平版印刷设备、器件制造方法以及由此制造的器件的制作方法

专利名称：平版印刷设备、器件制造方法以及由此制造的器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及平版印刷投射设备，包括-用于供给辐射投射束的辐射系统；-用于支撑图案形成装置的支撑结构，根据所要求的图案所述图案形成装置可用来对投射束形成图案；-用于支持基片的基片台；以及-用于将已形成图案的束投射到所述基片的目标部的投射系统。
背景技术：
在此所应用的术语“图案形成装置”应该被广泛地解释成涉及这样的装置，对应于即将在所述基片目标部要建立的图案，所述装置可以用来给进入辐射束赋予一个已形成图案的横断面；术语“光阀”也可以用在此上下文中。总体上，所述图案将对应于在即将在所述目标部被建立的器件，如集成电路或其它器件(见下面)中的特定功能层。这样的图案形成装置实例包括-掩模。掩模的概念在平版印刷中是众所周知的，且它包括如二进制、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型等掩模类型。根据掩模上的图案，在辐射束中放置这种掩模引起撞击到掩模上辐射的选择性透射(在透射性掩模的情况下)或反射(在反射性掩模的情况下)。在掩模情况下，支撑结构将总体上是掩模台，其确保掩模可以被支持进入辐射束内所要求的位置处，并且若需要的话，它可以相对于所述束被移动。
-可编程的镜阵列。这种器件的一个实例是一个具有粘弹性控制层的矩阵-可编址表面和一个反射表面。这种设备后面的基本原理是(例如)所述反射表面的被编址区将入射光作为衍射光而反射，而未编址区将入射光作为非衍射光而反射。通过使用一个适当的滤光器，所述非衍射光可以从被反射束中被滤出，只留下衍射光；通过这种方式，根据所述矩阵-可编址表面的编址图案，所述束被形成图案。可编程镜阵列的另一实施例采用微小镜的矩阵布置，通过施加一个适当被局部化的电场，或者通过采用压电执行装置，每个镜可以被单个地沿着轴倾斜。再次，所述镜为矩阵-可编址的，这样被编址的镜将以不同的方向将进入的辐射束反射到未编址的镜上；以这种方式，根据矩阵-可编址镜的编址图案，经反射的束形成了图案。所要求的矩阵编址可以使用适当的电子装置来执行。在上述所说明的两种情形下，所述形成图案装置可以包括一个或多个可编程的镜阵列。有关在此所提及的镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和US5,523,193,以及PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096获得，所述专利在此被引入作为参考。在可编程镜阵列的情况下，所述支撑结构可以被具体化为一个框或台，例如，按需要，其可以是固定的或可移动的。
-可编程的LCD阵列。这种结构的一个实例在美国专利US5,229,872中给出，所述专利在此引用作为参考。同上，在这种情况下的支撑结构可以被具体化为一个框或台，例如，按需要，其可以是固定的或可移动的。
为了简化的目的，在某些地方，本文的其余部分可能本身具体地指向涉及掩模和掩模台的实例；然而，应该在如上所阐明的图案形成装置的更广泛上下文中来看这样例子中所讨论的总原则。
平版印刷投射设备可以被用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，形成图案装置可以产生对应于IC单个层的电路图案，且这个图案可以被成像到基片(硅片)上的目标部(例如包括一个或多个电路小片)上，所述基片已经被涂有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。总体上，一个单晶片将包含相邻目标部的整个网络，所述目标部在某时经由投射系统被连续地照射一次。在当前设备中，通过应用由掩模台上的掩模所进行的图案形成，可以区分两个不同类型的机器。在一种类型的平版印刷投射设备中，每个目标部通过一下子将整个掩模图案曝光到目标部上而得以照射；这种设备通常被称为晶片分档器。在另一设备中——通常被称为步进-和-扫描设备——通过在一给定参考方向(“扫描方向”)上在投射束下渐进地扫描掩模图案，而同时平行于或半平行于这个方向，同步地扫描基片台，则每个目标部得到照射；因为，总体上，投射系统将具有放大系数M(总体上，＜1)，基片台被扫描的这个速度V将是为掩模台被扫描速度M倍的一个系数。有关在此所说明的平版印刷器件的更多信息可以例如从US6,064,792中获得，所述专利在此引入作为参考。
在使用平版印刷投射设备的制造过程中，一个图案(例如在掩模中)被成像到至少被辐射敏感材料(抗蚀剂)层所部分覆盖的基片上。在这个成像步骤之前，所述基片可能经历各种程序，如打底漆、抗蚀剂涂镀及软烘焙。在曝光之后，所述基片可能要经历其它程序，如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙及对所成像特点的测量/检测。程序的这个阵列作为对器件(例如IC)单个层形成图案的基础。然后，这种已形成图案的层可能经历各种过程，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等，上述所有这些旨在完成一个单个层。如果需要几个层的话，则将不得不针对每个新的层重复整个程序，或其中的变型。最终，器件阵列将被呈现在基片(晶片)上。然后通过如切成小方块或锯切等技术，这些器件被彼此分离，据此单个器件可以被安装在载体上、被连接到插脚上等。有关这些过程的进一步信息可以从例如由Peter van Zant所著、1997年McGraw Hill PublishingCo.，出版的书籍“Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing”第三版ISBN 0-07-067250-4中获得，所述书籍在些引入作为参考。
为简化起见，此后所述投射系统被称为“透镜”；然而，这个术语应该被广泛地解释为包含各种类型的投射系统，例如包括折射光学装置、反射光学装置、以及反折射系统。所述辐射系统也可能包括按照任何这些设计类型而操作的用于导引、成形或控制辐射投射束的元件、并且这些元件还可能共同地或单个地被如下称为“透镜”。此外，所述平版印刷设备可能是具有两个或多个基片台(以及/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多台”器件中，可能平行地使用附加的台，或在一个或多个台上可能进行准备步骤，而一个或多个其它台被用于曝光。例如在US5,969,441和WO 98/40791中说明了双级平版印刷设备，所述专利在此引入作为参考。
为了将基片台正确定位在投射透镜焦平面内，则使用一个水平传感器。用在平版印刷投射设备中的所述水平传感器要遭受至少两种类型的过程依赖性。过程依赖性是一种类型的误差，其中根据被测量的基片是如何得到处理的，水平传感器的测量提供出不同的结果。例如，当事实上具有抗蚀剂涂层的基片完全是平的(即没有倾斜)时候，对于水平传感器其可能看上去是倾斜的。同样，甚至在抗蚀剂表面与裸的基片表面具有完全相同的高度情况下，水平传感器可能测量出所述两个基片具有不同的高度。所述第一类型的误差被公知为倾斜过程依赖性且所述第二类型误差被公知为高度过程依赖性。
此外，对于一个给定的过程，甚至显然相同的晶片处理机器可能展示出不同的倾斜过程依赖性及/或高度过程依赖性。即，对于一个已经根据一特定过程被处理的特定基片，所测量的高度和/或倾斜过程依赖性可能随机器到机器而变化。同样这对于不同类型的机械也是如此。在制造设施中，常见的是让许多机器工作来执行一个特定的过程。测量并且校正这种机器到机器依赖性的可用方法是针对每个机器针对每个过程来完成FEM(focus energy matrix焦点能量矩阵)。FEM(以及在外部器件上的其读出)是耗费时间的，且针对每个机器针对每个过程执行一次则导致所不希望的机器停机时间量。因此，有益地是将机器到机器过程依赖性的差异特征化，而没必要针对每个机器针对每个过程测量完整的焦点能量矩阵。
发明简述本发明的一个目的是提供一种方法，其校准至少两个平版印刷设备的水平传感器，以校正机器到机器的水平传感器过程依赖性的差异，而不针对每个机器针对每个过程来执行FEM。
根据本发明，在如开始段落中所规定的平版印刷设备中，这个及其它目的得以实现，其特征在于所述设备包括通过使用第一平版印刷投射设备，用于测量基准基片的第一组调平数据的装置；通过使用所述第一设备，用于测量根据所选择过程而处理的基片的第二组调平数据的装置；通过使用所述第二设备，用于测量所述基准基片的第三组调平数据的装置；通过使用所述第二设备，用于测量根据所选择过程而处理的基片的第四组调平数据的装置；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据，用于计算一组水平传感器参数的装置，所述参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
根据本发明的另一方面，提供有一种器件制造方法，其包括下述步骤-提供至少由一层辐射敏感材料所部分覆盖的基片；-通过使用辐射系统提供辐射投射束；-使用图案形成装置，以在所述投射束的横断面上赋予一个图案；-将已形成图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部上，其特征在于在所述成像之前，提供一组过程相关参数，用于调节成像，通过下述步骤所述参数得以确定通过使用第一平版印刷投射设备，测量基准基片的第一组调平数据，通过使用所述第一设备，测量根据所选择过程而处理的基片的第二组调平数据；通过使用所述第二设备，测量所述基准基片的第三组调平数据；通过使用所述第二设备，测量根据所选择过程而处理的基片的第四组调平数据；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据来计算一组水平传感器参数的装置，所述水平传感器参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
虽然在本文中可能具体提及在制造IC中使用根据本发明的设备，但是应该清楚地理解到这种设备具有许多其它可能的应用。例如，它可以被应用到集成光学系统、磁畴存储器的制导及检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造中。熟练技工将理解到在这种另外应用的上下文中，在本文中任何术语“reticle”(标线片)、“wafer”(晶片)或“die”(电路小片)的使用应该被似为分别由更通用的术语“mask”(掩模)、“substrate”(基片)及“target portion”(目标部)来取代。
在本文件中，术语“radiation”(辐射)及“beam”(束)被用来包含所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(远紫外线辐射，例如具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。
参考附图，本发明的实施例仅以实例的形式给予描述。


图1示出根据本发明的一个平版印刷设备的一个实施例。
图2示出对水平传感器误差的不同贡献。
图3a-c示意性地示例出过程依赖性。
在所述图中，对应的参考符号表示对应的部件。
本发明的实施例图1示意性地描绘了根据本发明特定实施例的一种平版印刷投射设备1。所述设备包括-用于供给辐射(例如EUV、DUV、电子束或x-射线辐射)投射束PB的辐射系统Ex，IL。在这个特定情况下，所述辐射系统还包括辐射源LA；-第一对象台(掩模台)MT，其被提供有用于支持掩模MA(例如标线片)的掩模支持架，并且被连接到用于精确地将掩模相对于物件PL定位的第一定位装置上；-第二对象台(基片台)WT，其被提供有用于支持基片W(例如涂有抗蚀剂的硅片)的基片支持架，并且被连接到用于精确地将基片相对于物件PL定位的第二定位装置上；-投射系统(“透镜”)PL(例如反折射、折射、反射以及/或衍射单元)，其用于将掩模MA的被照射部成像到基片W的目标部C(例如包括一个或多个电路小片)上。
如在此所描述的那样，所述设备为透射类型(即具有一个透射掩模)。然而，总体上，它还可能是例如反射类型(具有反射掩模)。作为另一选择，所述设备可能应用另一种类型的形成图案装置，如如上所提及的可编程镜阵列类型。
所述源LA(例如激光器、灯、x-射线、离子或电子源)产生辐射束。这个束或者被直接地、或者在已经穿过调节装置如例如束扩展器Ex后，被送入照明系统(照明器)IL。所述照明器IL可以包括调节装置AM，用于设定束内强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)。此外，它将总体上包括各种其它的元件，如积分器IN和聚光器CO。以这种方式，撞击到掩模MA上的束PB在其横断面上具有所要求的均匀性和强度分布。
应该注意到关于图1，源LA可以在平版印刷投射设备的外壳内(如同经常在源LA是例如汞灯的情况下)，但是它还可能远离所述平版印刷设备，它产生的辐射束被引入所述设备(例如借助于适宜的导向镜)；这后一方案经常是当源LA为准分子激光器的这种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
随后所述束PB相交被支持在掩模台MT上的掩模MA。已经穿过掩模MA后，束PB经过将其聚焦到基片W的目标部C上的透镜PL。借助于所述第二定位装置(以及干涉测量的测量装置IF)，基片台WT可以被精确地移动，例如以便于将不同的目标部定位在束PB的路径上。类似地，例如在来自掩模库的掩模MA的机械检索之后，或在扫描期间，所述第一定位装置可以被用来精确地将掩模MA相对于束PB的路径定位。总体上，对象台MT、WT的运动将借助于长行程模块(粗略定位)及短行程模块(精细定位)来实现，这将图1中未被明确地加以描述。然而，在晶片分档器(stepper)(与步进-和-扫描设备相反)情况下，掩模台MT就可以只被连接到短行程执行器上，或者可能被固定。在成像期间，利用标线片对准标志M1、M2以及基片对准标志P1、P2可以将标线片和基片对准。
所描述的设备可以在两个不同的模式下被使用1. 在步进模式(step mode)中，掩模台MT基本上被保持静止，并且一个完整的掩模图像被一下子(即一个单“闪光”)投射到目标部C上。然后基片台WT在x和/或y方向上被移位，以便于不同的目标部C可以被束PB照射；2. 在扫描模式中，除了已知目标部C未被曝光于单“闪光”以外，基本上应用同样的方案。取而代之的是，掩模台MT在已知方向(所谓的“扫描方向”，例如所述的y方向)上以速度υ移动，这样使投射束PB扫描过掩模图像；与此同时，基片台WT同时地在相同或相反方向上以速度V＝Mυ移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。以这种方法，一个相对大的目标部C可以被曝光，而不必使分辨率妥协。
影响平版印刷设备成像质量的重要因素是精确度，借此精确度掩模图像被聚焦在基片上。实际上，因为用于调节投射系统PL焦平面位置的范围受到限制，且那个系统的景深小，所以这意味着晶片(基片)的曝光面积必须被准确地定位在投射系统PL的焦平面上内。为此，需要知道投射系统PL的焦平面位置以及晶片的顶表面位置。晶片被抛光以达到一个非常高的平直程度，但尽管如此还可能出现显著地影响聚焦精确性的足够量值的晶片表面与完美平直的偏差(被称为“不平直度”)。不平直度例如可能由晶片厚度的变化、晶片形状的变形或在晶片支持架上的污物所引起。因先前过程步骤所导致结构的存在还显著地影响晶片的高度(平直度)。在本发明中，不平直度的原因很大程度上是不相关的。除非上下文另外有所要求，否则下面所提及的“晶片表面”是指其上将被投射掩模图像的晶片的顶表面。
在水平传感器操作的一个实例中，所述水平传感器在多个点测量出物理参考表面的垂直(Z)位置，以及晶片表面的垂直位置，ZLS，并且第二传感器，例如Z一干涉仪，在同样点上同时测量出基片台的垂直位置，ZIF。晶片表面高度被确定为ZWafer＝ZLS-ZIF。然后，载有晶片的基片台被传输到曝光站，且物理参考表面的垂直位置被再次加以确定。然后，在曝光过程期间在将晶片定位于正确的垂直位置时，可以要查阅高度地图。根据本发明可以使用的水平传感器的一个实例被公开于在2000年3月6日提交的美国专利号5,191,200及美国专利申请号09/519,875，所述两个专利在此引入作为参考。
如图2所示，在水平传感器测量时存在许多对测量误差的影响。在所示例的实例中，气动支点20被坐在底座22上。所述底座本身可能具有固有的倾角。此外，取段于所述气动支点20是如何坐在所述座座上，底座不平直度24(外形)可以导致附加的局部倾斜。气动支点20经由一组卡盘执行器(未示出)被耦合到卡盘上。所述卡盘执行器本身可能具有一些倾角26，如果一些执行器未被适当地加以执行时，所述倾角可能会进一步增加。卡盘28本身可能在外形30及在倾斜方面均不完全平直。如果卡盘28不是完全平直，这可以被转化为晶片32的不平直度。此外，晶片32本身可能不是平直的，它可能具有楔形形状或其它外形。由于所有这些影响的结果，水平传感器可能测量出晶片表面具有与其实际高度ha不同的高度hm。此外，它可以测量出不同于实际倾角ta的倾角tm。这种在高度和倾角测量中的误差可以导致成像辐射的焦平面被置于错误的平面上，从而降低了成像设备的分辨率。此外，正如从图2中可能看到的，如果所测量的倾角与基片实际倾角相反，则施加到卡盘上的任何倾角校正将实际上加重了这种局面，而不是对它进行校正。
图3a-c示意性地示出两种类型过程依赖性的实例。第一裸基片40被放置在物理高度h上，而一被处理的基片42被放置在同一物理高度h上，在这种情况下所述基片42被涂有一层光致抗蚀剂44。理论上理想的高度测量系统应该确定出所述裸基片正好处于与所述被处理基片的抗蚀剂表面相同的高度。然而，实际上，已经观察到裸基片40的测量高度ha通常将不同于被处理的基片42的测量高度hb(注意ha被示出略微不同于h，以表示非过程依赖性的测量误差)。此外，如图3c所示例，有可能被处理基片42′的测量m将进一步示出一些程度的倾角，且导致一个平均高度Hc，这再次还是不同于物理高度h。
在图3a-c中示出座标，以便于平直基片位于XY平面且Z方向垂直于所述XY平面而延伸。通过使用这个座标系统，利用三个参数，即在Z方向上的位移、沿Y轴的旋转以及沿X轴的旋转，过程依赖性可能被特征化。这三个参数可以在基片表面上的多点处被测量，以便于产生对基片总体上进行特征化的一组参数。所测量的点的数目可以被加以选择，以提供所要求的分辨率，并且可以例如对应于基片上的众多拍摄区。
在根据本发明实施例方法的一个实例中，针对一对机器，一个特定的过程被特征化。对于每个机器(MA和MB)，基准基片的高度测量z1、以及根据被特征化的过程而被处理的基片的第二高度测量z2得到测量。所述测量可以针对基片表面上的一系列点(x，y)而进行，并且针对每个点(x，y)通过简单地从z2中减去z1，可以计算出一组Δz(x，y)。这个组对应于那个机器的高度过程依赖性(包括非理想晶片的晶片厚度差)地图。同样，针对每台机器可以得到一组Rx和Ry测量。虽然在此说明了数据组，但是在一单点x，y而不是在一系列的这样点上执行测量也可能是足够的。这样的单点应该被似为一个仅具有一个项的组。
在一个实例中，基准基片可以是一个裸基片，或是具有校准涂层的基片，因为它将被期望为根本不具有过程依赖性。作为另一选择，基准基片可以是已经通过一些预定方法被处理的基片，通过使用另一方法，如例如FEM，所述预定方法已经被特征化。对于这种被处理的基准基片，一旦那个基片的过程依赖性是公知的，则就象另一类型基准基片将被使用那样，它可以被加以使用。在下面的等式中，术语“未经处理的”得到使用，然而所述等式应该被理解为包括在此所讨论的任何其它种类的基准基片。
一个已知水平传感器具有一个相应的斑尺寸，在某些设备中所述斑尺寸可能是变化的。因为公知的是水平传感器数据在某些情况下随斑尺寸而变化，所以本发明的一个实施例采用这样的水平传感器，所述水平传感器在即将被特征化的每个平版印刷设备中具有基本上相同的斑尺寸。在一些例子中，斑尺寸将不具备大的效应，且每个平版印刷设备可能具有不同的水平传感器斑尺寸。
根据下述等式1-3，所收集的数据则可以被理解，Zreference-Zprocessed＝thicknessprocessed-thicknessreference+HPDprocess[等式1]+δnoise+εdrift[等式2]Rxreference-Rxprocessed＝wedgeRxprocessed-wedgeRxreference+TPDRxprocessed+δnoise+εdriftRyreference-Ryprocessed＝wedgeRyprocessed-wedgeRyreference[等式3]+TPDRyprocessed+εnoise+δdrift等式1表明对于一对基片，即一个被处理的和一个未经处理的，所测量的ΔZ等于厚度差、加上被处理基片的水平传感器测量的高度过程依赖性、加上两上误差因子，一个因子与探测器噪声有关，另一个因子与漂移有关。等式2和3相似，且示出所测量的绕轴旋转的变化等于被处理基片的楔形、减去未经处理基片的楔形、加上倾斜过程依赖性以及噪声和漂移的误差因子。
等式4、5和6则可以被用来将所述两台机器关系到所测量的过程ΔHPDM1-M2＝(Zreference-Zprocess)M1-(Zreference-Zprocess)M2+εprocessed_M1-εprocessed_M2+εreference_M2-εreference_M1[等式4]+εnoise_M1-εnoise_M2+εdrift_M1-εdrift_M2在等式4中，εprocessed和εreference是在所测量厚度中的全部误差，且其每个对于每个机器，M1、M2，具有一值。
ΔTPDRxM1-M2＝(Rxreference-Rxprocess)M1-(Rxreference-Rxprocess)M2+εRxprocessed_M1-εRxprocessed_M2+εRxreference_M2-εRxreference_M1[等式5]+εRxnoise_M1-εRxnoise_M2+εRxdrift_M1-εRxdrift_M2ΔTPDRyM1-M2＝(Ryreference-Ryprocess)M1-(Ryreference-Ryprocess)M2+εRyprocessed_M1-εRyprocessed_M2+εRyreference_M2-εRyreference_M1[等式6]+εRynoise_M1-εRynoise_M2+εRydrift_M1-εRydrift_M2同样，在对一组机器中的每个进行了两组测量之后，使用等式4、5和6可以对任何两个机器进行比较。一旦所述数据组被收集，且对等式加以评估，则结果可以被用来调节所述设备的焦平面，以便于每一曝光处于或接近最佳的焦平面。可以针对附加的设备测量出每个参考和被处理基片的额外数据组，以便于两种以上设备可以用同样的方式被特征化。在对多个设备进行特征化时，例如，第三设备可以与第一和第二设备之一相比较，或者与这两者的组合相比较。
在某些情形下，高度过程依赖性比两个倾斜过程依赖性中任何之一导致更大的问题。在这种情况下，可以采用根据本发明实施例的方法，针对每个测量的点仅测量出高度测量。本发明者已经确定出通过使用具有波长小于约950nm的光，水平传感器过程依赖性可以得到进一步降低。
可以进行漂移校准，以便于校正机器的漂移。同样，通过将一系列测量平均化，噪声误差可以得到降低。通过采用两项技术，每个等式的误差(ε)部分可以被降低到一个非常低的水平，从而留下基本上捕获了过程依赖性的测量。实际上，这些校正可以提供比FEM具有更高精确度等级的测量，而同时大大降低了进行测量所必须的总时间。在漂移校正方法的一个实例中，在每个设备上针对每个基片进行了多个测量，且两个基片在测量之间被交替。所生成的数据可以被绘出，以示出一个漂移曲线。经实验确定的曲线可以被用来推断漂移数据，或者在一些情况下，一函数可以适配于所述曲线且被用来计算所预计的漂移。
可以进一步设想可以采用多个基准基片，以提供降低的误差。同样，可以设想即将被测量的基片在调平之前可以在多个不同的角度下被对准。
虽然上述已经说明了本发明的具体实施例，但是将理解到本发明可以不按照上面所述被实践。所述说明并不旨在对本发明进行限制。
权利要求
1.一种对至少两个平版印刷投射设备的水平传感器进行校正的方法，以校正机器到机器的水平传感器过程依赖性，所述校正包括，通过使用第一平版印刷投射设备，测量基准基片的第一组调平数据；通过使用所述第一设备，测量根据一所选择过程而处理的基片的第二组调平数据；通过使用所述第二设备，测量所述基准基片的第三组调平数据；通过使用所述第二设备，测量根据所述所选择过程而处理的基片的第四组调平数据；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据来计算一个水平传感器参数组，所述水平传感器参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
2.根据权利要求1的方法，其中所述基准基片是一个裸基片。
3.根据权利要求1的方法，其中所述基准基片包括一个其上具有校准抗蚀剂的基片。
4.根据权利要求1的方法，其中所述基准基片是一个根据预定过程已经被处理的基片，所述方法进一步包括将预定过程的机器到机器的过程依赖性特征化。
5.根据权利要求1的方法进一步包括通过使用第三设备，测量出基准基片的第五组调平数据；通过使用所述第三设备，测量出根据所述所选择的过程被处理的基片的第六组调平数据，以执行附加的测量；以及利用所述第一和第二组调平数据，及/或所述第三和第四组调平数据，以及所述第五和第六组调平数据来计算一组水平传感器参数，所述参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
6.根据任何一项上述权利要求的方法，其中所述测量包括在所述被测量基片上多个点的每一点上进行多个测量。
7.根据任何一项上述权利要求的方法，其中所述测量进一步包括在所测量基片上的每个测量点处进行多个测量，且其中所述基片在测量之间被交替。
8.根据任何一项上述权利要求的方法，其中所述测量进一步包括在测量期间所述基片被装载在卡盘上，且在测量之间所述基片被再装载到所述卡盘上。
9.根据任何一项上述权利要求的方法，其中所述测量进一步包括使用每个设备的水平传感器，每个所述水平传感器具有一个相应的斑尺寸，且每个相应的斑尺寸基本上具有相同的尺寸。
10.使用平版印刷投射设备的器件制造方法包括将形成图案的辐射束成像到具有一层辐射敏感材料的基片的目标区；其特征在于在所述成像之前，提供用于调节所述成像的一组过程相关参数，所述参数由下述来确定通过使用第一平版印刷投射设备，测量一未经处理基片的第一组调平数据，通过使用所述第一设备，测量根据一所选择过程而处理的基片的第二组调平数据；通过使用所述第二设备，测量所述未经处理基片的第三组调平数据；通过使用所述第二设备，测量所述被处理的基片的第四组调平数据；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据来计算一组水平传感器参数的装置，所述水平传感器参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
11.根据权利要求10所制造的器件。
12.平版印刷投射设备包括- 用于供给辐射投射束的辐射系统；- 用于支撑图案形成装置的支撑结构，根据所要求的图案所述图案形成装置可用来对投射束形成图案；- 用于支持基片的基片台；- 用于将已形成图案的束投射到所述基片的目标部的投射系统，其特征在于所述设备进一步包括通过使用第一平版印刷投射设备，用于测量基准基片的第一组调平数据的装置；通过使用所述第一设备，用于测量根据所选择过程而处理的基片的第二组调平数据的装置；通过使用所述第二设备，用于测量所述基准基片的第三组调平数据的装置；通过使用所述第二设备，用于测量根据所述所选择过程而处理的基片的第四组调平数据的装置；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据，用于计算一组水平传感器参数的装置，所述参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
全文摘要
一种对至少两个平版印刷投射设备的水平传感器进行校正，以校正机器到机器的水平传感器过程依赖性的方法，其包括通过使用第一平版印刷投射设备，测量基准基片的第一组调平数据；通过使用所述第一设备，测量根据所选择过程而处理的基片的第二组调平数据；通过使用所述第二设备，测量所述基准基片的第三组调平数据；通过使用所述第二设备，测量根据所选择过程而处理的基片的第四组调平数据；以及使用所述第一、第二、第三及第四组调平数据来计算一组水平传感器参数，所述水平传感器参数对应于所选择过程的机器到机器的水平传感器差异。
文档编号G03F7/20GK1453646SQ03123208
公开日2003年11月5日 申请日期2003年4月22日 优先权日2002年4月23日
发明者R·M·G·J·奎因斯, P·A·A·托尼森 申请人:Asml荷兰有限公司