发光驱动单元、发光驱动部及有机发光显示装置的制作方法

本发明涉及发光驱动部(emissiondriver)，具体涉及包括逆变器电路的、由n型或者p型的单一晶体管构成的发光驱动部。

背景技术：
逐行发光方式为有机发光显示装置的驱动方法之一，逐行发光方式是指，根据依次施加的扫描信号扫描数据，然后根据依次施加的发光（emission）信号使最先被扫描的线的OLED元件开始发光的方式。此时，通过调整未施加发光信号的区间的长度、即待机比（offdutyratio），能够得到连续的黑暗（dimming）效果，并且具有与插入黑带时相同的效果，因此可以消除运动模糊（motionblur）现象。然而，通过互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管构成用于提供上述发光信号的发光驱动部的情况下，存在速度慢的问题，并且还需要反转（inverted）输入信号。

技术实现要素：
本发明的一目的在于提供包括逆变器电路从而可以由n型或者p型的单一晶体管构成的发光驱动单元。本发明的另一目的在于提供包括上述发光驱动单元从而可以以一个非反转输入信号进行控制的发光驱动部。本发明的再一目的在于提供包括上述发光驱动部从而可进行脉冲（impulse）驱动的有机发光显示装置。然而，本发明所要解决的技术问题并不限于此，在不脱离本发明的思想和领域的范围内可以进行多种扩展。为了达到本发明的一目的，根据本发明的实施例的发光驱动单元包括：输入信号生成电路；逆变器电路；以及输出切换电路。所述输入信号生成电路、所述逆变器电路以及所述输出切换电路由相同的单一晶体管构成。所述输入信号生成电路用于响应于第一时钟信号接收帧线标记（FrameLineMark，简称为FLM）信号，并且用于响应于所述FLM信号接收第二时钟信号并且输出逐次输入信号。所述逆变器电路用于响应于所述第一时钟信号接收所述FLM信号，反转所述FLM信号以生成逆变器输出信号。所述输出切换电路用于响应于所述逆变器输出信号，将高电平的第一电压或者低电平的第二电压作为发光（emission）信号予以输出。根据一实施例，所述发光信号可以具有将所述FLM信号反转（inverted）的形态。根据一实施例，所述输入信号生成电路、所述逆变器电路以及所述输出切换电路可以由N沟道金属氧化物半导体（N-channelMetalOxideSemiconductor，简称为NMOS）晶体管构成。根据一实施例，所述输入信号生成电路可以包括：第一晶体管、第二晶体管以及第一电容器。所述第一晶体管包括：源电极、用于接收所述FLM信号的漏电极以及用于接收所述第一时钟信号的栅电极，所述第一晶体管可以响应于所述第一时钟信号将所述FLM信号从所述漏电极向所述源电极施加。所述第二晶体管可以包括：用于接收所述第二时钟信号的漏电极；与所述第一晶体管的所述源电极连接的栅电极；以及用于输出所述逐次输入信号的源电极。所述第一电容器可以连接在所述第一晶体管的所述源电极和所述第二晶体管的所述源电极之间。根据一实施例，所述逆变器电路可以包括：第三晶体管至第八晶体管、第二电容器以及第三电容器。所述第三晶体管可以用于响应于所述第一时钟信号，向第一节点提供所述FLM信号。所述第四晶体管可以包括：与所述第一节点连接的栅电极；与第二电压供应端连接的源电极；以及与第二节点连接的漏电极。所述第二电容器可以连接在所述第一节点和所述第二电压供应端之间。所述第五晶体管可以包括：与所述输入信号生成电路的所述第二晶体管的所述源电极连接的漏电极；与所述第二电压供应端连接的源电极；以及与所述第二节点连接的栅电极。所述第六晶体管可以包括：与所述第二节点连接的源电极；与第三节点连接的漏电极；以及用于接收所述第二时钟信号的栅电极。所述第七晶体管可以包括：与所述第三节点连接的源电极；与第一电压供应端连接的漏电极；以及用于接收所述第一时钟信号的栅电极。所述第八晶体管可以包括：与所述第三节点连接的栅电极；用于接收所述第二时钟信号的漏电极；以及与第四节点连接的源电极。所述第三电容器可以连接在所述第三节点和所述第四节点之间。根据一实施例，所述输出切换电路可以包括：输出端、第九晶体管以及第十晶体管。所述输出端可以用于输出所述发光信号。所述第九晶体管可以包括：与所述第一节点连接的栅电极；与所述第二电压供应端连接的源电极；以及与所述输出端连接的漏电极。所述第十晶体管可以包括：与所述第二节点连接的栅电极；与所述输出端连接的源电极；以及与所述第一电压供应端连接的漏电极。根据一实施例，所述发光驱动单元还可以包括：输出控制电路，其中，所述输出控制电路包括：连接在所述第一电压供应端和所述第一节点之间的第一输出控制晶体管；以及连接在所述第二电压供应端和所述第二节点之间的第二输出控制晶体管。根据一实施例，当高电平的输出控制信号施加至所述输出控制电路时，可以将所述第二电压作为所述发光信号以DC电平的方式予以输出。根据一实施例，所述输入信号生成电路、所述逆变器电路以及所述输出切换电路可以由P沟道金属氧化物半导体（P-channelMetalOxideSemiconductor，简称为PMOS）晶体管构成。根据一实施例，当所述发光驱动单元由P沟道金属氧化物半导体构成时，所述发光驱动单元还可以包括：与所述逆变器电路连接并且受输出控制信号的控制的输出控制电路。当向所述输出控制电路施加了低电平的所述输出控制信号时，可以将所述第一电压作为所述发光信号以DC电平的方式予以输出。为了达到本发明的另一目的，根据本发明的实施例的发光驱动部包括：第一发光驱动单元，用于将帧线标记（FrameLineMark，简称为FLM）信号作为输入信号予以接收，受第一时钟信号和第二时钟信号的控制，并且用于输出第一发光（emission）信号和第一逐次输入信号；以及第二发光驱动单元至第n发光驱动单元，分别受所述第一时钟信号和所述第二时钟信号的控制，并且分别用于输出第二发光信号至第n发光信号，其中n为大于或等于3的整数。所述第一发光驱动单元至第n发光驱动单元分别包括：输入信号生成电路，用于响应于所述第一时钟信号接收所述输入信号，并且用于响应于所述输入信号接收所述第二时钟信号并且输出所述第一逐次输入信号至第（n-1）逐次输入信号中的一个信号；逆变器电路，用于响应于所述第一时钟信号接收所述输入信号，反转所述输入信号以生成逆变器输出信号；以及输出切换电路，用于响应于所述逆变器输出信号，将高电平的第一电压或者低电平的第二电压作为所述第一发光信号至第n发光信号中的一个信号输出。根据一实施例，所述第一发光驱动单元至第n发光驱动单元分别可以由相同的单一晶体管构成。根据一实施例，所述第一发光信号至第n发光信号可以具有将所述FLM信号反转（inverted）的形态。为了达到本发明的再一目的，根据本发明的实施例的有机发光显示装置包括：显示面板，包括分别具有有机发光二极管的多个像素电路，用于接收第一电源电压和第二电源电压；扫描驱动部，用于通过第一扫描线至第n扫描线向所述像素电路依次提供第一扫描信号至第n扫描信号，其中n为大于或等于3的整数；数据驱动部，用于根据所述第一扫描信号至第n扫描信号，通过多个数据线向所述像素电路提供数据电压；发光驱动部，用于通过第一发光（emission）控制线至第n发光控制线向所述像素电路依次提供第一发光信号至第n发光信号；以及时序控制器，用于向所述扫描驱动部、所述数据驱动部以及所述发光驱动部提供第一时钟信号和第二时钟信号。所述发光驱动部包括：分别生成所述第一发光信号至第n发光信号的第一发光驱动单元至第n发光驱动单元。所述第一发光驱动单元至第n发光驱动单元中的每一个受所述第一时钟信号和所述第二时钟信号的控制，用于将帧线标记（FrameLineMark，简称为FLM）信号或者第一逐次输入信号至第（n-1）逐次输入信号作为输入信号予以接收，并且由相同的单一晶体管构成。根据一实施例，当所述发光驱动部由N沟道金属氧化物半导体（NMOS）晶体管构成时，所述第一发光信号至第n发光信号为低电平的区间可以与在所述像素电路中执行数据编程的区间相对应，所述第一发光信号至第n发光信号为高电平的区间可以与分别包括在所述像素电路中的有机发光二极管发光的区间相对应。根据一实施例，当所述发光驱动部由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成时，通过控制所述第一发光信号至第n发光信号的待机比（offdutyratio），可以控制所述显示面板显示黑色图像的区间的长度。根据一实施例，通过所述发光驱动部向所述像素电路依次提供所述第一发光信号至第n发光信号，分别包括在所述像素电路的有机发光二极管可以依次发光。根据本发明的实施例的发光驱动单元通过在内部包括逆变器电路，从而可以由n型或者p型的单一晶体管构成。根据本发明的实施例的发光驱动部可以被一个非反转输入信号控制，通过控制所述输入信号的脉冲宽度，可以调整发光信号的脉冲宽度。根据本发明的实施例的有机发光显示装置可以以较高的速度实现脉冲驱动。然而，本发明的效果并不限于此，在不脱离本发明的思想和领域的范围内可以进行多种扩展。附图说明图1是表示根据本发明一实施例的发光驱动单元的电路图；图2a是表示根据本发明一实施例的发光驱动部的框图；图2b是表示图2a的发光驱动部的运行的时序图；图3a是表示图1的发光驱动单元所包括的逆变器电路的电路图；图3b是表示图3a的逆变器电路的运行的时序图；图4是表示图1的发光驱动单元中输入和输出关系的示意图；图5是表示根据本发明另一实施例的发光驱动单元的电路图；图6是表示根据本发明再一实施例的发光驱动单元的电路图；图7是表示图6的发光驱动单元所包括的逆变器电路的电路图；图8是表示根据本发明再一实施例的发光驱动单元的电路图；图9是表示根据本发明一实施例的有机发光显示装置的框图；图10是表示包括图9的有机发光显示装置的电子设备的框图。具体实施方式就本发明所公开的本发明的实施例，其特定的结构或功能性说明仅以示例性地说明本发明的实施例为目的，本发明的实施例能够以多种形式实施，而不能解释为本发明仅限于本文中说明的实施例。本发明可进行多种变化并具有多种形态，在此仅将特定实施例图示在附图中并在本文中进行详细说明。但是本发明不限定在特定的公开形态，在不脱离本发明的思想及技术范围的情况下应理解为包括所有变更、等同物以及替代物。虽然第一、第二等术语可以用于说明多种组成要素，但所述组成要素不限于所述术语。使用所述术语的目的在于区别一个组成要素与另一个组成要素。例如，在不脱离本发明的保护范围下，第一组成要素可以命名为第二组成要素，类似地，第二组成要素也可以命名为第一组成要素。某种组成要素与另外的组成要素描述为“连接”或“接触”，表示其与另外的组成要素直接连接或接触，也应理解为中间还可以存在其它组成要素。相反，某种组成要素与另外组成要素“直接连接”或“直接接触”，应理解为中间不存在其它组成要素。说明组成要素之间关系的其他表述方式，即“…之间”、“就在…之间”或者“与…相邻”和“…直接相邻”也应进行相同的解释。本申请所使用的术语仅以说明特定实施例而使用，并不用于限定本发明。单数表述在上下文中其含义有明显不同的以外，包括复数含义。本申请中“包括”、“具备”或“具有”等术语，应理解为仅用于阐明存在着所述的特征、数字、步骤、动作、组成要素、部件或者其结合，并不是预先排除一个或一个以上的其它特征、数字、步骤、动作、组成要素、部件或其结合的存在或附加的可能性。没有其他定义时，包括技术或科学术语，在此使用的所有术语，具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。通常使用的词典所定义的相同的术语，应理解为与相关技术上下文所具有的含义一致，除本发明明确定义以外，不应解释成理想或过于形式的含义。以下结合附图，对本发明的优选实施例进行进一步详细的说明。对于附图中的同一组成要素使用相同的附图标记，并省略对同一组成要素的重复说明。图1是表示根据本发明一实施例的发光驱动单元的电路图。在一实施例中，发光驱动单元100能够仅由N沟道金属氧化物半导体（NMOS）晶体管构成。在另一实施例中，发光驱动单元100能够仅由P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管构成。现有的发光驱动部由包括p-沟道晶体管和n-沟道晶体管的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管构成。从而，虽然功耗低，但运行速度慢，尤其需要额外的反转输入信号。根据本发明的实施例的发光驱动部通过在内部包括逆变器电路，从而能够以n型或者p型的单一晶体管构成，并且仅通过一个非反转输入信号和两个时钟信号就能够进行控制。图1表示由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成的发光驱动单元100。下面说明由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成的发光驱动单元100的组成以及运行。如图1所示，发光驱动单元100包括：输入信号生成电路110、逆变器电路130以及输出切换电路150。输入信号生成电路110响应于第一时钟信号CLK1接收帧线标记（FrameLineMark，简称为FLM）信号FLM；响应于帧线标记信号FLM接收第二时钟信号CLK2；并且输出逐次输入信号NEXT_IN。在一实施例，输入信号生成电路110可以包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第一电容器C1。第一晶体管M1包括：源电极；接收帧线标记信号FLM的漏电极；以及响应于第一时钟信号CLK1将帧线标记信号FLM施加至所述源电极的栅电极。第二晶体管M2包括：接收第二时钟信号CLK2的漏电极；与第一晶体管M1的源电极连接的栅电极；以及输出逐次输入信号NEXT_IN的源电极。第一电容器C1连接在第一晶体管M1的源电极和第二晶体管M2的源电极之间。逆变器电路130响应于第一时钟信号CLK1接收帧线标记信号FLM，并反转帧线标记信号FLM，以生成逆变器输出信号IVT_OUT。在一实施例中，逆变器电路130可以包括：第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8；以及第二电容器C2、第三电容器C3。在逆变器电路130中，第三晶体管M3响应于第一时钟信号CLK1将帧线标记信号FLM提供给第一节点N1。第四晶体管M4包括：与第一节点N1连接的栅电极；与第二电压供应端VGL连接的源电极；以及与第二节点N2连接的漏电极。第二电容器C2连接在第一节点N1和第二电压供应端VGL之间。第五晶体管M5包括：与输入信号生成电路110的第二晶体管M2的源电极连接的漏电极；与第二电压供应端VGL连接的源电极；以及与第二节点N2连接的栅电极。第六晶体管M6包括：与第二节点N2连接的源电极；与第三节点N3连接的漏电极；以及接收第二时钟信号CLK2的栅电极。第七晶体管M7包括：与第三节点N3连接的源电极；与第一电压供应端VGH连接的漏电极；以及接收第一时钟信号CLK1的栅电极。第八晶体管M8包括：与第三节点N3连接的栅电极；接收第二时钟信号CLK2的漏电极；以及与第四节点N4连接的源电极。第三电容器C3连接在第三节点N3和第四节点N4之间。逆变器电路130实现下述功能，即，响应于周期性地施加的时钟信号，反转输入信号并将其输出。因此，逆变器电路130可以响应于第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2反转帧线标记信号FLM，从而生成逆变器输出信号IVT_OUT。关于逆变器电路130的具体运行，将在后面参考图3a和图3b进行详细的说明。输出切换电路150响应于逆变器输出信号IVT_OUT，将高电平的第一电压VGH或者低电平的第二电压VGL作为发光（emission）信号OUT而予以输出。由此，发光驱动单元100的输出OUT可以具有脉冲形态。在一实施例中，输出切换电路150可以包括：输出端Nout、第九晶体管M9以及第十晶体管M10。输出端Nout输出发光信号OUT。第九晶体管M9包括：与第一节点N1连接的栅电极；与第二电压供应端VGL连接的源电极；以及与输出端Nout连接的漏电极。第十晶体管M10包括：与第二节点N2连接的栅电极；与输出端Nout连接的源电极；以及与第一电压供应端VGH连接的漏电极。在发光驱动单元100中，发光信号OUT可以具有将帧线标记信号FLM予以反转（inverted）的形态。在一实施例中，当帧线标记信号FLM具有从低电平升至高电平的一次高脉冲（high-pulse）的情况下，发光信号OUT具有从高电平降至低电平的一次低脉冲（low-pulse）。根据发光驱动单元100，包括于像素电路的发光晶体管也由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成。因此在发光信号OUT为低电平的区间，所述发光晶体管被断开（turn-off）；在发光信号OUT为高电平的区间，所述发光晶体管被导通（turn-on），从而与其连接的有机发光二极管会发光。在一实施例中，第一电压OUT可以具有导通N沟道金属氧化物半导体晶体管的足够高的电压电平，第二电压OUT可以具有断开N沟道金属氧化物半导体晶体管的足够低的电压电平。图2a是表示根据本发明一实施例的发光驱动部的框图。如图2a所示，发光驱动部200包括：与显示装置的扫描线的数量相对应的多个发光驱动单元，即第一发光驱动单元100_1、第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4。例如，当在显示面板和扫描驱动部之间设置有n个扫描线的情况下，发光驱动部200可以包括n个发光驱动单元100_1至发光驱动单元100_n。图2a中仅示出了四个发光驱动单元，即第一发光驱动单元100_1、第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4，然而根据实施例，发光驱动部200可以包括不同种数量的发光驱动单元。下面，通过四个发光驱动单元，即第一发光驱动单元100_1、第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4来说明发光驱动部200的运行。第一发光驱动单元100_1将帧线标记信号FLM作为输入信号予以接收，被第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2控制，并且输出第一发光信号OUT1和第一逐次输入信号NEXT_IN1。第一发光信号OUT1通过第一发光线施加至显示面板，第一逐次输入信号NEXT_IN1作为输入信号被施加至下一端100_2。换言之，从上一端输出的逐次输入信号能够在相邻的下一端用作输入信号。如上所述，只要对第一发光驱动单元100_1施加额外的输入信号FLM，则在发光驱动单元，即第一发光驱动单元100_1、第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4分别生成的逐次输入信号，即第一逐次输入信号NEXT_IN1、第二逐次输入信号NEXT_IN2、第三逐次输入信号NEXT_IN3能够依次施加至下一端的发光驱动单元，即第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4。每个发光驱动单元，即第一发光驱动单元100_1、第二发光驱动单元100_2、第三发光驱动单元100_3、第四发光驱动单元100_4可以包括：输入信号生成电路、逆变器电路以及输出切换电路。所述输入信号生成电路响应于第一时钟信号CLK1接收输入信号，即FLM、NEXT_IN1至NEXT_IN3；响应于输入信号，即响应于FLM、NEXT_IN1至NEXT_IN3接收第二时钟信号CLK2，并且输出第一逐次输入信号NEXT_IN1、第二逐次输入信号NEXT_IN2、第三逐次输入信号NEXT_IN3、第四逐次输入信号NEXT_IN4中的一个信号。所述逆变器电路响应于第一时钟信号CLK1接收输入信号，即FLM、NEXT_IN1至NEXT_IN3，并且反转输入信号，即翻转FLM、NEXT_IN1至NEXT_IN3，从而生成逆变器输出信号。所述输出切换电路响应于所述逆变器输出信号，作为第一发光信号OUT1至第四发光信号OUT4中的一个信号输出高电平的第一电压或者低电平的第二电压。如上所述，根据本发明的实施例的发光驱动部200在不需要额外的反转信号的情况下，仅用三个信号，即仅用FLM、CLK1、CLK2就可以控制发光驱动部200。在一实施例中，第一发光驱动单元100_1至第四发光驱动单元100_4分别可以由相同的单一晶体管构成。图2b是表示图2a的发光驱动部的运行的时序图。如图2a和图2b所示，首先帧线标记信号FLM施加至第一发光驱动单元100_1，然后依次施加第一逐次输入信号NEXT_IN1至第三逐次输入信号NEXT_IN3，从而依次输出第一发光信号OUT1至第四发光信号OUT4。即，所生成的第一发光信号OUT1至第四发光信号OUT4的低脉冲之间位移有一定的时间间隔。由此，显示面板接收发光信号OUT1至OUT4，并且能够以每个线为单位依次发光。在一实施例中，第一发光信号OUT1至第四发光信号OUT4可以具有将帧线标记信号FLM反转的形态。图3a是表示图1的发光驱动单元所包括的逆变器电路的电路图，图3b是表示图3a的逆变器电路的运行的时序图。图3a的逆变器电路300实质上与图1的逆变器电路130相对应。具体而言，逆变器电路300的输入信号IN、输出信号OUT、节点A分别与逆变器电路130的帧线标记信号FLM、逆变器输出信号IVT_OUT、第三节点N3相对应。如图3a所示，逆变器电路300由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成。下面参考图3a和图3b来说明逆变器电路300的运行。第一晶体管T1响应于高电平的输入信号IN，将低电平的第二电压VGL作为输出信号OUT予以输出。换言之，当输入信号IN为高电平的情况下，第一晶体管T1被导通，第二电压VGL施加至输出信号OUT。当输入信号IN为低电平的情况下，第一晶体管T1被断开，并且根据第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2，将高电平的第一电压VGH作为输出信号OUT予以输出。具体而言，在输入信号IN的下降沿（edge）t1以后第二时钟信号CLK2初次上升的上升沿t2，输出信号OUT也上升为高电平VGH。换言之，在位置t2处，输出信号OUT与第二时钟信号CLK2同步，从而上升至高电平VGH。通过这种方式，输入信号IN经过逆变器电路300时发生反转，从而可以作为输出信号OUT输出。图4是表示图1的发光驱动单元中输入和输出关系的示意图。如图1和图4，可知输入信号FLM和输出信号OUT为互相反转的形态。输入信号FLM可以与图1的帧线标记信号FLM相对应，输出信号OUT可以与图1的发光信号OUT相对应。在一实施例中，当以N沟道金属氧化物半导体晶体管构成显示装置的情况下，施加高电平的发光信号时，相对应的有机发光二极管可以发光。另一方面，施加低电平的发光信号的区间可以相当于非发光区间。如图4所示，输入信号FLM的高电平脉冲的宽度可以与输出信号OUT的低电平脉冲的宽度成比例。例如，输入信号FLM的高电平脉冲的宽度从a增加至b时，输出信号OUT的低电平的宽度也从a’增加至b’。由此，非发光区间NON-EMISSION的长度也会增加。根据本发明的实施例，通过调整向发光驱动单元100输入的帧线标记信号FLM的高电平脉冲的宽度，可以调整非发光区间NON-EMISSION的长度。在非发光区间NON-EMISSION，在像素电路中实施数据扫描和驱动晶体管的阈值电压补偿等，因此可以通过控制非发光区间NON-EMISSION的长度，来充分地确保用于实施数据扫描和补偿驱动晶体管的阈值电压的时间。另外，由于有机发光二极管在非发光区间NON-EMISSION不发光，因此通过调整非发光区间NON-EMISSION的长度，可以得到连续的黑暗（dimming）效果，并且具有与插入黑带时相同的效果，因此可以消除运动模糊（motionblur）现象。由此，采用由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成的发光驱动单元100，可以实施脉冲驱动。图5是表示根据本发明另一实施例的发光驱动单元的电路图。如图5所示，除了输出控制电路510之外，图5的发光驱动单元500具有实质上与图1的发光驱动单元100相同的结构。下面省略与图1的发光驱动单元100重复的说明，而是以输出控制电路510的功能为中心，对发光驱动单元500的运行进行说明。输出控制电路510连接在逆变器电路内部，并且被输出控制信号ESR控制。输出控制电路510可以包括：第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2。在一实施例中，当高电平的输出控制信号ESR施加至输出控制电路510的情况下，将第二电压VGL作为发光信号OUT，以DC电平的方式输出。具体而言，若施加高电平的输出控制信号ESR，则第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2被导通。此时，高电平的第一电压VGH施加至第九晶体管M9的栅电极以导通第九晶体管M9，低电平的第二电压VGL施加至第十晶体管M10的栅电极以断开第十晶体管M10。结果，通过第九晶体管M9，可以将第二电压VGL作为发光信号OUT予以输出。如上所述，包括输出控制电路510的发光驱动单元500可以将发光信号OUT控制成DC电平。例如，如发光驱动单元500，当显示装置由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成的情况下，可以将发光信号OUT控制成DC低电平。相反地，当显示装置由P沟道金属氧化物半导体晶体管构成的情况下，可以将发光信号OUT控制成DC高电平。并且，当低电平的输出控制信号ESR施加至输出控制电路510的情况下，第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2会被断开，从而成为实质上与图1的发光驱动单元100相同的电路。如上所述，输出控制电路510实现将发光信号OUT保持为高电平或者低电平的DC信号的功能。在一实施例中，在刚开始驱动显示装置时，可以有效地使用包括输出控制电路510的发光驱动单元500。刚开始驱动显示装置时，则在进入正常运行模式之前需要预定的准备时间，此时可以防止有机发光二极管意外发光的现象。从而，在刚开始驱动显示装置时向输出控制电路510施加了低电平的输出控制信号ESR，则在预定的时间内可以将发光信号OUT保持为DC低电平，从而可以使有机发光二极管处在被断开的状态。图6是表示根据本发明再一实施例的发光驱动单元的电路图。图6表示由P沟道金属氧化物半导体晶体管构成的发光驱动单元600。如图6所示，发光驱动单元600包括：输入信号生成电路610、逆变器电路630以及输出切换电路650。输入信号生成电路610响应于第一时钟信号CLK1接收帧线标记信号FLM；响应于帧线标记信号FLM接收第二时钟信号CLK2，并且输出逐次输入信号NEXT_IN。在一实施例中，输入信号生成电路610可以包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第一电容器C1。第一晶体管M1包括：漏电极；接收帧线标记信号FLM的源电极；以及响应于第一时钟信号CLK1将帧线标记信号FLM向所述漏电极施加的栅电极。第二晶体管M2包括：接收第二时钟信号CLK2的源电极；与第一晶体管M1的漏电极连接的栅电极；以及输出逐次输入信号NEXT_IN的漏电极。第一电容器C1连接在第一晶体管M1的漏电极与第二晶体管M2的漏电极之间。逆变器电路630响应于第一时钟信号CLK1接收帧线标记信号FLM，并且反转帧线标记信号FLM来生成逆变器输出信号IVT_OUT。在一实施例中，逆变器电路630可以包括：第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8；以及第二电容器C2、第三电容器C3。在逆变器电路630中，第三晶体管M3响应于第一时钟信号CLK1将帧线标记信号FLM提供给第一节点N1。第四晶体管M4包括：与第一节点N1连接的栅电极；与第一电压供应端VGH连接的源电极；以及与第二节点N2连接的漏电极。第二电容器C2连接在第一节点N1和第一电压供应端VGH之间。第五晶体管M5包括：与输入信号生成电路610的第二晶体管M2的漏电极连接的漏电极；与第一电压供应端VGH连接的源电极；以及与第二节点N2连接的栅电极。第六晶体管M6包括：与第二节点N2连接的源电极；与第三节点N3连接的漏电极；以及接收第二时钟信号CLK2的栅电极。第七晶体管M7包括：与第三节点N3连接的源电极；与第二电压供应端VGL连接的漏电极；以及接收第一时钟信号CLK1的栅电极。第八晶体管M8包括：与第三节点N3连接的栅电极；接收第二时钟信号CLK2的源电极；以及与第四节点N4连接的漏电极。第三电容器C3连接在第三节点N3与第四节点N4之间。逆变器电路630响应于第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2反转帧线标记信号FLM，从而可以生成逆变器输出信号IVT_OUT。输出切换电路650响应于逆变器输出信号IVT_OUT，将高电平的第一电压VGH或者低电平的第二电压VGL作为发光信号OUT而予以输出。由此，发光驱动单元600的输出OUT可以具有脉冲形态。在一实施例中，输出切换电路650可以包括：输出端Nout、第九晶体管M9以及第十晶体管M10。输出端Nout输出发光信号OUT。第九晶体管M9包括：与第一节点N1连接的栅电极；与第一电压供应端VGH连接的源电极；以及与输出端Nout连接的漏电极。第十晶体管M10包括：与第二节点N2连接的栅电极；与输出端Nout连接的源电极；以及与第二电压供应端VGL连接的漏电极。在发光驱动单元600中，发光信号OUT可以具有将帧线标记信号FLM予以反转的形态。在一实施例中，当帧线标记信号FLM具有从高电平降至低电平的一次低脉冲（low-pulse）的情况下，发光信号OUT具有从低电平升至高电平的一次高脉冲（high-pulse）。根据发光驱动单元600，包括于像素电路的发光晶体管也由P沟道金属氧化物半导体晶体管构成。因此在发光信号OUT为高电平的区间，所述发光晶体管被断开；在发光信号OUT为低电平的区间，所述发光晶体管被导通，从而与其连接的有机发光二极管会发光。在一实施例中，第一电压OUT可以具有断开P沟道金属氧化物半导体晶体管的足够高的电压电平，第二电压OUT可以具有导通P沟道金属氧化物半导体晶体管的足够低的电压电平。图7是表示图6的发光驱动单元所包括的逆变器电路的电路图。图7的逆变器电路700实质上与图6的逆变器电路630相对应。具体而言，逆变器电路700的输入信号IN、输出信号OUT、节点A分别与逆变器电路630的帧线标记信号FLM、逆变器输出信号IVT_OUT、第三节点N3相对应。如图7所示，逆变器电路700由P沟道金属氧化物半导体晶体管构成。第一晶体管T1响应于低电平的输入信号IN，将高电平的第一电压VGH作为输出信号OUT予以输出。当输入信号IN为高电平的情况下，第一晶体管T1被断开，并且根据第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2，将低电平的第二电压VGL作为输出信号OUT予以输出。图8是表示根据本发明再一实施例的发光驱动单元的电路图。如图8所示，除了输出控制电路810之外，图8的发光驱动单元800具有实质上与图6的发光驱动单元600相同的结构。输出控制电路810连接在逆变器电路内部，并且被输出控制信号ESR控制。输出控制电路810可以包括：第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2。在一实施例中，当低电平的输出控制信号ESR施加至输出控制电路810的情况下，将第一电压VGH作为发光信号OUT，以DC电平的方式输出。进一步具体地，若施加低电平的输出控制信号ESR，则第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2被导通。此时，低电平的第二电压VGL施加至第九晶体管M9的栅电极以导通第九晶体管M9，高电平的第一电压VGH施加至第十晶体管M10的栅电极以断开第十晶体管M10。结果，通过第九晶体管M9，可以将第一电压VGH作为发光信号OUT予以输出。另一方面，当高电平的输出控制信号ESR施加至输出控制电路810的情况下，第一输出控制晶体管Q1和第二输出控制晶体管Q2被断开，从而成为实质上与图6的发光驱动单元600相同的电路。图9是表示根据本发明一实施例的有机发光显示装置的框图。如图9所示，有机发光显示装置900包括：显示面板910、扫描驱动部920、数据驱动部930、发光驱动部200以及时序控制器940。显示面板910包括多个像素电路，并且接收第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。所述像素电路分别包括有机发光二极管。扫描驱动部920通过第一扫描线S1至第n扫描线Sn（其中，n为大于或等于3的整数），给所述像素电路依次提供第一扫描信号至第n扫描信号。数据驱动部930根据所述第一扫描信号至第n扫描信号，通过多个数据线D1至Dm向所述像素电路提供数据电压。发光驱动部200通过第一发光（emission）控制线EM1至第n发光控制线EMn，给所述像素电路依次提供第一发光信号至第n发光信号。时序控制器940给扫描驱动部920、数据驱动部930以及发光驱动部200提供第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2。在一实施例中，发光驱动部200可以包括：分别生成所述第一发光信号至第n发光信号的第一发光驱动单元至第n发光驱动单元。根据本发明的实施例，所述第一发光驱动单元至第n发光驱动单元在内部包括逆变器电路，从而可以仅由N沟道金属氧化物半导体晶体管或者P沟道金属氧化物半导体晶体管构成。根据第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2分别控制所述第一发光驱动单元至第n发光驱动单元，并且将FLM信号或者第一逐次输入信号至第（n-1）逐次输入信号作为输入信号予以接收，并且可以由相同的单一晶体管构成。根据实施例，当发光驱动部200由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成时，所述第一发光信号至第n发光信号为低电平的区间可以与在所述像素电路中执行数据编程（programming）的区间相对应，所述第一发光信号至第n发光信号为高电平的区间可以与分别包括在所述像素电路中的有机发光二极管的发光区间相对应。另外，发光驱动部200由N沟道金属氧化物半导体晶体管构成时，通过控制所述第一发光信号至第n发光信号的待机比（offdutyratio），可以控制显示面板910显示黑色图像（blackimage）的区间的长度。由此，采用由单一晶体管构成的发光驱动部200，可以实施脉冲驱动。在一实施例中，随着发光驱动部200依次向所述像素电路提供所述第一发光信号至第n发光信号，分别包括在所述像素电路中的OLED可以依次发光。图10是表示包括图9的有机发光显示装置的电子设备的框图。如图10所示，电子设备1000可以包括：处理器1100、存储装置1200、输入输出装置1300以及显示装置900。处理器1100可以实现多种计算功能，如执行特定计算或者任务（task）的特定软件等。例如，处理器1100可以为微处理器或者中央处理器（CentralProcessingUnit，简称为CPU）。处理器1100可以通过总线1001与存储装置1200连接。处理器1100可以通过地址总线（addressbus）、控制总线（controlbus）以及数据总线（databus）等连接于存储装置1200和显示装置900以进行通信。在示例性的实施例中，处理器1100还可以连接于如外设元件互连（PeripheralComponentInterconnect，简称为PCI）总线等扩展总线。存储装置1200例如可以包括：如动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory，简称为DRAM）、静态随机存取存储器（StaticRandomAccessMemory，简称为SRAM）等挥发性存储装置；以及如可擦除可编程只读存储器（ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，简称为EPROM）、电可擦可编程只读存储器（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，简称为EEPROM）以及闪存存储器（flashmemorydevice）等非挥发性存储装置。存储装置1200可以存储通过处理器1100运行的软件。输入输出装置1300连接在总线1001，可以包括如键盘或者鼠标等输入单元以及如打印机等输出单元。处理器1100可以控制输入输出装置1300的运行。显示装置900通过总线1001与处理器1100连接。显示装置900可以包括：显示面板910以及发光驱动部200。如上所述，发光驱动部200在其内部包括逆变器电路，从而可以以单一晶体管构成；并且控制输入信号的脉冲宽度，从而可以自由调整发光信号的脉冲宽度。电子设备1000可以为任意的电子装置，其可以包括：通过显示装置900向用户呈现图像的手机、智能手机、智能平板电脑（smartpad）、电视、掌上电脑（PersonalDigitalAssistant，简称为PDA）、MP3播放器、笔记本电脑、台式电脑（desktopcomputer）、数码相机等。工业应用性本发明可以广泛地应用于包括显示装置的多种领域中。例如，可以有效地应用于包括显示装置的显示器、笔记本电脑、PDA、智能手机、智能平板电脑、大中型显示面板等中。以上参考优选的实施例说明了本发明，但是所属技术领域的技术人员能够明白，在不脱离权利要求书中记载的本发明思想和领域的范围内能够对本发明进行多种修改和变更。