A和图9B是示出用于驱动液晶显示设备的 LED背光的结构的图，图9A是平面图，图9B是截面图。液晶显示设备的LED背光具有LED矩阵54、控制单元56、行 驱动单元57和列驱动单元58。行驱动单元57和列驱动单元58分别 由IC (集成电路)组成。LED矩阵51中排列有多个LED块51( LED被串联连接)，LED 矩阵51将光从液晶板55的背面射向液晶板55，从而显示期望的图像。LED矩阵51上的LED块54是通过行选择配线52和列选择配 线53进行矩阵驱动的。行选择配线52经由电阻59被分别连接到行 驱动单元57的输出端。列选择配线53被分别连接到列驱动单元58 的输出端。控制单元56控制行驱动单元57和列驱动单元58，并例如经由 电阻59在行选择配线52与列选择配线53之间施加几十伏的驱动电 压。结果，LED块54发射光。LED块根据液晶板55上的视频来发 射光，从而屏幕的明亮部分明亮地发射光，屏幕的暗部分轻微地发射 光。结果，实现了根据视频的亮度控制(局部变暗)。在该实施例中，控制单元56控制切换列选择配线53的时序、选 择时间以及将电压施加到行选择配线52的时序。结果，使得亮度控 制与视频同步。通过施加到LED块54的电压(通过电阻59控制的施加到LED 块54的电流)来确定通过LED块54的光发射获得的亮度。因此，为了在没有色散的情况下获得精确的亮度特性，LED块54的驱动电 压(驱动电流)的稳定性(即，防止驱动电压的波形扰动(过冲、下 冲、振铃现象等))变得重要。 (驱动单元)行驱动单元57是选择一个或多个行选择配线52的驱动电路。行 驱动单元57将负几十V的选择电位施加到将被选择的行选择配线52 ， 并将GND电位施加到其它行选择配线52。将被选择的行选择配线52 被顺续切换，从而实现在垂直方向对LED块54的选择。行驱动单元 57由集成电路组成。列驱动单元58是这样一种驱动电路，其基于输入图像信号来选 择列选择配线53，控制选择时间并控制来自各个LED块54的光发射 量。在上述结构中，在第一和第二实施例中，通过使用扫描驱动单元 5和调制驱动单元6的电路配置来实现行驱动单元57和列驱动单元 58。结果，可抑制过冲、下冲和振铃现象。因此，由于可精确地控制 用于施加到LED块54的电压(电流)和时间，所以实现了精确的亮 度控制，并实现了高清晰度的视频显示。尽管参照示例性实施例描述了本发明，但是应理解本发明不限 于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围将与最宽泛的解释一 致，从而包括所有的修改以及等同的结构和功能。
权利要求
1、一种显示板的驱动电路，其驱动具有配线以及连接到配线的显示器件的显示板，所述驱动电路包括第一开关，用于将所述配线的电位向第一电位转移；反馈放大器，用于将所述配线的电位保持在第一电位；以及第二开关，用于选择是否将来自反馈放大器的输出提供给所述配线，其中，第一开关和第二开关并联连接到所述配线，其中，第一开关的驱动能力低于反馈放大器的驱动能力。
2、 如权利要求1所述的显示板的驱动电路，还包括控制电路， 用于根据来自第一开关的输出来输出用于控制第二开关的信号。
3、 如权利要求1所述的显示板的驱动电路，其中， 所述显示器件是矩阵驱动的显示器件，以及 所述配线是用于矩阵驱动的扫描配线。
4、 一种显示设备，包括 根据权利要求l所述的驱动电路；以及 被所述驱动电路驱动的显示板。
全文摘要
本发明公开了一种显示板的驱动电路和显示设备。一种用于驱动显示板的驱动电路，所述显示板具有配线以及连接到配线的显示器件，所述驱动电路具有第一开关，用于将配线的电位向第一电位转移；反馈放大器，用于将配线的电位保持在第一电位；以及第二开关，用于选择是否将来自反馈放大器的输出提供给配线。第一开关和第二开关并联连接到配线。第一开关的驱动能力低于反馈放大器的驱动能力。结果，能够以简单且便宜的电路配置来输出稳定的驱动波形。
文档编号G09G3/20GK101504818SQ20091000573
公开日2009年8月12日 申请日期2009年2月6日 优先权日2008年2月6日
发明者篠健治, 野稻泰一 申请人:佳能株式会社