拼接显示装置和显示装置的制作方法

本公开是关于拼接显示装置，特别是关于具有不同单元密度的部分的拼接显示装置。

背景技术：

一般而言，显示器的尺寸范围小至用于手机装置的小型显示器，大至可供数千观众观看的极大型显示器。大型显示器有时可例如将小型显示面板拼接而产生。然而，由于显示面板之间的接合处或狭缝将可能降低整体视觉效果或品质，特别是在高解析度拼接显示装置较为严重。现今的拼接显示装置或拼接面板仍未在各个方面皆符合要求，因此，拼接显示装置或拼接面板目前仍有如上述待克服的问题。

技术实现要素：

本公开的一些实施例提供拼接显示装置或显示装置。拼接显示装置包含第一拼接基板和第二拼接基板，第一拼接基板包含第一部分和第二部分。第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一部分。多个发光单元设置于第一拼接基板和第二拼接基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。

本公开的一些实施例提供拼接显示装置包含第一拼接基板和第二拼接基板。第一拼接基板包含多个第一像素和多个第二像素。第一像素中的每一者和第二像素中的每一者各自包含多个发光单元。第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一像素。第一像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为第一距离，第二像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为第二距离，且第一距离小于第二距离。

本公开的一些实施例提供显示装置包含基板。基板包含第一部分和第二部分。第一部分较第二部分邻近于基板的边缘。多个发光单元设置于基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。

附图说明

借由以下的详细说明配合所附附图能更加理解本发明实施例的观点。值得注意的是，各种元件可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种元件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1a是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；

图1b是根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置的上视图；

图2a是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；

图2b是根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置的上视图；

图3是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；

图4是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；以及

图5是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图。

符号说明：

100a、100b、100c～拼接显示装置；

101、121～第一拼接基板；

101e、121e～第一边缘；

101-1～第一边界区；

103、123～第二拼接基板；

103e、123e～第二边缘；

103-1～第二边界区；

107、127a-1、127a-2、127a-3、127a-4～第一发光单元；

109、127b-1、127b-2、127b-3、127b-4～第二发光单元；

111、127c-1、127c-2、127c-3、127c-4～第三发光单元；

113、133a～像素；

1131、1131’、1331～第一像素；

1132、1132’、1132”、1132”’、1332～第二像素；

1133、1333～第三像素；

1134、1334～第四像素；

1135～第五像素；

a1、b1、c1、d1、e1、f1、g1、h1、i1、j1、151～第一部分；

a2、b2、c2、d2、e2、f2、g2、h2、i2、j2、152～第二部分；

a3、f3、e3～第三部分；

a4、f4、e4～第四部分；

e5～第五部分；

d1～第一距离；

d2～第二距离；

d3～第三距离；

d4～第四距离；

d5～第五距离；

d6～第六距离；

d7～第七距离；

d8～第八距离；

d9～第九距离；

d10～第十距离；

d11～第十一距离；

w1～第一像素宽度；

w2～第二像素宽度；

w3～第一像素间距；

w4～第四像素宽度；

w5～第五像素宽度；

w6～第二像素间距；

x～方向；

y～方向。

具体实施方式

以下提供很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的标的物的不同元件。各元件和其配置的具体范例描述如下，以简化本发明实施例。当然这些仅仅是范例，并非用以限定本发明实施例。举例而言，叙述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成在第一和第二元件之间，使第一和第二元件不直接接触。此外，本发明实施例可能在不同范例中重复使用参考数字及/或字母。如此重复是为了简明清楚，而非用以表示所不同实施例或形态之间的关系。

在不同附图和说明的实施例中，相似的参考数字被用来标示相似的元件。可理解的是，在下述方法之前、期间和之后可提供额外的操作，且一些叙述的操作或方法可于其他实施例被取代或删除。

参见图1a，根据一些实施例，说明拼接显示装置100a的上视图。一些实施例中，拼接显示装置100a的像素是以条纹型(stripetype)进行排列。

如图1a所示，提供第一拼接基板101和第二拼接基板103。第一拼接基板101可为玻璃基板，硅基板或塑胶基板。第一拼接基板101的材料可包括玻璃、石英、有机高分子、金属或其相似物，但本公开不限于此。若第一拼接基板101的材料为有机高分子，此有机高分子可例如包括聚亚酰胺(polyimide，pi)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)等，但本公开不限于此。若第一拼接基板101的材料为玻璃基板，则可例如包括硅(si)、碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、二氧化硅(sio2)、蓝宝石(sapphire)或前述的组合，但本公开不限于此。在一些实施例中，第二拼接基板103的材料可与第一拼接基板101的材料相同。在其他实施例中，第二拼接基板103的材料可与第一拼接基板101的材料不同，但本公开不限于此。

此外，显示装置100a可为液晶显示(liquid-crystaldisplay，lcd)装置、有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示装置、量子点有机发光二极管(quantumdotorganiclight-emittingdiode，qoled)显示装置、发光二极管(light-emittingdiode，led)显示装置或其他合适的显示装置。一些实施例中，拼接显示装置100a可为次毫米发光二极管(minilight-emittingdiode，miniled)显示装置或微型发光二极管(microlight-emittingdiodes，microled)显示装置。对液晶显示器(lcd)装置而言，发光单元是指液晶显示装置的子像素(sub-pixel)。

一般而言，发光二极管的芯片尺寸可约大于300微米(μm)，次毫米发光二极管的芯片尺寸可在约100微米至300微米的范围内，且微型发光二极管的芯片尺寸可约小于100微米。

第一拼接基板101具有第一边缘101e，且第二拼接基板103具有第二边缘103e。第一拼接基板101的第一边缘101e是相邻于第二拼接基板103的第二边缘103e设置。换言之，第一拼接基板101具有第一边缘101e，且第一边缘101e朝向或面对第二拼接基板103的第二边缘103e。一些实施例中，拼接显示装置100a是由第一拼接基板101和第二拼接基板103所组成，第一拼接基板101与第二拼接基板103之间的狭缝可大致平行于y方向。详细而言，第一边缘101e和第二边缘103e大致平行于y方向。第一拼接基板101与第二拼接基板103之间的狭缝的延伸方向可定义为y方向。又或者，第一边缘101e的延伸方向(或第二边缘103e的延伸方向)定义为y方向。在其他实施例中，拼接显示装置100a可由多个拼接基板所组成，但本公开不限于此。于一些实施例中，x方向与y方向大致上呈垂直，且x方向平行于第一拼接基板101的上表面(未标示)。或者，于一些实施例中，当第一拼接基板101与第二拼接基板103彼此间呈非对齐排例，举例来说，当第一拼接基板101与第二拼接基板103彼此间呈错位排列(例如马赛克排列)时，第一方向x可定义为多个像素(一个像素包括多个不同颜色的子像素)重复设置的排列的方向，且第一方向x与第二方向y不相同。

参见图1a，在第一拼接基板101和第二拼接基板103上分别设置多个第一发光单元107、多个第二发光单元109和多个第三发光单元111。一些实施例中，若拼接显示装置100a为发光二极管(led)显示装置、次毫米发光二极管(miniled)显示装置或微型发光二极管(microled)显示装置，可例如在第一拼接基板101或第二拼接基板103的背侧表面(rearsurfaces)上设置或形成各种线路或电子电路的布线层(未绘示)。布线层(未绘示)可例如与第一发光单元107、第二发光单元109或第三发光单元111电性连接。布线层或电子电路的密度可视不同部分的发光单元的密度进行选择性地调整。

一些实施例中，第一发光单元107、第二发光单元109或第三发光单元111可例如为以合适方式排列的红、绿、蓝三原色的发光单元所组成，但本公开不限于此。一个第一发光单元107、一个第二发光单元109和一个第三发光单元111可例如组成一个像素113。在其他实施例中，一个像素113可更包含一个白色发光单元，但本公开不限于此。更详细而言，一个像素113可由红色、绿色、蓝色或白色发光单元或其它合适的颜色组合所组成，但不限于此。在其他实施例中，一个像素113可例如包含一个黄色发光单元或一个白色发光单元。第一发光单元107、第二发光单元109或第三发光单元111的色彩配置仅为范例，而非限制于此案。为了减少接缝的视觉效果，第一拼接基板101和第二拼接基板103上可例如形成具有不同单元密度的不同部分。在本公开中，单元密度(又称为发光单元密度)可例如定义为在单位面积中的发光单元的数量，且在单位面积中至少有两个发光单元具有不同的颜色。具有较高的单元密度意味着在相同面积中具有较多数量的发光单元，或者，在较小的面积中具有相同数量的发光单元。

如图1a所示，第一拼接基板101的第一部分可例如包含设置于第一拼接基板101上的第一发光单元107、第二发光单元109或第三发光单元111。举例而言，可自第一拼接基板101上的两相邻的像素(虚线)中选择第一部分a1(实线)和第二部分a2(实线)，在上视图中第一部分a1和第二部分a2并未重叠，且在x方向上第一部分a1比第二部分a2更邻近于第一拼接基板101的第一边缘101e。第一部分a1和第二部分a2是沿着x方向排列，一般来说，x方向是垂直于第一边缘101e。

为了简化及清楚说明，第一部分a1和第二部分a2分别选择包含相同数量及相同色彩组成的发光单元。在本实施例中，第一部分a1和第二部分a2可例如分别具有两个发光单元，第一部分a1的发光单元和第二部分a2的发光单元应以相同的方式做选择，但第一部分a1的发光单元和第二部分a2的发光单元是选自于第一拼接基板101的不同区域。举例来说，第一部分a1可例如具有一个第二发光单元109和一个第三发光单元111，第二部分a2可例如具有另一个第二发光单元109和另一个第三发光单元111。

设置于第一部分a1的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分a2的发光单元的单元密度定义为第二单元密度。由于第二部分a2的面积大于第一部分a1的面积，且第二部分a2的发光单元数量与第一部分a1的发光单元数量相同，所以第一单元密度大于第二单元密度。一些实施例中，第二单元密度与第一单元密度的比值可例如在0.2至0.95的范围内(0.2≦第二单元密度/第一单元密度≦0.95)。

自第二拼接基板103上选择第三部分a3和第四部分a4。在本实施例中，第三部分a3位于第一部分a1与第四部分a4之间。换言之，在x方向上，第三部分a3比第四部分a4更邻近于第二拼接基板103的第二边缘103e。

如图1a所示，第三部分a3和第四部分a4可例如分别具有两个发光单元。第三部分a3和第四部分a4的发光单元应以相同的方式做选择(相同的数量或相同的色彩组成)，但第三部分a3和第四部分a4的发光单元应选自于第二拼接基板103上的不同的区域。

设置于第三部分a3的发光单元的单元密度定义为第三单元密度，设置于第四部分a4的发光单元的单元密度定义为第四单元密度。由于第四部分a4的面积大于第三部分a3的面积，且第四部分a4的发光单元数量与第三部分a3的发光单元数量相同，所以第三单元密度大于第四单元密度。一些实施例中，第四单元密度与第三单元密度的比值在0.2至0.95的范围内。另一方面，第一单元密度与第三单元密度的比值可例如在0.8至1.25的范围内(0.8≦第一单元密度/第三单元密度≦1.25)。

再者，一些实施例中，第一部分a1例如是选自于第一拼接基板101的第一边界区101-1。在x方向上，第一边界区101-1的界线与第一边缘101e之间的一最远距离小于或等于3公分。第三部分a3例如是选自于第二拼接基板103的第二边界区103-1。在x方向上，第二边界区103-1的界线与第二边缘103e之间的一最远距离小于或等于3公分。但本公开不限于此。

第二部分a2可例如选自第一拼接基板101的第一边界区101-1以外的其他区域。第四部分a4可例如选自第二拼接基板103的第二边界区103-1以外的其他区域。

再参见图1a，自第一拼接基板101上选择第一部分b1(实线)和第二部分b2(实线)。在本实施例中，第一部分b1和第二部分b2可例如分别选取两像素(虚线)中的相似部分，且此二个像素之间可如由另一像素所分隔。详细而言，第一部分b1和第二部分b2是以相同的方式做选择，但第一部分b1比第二部分b2更邻近于第一边缘101e。第一部分b1和第二部分b2各自具有两个发光单元。举例来说，第一部分b1具有一个第一发光单元107和一个第二发光单元109，且第二部分b2具有另一个第一发光单元107和另一个第二发光单元109。

由于第二部分b2的面积大于第一部分b1的面积，且第一部分b1的发光单元数量与第二部分b2的发光单元数量相同，故第一部分b1的第一单元密度大于第二部分b2的第二单元密度。

自第一拼接基板101上选择第一部分c1和第二部分c2。第一部分c1和第二部分c2之间可例如由多个像素113所分隔，第一部分c1比第二部分c2更邻近于第一边缘101e，且第一部分c1和第二部分c2各自可例如具有三个发光单元(即一个像素113)。由于第二部分c2的面积大于第一部分c1的面积，故第一部分c1的第一单元密度大于第二部分c2的第二单元密度。

自第一拼接基板101上选择第一部分d1和第二部分d2。第一部分d1和第二部分d2可例如分别具有六个发光单元(即沿y方向排列的两相邻的像素)。第一部分d1比第二部分d2更邻近于第一边缘101e。由于第二部分d2的面积大于第一部分d1的面积，故第一部分d1的第一单元密度大于第二部分d2的第二单元密度。

自第二拼接基板103上选择第三部分e3和第四部分e4。第三部分e3和第四部分e4可分别具有十五个发光单元(即沿y方向选择的五个相邻的像素)。第三部分e3比第四部分e4更邻近于第二边缘103e。由于第二部分e4的面积大于第三部分e3的面积，故第三部分e3的第一单元密度大于第四部分e4的第二单元密度。

如上述，第一部分a1、第一部分b1、第一部分c1、第一部分d1、及第一部分e1和第二部分a2、第二部分b2、第二部分c2、第二部分d2、及第二部分e2中的每一配对的第一部分和第二部分需例如皆沿着x方向设置。

参见图1b，根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置100b的上视图。一些实施例中，拼接显示装置100b的像素可例如是以pentile型式排列。

如图1b所示，提供第一拼接基板121和第二拼接基板123。第一拼接基板121具有第一边缘121e，且第二拼接基板123具有第二边缘123e。第一拼接基板121的第一边缘121e可例如相邻于第二拼接基板123的第二边缘123e设置。换言之，第一拼接基板121具有第一边缘121e，且第一边缘121e朝向第二拼接基板123的第二边缘123e。

一些实施例中，拼接显示装置100b可例如是由第一拼接基板121和第二拼接基板123所组成，且第一拼接基板121与第二拼接基板123之间的狭缝可例如平行于y方向。在其他实施例中，拼接显示装置100b可由多于两个拼接基板所组成。

参见图1b，在第一拼接基板121和第二拼接基板123上设置多个发光单元。例如，多个具有相同颜色(例如为红色)的第一发光单元127a-1、127a-2、127a-3、127a-4、多个具有相同颜色(例如为绿色)的第二发光单元127b-1、127b-2、127b-3、127b-4，以及多个具有相同颜色(例如为蓝色)的第三发光单元127c-1、127c-2、127c-3、127c-4。第一发光单元127a-1、127a-2、127a-3、127a-4可例如以菱形型式排列。一个像素133a(虚线)可例如包含第一发光单元127a-1、127a-2、127a-3和127a-4、第二发光单元127b-1、127b-2、127b-3和127b-4，及第三发光单元127c-1。然而，一个像素所包含的发光单元数量、形状或排列状况并不限于上述范例。

自图1b显示的拼接显示装置100b中分别选择第一部分f1、第二部分f2、第三部分f3和第四部分f4。第一部分f1(实线)和第二部分f2(实线)可例如分别为第一拼接基板121上两相邻的像素(虚线)中的部分。第一部分f1比第二部分f2更邻近于第一拼接基板121的第一边缘121e。第三部分f3(实线)和第四部分f4(实线)可例如分别为第二拼接基板123上两相邻的像素中的部分，且第三部分f3比第四部分f4更邻近于第二拼接基板123的第二边缘123e。第三部分f3可例如位于第一部分f1与第四部分f4之间。

如图1b所示，第一部分f1的第一单元密度可例如大于第二部分f2的第二单元密度，且第三部分f3的第三单元密度可例如大于第四部分f4的第四单元密度。一些实施例中，第二单元密度与第一单元密度的比值可例如在0.2至0.95的范围内(0.2≦第二单元密度/第一单元密度≦0.95)。一些实施例中，第四单元密度与第三单元密度的比值在0.2至0.95的范围内(0.2≦第四单元密度/第一单元密度≦0.95)。

再者，一些实施例中，第一部分f1的第一单元密度与第三部分f3的第三单元密度在0.8至1.25的范围内(0.8≦第一单元密度/第三单元密度≦1.25)。

再参见图1b，自第一拼接基板121上分别选择第一部分g1(实线)和第二部分g2(实线)。在本实施例中，第一部分g1和第二部分g2可例如为两像素(虚线)中的相似部分，且在上视图中此二个像素可例如部分重叠，第一部分g1比第二部分g2更邻近于第一边缘121e。第一部分g1和第二部分g2分别所包括的发光单元应以相同的方式做选择(相同的数量或相同的色彩组成)。详细而言，具有不相同面积大小的第一部分g1和第二部分g2分别包含相同数量的发光单元(即子像素)，故第一部分g1的第一单元密度可例如大于第二部分g2的第二单元密度。

再者，自第一拼接基板121上分别选择第一部分h1(实线)和第二部分h2(实线)。一些实施例中，第一部分h1和第二部分h2可例如为选择自第一拼接基板121上的两个不同像素(虚线)中的相似部分，且在上视图中，此二个不同的像素之间并未相互重叠。第一部分h1和第二部分h2之间可例如由另一个像素(至少一个像素)所分隔。如图1b所示，在x方向上，第一部分h1比第二部分h2更邻近于第一边缘121e，且第一部分h1的第一单元密度可例如大于第二部分h2的第二单元密度。

第一部分f1、第一部分g1和第一部分h1以及第二部分f2、第二部分g2和第二部分h2中的每一配对的第一部分和第二部分需例如皆沿着x方向设置，x方向定义如上所述。第一边缘121e与第二边缘123e在x方向上的距离可例如定义为狭缝在x方向上的宽度。

自第二拼接基板123上分别选择第一部分i1(实线)和第二部分i2(实线)。第一部分i1和第二部分i2可例如为两像素(虚线)中的相似部分，且此二像素是沿斜向(斜向指不相同于x方向和y方向的方向)排列。再者，在x方向上，第一部分i1比第二部分i2更邻近于第二边缘123e，且第一部分i1的第一单元密度可例如大于第二部分i2的第二单元密度。

再参见图1b，自第二拼接基板123上分别选择第一部分j1和第二部分j2。第一部分j1和第二部分j2可例如由一个像素所分隔。在其他实施例中，第一部分j1和第二部分j2可例如由不只一个像素所分隔。此外，第一部分j1比第二部分j2更邻近于第二边缘123e，且第一部分j1的第一单元密度可例如大于第二部分j2的第二单元密度。

第一部分f1、g1、h1、i1和j1以及第二部分f2、g2、h2、i2和j2中的每一配对的第一部分和第二部分皆需要以相同的方式做选择(例如相同的数量或相同的色彩组成)。

参见图2a，根据一些实施例，说明拼接显示装置100a的上视图。拼接显示装置100a的像素可例如是以条纹型(stripetype)进行排列。

从另一个角度来看，第一拼接基板101可例如包含多个第一像素1131和多个第二像素1132。每一个第一像素1131和第二像素1132可例如皆包含多个发光单元。第二拼接基板103可例如相邻于第一拼接基板101的第一像素1131。第一像素可例如位于第一拼接基板101上最邻近第一边缘101e且沿y方向排列的一整行像素。于一些实施例中，第一像素1131可例如位于第一拼接基板101的第一边界区101-1中。在x方向上，第一边界区101-1的界线与第一边缘101e之间的一最远的距离例如小于或等于3公分。第一像素与第二像素于x方向上为不同行的像素，行方向排列的像素例如为于沿y方向上排列的像素。

如图2a所示，第一像素1131的一者中的两相邻的发光单元之间的一距离定义为第一距离d1，第二像素1132的一者中的两相邻的发光单元之间的一距离定义为第二距离d2，且第一距离d1可例如小于第二距离d2。一些实施例中，第一距离d1与第二距离d2的比值可例如在0.2至0.95的范围内(0.2≦第一距离d1/第二距离d2≦0.95)。一些实施例中，第一像素1131和第二像素1132可例如彼此不相邻。在本实施例中，第一像素1131和第二像素1132可例如由另一个像素所分隔。第一距离d1定义为第一像素1131的一者中的两相邻的发光单元之间的最短距离。第二距离d2定义为第二像素1132的一者中的两相邻的发光单元之间的最短距离。相似地，第二拼接基板103可例如包含多个第三像素1133和多个第四像素1134，第三像素可例如位于第二拼接基板103上最邻近第二边缘103e且沿向y方向排列的一整行像素。第三像素1133可例如位于第一像素1131与第四像素1134之间，第三像素与第四像素于x方向上为不同行的像素，行方向排列的像素例如为于沿y方向上排列的像素。每一个第三像素1133和每一个第四像素1134可例如各自包含多个发光单元，且第三像素1133的一者中的两相邻发光单元之间的一距离定义为第三距离d3，第四像素1134的一者中的两相邻发光单元之间的一距离定义为第四距离d4，且第三距离d3小于第四距离d4。一些实施例中，第三距离d3与第四距离d4的比值在0.2至0.95的范围内(0.2≦第三距离d3/第四距离d4≦0.95)。再者，第一距离d1与第三距离d3的比值在0.8至1.25的范围内(0.8≦第一距离d1/第三距离d3≦1.25)。第三距离d3定义为第三像素1133的一者中的两相邻发光单元之间的最短距离。第四距离d4定义为第四像素1134的一者中的两相邻发光单元之间的最短距离。

再参见图2a，可例如沿着x方向分别选择四个相邻的像素，例如一个第一像素1131’和三个第二像素1132’、第二像素1132”、第二像素1132”’。一些实施例中，两个相邻的第一像素1131’和第二像素1132’之间的第五距离d5可例如大于两个相邻的第二像素1132”和第二像素1132”’之间的第六距离d6。第五距离d5定义为两个相邻的第一像素1131’和第二像素1132’之间的最短距离。第六距离d6定义为两个相邻的第二像素1132”和第二像素1132”’之间的最短距离。参见图2b，根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置100b的上视图。拼接显示装置100b的像素是以pentile型式排列。

第一像素1331、第二像素1332、第三像素1333和第四像素1334可例如是以相同于第一像素1131至第四像素1134的方式做选择。选择方法的详细内容(如上述方式)或是相关距离的定义方式，在此便不再重复。总而言之，第七距离d7与第八距离d8的比值在0.2至0.95的范围内(0.2≦第七距离d7/第八距离d8≦0.95)，第九距离d9与第十距离d10的比值在0.2至0.95的范围内(0.2≦第九距离d9/第十距离d10≦0.95)，且第七距离d7与第九距离d9的比值在0.8至1.25的范围内(0.8≦第七距离d7/第九距离d9≦1.25)。

参见图3，根据一些实施例，说明拼接显示装置100a的上视图。在本公开中，「像素间距(pitch)」是指分别选自两个相邻的像素中的两个发光单元之间的间距(例如两个发光单元的分别的中心点的距离)，且上述的两个发光单元具有相同颜色。两相邻的第一像素1131和第三像素1133的像素间距可定义为第一像素间距w3，两个相邻的第二像素1132和第二像素1132’的像素间距可定义为第二像素间距w6，且第一像素间距w3与第二像素间距w6的比值在0.9至1.5的范围内(0.9≦第一像素间距w3/第二像素间距w6≦1.5)。详细而言，第一像素1131可例如具有第一像素宽度w1，且第三像素1133可例如具有第二像素宽度w2。此外，第二像素1132’可例如具有第四像素宽度w4，且第二像素1132可例如具有第五像素宽度w5。一些实施例中，第一像素间距w3可例如大抵上等于第一像素宽度w1和第二像素宽度w2的总和的一半，第二像素间距w6可例如大抵上等于第四像素宽度w4和第五像素宽度w5的总和的一半。一些实施例中，第一像素间距w3的数值可例如相等于第二像素间距w6的数值。由于第一像素间距w3与第二像素间距w6之间的差异很小，可以减小接缝产生的问题。

参见图4，根据一些实施例，说明拼接显示装置100a的上视图。图4与图1的不同处为，第一拼接基板101可例如更包含位于第一部分e1与第二部分e2之间的第五部分e5。设置于第五部分e5的发光单元的单元密度可定义为第五单元密度，且第五单元密度可例如大于第二部分e2的第二单元密度并小于第一部分e1的第一单元密度。此实际例可例如以适当的方式调整从第一拼接基板101的一侧到第一拼接基板101的另一侧的各个不同部分的单元密度。一些实施例中，第一拼接基板101在不同区域具有不同的单元密度，可例如以渐进式(即等比例渐变)的方式来降低从第一拼接基板101的第一边缘101e到相对的另一边缘的单元密度。在其他实施例中，可例如以非渐进式(即非等比例的渐变)的方式来降低第一部分e1的第一单元密度、第五部分e5的第五单元密度和第二部分e2的第二单元密度。

再参见图4，图4与图2a的不同处为，第一拼接基板101可例如更包含多个第五像素1135。第五像素1135可例如位于第一像素1131与第二像素1132之间，且每一个第五像素1135可例如分别包含多个发光单元。第五像素1135的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为第十一距离d11。第十一距离d11定义为第五像素1135的一者中的两相邻发光单元之间的最短距离。

一些实施例中，第十一距离d11可例如大于第一距离d1且小于第二距离d2。一些实施例中，第一距离d1、第十一距离d11和第二距离d2可例如是以渐进式(等比例渐变)的方式来增加。借由此种设置方式，可例如以适当的方式调整从第一拼接基板101的一侧到第一拼接基板101的另一侧的相邻的发光单元之间的距离。在一些其他的实施例中，第一距离d1、第十一距离d11和第二距离d2可例如以非渐进式(非等比例的渐变)的方式来增加。一些实施例中，第一距离d1、第十一距离d11和第二距离d2可例如调整具有不相同的间隔。

再参见图4，第一拼接基板101可例如更包含位于第一部分e1与第二部分e2之间的第五部分e3。第五部分e3的发光单元的单元密度可定义为第五单元密度，且第五单元密度可例如大于第二部分e2的第二单元密度并小于第一部分e1的第一单元密度。借由此种设置方，可例如以适当的方式调整从第一拼接基板101的一侧到第一拼接基板101的另一侧的各个不同部分的单元密度。

一些实施例中，第一拼接基板101在不同区域具有不同的单元密度，可例如渐进式(等比例渐变)的方式来降低从第一拼接基板101的第一边缘101e到相对的另一边缘的单元密度。在一些其他的实施例中，可例如非渐进式(非等比例的渐变)的方式来降低第一部分e1的第一单元密度、第五部分e3的第五单元密度和第二部分e2的第二单元密度。

参见图5，根据一些实施例，说明拼接显示装置100c的上视图。一些实施例中，可例如将第一拼接基板101划分为第一部分151和第二部分152。第一部分151比第二部分152更邻近于第一边缘101e。为了使相邻的发光单元之间更邻近彼此，第一部分151的发光单元中的一者的尺寸可例如小于第二部分152的发光单元中的一者的尺寸。第一部分151中的发光单元的发光效率可例如比第二部分152中的发光单元的发光效率高。上述的发光效率的比较可例如定义为于等同的单位发光面积中的发光单元的亮度(brightness)比较，此亮度可例如为单位发光面积中的发光单元于最大灰度下的光强度(或亮度)。而上述的第一部分151中的发光单元与第二部分152中的发光单元须选自发出相同颜色光的发光单元。假若于俯视方向上，当一个发光单元所发出的光具有不均匀的光强度(或亮度)分布时，此时，上述的等同的单位发光面积以选取光强度(或亮度)相对较高的区域来比较发光效率的大小。

发光单元的面积(或尺寸)可定义为一发光亮度(luminance)面积的大小尺寸，当发光单元发射出光时，可例如借由光学分光镜(opticalspectroscope)所观察到。举例来说，以微型发光二极管(microlight-emittingdiodeorminilight-emittingdiode)的发光单元为例，发光单元的面积可例如已设置于封装杯或是间隔结构上的图样化的遮光结构(遮光结构材料例如对光具有吸收或反射的材料，且本公开不限于此)的开口大小来定义，且可例如由光学显微镜(opticalmicroscope,om)来观察遮光结构的开口大小。于一些实施例中，上述遮光结构可例如包括黑色矩阵(blackmatrix,bm)或是具有遮光特性的胶层(已固化)，但本公开不限于此。而本公开不限制封装杯或是间隔结构中所设置的微型发光二极管的数量，一个封装杯或是间隔结构中可例如设置至少一个微型发光二极管，但同个封装杯或是间隔结构中的微型发光二极管例如需发出相同颜色的光。

若以有机发光二极管的发光单元为例，发光单元的面积可例如以像素定义层(pixeldefininglayer,pdl)的开口来定义，但本公开不以此为限，而由于像素定义层于剖视上的结构轮廓可例如为梯形、矩形或其它合适之外形，且本公开不限于此，其于剖视上可例如可分割出多个不同大小的开口宽度(即可例如对应不同的开口面积大小)，此时像素定义层的开口可例如定义为最邻近有机发光二极管的出光面处的像素定义层的开口大小(即实际的出光面积大小)。或者，当像素定义层上若有设置遮光结构时，发光单元的面积可例如根据图样化的遮光结构(遮光结构材料例如包含对光具有吸收或反射的材料，且本公开不限于此)的开口部分来定义，遮光结构的材料可例如包括黑色矩阵或其它具有遮光的材料层，且可例如由光学显微镜来观察遮光结构的开口大小。

若以液晶发光单元为例，发光单元的面积可例如根据图样化的遮光结构(遮光结构材料例如对光具有吸收或反射的材料，且本公开不限于此)的开口部分来定义，遮光结构的材料可例如包括黑色矩阵或其它具有遮光的材料层。若在无遮光结构的实施例时，发光单元的面积可例如以相邻的扫描线和相邻的资料线所围出来的区域。而可借由光学显微镜来观察遮光结构的开口或是扫描线和相邻的资料线所围出来的区域的大小。此外，每一个第一拼接基板101和第一拼接基板121以及每一个第二拼接基板103和第一拼接基板123可例如独立为一个显示装置。一些实施例中，前述的显示装置可例如在不同的部分中具有不相同的发光单元密度。可例如从一边缘至另一相对的边缘以渐进式或非渐进式的方式来改变发光单元密度。再者，前述的显示装置可例如具有上述的排列方式和特征。

另外，一些实施例中，将第一拼接基板101与第二拼接基板103拼接使得两者之间具有狭缝。然而，在其他实例中，第一拼接基板101可例如相连(adjointo)于第二拼接基板103。在一些其他的实施例中，第一拼接基板101可单独嵌入第二拼接基板103，但本公开不限于此。

本公开的一些实施例提供拼接显示装置或显示装置。为了在高解析度的显示器中减少接缝的视觉效果，拼接显示装置可例如设计具有不同单元密度的不同的部分。

举例来说，提供拼接基板，自拼接基板上分别选择出第一部分和第二部分。第一部分和第二部分可沿x方向排列，第一部分比第二部分更邻近于拼接基板中相邻于另一拼接基板的边缘。一些实施例中，第一部分的发光单元密度可例如大于第二部分的发光单元密度。因此，横跨于两相邻拼接基板之间的像素间距(包含狭缝间距,即第一边缘101e和第二边缘103e的间距)可例如相同或相似于在一拼接基板上的像素间距。

从另一个角度而言，拼接基板可例如于基板的法线方向上具有不完全重叠的第一像素和第二像素。第一像素比第二像素更邻近于第一拼接基板的第一边缘。一些实施例中，第一像素中的两相邻的发光单元之间具有第一距离，第二像素中的两相邻的发光单元之间具有第二距离，第二距离大于第一距离。由发光单元形成的像素可例如彼此之间可具有相同的间距，甚至是横跨两相邻的拼接基板之间的两相邻的像素间距(两个像素分别选自不同的拼接基板中的邻近拼接基板的边缘的像素)大致相同于与位于同一拼接基板中其他的两相邻的像素间距。需注意的是，上述的第一距离与第二距离的比较，需在第一像素中的两相邻的发光单元的颜色(及排列方式)与第二像素中的两相邻的发光单元的颜色(及排列方式)相同的条件下。同样的，横跨两相邻的拼接基板之间的两相邻像素间距与位于同一拼接基板中的两相邻的像素间距的比较，需在横跨两相邻的拼接基板之间的像素的发光单元的颜色(及排列方式)相同于同一拼接基板中的两相邻的像素的条件下。

上述实施例是以矩形的拼接基板为例，但本公开也可适用于其他非矩形的拼接基板(例如弧形、多边形或其他形状)。上述的拼接显示装置以两个拼接基板为例，但拼接显示装置也可具有多于两个拼接基板，其他的拼接基板可设置于第一拼接基板的左侧，或第二拼接机板的右侧。在其他实施例中，可在第一拼接基板的上侧(所述上侧并非为于基板法线方向上重叠于第一拼接基板，而是指第一拼接基板的上侧边相对第二拼接基板的下侧边)或第一拼接基板的下侧设置其他的拼接基板(所述下侧并非为于基板法线方向上重叠于第一拼接基板，而是指第一拼接基板的下侧边相对第二拼接基板的上侧边)。亦即，基板的拼接边缘可不只一个。

此外，制程上预留的空间不至于增加位于拼接机板的边缘的像素间距。故在高解析度的显示器中仍可减少接缝的视觉效果。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。