显示器件、显示器件的驱动方法和电子装置的制作方法

专利名称：显示器件、显示器件的驱动方法和电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示器件、显示器件的驱动方法和电子装置，更具体地，涉及按照矩阵 方式二维排列包括电光元件的像素的平板显示器件、该显示器件的驱动方法以及包括该显 示器件的电子装置。
背景技术：
近来，在显示图像的显示器件的领域中，按照矩阵方式排列使用自发光型元件 (自发光元件)作为电光元件的像素(像素电路)的平板自发光显示器件已经快速传播。 例如，作为自发光元件，采用通过施加电场到有机薄膜而发光的现象的有机EL(电致发光) 元件是已知的。有机EL元件是所谓的电流驱动电光元件，其发光亮度依据器件中流过的电 流值而变化。
使用有机EL元件作为电光元件的有机EL显示器件具有以下特性。即，有机EL元 件可以利用IOV或更低的电压进行驱动，因此其具有低功耗。由于有机EL元件是自发光元 件，因此图像的能见度高于液晶显示器件的能见度，液晶显示器件通过控制从光源到每个 像素的液晶的光强来显示图像。此外，由于不需要诸如背光之类的照明部件，因此可以容易 地减少重量和厚度。由于有机EL元件的响应速度是非常高的大约几微秒，因此在显示视频 时不会引起余像。
另一方面，已知的是有机EL元件通常与发光量和发光时间成比例地在亮度效率 上减少。在使用这种有机EL元件的显示器件中，当在显示屏幕上的特定显示区域中重复显 示固定模式的图像(如时间显示)时，特定显示区域中的有机EL元件比其它显示区域中的 有机EL元件具有更高的恶化速率。
由于特定显示区域中的恶化的有机EL元件的亮度低于其它显示区域中的有机EL 元件的亮度，因此特定显示区域的部分可视化为不均勻的亮度。也就是说，当在显示屏幕上 的特定显示区域中重复显示固定模式的图像时，出现特定显示区域的显示部分可视化为固 定的不均勻亮度的所谓的图像烧灼(burn-in)现象。
在以有机EL显示器件为代表的自发光显示器件中，图像烧灼现象的移除是最重 要的目标。于是，在过去根据信号处理的观点，为了校正图像烧灼现象，在像素阵列部分 (显示区域)的外部布置无助于图像显示的哑像素(dummy pixel)，检测哑像素的亮度恶化 状态，并且基于检测结果校正图像烧灼(例如，见JP-A-2007-156044)。发明内容
有机EL元件的亮度由于其发光状态而恶化。相反，像素中晶体管的晶体管特性由 于不同于像素的发光颜色的不同颜色光的施加而变化。当像素的晶体管特性变化时，流过 有机EL元件的电流变化。此时电流的变化变为基于不同颜色光的施加的电流恶化。该电 流恶化导致有机EL元件的亮度恶化，这成为导致图像烧灼现象的因素。因此，在校正图像 烧灼时，必须考虑由于基于不同颜色光的施加的电流恶化所引起的图像烧灼来进行校正。
因此，期望提供一种能够考虑由于基于不同颜色光的施加的电流恶化所引起的图 像烧灼来校正图像烧灼的显示器件、该显示器件的驱动方法和包括该显示器件的电子装置。
根据本发明的实施方式，提供了一种显示器件的驱动方法，该显示器件包括第一 哑像素和第二哑像素，第一哑像素包括发出对应于显示区域中的像素的发光颜色的第一颜 色光的自发光元件，第二 像素包括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自 发光元件并且使得两种自发光元件同时发光，所述驱动方法包括以下步骤基于第一哑像 素的亮度检测结果计算发出第一颜色光的自发光元件的亮度的恶化度，并且基于第一和第 二 像素的亮度检测结果计算发出第一颜色光的自发光元件中流过的电流的恶化度；以及 基于计算的亮度的恶化度和计算的电流的恶化度校正有助于图像显示的有效像素的亮度。
从发出第一颜色光的第一 像素的亮度检测结果获得发出第一颜色光的自发光 元件的亮度的恶化度。另一方面，从同时发出第一颜色光和第二颜色光的第二哑像素的亮 度检测结果获得发出第一颜色光的自发光元件中流过的电流的恶化度。通过基于获得的 亮度的恶化度和获得的电流的恶化度校正有助于图像显示的有效像素的亮度，可以除了考 虑由于发出第一颜色光的自发光元件的亮度恶化所引起的图像烧灼外，还考虑由于基于不 同于第一颜色光的第二颜色光的施加的电流恶化所引起的图像烧灼，来实现图像烧灼的校 正。
根据上述配置，由于可以考虑由于基于不同于第一颜色光的第二颜色光的施加的 电流恶化所引起的图像烧灼来校正图像烧灼，因此与只校正由于亮度恶化所引起的图像烧 灼的情况相比，可以更精确地校正图像烧灼。


图1是示意性图示根据本发明实施方式的有机EL显示器件的配置的系统配置图。
图2是图示根据本发明实施方式的有机EL显示器件的像素(像素电路)的电路 配置的电路图。
图3是图示根据本发明实施方式的有机EL显示器件的基本电路工作的时序波形 图。
图4A到4D是图示根据本发明实施方式的有机EL显示器件的基本电路工作的(第一)图。
图5A到5D是图示根据本发明实施方式的有机EL显示器件的基本电路工作的(第二)图。
图6是图示由于驱动晶体管的阈值电压的变化所引起的问题的特性图。
图7是图示由于驱动晶体管的迁移率的变化所引起的问题的特性图。
图8A到8C是依据阈值电压校正和迁移率校正图示图像信号的信号电压和驱动晶 体管的漏源电流之间的关系的特性图。
图9是图示施加负偏置时的阈值电压的变化特性的图。
图10是图示写入脉冲的上升波形和迁移率校正的最佳校正时间之间的关系的波 形图。
图11是图示基于发光时段中写晶体管的Vth特性由于负偏置转变为耗尽的问题的波形图。
图12是依据显示颜色图示绿色(G)像素中的亮度恶化特性的变化的图。
图13是图示发出蓝色(B)光的机制的像素的剖视图。
图14是图示根据本发明实施方式的图像烧灼校正电路的配置的框图。
图15是示意性图示哑像素单元的配置的图。
图16是图示R、G、B、Cy和Mg的发光颜色中对于100nit、200nit和400nit的每 个亮度的发光时间-亮度特性的图。
图17是图示根据本发明实施方式的电视机的外观的透视图。
图18A和18B是图示根据本发明实施方式的数字相机的外观的透视图，其中图18A 是从前侧观看到的透视图，而图18B是从后侧观看到的透视图。
图19是图示根据本发明实施方式的笔记本个人计算机的外观的透视图。
图20是根据本发明实施方式的摄像机的外观的透视图。
图21A到21G是图示根据本发明实施方式的移动电话的外观的图，其中图21A是 图示打开状态的前视图，图21B是侧视图，图21C是图示关闭状态的前视图，图21D是左侧 视图，图21E是右侧视图，图21F是顶视图，图21G是底视图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述用于实现本发明的模式(以下称为“实施方式”)。将 按照下面的顺序给出描述。
1.根据本发明实施方式的显示器件(有机EL显示器件)
1-1.系统配置
1-2.电路工作
2.图像烧灼现象
2-1.由于有机EL元件的亮度恶化所引起的图像烧灼现象
2-2.由于电流恶化所引起的图像烧灼现象
2-3.由于蓝色光的影响所引起的亮度恶化
3.实施方式
3-1.图像烧灼校正电路
3-2.实施方式的工作和优点
4.修改示例
5.应用(电子装置)
<1.根据本发明实施方式的显示器件〉
[1-1.系统配置]
图1是示意性图示根据本发明实施方式的有源矩阵型显示器件的配置的系统配 置图。这里，作为示例，描述采用依据流入器件的电流而在发光亮度上变化的电流驱动电光 元件(如有机EL元件)作为像素(像素电路)的发光元件的有源矩阵型有机EL显示器件。
如图1所示，根据本应用的有机EL显示器件10包括像素阵列单元30，其中包括 有机EL元件的多个像素20按照矩阵方式二维地排列；以及驱动单元，其布置在像素阵列单 元30周围。驱动单元包括写扫描电路40、作为电源单元的电源扫描电路50和信号输出电路60，并且驱动像素阵列单元30的像素20。
这里，当有机EL显示器件10处理彩色显示时，每个像素包括多个子像素，并且该 子像素对应于像素20。更具体地，在彩色显示器件中，每个像素包括三个子像素发出红色 光(R)的子像素、发出绿色光(G)的子像素和发出蓝色光(B)的子像素。
然而，每个像素不限于三原色R、G和B的子像素的组合，而是一个或更多彩色子像 素可以增加到三原色的子像素以形成一个像素。更具体地，至少一个发出白色光(W)以改 进亮度的子像素可以增加以形成一个像素，或者至少一个发出补色光以增大颜色再现范围 的子像素可以增加以形成一个像素。
在像素阵列单元30中，扫描线31-1到31-m和电源线32_1到32_m通过m行和η 列的像素20的安排中的像素行，在行方向(每个像素行的像素安排方向)上安排。信号线 33-1到33-η通过像素列在列方向(每个像素列的像素安排方向)上安排。
扫描线31-1到31-m分别连接到对应各行的写扫描电路40的输出端。电源线32_1 到32-m分别连接到对应各行的电源扫描电路50的输出端。信号线33-1到33_n分别连接 到对应各列的信号输出电路60的输出端。
像素阵列单元30形成在诸如玻璃衬底之类的透明绝缘衬底上。于是，有机EL显 示器件10具有平板型面板结构。像素阵列单元30的像素20的驱动电路可以使用无定形 硅TFT或低温多晶硅TFT形成。当使用低温多晶硅TFT时，写扫描电路40、电源扫描电路 50和信号输出电路60可以安装在形成像素阵列单元30的显示面板(衬底)70上，如图1 所示。
写扫描电路40包括与时钟脉冲ck同步地依次移位(发送)开始脉冲sp的移位 寄存器。写扫描电路40在将图像信号写入像素阵列单元30的像素20时，通过依次将写扫 描信号WS (WSl到WSm)提供到扫描线31-1到31-m，而以行为单位依次扫描(线序扫描)像 素阵列单元30的像素20。
电源扫描电路50包括与时钟脉冲ck同步地依次移位开始脉冲sp的移位寄存器。 电源扫描电路50与写扫描电路40的线序扫描同步地将源电位DS (DSl到DSm)提供给电 源线32-1到32-m，该源电位DS在第一源电位Vccp和比第一源电位Vccp低的第二源电位 Vini之间切换。如后面所描述的，像素20的发光/不发光受到源电位DS在Vccp和Vini 之间的切换的控制。
信号输出电路60具有选择器结构，其选择性地输出从信号源(未示出)提供的 并对应于亮度信息的图像信号的信号电压(以下可以称为“信号电压”)Vsig和基准电位 Vofs。这里，基准电位Vofs是用作图像信号的信号电压Vsig的基准的电位(例如，对应于 图像信号的黑电平的电位)。
从信号输出电路60输出的信号电压Vsig和基准电位Vofs以行为单元，经由信 号线33-1到33-η写入像素阵列单元30的像素20。也就是说，信号输出电路60采用以行 (线)为单元写入信号电压Vsig的线序写入型。
(像素电路)
图2是图示每个像素(像素电路)20的具体电路配置的电路图。
如图2所示，每个像素20包括作为电流驱动电光元件的有机EL元件21和驱动有 机EL元件21的驱动电路，该电流驱动电光元件的发光亮度依据器件中流过的电流值而变化。有机EL元件21的阴极连接到公共电源线34，该公共电源线34公共连接(所谓的实连 接(solid-connected))到所有的像素20。
驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管21、写晶体管23和保持电容器 M。这里，诸如薄膜晶体管(TFT)之类的N沟道晶体管用作驱动晶体管22和写晶体管23。 然而，驱动晶体管22和写晶体管23的导电类型组合仅仅是示例，本发明不限于该组合。
当N沟道TFT用作驱动晶体管22和写晶体管23时，可以使用无定形硅(a_Si)工 艺。通过使用a-Si工艺，可以减少形成TFT的衬底的成本，由此可以减少有机EL显示器件 10的成本。当驱动晶体管22和写晶体管23具有相同导电类型时，晶体管22和23两者均 可以通过相同工艺形成，从而减小了成本。
驱动晶体管22的一个电极(源极/漏极电极)连接到有机EL元件21的阳极电 极，并且另一电极(漏极/源极电极)连接到电源线32(32-1到32-m)。
写晶体管23的一个电极(源极/漏极电极)连接到信号线33 (33-1到33_m)，并 且另一电极(漏极/源极电极)连接到驱动晶体管22的栅极电极。写晶体管23的栅极电 极连接到扫描线31 (31-1到31-m)。
在驱动晶体管22和写晶体管23中，一个电极是指电连接到源极/漏极区域的金 属线，而另一电极是指电连接到漏极/源极区域的金属线。基于一个电极和另一个电极的 电位关系，当一个电极用作源极电极时，该电极也用作漏极电极。当另一电极用作漏极电极 时，该电极也用作源极电极。
保持电容器M的一个电极连接到驱动晶体管22的栅极电极，并且其另一电极连 接到驱动晶体管22的另一电极和有机EL元件21的阳极电极。
有机EL元件21的驱动电路不限于包括驱动晶体管22和写晶体管23的两个晶体 管以及保持电容器M的一个电容性元件的电路配置。
作为另一电路配置，例如，可以采用这样的电路配置辅助电容器的一个电极连接 到有机EL元件21的阳极电极，而另一电极连接到固定电位，以用于补偿有机EL元件21的 不足容量。可以采用这样的电路配置开关晶体管与驱动晶体管22串联连接，并且通过开 关晶体管的导通/截止来控制有机EL元件21的发光/不发光。
在具有上述配置的像素20中，写晶体管23响应于经由扫描线31从写扫描电路40 提供到栅极电极的高有效写扫描信号WS而导通。于是，写晶体管23采样经由信号线33从 信号输出电路60提供的并对应于提供的亮度信息的图像信号的信号电压Vsig或者基准电 位Vofs，并将采样的电位写到像素20。写入的信号电压Vsig或基准电位Vofs施加到驱动 晶体管22的栅极电极，并保持在保持电容器M中。
当电源线32 (32-1到32-m)的电位DS是第一源电位Vccp时，驱动晶体管22的一 个电极用作漏极电极，而另一电极用作源极电极，从而驱动晶体管工作在饱和区中。因此， 驱动晶体管22提供有来自电源线32的电流，并且通过使用该电流驱动有机EL元件21发 光。更具体地，由于驱动晶体管22工作在饱和区，因此驱动晶体管将电流值对应于保持电 容器M中保持的信号电压Vsig的电压值的驱动电流提供给有机EL元件21，并且电流驱动 有机EL元件21发光。
当源电位DS从第一源电位Vccp变为第二源电位Vini时，驱动晶体管22的一个 电极用作源极电极，并且另一电极用作漏极电极，从而驱动晶体管用作开关晶体管。于是，驱动晶体管22停止将驱动晶体管提供给有机EL元件21，并且使得有机EL元件21不发光。 也就是说，驱动晶体管22还具有控制有机EL元件21的发光/不发光的晶体管的功能。
提供这样的时段(不发光时段)其中，通过驱动晶体管22的开关操作，有机EL 元件21处于不发光状态，从而可以控制有机EL元件21的发光时段和不发光时段之比(占 空)。由于可以通过占空控制减少在一帧上由于来自像素的发光所引起的余像模糊，因此可 以改进视频的图像质量。
在经由电源线32从电源扫描线50选择性提供的第一和第二源电位Vccp和Vini 中，第一源电位Vccp是用于将用以有机EL元件21发光的驱动电流提供给驱动晶体管22 的源电位。第二源电位Vini是用于施加反向偏压给有机EL元件21的源电位。第二源电 位Vini设为低于基准电位Vofs的电位，例如，低于Vofs-Vth的电位，其中Vth表示驱动晶 体管22的阈值电压，并且最好设为远低于Vofs-Vth的电位。
[1-2.电路工作]
将参照图3的时序波形图和图4A到4D以及图5A到5D的工作图，描述具有上述 配置的有机EL显示器件10的基本电路工作。在图4A到4D以及图5A到5D的工作图中， 为了附图简化的目的，写晶体管23显示为开关符号。还示出有机EL元件21的等效电容器 25。
在图3的时序波形图中，示出了扫描线31的电位(写扫描信号)WS、电源线32的 电位(源电位)DS、信号线33的电位(Vsig/Vofs)以及驱动晶体管22的栅极电位Vg和源 极电位Vs的变化。
(前一帧的发光时段)
在图3的时序波形图中，前一帧(场)中有机EL元件21的发光时段置于时间til 之前。在前一帧的发光时段中，电源线32的电位DS是第一源电位(以下称为“高电位”) Vccp，并且写晶体管23截止。
此时，驱动晶体管22工作在饱和区。于是，如图4A所示，对应于驱动晶体管22的 栅源电压Vgs的驱动电流(漏源电流)Ids经由驱动晶体管22从电源线32提供到有机EL 元件21。因此，有机EL元件21以对应于驱动电流Ids的电流值的亮度发光。
(阈值校正准备时段)
在时间tll，开始线序扫描中的新帧(当前帧)。如图4B所示，电源线32的电位 DS从高电位Vccp变为比关于信号线33的基准电位Vofs的Vofs-Vth低很多的第二源电位 (以下称为“低电位”)。
这里，有机EL元件21的阈值电压为Vthel，公共电源线34的电位(阴极电位)为 Vcath0此时，当低电位Vini设为Vini < Vthel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电位Vs大 约等于低电位Vini，因此有机EL元件21变为反向偏置状态，从而有机EL元件21不发光。
在时间tl2，扫描线31的电位WS从低电位变为高电位，因此写晶体管23导通，如 图4C所示。此时，由于基准电位Vofs从信号输出电路60提供到信号线33，因此驱动晶体 管22的栅极电位Vg变为基准电位Vofs。驱动晶体管22的源极电位Vs是比基准电位Vofs 低很多的电位Vini。
此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs变为Vofs-Vini。这里，当Vofs-Vini不大 于驱动晶体管22的阈值电压Vth时，不能执行稍后描述的阈值校正处理，从而必须设置Vofs-Vini > Vth的电位关系。
以此方式，将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定(确定)为基准电位Vofs并且将 源极电位Vs固定为低电位Vini以初始化各电位的处理是执行阈值校正处理(稍后描述) 之前的准备处理(阈值校正准备处理)。因此，基准电位Vofs和低电位Vini是驱动晶体管 22的栅极电位Vg和源极电位Vs的初始电位。
(阈值校正时段)
在时间113，当电源线32的电位DS从低电位Vini变为高电位Vccp时，如图4D所 示，在保持驱动晶体管22的栅极电位Vg的状态下开始阈值校正处理。也就是说，驱动晶体 管22的源极电位Vs开始其朝向通过从栅极电位Vg减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而 获得的电位的上升。
这里，关于驱动晶体管22的栅极电极的初始电位Vofs，将源极电位Vs朝向通过 从初始电位Vofs减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电位改变的处理称为阈值校 正处理。当执行该阈值校正处理时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs最终会聚到驱动晶体管 22的驱动电压Vth。对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容器M中。
在执行阈值校正处理的时段(阈值校正时段)中，为了使得电流只流到保持电容 器M而不流到有机EL元件21，公共电源线34的电位Vcath设为截止有机EL元件21。
在时间tl4，扫描线31的电位WS变为低电位，因此写晶体管23截止，如图5A所 示。此时，驱动晶体管22的栅极电极从信号线33电断开，并且变为浮空状态。然而，由于 栅源电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，因此驱动晶体管22处于截止状态。因 此，漏源电流Ids未流入驱动晶体管22。
(信号写入和迁移率校正时段)
在时间tl5，信号线33的电位从基准电位Vofs变为图像信号的信号电位VsigjB 图5B所示。随后，在时间tl6，扫描线31的电位WS变为高电位，并且写晶体管23导通以采 样图像信号的信号电压Vsig，并且将采样的信号电压写入像素20，如图5C所示。
通过使得写晶体管23写入信号电压Vsig，驱动晶体管22的栅极电位Vg变为信号 电位Vsig。在利用图像信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，驱动晶体管22的阈值 电压Vth被对应于保持电容器M中保持的阈值电压Vth的电压抵消。稍后将详细描述该 阈值抵消的原理。
此时，有机EL元件21处于截止状态(高阻抗状态)。因此，基于图像信号的信号 电压Vsig从电源线32流到驱动晶体管22的电流(漏源电流Ids)流到有机EL元件21的 等效电容器25，并且开始等效电容器25的充电。
通过充电有机EL元件21的等效电容器25，驱动晶体管22的源极电位Vs随着时 间经过而上升。此时，各像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化被抵消，并且驱动 晶体管22的漏源电流Ids取决于驱动晶体管的迁移率μ。
这里，假设保持电容器M的保持电压Vgs与图像信号的信号电压Vsig之比(即， 写增益G)为1(理想值)。然后，驱动晶体管22的源极电位Vs上升为Vofs-Vth+ΔΥ的电 位，因此，驱动晶体管22的栅源电压Vgs变为Vsig-Vofs+Vth-Δ V。
也就是说，从保持电容器M中保持的电压(Vsig-Vofs+Vth)减去驱动晶体管22 的源极电位Vs的上升量ΔΥ。换句话说，在保持电容器M中充电的电荷被放电，这意味着施加负反馈。因此，源极电位Vs的上升量ΔΥ是负反馈的反馈值。
以此方式，通过以对应于流入驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈值Δ V将负反 馈施加到栅源电压Vgs，可以移除驱动晶体管22的漏源电流Ids对于迁移率μ的依赖。该 移除处理是校正各像素中的驱动晶体管22的迁移率μ的变化的迁移率校正处理。
更具体地，当写入到驱动晶体管22的栅极电极的图像信号的信号幅度Vin(= Vsig-Vofs)增加时，漏源电流Ids增加，因此负反馈的反馈值ΔΥ也增加。因此，依据发光 亮度级别执行迁移率校正处理。
当图像信号的信号幅度Vin恒定时，负反馈的反馈值Δ V的绝对值随着驱动晶体 管22的迁移率μ增加而增加，从而可以移除各像素中的迁移率μ的变化。因此，可以认 为负反馈的反馈值△ V是迁移率校正的校正程度。稍后将描述迁移率校正处理的细节。
(发光时段)
在时间tl7，扫描线31的电位WS变为低电位，因此写晶体管23截止，如图5D所 示。因此，驱动晶体管22的栅极电极从信号线33电断开，由此变为浮空状态。
这里，当驱动晶体管22的栅极电极处于浮空状态时，保持电容器M连接在驱动晶 体管22的栅极和源极之间，于是栅极电位Vg也随着驱动晶体管22的源极电位Vs的变化 而变化。以此方式，驱动晶体管22的栅极电位Vg随着源极电位Vs的变化而变化的操作是 保持电容器M的自举操作。
驱动晶体管22的栅极电极变为浮空状态，并且驱动晶体管22的漏源电流Ids同 时开始流到有机EL元件21，从而有机EL元件21的阳极电位随着电流Ids上升。
当有机EL元件21的阳极电位大于Vthel+Vcath时，驱动电流开始流到有机EL元 件21，从而有机EL元件21开始发光。有机EL元件21的阳极电位的上升意味着驱动晶体 管22的源极电位Vs的上升。当驱动晶体管22的源极电位Vs上升时，驱动晶体管22的栅 极电位Vg也通过保持电容器M的自举操作上升。
此时，当假设自举增益为1(理想值)时，栅极电位Vg的上升量等于源极电 位Vs的上升量。因此，在发光时段中，驱动晶体管22的栅源电位Vgs保持恒定为 Vsig-Vofs+Vth-AV。在时间tl8，信号线33的电位从图像信号的信号电压Vsig变为基准 电位VofS。
在上述电路工作中，在一个水平扫描时段(IH)中执行阈值校正准备处理、阈值校 正处理、信号电压Vsig写入(信号写入)处理和迁移率校正处理。在时间t6到t7的时段 中并行执行信号写入处理和迁移率校正处理。
这里，采用了只执行阈值校正一次的驱动方法，但是该驱动方法只是示例。本发明 不限于该驱动方法。例如，可以采用如下的划分阈值校正的驱动方法在该方法中，除了与 迁移率校正处理和信号写入处理一起执行阈值校正处理的IH时段外，在IH时段之前的多 个水平扫描时段上，阈值校正处理被划分和执行多次。
通过采用划分阈值校正的驱动方法，即使分配给水平扫描时段的时间随着分辨率 增加所引起的像素增加而缩短，也可以在多个水平扫描时段上充分保证阈值校正时段，从 而满意地执行阈值校正处理。
(阈值抵消的原理)
这里，将描述驱动晶体管22的阈值抵消(即，阈值校正)的原理。由于驱动晶体管22设计为工作在饱和区中，因此其用作恒流源。因此，从驱动晶体管22给有机EL元件 21提供有由表达式1表示的恒定漏源电流(驱动电流)Ids。
表达式1
Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2
这里，W表示驱动晶体管L的沟道宽度，L表示沟道长度，并且Cox表示每单位面积 的栅电容。
图6示出驱动晶体管22中的漏源电流Ids相对于栅源电压Vgs的特性。
如从图中可以看到的，当没有执行抵消各像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth 的变化的处理时，阈值电压Vth为Vthl，并且对应于栅源电压Vgs的漏源电流Ids为Idsl。
相反，当阈值电压Vth为Vth2时(Vth2> Vthl)，对应于栅源电压Vgs的漏源电流 Ids为Ids2(Ids2 < Idsl).也就是说，当驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，即使栅源 电压Vgs恒定，漏源电流Ids也变化。
另一方面，在具有上述配置的像素(像素电路)20中，在发光时的驱动晶体管22 的栅源电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-AV。因此，通过将其代入表达式1中，漏源电流Ids由 表达式2表不。
表达式2
Ids= (1/2) · μ (W/L) Cox(Vsig-Vofs-AV)2
也就是说，驱动晶体管22的阈值电压Vth项被抵消，因此，从驱动晶体管22提供 给有机EL元件21的漏源电流Ids不取决于驱动晶体管22的阈值电压Vth。结果，即使驱 动晶体管22的阈值电压Vth由于驱动晶体管22的制造工艺的不同或其温度变化而在各像 素中变化，漏源电流Ids也不变化，从而有机EL元件21的发光亮度可以保持恒定。
(迁移率校正的原理)
将描述驱动晶体管22的迁移率校正的原理。图7示出驱动晶体管22的迁移率μ 相对大的像素A以及驱动晶体管22的迁移率μ相对小的像素B的特性曲线以用于比较。 当驱动晶体管22由多晶硅薄膜晶体管形成时，迁移率μ在各像素之间(如像素A和像素 B之间)不可避免地有所不同。
考虑在像素A和像素B之间存在迁移率μ的差别的状态下，将相同电平的信号幅 度Vin( = Vsig-Vofs)写到像素A和像素B的驱动晶体管22的栅极电极。在该情况下，当 根本没有校正迁移率μ时，流入具有相对大迁移率μ的像素A的漏源电流Idsl’和流入具 有相对小迁移率μ的像素B的漏源电流Ids2’相互显著不同。以此方式，当漏源电流Ids 由于各像素之间的迁移率μ的变化而在各像素之间显著变化时，损害了屏幕的均勻性。
这里，如从表达式1的晶体管特性表达中可以清楚看到的，当迁移率μ很大时，漏 源电流Ids增加。因此，随着迁移率μ减小，负反馈的反馈值Δν增加。如图7所示，具有 相对大的迁移率μ的像素A的反馈值Δνι大于具有相对小的迁移率μ的像素B的反馈 值 Δν2。
因此，通过经由迁移率校正处理以对应于驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈值 AV将负反馈施加到栅源电压Vgs，随着迁移率μ增大，更大地施加负反馈。结果，可以抑 制各像素中迁移率μ的变化。
具体地，当对具有相对大的迁移率μ的像素A进行具有反馈值AVl的校正时，漏源电流Ids从Idsl’大大地下降到Idsl。另一方面，由于具有相对小的迁移率μ的像素B 的反馈值ΔΥ2小，因此漏源电流Ids从Ids2’下降到Ids2，其相对不太大。结果，由于像 素A的漏源电流Idsl和像素B的漏源电流Ids2变得大致相等，因此校正了各像素之间的 迁移率μ的变化。
简而言之，当存在具有不同迁移率μ的像素A和像素B时，具有相对大的迁移率 μ的像素A的反馈值Δν 大于具有相对小的迁移率μ的像素B的反馈值AV2。也就是 说，当像素的迁移率μ变得越大时，像素的反馈值Δν变得越大，并且漏源电流Ids的下降 量变得越大。
因此，通过以对应于驱动晶体管22的漏源电流Ids的反馈值Δ V将负反馈施加到 栅源电压Vgs，统一了具有不同迁移率μ的像素的漏源电流Ids的电流值。结果，可以校 正各像素中的迁移率μ的变化。也就是说，施加具有对应于驱动晶体管22中流过的电流 (漏源电流Ids)的反馈值△ V的负反馈到驱动晶体管22的栅源电压Vgs的处理是迁移率 校正处理。
这里，在图2所示的像素(像素电路)20中，将参考图8A到8C描述图像信号的信 号电压Vsig和取决于阈值校正和迁移率校正的驱动晶体管22的漏源电流Ids之间的关 系。
在图8A到8C中，图8A示出没有执行阈值校正处理和迁移率校正处理的示例，图 8B示出没有执行迁移率校正处理但是执行阈值校正处理的示例，并且图8C示出执行阈值 校正处理和迁移率校正处理的示例。如图8A所示，当没有执行阈值校正处理和迁移率校正 处理时，由于像素A和B之间的阈值电压Vth和迁移率μ的变化，像素A和像素B之间漏 源电流Ids显著变化。
相反，当只执行阈值校正处理时，如图8B所示，漏源电流Ids的变化可以减少到一 定程度，但是由于像素A和B之间的迁移率μ的变化所引起的像素A和B之间的漏源电流 Ids的变化保持。通过执行阈值校正处理和迁移率校正处理，如图8C所示，几乎可以抵消由 于像素A和B之间的阈值电压Vth和迁移率μ的变化所引起的像素A和B之间的漏源电 流Ids的差异。因此，在任何灰度级中不引起有机EL元件21的不均勻亮度，从而获得具有 高质量的显示图像。
由于图2所示的像素20除了阈值校正功能和迁移率校正功能外还具有保持电容 器M的自举操作的功能，因此可以获得下面的操作优点。
也就是说，即是在驱动晶体管22的源极电位Vs随着有机EL元件21的I-V特性 的温度变化而变化时，驱动晶体管22的栅源电位Vgs也可以利用保持电容器M的自举操 作而保持恒定。因此，有机EL元件21中流过的电流不变化，而是保持恒定。结果，有机EL 元件21的I-V特性保持恒定。即是在有机EL元件21的I-V特性随着时间的经过而变化 时，也可以实现没有亮度恶化的图像显示。
<2.图像烧灼现象〉
[2-1.由于有机EL元件的亮度恶化所引起的图像烧灼现象]
如上所述，有机EL元件21的亮度依据其发光状态而恶化。在有机EL显示器件中， 由于恶化的特定显示区域中的有机EL元件的亮度相对于其它显示区域中的有机EL元件恶 化，因此出现特定显示区域的显示被识别为固定的不均勻亮度的图像烧灼现象。13
这里，有机EL元件更快速恶化的特定显示区域意味着固定模式的图像重复显示 (如时间显示(时钟显示))的区域。为了防止该图像烧灼现象，有机EL显示器件10在信 号处理方面具有校正图像烧灼现象的功能(图像烧灼校正功能)。
在信号处理方面，当校正图像烧灼现象时，在显示面板70的像素阵列单元(显示 区域)30的外部布置无助于图像显示的哑像素，并且哑像素以与有效像素(像素20)相同 的方式受到驱动以恶化其亮度。哑像素的亮度恶化状态通过使用光学传感器而得到检测。
通过在与有助于图像显示的有效像素20相同的显示面板70上形成哑像素并基本 上以与有效像素20相同的方式驱动哑像素，可以从哑像素的亮度恶化状态预测像素20的 亮度恶化状态。因此，通过检测 像素的亮度恶化状态并基于检测结果控制出现图像烧灼 现象的特定显示区域中的像素20的亮度，可以执行用于不引起图像烧灼现象的图像烧灼 校正处理。
哑像素具有与像素阵列单元30的像素20相同的配置。也就是说，类似于像素20， 每个哑像素包括有机EL元件、驱动晶体管、写晶体管和保持电容器。于是，由于可以通过与 像素20相同的工艺制造哑像素，因此几乎不产生由于哑像素所引起的显示面板70的生产 难度水平的增加或成本的增加。
[2-2.由于电流恶化所引起的图像烧灼现象]
如上所述，像素20中的晶体管(驱动晶体管22和写晶体管23)通过应用不同于 对应像素的发光颜色的不同颜色光来改变其晶体管特性。不同颜色光中的蓝色光(B光) 具有比其它的红色光(R光)和绿色光(G光)的能量更大的能量。因此，像素20中的晶体 管的特性可通过不同颜色光中的蓝色光的应用而容易地变化。
这里，将具体描述像素20中的晶体管中的写晶体管23。在有机EL元件21的发 光时段中，写晶体管23通过施加例如大约-3V的负偏置电压到写晶体管23的栅极电极而 截止。在发光时段中，由于电流在有机EL元件21中流过，因此有机EL元件21的阳极电位 (驱动晶体管22的源极电位)上升到例如大约5V的预定电位。
当在显示白灰度级时将白灰度级的信号电压Vsig设为例如5V时，驱动晶体管22 的栅极电位大约为10V，其比源极电位高5V。另一方面，当像素行处于发光时段时，图像信 号的信号电压Vsig被写到其它像素行，并且接近信号线33的写晶体管23的电位(源极电 位)由于信号线33的电位而变为大约0到6V的电位。
于是，大约-3V的电压施加到写晶体管23的栅极电极，并且大约0到6V的电压施 加到接近信号线33的电极(源极电极)。结果，负偏置施加到写晶体管23，并且大约13V 的高电压施加在栅极和漏极之间。这里，负偏置意味着栅极电位相对于源极电位为负的偏 置状态。
写晶体管23的晶体管特性(即，阈值电压Vth(以下称为“Vth特性”))由于负偏 置变为低电平。也就是说，写晶体管23的Vth特性从增强转变为耗尽。这里，增强意味着 在将写入脉冲(扫描信号)WS施加到栅极电极的情况下形成沟道并且电流在源极和漏极之 间流动的状态。耗尽意味着在未向栅极电极施加写入脉冲WS的情况下电流在源极和漏极 之间流动的状态。
图9示出在施加负偏置时的阈值电压Vth的变化特性的示例。在图9中，水平轴 表示施加负偏置到写晶体管23的栅极电极的应力时间(stress time)，并且垂直轴表示阈值电压Vth的变化AVth。如从图中可以清楚看到的，阈值电压Vth随着应力时间增加而下 降。通过表达式3给出迁移率校正的最佳校正时间t。表达式3t = C/(k μ Vsig)这里，常数k是k= (1/2) (W/L)Cox。C表示在校正迁移率时要放电的节点的电容， 并且是有机EL元件21的等效电容器和图2所示的像素电路中的保持电容器24的组合电容。迁移率校正的最佳校正时间t确定为写晶体管23从导通状态变为截止状态的时 间。当栅极电位和信号线33的电位之间的电位(即，栅源电压)等于阈值电压Vth时，写 晶体管23截止(即，从导通状态变为截止状态)。申请人:确认通过将迁移率校正的校正时间t设置为与图像信号的信号电压Vsig 成反比，可以满意地抵消驱动晶体管22的漏源电流Ids对迁移率μ的依赖性。更具体地， 通过在信号电压Vsig大时将校正时间t设置得更短而在信号电压Vsig小时将校正时间t 设置得更长，可以更满意地校正各像素中的迁移率μ的变化。因此，在施加到写晶体管23的栅极电极的写入脉冲WS从高电平变为低电平时的 下降波形设为与图像信号的信号电压Vsig成反比的波形，如图10所示。当写晶体管23是 P沟道型时，上升波形设为与信号电压Vsig成反比的波形。通过将写入脉冲WS的下降波形设置为与图像信号的信号电压Vsig成反比的波 形，当写晶体管23的栅源电压等于阈值电压Vth时，写晶体管23截止。因此，可以将迁移 率校正的最佳校正时间设置为与图像信号的信号电压Vsig成反比。具体地，如从图10可以清楚看到的，当信号电压是对应于白电平的Vsig(白)时， 写晶体管23在栅源电压为Vsig(白)+Vth时截止。因此，迁移率校正的校正时间t(白) 设置为最短。当信号电压是对应于灰电平的Vsig(灰)时，写晶体管23在栅源电压为 Vsig(灰)+Vth时截止。于是，校正时间t (灰)设置为长于校正时间t(白)。以此方式，通过将迁移率校正的最佳校正时间t设置为与图像信号的信号电压 Vsig成反比，可以依据信号电压Vsig设置最佳校正时间t。结果，可以在从黑电平到白电 平的信号电压Vsig的整个电平范围(整个灰度级)上，更满意地抵消驱动晶体管22的漏 源电流Ids对迁移率μ的依赖性。也就是说，可以更满意地校正各像素中的迁移率μ的 变化。这里，如上所述，考虑写晶体管23的Vth特性由于发光时段中的负偏置而转变为 耗尽。具体地，如图11所示，当写晶体管23的阈值电压Vth从Vthl的初始状态变为低于 初始状态的Vth2时，迁移率校正的工作点改变，并且迁移率校正的最佳校正时间t从初始 时间tl变为长于初始时间的t2。当迁移率校正的最佳校正时间t变长时，迁移率被过度校正。这里，有机EL元件 21的发光电流(驱动电流)由表达式4给出。表达 式4Ids = ky (Vsig/(1+Vsig(ky /C)t))2如从表达式4可以看到的，当迁移率校正的最佳校正时间t增加并且迁移率被过度校正时，有机EL元件21的发光电流Ids慢慢减少。该电流恶化是图像烧灼现象的因素。[2-3.由于蓝色光的影响所引起的亮度恶化]写晶体管23的Vth特性由于施加不同于对应像素的发光颜色的不同颜色光(具 体地，蓝色光(B光))以及施加负偏置而转变为耗尽。由于蓝色光的影响，亮度恶化特性 依据显示颜色而变化。具体地，绿色(G)像素的亮度恶化特性在G显示、W(白色)显示和 Cy(青色)显示中变化，如图12所示。也就是说，在G显示中，只发出G光，因此亮度不受B光影响。相反，在W显示中， 同时发出R光、G光和B光，因此亮度受B光影响。在W显示中，亮度受B光影响，因此与G 显示相比，亮度恶化速度增加。这里，将参照图13所示的像素的剖面图描述发出蓝色光的机制。首先，将描述图13所示的像素结构。如图13所示，包括写晶体管23的驱动电路 形成在作为透明衬底的玻璃衬底701上。这里，只示出驱动电路的构成元件中的写晶体管 23，而未示出其它构成元件。写晶体管23包括栅极电极231、布置在多晶硅半导体层232的两侧的源极/漏极 区域233和234，以及布置在与栅极电极231相对的多晶硅半导体层232的一部分中的沟道 形成区域235。源极/漏极电极236和237电连接到源极/漏极区域233和234。作为自发光元件的有机EL元件21形成在玻璃衬底701上，它们之间插入有绝缘 膜702和绝缘平面化膜(planarization film) 703。有机EL元件21包括阳极电极211、有 机层212和阴极213。阳极电极211由金属等形成，阴极电极213由对于有机层212上的整 个像素公共形成的透明导电膜形成。在该有机EL元件21中，通过在阳极电极211上依次堆叠空穴传送层/空穴注入 层、发光层、电子传送层和电子注入层，形成有机层212。由于利用图2所示的驱动晶体管 22、在电流驱动下电流经由阳极电极211流入有机层212，因此通过有机层212中发光层中 的电子和空穴的重新组合而发光。在有机EL元件21以像素为单位形成在玻璃衬底701上后，其中在它们之间插入 绝缘膜702，作为透明衬底的玻璃衬底705利用钝化膜704而与其结合。有机EL元件21利 用玻璃衬底705密封，从而形成显示面板70。 围绕像素阵列单元30安排用于将阴极电位Vcath施加到像素阵列单元30的有效 像素20的辅助线706。辅助线706在各像素之间以网孔形状安排。因此，辅助线706降低 了阴极线(对应于图2中的公共电源线34)的线电阻。在上述像素结构中，当右边像素是发出蓝色光的有机EL元件21时，从有机EL元 件21发出的蓝色光被玻璃衬底705的界面等内部地散射、反射，并且入射到相邻像素的写 晶体管23。通过来自相邻像素的蓝色光的入射，写晶体管23的Vth特性由于蓝色光的影响 而转变为耗尽。当写晶体管23的Vth特性转变时，如上所述，流入有机EL元件21中的电流变化。 电流的变化起到由于不同颜色光(例如，本实施方式中的蓝色光)的施加所引起的电流恶 化的作用。如上所述，电流恶化导致有机EL元件21的亮度恶化，因此起到导致图像烧灼现 象的因素的作用。因此，在校正图像烧灼时，可以考虑由于基于不同颜色光的施加的电流恶 化所引起的图像烧灼进行校正。
<3.实施方式〉 如上所述，由于恶化的特定显示区域中的有机EL元件的亮度相对低于其它显示 区域中的有机EL元件，因此在有机EL显示器件中出现特定显示区域的显示被识别为固定 的不均勻亮度的图像烧灼现象。为了解决图像烧灼现象，有机EL显示器件10在信号处理 方面具有校正图像烧灼现象的功能(图像烧灼校正功能)。在信号处理方面，当校正图像烧灼现象时，无助于图像显示的哑像素布置在显示 面板70上的像素阵列单元(显示区域)30外部，并且哑像素以与显示区域中的有效像素 (像素20)相同的方式受到驱动，从而亮度被恶化。然后，通过光学传感器检测哑像素的亮 度恶化状态。通过在与有助于图像显示的有效像素20相同的显示面板70上形成哑像素并以基 本上与有效像素20相同的方式驱动哑像素，可以基于哑像素的亮度恶化状态来预测像素 20的亮度恶化状态。因此，通过检测 像素的亮度恶化状态并基于检测结果控制出现图像 烧灼现象的特定显示区域中的像素20的亮度，可以校正图像烧灼。根据本实施方式的校正图像烧灼的电路(图像烧灼校正电路)除了考虑由于有机 EL元件的亮度恶化所引起的图像烧灼现象之外，还考虑由于基于不同于发光颜色的不同颜 色光(特别是蓝色光)的施加的电流恶化所引起的图像烧灼现象进行校正。具体地，在检 测 像素的亮度恶化、基于检测结果预测有效像素(像素20)的亮度恶化并且计算图像烧 灼的校正度时，在与使得要检测的发光颜色的有机EL元件发光的同时，使得不同颜色光的 有机EL元件发光。以此方式，通过在与使得要检测的发光颜色的有机EL元件发光的同时、使得不同 颜色光的有机EL元件发光，除了有机EL元件的亮度恶化状态外，还可以检测(监视)由于 不同颜色光的施加所引起的 像素的晶体管的特性恶化状态。通过基于光学传感器的检测 结果校正图像烧灼，可以除了考虑由于有机EL元件21的亮度恶化所引起的图像烧灼现象 之外，还考虑由于基于不同于对应像素的发光颜色的不同颜色光的施加的电流恶化所引起 的图像烧灼现象，来进行校正。[3-1.图像烧灼校正电路]下面将描述图像烧灼校正电路的特定示例，该图像烧灼校正电路除了考虑由于有 机EL元件21的亮度恶化所引起的图像烧灼现象外，还考虑由于基于不同于对应像素的发 光颜色光(第一颜色光)的不同颜色光(第二颜色光)的施加的电流恶化所引起的图像烧 灼现象，来进行校正。图14是图示根据本实施方式的图像烧灼校正电路的配置的框图。这里，采用根据 本实施方式的图像烧灼校正电路的有机EL显示器件是彩色显示器件，其中像素阵列单元 30的像素(子像素)20分别具有作为基本发光颜色的三原色R (红)、G (绿)和B (蓝)。如图14所示，根据本实施方式的图像烧灼校正电路80包括哑像素单元81、恶化度 计算单元82和校正单元83。哑像素单元81布置在显示面板70上的像素阵列单元(显示 区域)30的外部。哑像素单元81包括R、G和B的原色哑像素单元81A以及Cy (青色)和 Mg(品红色)的补色哑像素单元81B。例如在原色 像素单元81A中，使得G现像素的有机EL元件发光，并且检测亮度 恶化。根据该检测结果，可以预测G有效像素20的有机EL元件的亮度恶化。在补色哑像素单元8IB中，同时使得Cy哑像素的G有机EL元件和B有机EL元件 发Cy光，并且检测亮 度恶化。根据该检测结果，可以预测由于将B光施加到构成G有效像素20的晶体管所引起 的特性恶化。图15是示意性图示哑像素单元81的特定配置的图。如图15所示，哑像素单元81 包括R、G和B的原色哑像素单元8IA以及Cy和Mg的补色哑像素单元81B。原色哑像素单元81A包括对应于R、G和B的有效像素20的三种颜色的哑像素 811R、811G和811B。也就是说，哑像素811R、811G和811B具有对应于显示区域的基本发光 颜色的颜色依赖性。由于针对多个不同发光亮度值中的每个布置多个 像素，因此 像素 811R、811G和811B也具有亮度依赖性。具体地，R哑像素81IR包括三个哑像素81 IRl、811R2和811R3以对应三种类型的 发光亮度(如100nit、200nit和400nit)。类似地，G哑像素811G包括三个哑像素811G1、 811G2和811G3以对应三种类型的发光亮度，并且B哑像素811B包括三个哑像素811B1、 811B2和811B3以对应三种类型的发光亮度。R 哑像素 811R1、811R2 和 811R3、G 哑像素 811G1、811G2 和 811G3 以及 B 哑像素 811BU811B2和811B3由对应于各颜色和三种类型的发光亮度的用于哑像素的显示信号驱 动。这里，各发光颜色和发光亮度值的哑像素统称为哑像素811A。除了哑像素811A外，原色哑像素81A还包括光学传感器812A(812R1、812R2、 812R3/812G1、812G2、812G3/812B1、812B2、812B3)。光学传感器 812A 通过检测从各发光颜 色和发光亮度值的哑像素811A发出的光，测量哑像素811A的亮度。补色哑像素单元81B包括Cy和Mg哑像素81 ICy和81 lMg。Cy哑像素81 ICy至少 包括发出G光(第一颜色光)的有机EL元件以及发出B光(第二颜色光)的有机EL元 件，并且通过同时驱动G和B有机EL元件而发出Cy光。Mg哑像素811Mg至少包括发出R 光(第一颜色光)的有机EL元件以及发出B光(第二颜色光)的有机EL元件，并且通过 同时驱动R和B有机EL元件而发出Mg光。由于多个哑像素布置为对应多个不同的发光亮度值，因此类似于原色哑像素，哑 像素811Cy和811Mg具有亮度依赖性。具体地，Cy哑像素811Cy包括三个哑像素811Cyl、 811Cy2和811Cy3以便对应三种类型的发光亮度。类似地，Mg哑像素811Mg包括三个哑像 素811Mgl、811Mg2和811Mg3以对应三种类型的发光亮度。在下文中，各发光颜色和发光亮 度值的哑像素称为哑像素811B。除了哑像素811B外，补色哑像素单元81B还包括光学传感器812B(812Cyl、 812Cy2、812Cy3/812Mg 1、812Mg2、812Mg3)。光学传感器812B通过检测从各发光颜色和发光 亮度值的哑像素811B所发出的光，测量哑像素811B的亮度。这里，没有向补色哑像素单元81B提供黄色哑像素，这是由于相比于B光，R光和G 光对像素的晶体管具有更小的影响。然而，当然可以向补色哑像素单元81B提供黄色哑像
ο光学传感器812A和812B例如布置为面对哑像素811A和811B的发光表面。已知 的光学传感器可以用作光学传感器812A和812B。例如，可以使用利用无定形硅半导体的可 见光传感器。光学传感器812A和812B例如将被检测为电流值的亮度信息(光强信息)输 出为电压值。作为光学传感器812A和812B的检测结果的亮度信息提供给恶化度计算单元82。如上所述，作为哑像素81IA和81IB的自发光元件的有机EL元件与发光亮度(发 光量)和发光时间成比例地在亮度效率上减小。亮度效率的恶化度依据发光颜色而变化。 图16针对R、G、B、Cy和Mg的发光颜色图示了 100nit、200nit和400nit中的每一个的发 光时间-亮度特性。在图16中，测量的特性示出到发光时间tl，估计的特性在时间tl后示
出ο恶化度计算单元82从对应于各发光颜色和发光亮度值的哑像素81IA和81IB的光学传感器812A和812B的检测结果(亮度信息)中，检测像素阵列单元(显示区域)30 中R、G和B的发光颜色的亮度恶化特性。将参照显示区域中的R、G和B的有效像素20当 中的G像素是检测目标的示例，详细描述亮度恶化特性的检测。在哑像素单元81中，除了作为检测目标的G哑像素811G外，还使得包括一组发出 G光的有机EL元件和发出B光的有机EL元件的Cy哑像素SllCy同时发光。在该状态下， 恶化度计算单元82从光学传感器812G的检测结果计算G哑像素811G的恶化度，并且从光 学传感器812Cy的检测结果计算Cy哑像素SllCy的恶化度。这里，由于G哑像素811G具有只发出G光的发光状态，因此从光学传感器812G的 检测结果计算出的恶化度是发出G光的有机EL元件的恶化度。可以从该恶化度预测显示 区域中G有效像素20的有机EL元件的亮度恶化。另一方面，由于Cy哑像素811Cy具有G光和B光同时发光的发光状态，因此可以 认为该状态与将B光施加到G哑像素811G的状态相同。因此，从光学传感器812Cy的检测 结果计算出的恶化度是通过将发出G光的有机EL元件的恶化度加到由于将B光施加到像 素中的晶体管所引起的恶化度而获得的恶化度。因此，恶化度计算单元82计算从光学传感器812G的检测结果计算出的恶化度和 从光学传感器812Cy的检测结果计算出的恶化度之间的差别。该差别是由于将B光施加到 像素中的晶体管所引起的特性恶化度。因此，恶化度计算单元82可以从光学传感器812G 的检测结果计算有机EL元件的恶化度，并且可以使用该差别计算由于将B光施加到像素中 的晶体管所弓I起的特性恶化度。校正单元83由FPGA (现场可编程门阵列)等形成。校正单元83基于通过恶化度 计算单元82计算的、有机EL元件的恶化度和由于将B光施加到像素中的晶体管所引起的 恶化度计算图像烧灼校正度。校正单元83基于计算的图像烧灼校正度，通过控制用于驱动 图像烧灼现象出现的区域中的有效像素20的图像信号SIG的电平，校正对应的有效像素20 的发光亮度。通过该亮度校正，在信号处理方面，可以校正由于作为自发光元件的有机EL元件 的特性恶化所引起的图像烧灼现象以及由于基于B光的施加的电流恶化所引起的图像烧 灼现象。这里，如上所述，由于基于B光的施加的电流恶化所引起的图像烧灼现象是当像素 中的晶体管当中的写晶体管23的Vth特性由于B光的施加而转变时、通过恶化有机EL元 件21中流过的电流而导致的图像烧灼现象。校正单元83校正的图像信号提供给驱动器90，其通过驱动显示面板70的有效像 素20来显示图像。诸如驱动器90之类的模块布置在显示面板70的背侧。驱动器90将图 像信号的信号电压Vsig提供给图2所示的信号输出电路(选择器)60。
以此方式，在信号处理方面校正图像烧灼现象的根据该实施方式的图像烧灼校正 电路80具有以下处理路径哑像素81IA和81IB —光学传感器812A和812B —恶化度计算 单元82—校正单元83—和驱动器90。用于实现图像烧灼校正功能的电路不限于上述图像 烧灼校正电路80，而是可以具有任何配置，只要其在信号处理方面可以校正图像烧灼现象 即可。[3-2.实施方式的操作优点] 如上所述，通过提供包括发出第一颜色光的发光元件的第一哑像素以及包括发出 第一颜色光的发光元件和发出不同于第一颜色光的第二颜色光的发光元件的第二哑像素， 可以获得下面的操作优点。第一，基于来自第一哑像素的亮度检测结果，可以计算有机EL 元件的亮度恶化度。此外，通过计算基于来自第一哑像素的亮度检测结果计算出的恶化度和基于来自 第二 像素的亮度检测结果计算出的恶化度之间的差别，可以计算由于B光的施加所引起 的像素中的晶体管特性的恶化度。如上所述，由于像素中的晶体管特性(具体地，写晶体管 23的Vth特性)转变，因此恶化了有机EL元件21中流过的电流。也就是说，该差别是由于 B光的施加所引起的流入有机EL元件21的电流的恶化度。基于计算出的恶化度，即，有机EL元件的亮度恶化度和由于B光的施加所引起的 流入有机EL元件21的电流的恶化度，预测出现图像烧灼现象的区域中的有效像素20的特 性恶化，以便确定图像烧灼校正度。然后，通过基于确定的图像烧灼校正度校正图像烧灼， 可以除了由于自发光元件的特性恶化所引起的图像烧灼现象外，还加以考虑由于基于来自 不同于对应自发光元件的自发光元件的不同颜色光的施加的电流恶化所引起的图像烧灼 现象，来执行图像烧灼校正处理。<4.修改示例〉在上述实施方式中已经说明了采用有机EL元件作为像素20的电光元件(发光元 件)的有机EL显示器件，但是本发明不限于该实施方式。也就是说，本发明可以应用于采 用诸如无机EL元件、LED元件和半导体激光元件之类的自发光元件作为像素20的电光元 件的所有自发光型显示器件。<5.应用 >上述显示器件可用作将输入电子装置的图像信号或从电子装置生成的图像信号 显示为图像或视频的所有领域中的电子装置的显示器件。该显示器件可用作图17到21G 所示的各种电子装置的显示器件，如数字相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话之类的移 动终端以及摄像机。以此方式，通过使用根据本发明实施方式的显示器件作为所有电子装置的显示器 件，可以在各种电子装置中显示具有高质量的图像。也就是说，如可以从上述实施方式看到 的，由于根据本发明实施方式的显示器件除了自发光元件的特性恶化外，还可以加以考虑 由于不同颜色光的施加所引起的电流恶化来校正图像烧灼，因此可以获得具有高质量的显 示图像。根据本发明实施方式的显示器件包括密封模块型。例如，可以使用通过将诸如透 明玻璃板之类的对向(counter)部分附于像素阵列单元30所形成的显示模块。透明的对 向部分可以配备有滤色器、保护模和上述遮光膜。显示模块可以配备有用于外部地将信号输入到像素阵列单元和从像素阵列单元输出信号的电路单元或FPC(柔性印刷电路)。下面将描述应用本发明的电子装置的特定示例。图17是图示应用本发明的电视机的外观的透视图。根据本应用的电视机包括具 有前面板102或滤色器103的图像显示屏幕101，并且采用根据本发明实施方式的显示器件 作为图像显示屏幕101。图18A和18B是图示应用本发明的数字相机的外观的透视图，其中图18A是从前 侧观看的透视图，而图18B是从后侧观看的透视图。根据本应用的数字相机包括用于闪光 的发光单元111、显示单元112、菜单开关113和快门按钮114，并且采用根据本发明实施方 式的显示器件作为显示单元112。图19是图示应用本发明的笔记本个人计算机的外观的透视图。根据该应用的笔 记本个人计算机包括主体121、输入字符等时操作的键盘122、以及显示图像的显示单元 124，并且采用根据本发明实施方式的显示器件作为显示单元123。图20是图示应用本发明的摄像机的外观的透视图。根据本应用的摄像机 包括主 体131、布置在面向前方的表面上的被摄体拍摄透镜132、用于拍摄的开始/停止开关133 和显示单元134，并且采用根据本发明实施方式的显示器件作为显示单元134。图21A到21G是图示根据本发明实施方式的移动电话的外观的图，其中图21A是 图示打开状态的前视图，图21B是侧视图，图21C是图示关闭状态的前视图，图21D是左侧 视图，图21E是右侧视图，图2IF是顶视图，图2IG是底视图。根据本应用的移动电话包括 上机壳141、下机壳142、连接单元(折叶部分)143、显示器144、子显示器145、画面灯146 和相机147。根据本应用的移动电话采用根据本发明实施方式的显示器件作为显示器144 或子显示器145。本申请包含涉及于2009年10月2日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-230235中公开的主题，在此通过引用的方式并入其全部内容。本领域技术人员应当理解，依据设计需求和其他因素，可以出现各种修改、组合、 部分组合和变更，只要其在所附权利要求书及其等效物的范围内即可。
权利要求
1.一种显示器件，包括第一 像素，其包括发出对应于显示区域中的像素的发光颜色的第一颜色光的自发光 元件；第二哑像素，其包括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自发光元件， 并且使得两种自发光元件同时发光；恶化度计算单元，其基于第一 像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光的自发光 元件的亮度的恶化度，并且基于第一和第二哑像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光 的自发光元件中流过的电流的恶化度；以及校正单元，其基于恶化度计算单元所计算出的亮度的恶化度和电流的恶化度，校正有 助于图像显示的有效像素的亮度。
2.如权利要求1所述的显示器件，其中，恶化度计算单元计算基于第一哑像素的亮度 检测结果计算出的恶化度和基于第二tt像素的亮度检测结果计算出的恶化度之间的差，并 且使用该差作为电流的恶化度。
3.如权利要求1所述的显示器件，其中，第一颜色光包括绿色光和红色光，并且第二颜 色光是蓝色光。
4.如权利要求1所述的显示器件，其中，第一和第二哑像素包括以不同发光亮度值发 光的多个哑像素。
5.如权利要求1所述的显示器件，其中，有效像素具有如下的迁移率校正处理的功能 通过使用对应于在驱动自发光元件的驱动晶体管中流过的电流的校正度，将负反馈施加到 驱动晶体管的栅源电位差。
6.如权利要求5所述的显示器件，其中，有效像素包括写入图像信号的写晶体管，并且 基于写晶体管的导通时段来确定迁移率校正处理的校正时段。
7.如权利要求6所述的显示器件，其中，恶化度计算单元根据基于第一哑像素的亮度 检测结果所计算出的恶化度和基于第二tt像素的亮度检测结果所计算出的恶化度之间的 差，计算写晶体管的特性的恶化度。
8.—种显示器件的驱动方法，该显示器件包括第一哑像素和第二哑像素，第一哑像素 包括发出对应于显示区域中的像素的发光颜色的第一颜色光的自发光元件，第二哑像素包 括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自发光元件并且使得两种自发光元 件同时发光，所述驱动方法包括以下步骤基于第一 像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光的自发光元件的亮度的恶化 度，并且基于第一和第二 像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光的自发光元件中流 过的电流的恶化度；以及基于在计算恶化度的步骤中计算出的所计算的亮度恶化度和所计算的电流恶化度，校 正有助于图像显示的有效像素的亮度。
9.一种具有显示器件的电子装置，包括第一哑像素，其包括发出对应于显示区域中的像素的发光颜色的第一颜色光的自发光 元件；第二哑像素，其包括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自发光元件， 并且使得两种自发光元件同时发光；恶化度计算单元，其基于第一 像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光的自发光 元件的亮度的恶化度，并且基于第一和第二哑像素的亮度检测结果来计算发出第一颜色光 的自发光元件中流过的电流的恶化度；以及校正单元，其基于恶化度计算单元所计算出的亮度的恶化度和电流的恶化度，校正有 助于图像显示的有效像素的亮度。
10.一种显示器件，包括发出第一颜色光的自发光元件；以及在显示区域中发出第二颜色光的自发光元件，其中，所述显示区域包括 第一哑像素，其仅包括发出第一颜色光的自发光元件，以及第二哑像素，其包括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自发光元件。
11.如权利要求10所述的显示器件，其中，第二颜色光是蓝色光。
12.如权利要求10所述的显示器件，其中，第二颜色光具有小于第一颜色光的波长的 波长。
全文摘要
在此公开了显示器件、显示器件的驱动方法和电子装置。所述显示器件包括第一哑像素，其包括发出对应于显示区域中的像素的发光颜色的第一颜色光的自发光元件；第二哑像素，其包括发出第一颜色光的自发光元件和发出第二颜色光的自发光元件，并且使得两种自发光元件同时发光；恶化度计算单元，其基于第一哑像素的亮度检测结果计算发出第一颜色光的自发光元件的亮度的恶化度，并且基于第一和第二哑像素的亮度检测结果计算发出第一颜色光的自发光元件中流过的电流的恶化度；以及校正单元，其基于恶化度计算单元计算的亮度的恶化度和电流的恶化度，校正有助于图像显示的有效像素的亮度。
文档编号G09G3/20GK102034428SQ201010294300
公开日2011年4月27日 申请日期2010年9月25日 优先权日2009年10月2日
发明者内野胜秀, 山下淳一 申请人:索尼公司