专利名称：驱动电路和有机发光显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光显示领域，尤其涉及一种驱动电路和有机发光显示器。
背景技术：
现有的像素单元驱动电路如图I所示，该驱动电路包括两个晶体管和一个电容，其中一个晶体管为开关管Tl，由扫描线输出的扫描信号Vscan所控制，目的是为了控制数据线Data上的数据信号Vdata的输入，另一个晶体管为驱动管T2，控制OLED (有机发光二极管，Organic Light-Emitting Diode)发光；Cs为存储电容,用于在非扫描期间维持对驱动管T2所施加的电压，上述电路被称为2T1C像素单元驱动电路。AMOLED能够发光是由驱动晶体管在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同、的灰阶电压时，所述驱动晶体管的不同的阈值电压会导致产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。而LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶娃技术)制程上阈值电压Vth的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，因此传统的2T1C像素单元驱动电路的亮度均
匀性一直很差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种驱动电路和有机发光显示器，以提高有机发光显示器的亮度均匀度。为了达到上述目的，本发明提供了一种驱动电路，包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；所述驱动薄膜晶体管的栅极，与所述存储电容的第一端连接，还通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述驱动控制单元分别与数据线和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极，与OLED的阴极连接；所述存储电容的第二端还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和驱动电源的低电平输出端连接；所述第一开关元件串联于所述OLED的阳极和驱动电源的高电平输出端之间；所述驱动薄膜晶体管为η型薄膜晶体管；所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件；所述存储电容的第二端与所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有第二开关元件；
所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间连接有第三开关元件；所述存储电容的第二端与所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第四开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述数据线之间连接有第五开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第六开关元件。实施时，所述第一开关元件是第一薄膜晶体管，所述第二开关元件是第二薄膜晶体管，所述第三开关元件是第三薄膜晶体管，所述第四开关元件是第四薄膜晶体管，所述第五开关元件是第五薄膜晶体管，所述第六开关元件是第六薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管，源极与所述第六薄膜晶体管的漏极连接；
所述第一薄膜晶体管，栅极与第一栅极控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管的源极和所述存储电容的第二端连接，漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接；所述第三薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；所述第四薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极接地；所述第五薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接；所述第六薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极接地；所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为η型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。本发明还提供了一种有机发光显示器，包括OLED和上述的驱动电路。本发明还提供了一种驱动电路，包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；所述驱动薄膜晶体管的栅极，与所述存储电容的第一端连接，还通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极，通过所述驱动控制单元分别与数据线和所述驱动电源的高电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述第一开关元件与OLED的阳极连接；所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元分别与所述驱动电源的高电平输出端和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接。所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压；所述驱动薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件，其中，所述存储电容的第二端与地线之间连接有第二开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有第三开关元件；所述存储电容的第二端和所述驱动电源的高电平输出端之间连接有第四开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述数据线之间连接有第五开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述驱动电源的高电平输出端之间连接有第六开关元件。实施时，所述第一开关元件是第一薄膜晶体管，所述第二开关元件是第二薄膜晶 体管，所述第三开关元件是第三薄膜晶体管，所述第四开关元件是第四薄膜晶体管，所述第五开关元件是第五薄膜晶体管，所述第六开关元件是第六薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管的源极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极和所述第六薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接；所述第一薄膜晶体管，栅极与第一栅极控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极接地，漏极与所述存储电容的第二端连接；所述第三薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；所述第四薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；所述第五薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与数据线连接；所述第六薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接；所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为η型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。本发明还提供了一种有机发光显示器，包括OLED和上述的驱动电路；所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接。与现有技术相比，本发明所述的驱动电路和有机发光显示器，通过驱动控制单元控制驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动OLED的驱动薄膜晶体管的阈值电压，从而解决AMOLED面板亮度不均匀和亮度衰减的问题。
图I是现有的像素单元驱动电路的电路图；图2是本发明第一实施例所述的驱动电路的电路图；图3是本发明第二实施例所述的驱动电路的电路图；图4是本发明第三实施例所述的驱动电路的电路图4A是本发明第三实施例所述的驱动电路在预充电阶段的等效电路图；图4B是本发明第三实施例所述的驱动电路在放电阶段的等效电路图；图4C是本发明第三实施例所述的驱动电路在驱动OLED发电显示阶段的等效电路图；图5是本发明第三实施例所述的驱动电路中的第一栅极控制线Gl输出的信号、第二栅极控制线G2输出的信号和数据线Data输出的数据电压Vdata的时序图；图6是本发明第四实施例所述的驱动电路的电路图；图7是本发明第五实施例所述的驱动电路的电路图；图8是本发明第六实施例所述的驱动电路的电路图； 图9A是本发明第六实施例所述的驱动电路在预充电阶段的等效电路图；图9B是本发明第六实施例所述的驱动电路在放电阶段的等效电路图；图9C是本发明第六实施例所述的驱动电路在驱动OLED发电显示阶段的等效电路图；图10是本发明第六实施例所述的驱动电路中的第一栅极控制线Gl输出的信号、第二栅极控制线G2输出的信号和数据线Data输出的数据电压Vdata的时序图。
具体实施例方式为使得本发明的目的、技术方案和优点表达得更加清楚明白，下面结合附图及具体实施例对本发明再做进一步详细的说明。本发明提供了一种驱动电路和有机发光显示器，利用二极管接法(DiodeConnection)并通过控制存储电容放电以使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动AMOLED的驱动薄膜晶体管的阈值电压，从而解决有机发光显示器亮度不均匀和亮度衰减的问题。下面根据具体实施例来介绍本发明所述的驱动电路。需要说明的是，在本发明的附图中，如果没有特殊说明，G代表栅极，S代表源极，D代表漏极。如图2所示，本发明第一实施例所述的驱动电路，用于驱动0LED，该驱动电路包括驱动薄膜晶体管DTFT、第一开关元件11、存储电容Cs和驱动控制单元21 ；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极，与所述存储电容Cs的第一端连接，还通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极通过所述驱动控制单元21分别与数据线Data和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极，与OLED的阴极连接；所述存储电容Cs的第二端还通过所述驱动控制单元21分别与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极和驱动电源的低电平输出端连接；所述第一开关元件11串联于所述OLED的阳极和驱动电源的高电平输出端之间；所述驱动薄膜晶体管DTFT为η型薄膜晶体管；所述驱动控制单元21，用于通过控制所述存储电容Cs充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管DTFT工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压；所述驱动电源的高电平输出端的输出电压为VDD，所述驱动电源的低电平输出端的输出电压为VSS。本发明第一实施例所述的驱动电路在工作时，在第一时间段，即预充电阶段，所述第一开关元件11导通所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端之间的连接，所述驱动控制单元21导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与漏极之间的连接，导通所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的低电平输出端之间的连接，并导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与数据线Data之间的连接，数据线Data输出的数据电压Vdata输入，所述存储电容Cs被充电，DTFT的栅极电压和漏极电压都为VDD, DTFT实为一个二极管进入饱和状态；在第二时间段，即放电阶段，数据线Data输出的数据电压Vdata为高电平，所述第一开关元件11断开所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端之间的连接，所述驱动控制单元21控制断开驱动薄膜晶体管DTFT的漏极与所述驱动电源的高电平输出端的连接，·存储电容Cs经驱动控制单元21、DTFT开始放电，直到DTFT的栅源电压为Vth，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压，此时，所述存储电容Cs的第一端与第二端之间的电压差值为 Vdata+Vth ；在第三时间段，即驱动OLED发电显示阶段，所述驱动控制单元21控制断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与漏极之间的连接，断开所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的低电平输出端的连接，并断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与数据线Data之间的连接，控制导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极与所述存储电容Cs的第二端之间的连接，并导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与驱动电源的低电平输出端之间的连接；此时，存储电容Cs的第二端电压即VDD，如此存储电容Cs的第一端电压即驱动薄膜晶体管DTFT的栅极电压将发生突变，以使得存储电容Cs的两端电压差值恒定，存储电容Cs的第一端电压变为VDD+Vth+Vdata-Vth_oled，所述驱动薄膜晶体管的栅源电压Vgs也为VDD+Vth+Vdata-Vth_oIed0其中，Vth_oled是指OLED的阈值电压。此时流过驱动薄膜晶体管DTFT的电流I为I = K (Vgs-Vth)2= K(VDD+Vth+Vdata-Vth_oled-Vth)2= K (VDD+Vdata-Vth_oled)2其中，K为DTFT的电流系数；
WΚ = 0οχ·μ·—；μ、Cox, W、L分别为DTFT的场效应迁移率，栅绝缘层单位面积电容、沟道宽度、长度；如此消除了驱动薄膜晶体管DTFT的Vth的影响，这样就可以改善电容的均匀性，达到亮度的均匀。如图3所示，本发明第二实施例所述的驱动电路的电路图。本发明第二实施例所述的驱动电路基于本发明第一实施例所述的驱动电路。在本发明第二实施例所述的驱动电路中，所述驱动控制单元包括第二开关元件12、第三开关元件13、第四开关元件14、第五开关元件15和第六开关元件16 ；所述存储电容Cs的第二端与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极之间连接有第二开关元件12 ；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极和漏极之间连接有第三开关元件13 ；所述存储电容Cs的第二端与所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第四开关元件14 ；所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极和所述数据线Data之间连接有第五开关元件15 ； 所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第六开关元件16。如图4所示，本发明第三实施例所述的驱动电路的电路图。本发明第三实施例所述的驱动电路基于本发明第二实施例所述的驱动电路。在本发明第三实施例所述的驱动电路中，所述第一开关元件11是标号为Tl的第一薄膜晶体管，所述第二开关元件12是标号为T2的第二薄膜晶体管，所述第三开关元件13是标号为T3的第三薄膜晶体管，所述第四开关元件14是标号为T4的第四薄膜晶体管，所述第五开关元件15是标号为T5的第五薄膜晶体管，所述第六开关元件16是标号为T6的第六薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管DTFT，栅极与所述存储电容Cs的第一端连接，源极与所述第六薄膜晶体管T6的漏极连接，漏极与所述OLED的阴极连接；所述第一薄膜晶体管Tl，栅极与第一栅极控制线Gl连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接；所述第二薄膜晶体管T2，栅极与第二栅极控制线G2连接，源极与所述第四薄膜晶体管T4的源极连接，漏极与所述第三薄膜晶体管T3的源极连接；所述第三薄膜晶体管T3，栅极与第二栅极控制线G2连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极连接；所述第四薄膜晶体管T4，栅极与第二栅极控制线G2连接，漏极接地；所述第五薄膜晶体管T5，栅极与第二栅极控制线G2连接，源极与数据线Data连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极连接；所述第六薄膜晶体管T6，栅极与第二栅极控制线G2连接，源极接地；所述存储电容Cs的第二端与所述第二薄膜晶体管T2的源极连接；所述第一薄膜晶体管Tl、所述第二薄膜晶体管T2、所述第六薄膜晶体管T6和所述驱动薄膜晶体管DTFT为η型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管Τ3、所述第四薄膜晶体管Τ4和所述第五薄膜晶体管Τ5为P型薄膜晶体管；所述驱动电源的低电平输出端为地线GND。如图4Α所示，本发明第三实施例所述的驱动电路工作时，在第一时间段，即预充电阶段，所述第一栅极控制线Gl输出高电平，所述第二栅极控制线G2输出低电平，数据线Data输出的数据电压Vdata为高电平，此时，T2、T6关闭，Tl、T3、T4、T5均打开；所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接，驱动薄膜晶体管DTFT的栅极和漏极导通，驱动薄膜晶体管DTFT的源极与数据线Data连接，存储电容Cs的第二端接地；数据线Data输出的数据电压Vdata输入，存储电容Cs被充电，DTFT的栅极电压和漏极电压都为VDD，DTFT实为一个二极管进入饱和状态。如图4B所示，本发明第三实施例所述的驱动电路工作时，在第二时间段，即放电阶段，所述第一栅极控制线Gl输出低电平，所述第二栅极控制线G2输出低电平，数据线Data输出的数据电压Vdata为高电平，Tl关闭，所述OLED的阳极断开与所述驱动电源的高电平输出端的连接，存储电容Cs经T3、DTFT开始放电，直到DTFT的栅源电压为Vth，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压，此时，所述存储电容Cs的第一端与第二端之间的电压差值为Vdata+Vth。如图4C所示，本发明第三实施例所述的驱动电路工作时，在第三时间段，即驱动OLED发电显示阶段，所述第一栅极控制线Gl输出低电平，所述第二栅极控制线G2输出高电平，T3、T4、T5关闭，Tl、T2、T6打开，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平 输出端连接，所述存储电容Cs的第二端断开与地线GND的连接而与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极导通，驱动薄膜晶体管DTFT的漏极断开与驱动薄膜晶体管DTFT的栅极的连接而通过OLED与所述驱动电源的高电平输出端连接，驱动薄膜晶体管DTFT的源极断开与数据线Data的连接而与地线GND连接；此时，存储电容Cs的第二端电压即VDD，此时存储电容Cs的第一端电压即驱动薄膜晶体管DTFT的栅极电压将发生突变，以使得存储电容Cs的两端电压差值恒定，存储电容Cs的第一端电压变为VDD+Vth+Vdata-Vth_oled，所述驱动薄膜晶体管的栅源电压Vgs也为VDD+Vth+Vdata-Vth_oled。其中，Vth_oled是指OLED的阈值电压。此时流过驱动薄膜晶体管DTFT的电流I为I = K (Vgs-Vth)2= K(VDD+Vth+Vdata-Vth_oled-Vth)2= K (VDD+Vdata-Vth_oled)2其中，K为DTFT的电流系数；
WK = Cox ·μ · —；μ、Cox, W、L分别为DTFT的场效应迁移率，栅绝缘层单位面积电容、沟道宽度、长度；如此消除了驱动薄膜晶体管DTFT的Vth的影响，这样就可以改善电容的均匀性，达到亮度的均匀。图5是本发明第三实施例所述的驱动电路中的第一栅极控制线Gl输出的信号、所述第二栅极控制线G2输出的信号和数据线Data输出的数据电压Vdata的时序图。作为本发明第三实施例可以替代的实施例，第一薄膜晶体管还可以为P型，其相应的第一栅极控制线Gl输出的信号也变成与现在图5中的Gl信号电平彼此反相的信号；第五薄膜晶体管还可以为N型，第六薄膜晶体管还可以为P型，其相应的第二栅极控制线G2输出的信号也变成与现在图5中的G2信号电平彼此反相的信号，也可以实现同样的功能。本发明可以替代的实施例中，薄膜晶体管还可以由三极管，MOS管(M0SFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)等来代替，可以实现相同的功倉泛。本发明还提供了一种有机发光显示器，包括OLED和如本发明第一实施例、第二实施例或第三实施例所述的驱动电路；所述驱动电路包括的第一开关元件与所述OLED的阳极连接；所述驱动电路包括的驱动薄膜晶体管的漏极与所述OLED的阴极连接；所述有机发光显示器包括多个像素单元组成的显示区域，每个驱动电路对应一个像素单元，用于驱动OLED。如图6所示，本发明第四实施例所述的驱动电路，包括驱动薄膜晶体管DTFT、第一开关元件61、存储电容Cs和驱动控制单元62 ； 所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极，与所述存储电容Cs的第一端连接，还通过所述驱动控制单元62与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极连接； 所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极，通过所述驱动控制单元62分别与数据线Data和所述驱动电源的高电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极，通过所述第一开关元件61与OLED的阳极连接；所述存储电容Cs的第二端通过所述驱动控制单元62分别与所述驱动电源的高电平输出端和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT为P型薄膜晶体管；所述驱动电源的高电平输出端的输出电压为VDD，所述驱动电源的低电平输出端的输出电压为VSS。本发明第四实施例所述的驱动电路在工作时，在第一时间段，即预充电阶段，所述第一栅极控制线Gl输出高电平，所述第二栅极控制线G2输出低电平，数据线Data输出的数据电压Vdata为高电平，此时，所述第一开关元件61导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极与所述OLED的阳极之间的连接，所述驱动控制单元62控制导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与漏极之间的连接，导通所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的高电平输出端之间的连接，并导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与数据线Data之间的连接；数据线Data输出的数据电压Vdata输入，存储电容Cs被充电，DTFT的栅极电压和漏极电压都与地线GND连接，DTFT实为一个二极管进入饱和状态；在第二时间段，即放电阶段，所述第一栅极控制线Gl输出低电平，所述第二栅极控制线G2输出低电平，数据线Data输出的数据电压Vdata为高电平，所述第一开关元件61断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极与地线GND的连接，存储电容Cs经驱动控制单元62、DTFT开始放电，直到DTFT的栅源电压为Vth，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压，此时，所述存储电容Cs的第二端与第一端之间的电压差值为VDD-Vdata+Vth ；在第三时间段，即驱动OLED发电显示阶段，所述第一栅极控制线Gl输出低电平，所述第二栅极控制线G2输出高电平；所述第一开关元件61导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极与地线GND的连接；所述驱动控制单元62控制断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与漏极之间的连接，断开所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的高电平输出端之间的连接，并断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与数据线Data之间的连接，控制导通所述存储电容Cs的第二端与地线GND之间的连接，并导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与驱动电源的高电平输出端之间的连接；此时，存储电容Cs的第二端即OLED的阴极接地线GND，如此存储电容Cs的第一端电压即驱动薄膜晶体管DTFT的栅极电压将发生突变，以使得存储电容Cs的两端电压差值恒定，存储电容Cs的第一端电压变为Vdata-Vth-VDD，所述驱动薄膜晶体管的栅源电压Vgs为Vdata-VDD-Vth_Vth_oled。其中，Vth_oled是指OLED的阈值电压。此时流过驱动薄膜晶体管DTFT的电流I为I = K (Vgs+Vth)2= K(Vdata-VDD-Vth-Vth_oled+Vth)2= K (Vdata-VDD-Vth_oled)权利要求
1.一种驱动电路，其特征在于，包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单兀； 所述驱动薄膜晶体管的栅极，与所述存储电容的第一端连接，还通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接； 所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述驱动控制单元分别与数据线和所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极，与OLED的阴极连接； 所述存储电容的第二端还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和驱动电源的低电平输出端连接； 所述第一开关元件串联于所述OLED的阳极和驱动电源的高电平输出端之间； 所述驱动薄膜晶体管为η型薄膜晶体管； 所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
2.如权利要求I所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件； 所述存储电容的第二端与所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有第二开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间连接有第三开关元件； 所述存储电容的第二端与所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第四开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和所述数据线之间连接有第五开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有第六开关元件。
3.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于， 所述第一开关元件是第一薄膜晶体管，所述第二开关元件是第二薄膜晶体管，所述第三开关元件是第三薄膜晶体管，所述第四开关元件是第四薄膜晶体管，所述第五开关元件是第五薄膜晶体管，所述第六开关元件是第六薄膜晶体管； 所述驱动薄膜晶体管，源极与所述第六薄膜晶体管的漏极连接； 所述第一薄膜晶体管，栅极与第一栅极控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接； 所述第二薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管的源极和所述存储电容的第二端连接，漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接； 所述第三薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接； 所述第四薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极接地； 所述第五薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接； 所述第六薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极接地； 所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为η型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
4.一种有机发光显示器，包括OLED和如权利要求I至3中任一权利要求所述的驱动电路。
5.一种驱动电路，其特征在于，包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单兀； 所述驱动薄膜晶体管的栅极，与所述存储电容的第一端连接，还通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接； 所述驱动薄膜晶体管的源极，通过所述驱动控制单元分别与数据线和所述驱动电源的高电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述第一开关元件与OLED的阳极连接； 所述存储电容的第二端通过所述驱动控制单元分别与所述驱动电源的高电平输出端和所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压； 所述驱动薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件，其中， 所述存储电容的第二端与地线之间连接有第二开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有第三开关元件； 所述存储电容的第二端和所述驱动电源的高电平输出端之间连接有第四开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和所述数据线之间连接有第五开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和所述驱动电源的高电平输出端之间连接有第六开关元件。
7.如权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是第一薄膜晶体管，所述第二开关元件是第二薄膜晶体管，所述第三开关元件是第三薄膜晶体管，所述第四开关元件是第四薄膜晶体管，所述第五开关元件是第五薄膜晶体管，所述第六开关元件是第六薄膜晶体管； 所述驱动薄膜晶体管的源极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极和所述第六薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接； 所述第一薄膜晶体管，栅极与第一栅极控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接； 所述第二薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极接地，漏极与所述存储电容的第二端连接； 所述第三薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接； 所述第四薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与驱动电源的高电平输出端 连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；所述第五薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，源极与数据线连接； 所述第六薄膜晶体管，栅极与第二栅极控制线连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接； 所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管为η型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
8.一种有机发光显示器，其特征在于，包括OLED和如权利要求5至7中任一权利要求所述的驱动电路。
全文摘要
本发明提供一种驱动电路和有机发光显示器。所述驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；驱动薄膜晶体管的栅极与存储电容的第一端连接，还通过驱动控制单元与驱动薄膜晶体管的漏极连接；驱动薄膜晶体管的源极通过驱动控制单元与数据线连接；存储电容的第二端还通过驱动控制单元与驱动薄膜晶体管的漏极连接；第一开关元件串联于OLED的阳极和驱动电源的高电平输出端之间；驱动控制单元通过控制存储电容充放电，控制驱动薄膜晶体管工作于饱和区并通过存储电容给所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压。本发明可以解决有机发光显示器亮度不均匀和亮度衰减的问题。
文档编号G09G3/32GK102708797SQ20121009360
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日
发明者李天马, 祁小敬 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司