专利名称：具有接线端子的电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种配备有接线端子的电子装置。更具体地，本发明涉及一种电子装置，其包括用于连接到外围电路的端子的接线端子。本发明特别涉及一种电子装置，诸如包括该接线端子的液晶显示设备。
背景技术：
在诸如液晶显示设备的电子装置中，建立了一种导体图案的连接技术，其使用TAB(载带自动接合)和各向异性导电膜(在下文中被称为ACF)(参看例如，非专利文献1)。
在该技术中，例如，ACF贴附到液晶面板的电极端子和载带片段中的芯片连接端子，在该载带片段上安装了用于该板的驱动IC芯片，并且随后板电极端子和芯片连接端子通过贴附的ACF经历热压缩接合，由此完成了这两个端子之间的连接。根据非专利文献1，该面板电极端子由铝或ITO(氧化铟锡)形成，而芯片连接端子由铜形成。
然而，除了由铝形成面板电极端子导致了端子的电阻率降低的优点之外，该铝端子具有这样的缺陷，即该端子易于受到诸如锈的腐蚀的困扰。此外，尽管由ITO形成面板电极端子导致了端子的化学稳定性增强的优点，即对诸如锈的腐蚀的抵抗力增强，但是该ITO端子具有这样的缺陷，即其电阻率高于用作适当导体的典型金属的电阻率。
面板电极端子和芯片连接端子借助于ACF形成了它们的电连接，其中ACF自身具有作为基质的绝缘材料以及在该材料中分散和混合的多个导电微粒，并且在全部导电微粒中，仅通过夹在端子之间同时与端子物理接触的某些微粒形成了端子之间的导电路径。然而，由于导电微粒在绝缘材料中的分散不是严格均匀的并且是变化的，因此同端子接触的导电微粒的位置也是不均匀的。换言之，存在这样的可能，即在某两个端子之间形成了短的导电路径，同时在另外两个端子之间形成了长的导电路径。由此端子连接部分的电阻可能变化，并且尽管从芯片侧传送了具有相同电平的信号，但是面板侧可能接收到具有不同电平的信号，并且可能被带入不同的驱动状态。
Yasoji Suzuki，“Introduction to Liquid Crystal DisplayEngineering”，NIKKAN KOGYO SHINBUN，LTD，1998年11月20日，第一版，第42～46页发明内容(目的)本发明的目的在于提供一种端子结构，其可以减少接触电阻并且防止腐蚀，以及提供一种基于该端子结构的电子装置。
本发明的另一目的在于提供一种端子结构，其在使各向异性导电膜插入到电子装置的接线端子和外围电路的端子之间以连接它们的情况中，可以减少由各向异性导电膜的导电微粒形成的导电路径的变化，并且其可以呈现尽可能均匀的连接电阻，以及提供一种基于该端子结构的电子装置。
本发明的另一目的在于提供一种端子结构，其减少了连接电阻，并且防止腐蚀，并且其可以抑制连接电阻的变化，以及提供一种基于该端子结构的电子装置。
本发明的另一目的在于实现低的连接电阻，并且防止端子的腐蚀以及抑制连接电阻的变化，并且提供一种端子结构，其适用于如液晶显示设备的电子装置，其需要在小的面积中形成大量的端子，以及提供一种基于该端子结构的电子装置。
(构造)1)为了实现该目的，根据本发明的一个方面的电子装置是这样的电子装置，其包括由基板支撑的导电层和具有低于导电层的电阻率的材料的金属层，该金属层在导电层上延伸，该导电层具有高于金属层的抗氧化性，并且形成了用于连接到外围电路的端子，其中金属层在导电层端子外部的导电层的延伸部分上延伸，和/或在用于使导电层端子区域中的导电层暴露于外部的耦合区域的外围或附近延伸；并且提供了电绝缘层，其覆盖导电层端子的至少一部分和整个金属层，并且其在导电层端子区域中的耦合区域以外的区域上延伸。
2)根据本发明的另一方面的电子装置是这样的电子装置，其包括由基板支撑的导电层和具有低于导电层的电阻率的材料的金属层，该金属层在导电层上延伸，该导电层具有高于金属层的抗氧化性，并且形成了用于连接到外围电路的端子，其中金属层专门地沿着基本上平行于端子列队方向延伸的耦合区域的边缘和/或基本上与列队方向成直角延伸的耦合区域的边缘、或在其附近延伸，耦合区域用于在导电层端子区域中使导电层暴露于外部；并且提供了电绝缘层，其覆盖至少一部分导电层端子和至少主要部分的金属层，并且其在导电层端子区域中的耦合区域以外的区域上延伸。
3)在这些方面，导电层可以经由耦合区域中的各向异性导电膜连接到外围电路的端子。
这样，具有低电阻率的金属层减少了具有高电阻率的导电层的连接电阻，并且至少主要部分的易腐蚀金属层受到绝缘层的保护。而且，暴露于外部的耦合区域由抗腐蚀的导电层形成。因此，即使在连接外围电路的端子和导电层的接线端子之前经过了一段时间，仍可以防止接线端子的腐蚀，同时减少了连接电阻。而且，如由方面1)和2)得到的，通过采用金属层至少在耦合区域外围或附近延伸的形式，可以调整从用于实际连接端子的各向异性导电膜的导电微粒同耦合区域中的导电层接触的导电层位置到达最近的金属层部分的导电路径的距离，并且可以抑制导电路径的变化，由此有利于连接电阻的均匀化。
在如上文所述的方面1)中，除了本发明的关于通过金属层减少电阻、通过绝缘层保护金属层和通过导电层形成暴露耦合区域的基本特征以外，整个金属层覆盖有绝缘层，由此金属层的任何表面不暴露于环境空气，并且由此可以彻底地防止金属层的腐蚀。
在如上文所述的方面2)中，除了基本特征以外，金属层不围绕整个耦合区域，并且仅沿着基本上与端子列队方向平行的耦合区域的边缘和/或基本上与列队方向成直角的耦合区域的边缘延伸，或者在其附近延伸，并且由此可以减少所需用于端子的面积，并且降低端子之间的间距。
4)而且，在前文提及的方面中，优选的是金属层被形成为围绕导电层端子区域中的耦合区域。这样，更强有力地调整了如上文所述的由导电微粒提供的导电路径的距离，并且进一步使连接电阻均匀化。
5)而且，优选的是，耦合区域在形状上形成为在其平面图上包括至少一个线性边缘，并且在导电层端子区域中沿该线性边缘形成金属层。由此可以具有有效地使用纵向延伸的导电层的端子区域的优点。
6)在前文提及的方面中，绝缘层可以包括第一绝缘层，其同金属层一起构图并且堆叠在金属层上，和第二绝缘层，其覆盖至少一部分已构图的第一绝缘层和金属层的侧面。这样，第二绝缘层能够覆盖在同时对金属层和堆叠在金属层上的绝缘层构图时可能引起的金属层侧面的暴露，并且因此可以在形成端子结构之后彻底地防止金属层暴露。
7)而且，在前文提及的方面中，优选的是导电层、金属层和/或绝缘层分别位于用于电子装置中形成的显示元件或驱动元件的导电膜、金属膜和/或绝缘膜所处的相同的层中。根据该实施形式，可以在与电子装置的主要结构部分的工艺相同的工艺中，形成导电层、金属层和/或绝缘层，不需要增加任何额外的用于导电层、金属层和/或绝缘层的工艺，由此可以简化制造工艺，并且有利于制造和生产成本的减少。
图1是示出了根据本发明的一个实施例的电子装置的端子结构的示意性平面图；图2是沿图1所示结构的II-II线获得的端子的示意性剖面图；图3是示出了在图1和2所示端子结构中提供的导电路径的形式的示意性说明；图4是示出了同图3的形式比较的用于描述的比较示例的示意性说明；图5是示出了应用了本发明实施例的液晶显示装置中的液晶面板和用于TAB的膜基板组合的平面图；图6是示出了将本发明应用于液晶显示装置的情况中的像素单元和端子结构之间关系的示意性剖面图；图7是示出了将本发明应用于液晶显示装置的情况中的像素单元和端子结构之间其他关系的示意性剖面图；图8是示出了根据本发明其他实施例的电子装置的端子结构的示意性平面图；图9是沿图8所示结构的IX-IX线获得的端子的示意性剖面图；图10是示出了在图8和9所示端子结构中提供的导电路径的形式的示意性说明；图11是示出了根据变型的端子结构和由该结构呈现的导电路径的形式的示意性说明；并且图12是示出了根据另一变型的端子结构和由该结构呈现的导电路径的形式的示意性说明。
具体实施例方式
现将参考附图，通过实施例，更加详细地描述本发明的实施形式。
图1示出了根据本发明一个实施例的电子装置的端子结构平面图，并且图2示出了沿图1所示结构中的II-II线获得的端子的剖面。
该电子装置包括由基板8支撑的透明导电层10，以及金属层20，其在透明导电层10上延伸，并且由具有低于透明导电层10的电阻率的材料形成。透明导电层10形成了在该实施例中在其端部连接到外围电路的端子(区域)。当电子装置是液晶显示设备时，如后面描述的，基板8例如是玻璃基板，作为相对于显示表面设置的背基板。透明导电层10从电子装置的主要结构部分(图1中略去)纵向延伸到该主要部分的端子10T，并且端子部分10T形成为在宽度上大于纵向延伸部分10L。透明导电层10由诸如ITO的材料形成，其是化学稳定的，并且具有高的抗腐蚀性(诸如锈)。更具体地，用作透明导电层10的材料可以是比金属层20具有更高抗氧化性的材料，并且更优选地是这样的材料，其从由透明导电层形成暴露端子的时刻直到ACF贴附到端子用于密封的时刻保持稳定并且不被氧化。在制造液晶显示设备时，从形成端子到贴附ACF的持续时间实际上耗时数月，或者在晚的情况中可能耗时超过12个月。因此，优选的是，层10具有抗氧化属性，由此在层10和外部端子之间获得了充分的电连接，即使是在经过如此长的持续时间之后经由ACF在它们之间进行连接的时候。在该实施例中，金属层20由MoCr形成，其具有低于ITO的电阻率，但是还可以由Al形成。
在该电子装置中，金属层20按照与透明导电层10相似的方式，从电子装置的主要部分延伸到端子10T，同时在耦合区域11的外围或附近延伸，其中在透明导电层10的端子10T区域中透明导电层10暴露于外部，并且在该实施例中，延伸使得围绕区域11的周围。
该端子结构进一步配备有电绝缘层30，其是该实施例的一个特征。绝缘层30覆盖透明导电层10的端子10T的至少一部分以及整个金属层20，特别地，甚至覆盖侧面21以及顶部，并且在除了耦合区域11以外的透明导电层10的端子10T的区域中延伸。由绝缘层30的侧面31为耦合区域11划界。作为绝缘层30的材料，在该实施例中使用氮化硅(SiNx)，但是还可以使用其他的材料，诸如具有电绝缘特性的合成树脂。
同时，承载将要连接到端子10T的端子40的第二基板50被配置为与配备有接线端子结构的基板8相对。基板50是膜基板，并且同TAB技术中通常使用的带形膜分离，例如基于聚酰亚胺的膜。在该实施例中，端子40是源自作为安装在基板50上的外围电路的IC芯片(未示出)端子的导体图案(轨迹)的前端部分，并且由诸如铜的材料形成。而且，芯片来源端子40被分别安置为面对相对基板8侧面上的对应的端子10T，更具体地，正面地面对耦合区域11。
透明导电层10经由端子10T的相关耦合区域11中的各向异性导电膜(ACF)60连接到上文提及的外围电路的端子40。如图1中的虚线所示出的其轮廓，各向异性膜60在与透明导电层10延伸的方向成直角的横向方向中延伸，并且呈现在端子10T和40之间，以覆盖两个端子的整个区域。
下文将描述使用ACF 60在端子之间连接的情况。
如图2所示，当ACF 60夹在膜基板50和基板8之间时，在ACF60中分散和混合的导电微粒6p夹在膜基板50的端子40和基板8的端子10T的耦合区域11之间，同时与这两个端子无间隔地接触。换言之，微粒在端子40的区域与端子10T的耦合区域11重叠的区域中接触这两个端子，并且因此在它们的韧性位置之间获得了电连接。另一方面，在除了重叠区域以外的区域中，未获得这种电连接，并且将保持对重叠区域的电隔离。
图3更具体地说明了根据该实施例的基于导电微粒的连接，并且示意性地示出了在一对上和下端子40和10T之间提供的导电路径。
当ACF 60在前文提及的端子结构下夹在膜基板50和基板8之间时，迫使同膜基板50侧上的端子40接触的导电微粒6p与基板8侧上的耦合区域11中的透明导电层10接触。如图3所示，当导电微粒6p同端子40和透明导电层10的接触点由十字表示时，端子10T侧上由导电微粒6p形成的导电路径由图3中虚线箭头示出的透明导电层10中的导电路径以及图3中实线箭头示出的金属层20中的后继的导电路径组成。由于金属层20具有显著低于透明导电层10的电阻率，因此此处形成的导电路径通常可被认为是在这样的方向中形成的，在该方向中导电微粒6p的接触点连接到距离该接触点最近的一部分金属层30。
在导电微粒6p同耦合区域11中心处的透明导电层10接触的状态中，通常获得了透明导电层10中最长的导电路径。因此，通过忽略由具有足够低的电阻率的金属层30引起的导电路径，可由该结构中端子中的导电微粒6p提供的最长导电路径通常被估计为具有从耦合区域11的中心到金属层30的最近边缘的距离Dg。而且，可由端子中的导电微粒6p产生的最短的电路径通常被估计为具有从呈现为同耦合区域11的边缘接触的导电微粒6p的接触点到金属层30的最近边缘的距离Ds。因此，导电微粒6p可以提供的导电路径的变化落入这些距离之间的差的范围内，即值Vo＝Dg-Ds。随着耦合区域11更窄，可以使该变化范围更加减小。
与之相反，在具有图4所示结构的比较示例中，这种变化范围很大。换言之，图4中的比较示例目的不在于具有金属层20，而是产生相对的端子40仅同透明导电层10的电连接，从导电微粒6p的接触点的导电路径的变化在很宽的范围中，即使耦合区域11形成为与图3相同，如图4所示。例如，假设透明导电层的纵向延伸部分10L上的耦合区域11的边缘11a被当作参照物，距离ds和距离dg之间的差大于上文描述的Vo的值，其中距离ds是从呈现为同边缘11a接触的导电微粒6p的接触点到边缘11a的距离，其被假设为提供了最短的导电路径，并且距离dg是从呈现为同边缘11a的相对侧上的边缘11b相接触的导电微粒6p的接触点到边缘11a的距离，其被假设为提供了最长的导电路径。
如通过比较示例进行比较而看到的，根据该实施例，具有相对低电阻率的金属层20堆叠在耦合区域11周围的透明导电层10上，并且由此实现了可能的导电路径长度被限制为很短，并且抑制了导电路径的变化。而且，在该实施例中，由于金属层被安置为围绕耦合区域，因此可以更加有效地抑制导电路径的变化。
而且，该实施例的目的不在于故意使ACF的导电微粒6p同低电阻率的金属层20进行接触，而是使它们同耦合区域11接触，其是高电阻率且高化学稳定性的透明导电层10的暴露表面，由此还实现了例如即使在通过ACF密封耦合区域11之前经过了长时间后，仍防止了端子被腐蚀。
此外，堆叠在透明导电层上的金属层不仅提供了减少端子中的导电路径的长度和变化的优点，还提供了降低端子和整个导体布线电阻的优点，不论金属层存在于端子区域的内部还是外部。
图5示出了将前文提及的端子连接结构应用于液晶显示设备的示例。
在图5中，描述了源自在液晶显示设备中主要形成图像显示区域的液晶面板100的电极端子同连接到该电极端子的用于TAB的膜基板50的端子的连接情况。液晶面板100配备有多个像素(显示)元件，其被配置为例如显示区域中的矩阵形式，并且根据将要显示的像素信息独立地执行光学调制。该示例说明了用于液晶面板100的有源矩阵型面板，并且每个像素单元配备有构成像素元件的独立的像素电极101，以及TFT(薄膜晶体管)102作为有源元件或驱动元件，用于根据像素信息为像素电极提供电位。
由纵向电导体针对每个行共同连接TFT 102的栅电极，作为行线或栅极连接线，并且在显示屏幕上该栅极连接线在水平方向上延伸，并且在面板100的外部边缘侧的区域中形成了上文描述的端子10T，在该示例中是在屏幕的左侧区域中。相似地，由纵向电导线针对每个列共同连接TFT 102的源电极，作为列线或源极连接线，并且在显示屏幕上该源极连接线在垂直方向上延伸，并且在面板100的外部边缘侧的区域中形成了上文描述的端子10T，在该示例中也是在屏幕的左侧区域中。
用于TAB的以IC固定的膜基板50固定在液晶面板100上。膜基板50配备有所谓的源驱动IC芯片51作为列驱动电路，以便向源极连接线提供适当的像素信息信号，以及所谓的栅驱动IC芯片52作为行驱动电路，以便向栅极连接线提供适当的栅控制信号，作为液晶显示设备的外围电路。在膜基板50上，形成了分别连接到IC芯片51和52的端子的导体图案，该导体图案在膜基板的外部边缘侧上形成了外围电路端子40，在该示例中是在膜基板的右侧区域中，以便于获得同液晶面板100的端子10T的电连接。
在将ACF 60贴附到端子10T或40之后，液晶面板100侧上的端子10T和膜基板50侧上的端子40相互对准，如图2和5所示，并且经历热压缩接合，以获得如上文所述的基于ACF中的导电微粒的电连接。
图6示出了上文提及的像素电极101和TFT 102的结构化元件同端子结构之间的关系。
在图6中，TFT 102包括形成在基板8上的源和漏电极71和72，以及半导体层73，形成为桥接电极71和72并与两者接触。源电极71包括透明导电膜7t和堆叠在膜7t上的金属膜7m。半导体层73覆有栅绝缘膜74，并且栅电极75堆叠在层74上。形成了电绝缘层76作为保护层，以覆盖结构化元件71～75的全部。漏电极72进一步向外延伸，以形成像素电极101。透明导电膜7t和漏电极72(像素电极101)被同时构图而形成，并且使用相同的材料形成。
应当注意，构成源电极71的透明导电膜7t和金属膜7m分别与前面描述的端子结构中的透明导电层10和金属层20同时构图，并且栅绝缘膜74也与绝缘层30同时构图。这样，可以在与作为该电子装置的主要结构部分的TFT 102相同的工艺中形成透明导电层、绝缘层和/或金属层，而在不增加额外的用于透明导电层10、绝缘层30和/或金属层20的工艺，由此导致了制造工艺的简化，并且有利于减少制造和生产成本。
图6示出了在不同的图案形成工艺中形成金属层20和绝缘层30的示例，但是存在这样的情况，这些层可以经历同时的图案形成。在该情况中，如图7所示，金属层20的侧面21将暴露，从全面防止腐蚀的观点来看，这不是优选的。因此，同样如图7所示，例如，TFT 102的栅绝缘膜74用作端子的第一绝缘层3a，并且栅保护层76用作端子的第二绝缘层3b，第一和第二绝缘层3a和3b用作绝缘层30，用于覆盖整个金属层20。而且，在该示例中，由于两个绝缘层是在与TFT 102中使用的绝缘膜相同的层中形成的，因此获得了相似的工艺简化。
下文将描述本发明的另一实施例。
图8示出了根据本发明实施例的电子装置的端子的平面结构，并且图9示出了沿图8所示结构中的线IX-IX获得的剖面。
在该实施例中，作为同前面描述的实施例的区别，金属层20不具有围绕耦合区域11延伸而环绕的图案，但是在与端子10T的列队方向(图8中的横向方向)基本平行延伸的一个边缘11a附近延伸，并且在与列队方向(在该实施例中，沿这些边缘)基本成直角延伸的边缘11c附近延伸，从图1中显而易见。
这样，金属层20仅在端子区域的一侧上延伸，并且降低了占用的面积，因此可以在不改变耦合区域11的面积尺寸的情况下降低端子面积。因此，可以缩短端子之间的距离，由此为其中多个端子应形成和配置在小区域中的电子装置提供了有利条件。
图10说明了根据该实施例的导电路径的形式，其中标志与图3中的相同。如由图10所提出的，即使在金属层20围绕耦合区域11的部分降低到一半时，仍相应地抑制了导电路径的变化。
尽管图8和9中示出的金属层20被绘制为沿两个边缘，即端子区域中的耦合区域的水平边缘11a和垂直边缘11c，但是仅沿任一边缘延伸的层20的形式可以获得专属于本发明的优点。图11示出了这样的情况，其中按照同图10相似的方式，仅沿垂直边缘11c形成金属层20。如可由图11直观看到的，该示例使得端子之间的间距能够进一步降低，并且还进一步降低了导电路径的变化。
图12示出了按照同图10相似的方式，仅沿水平边缘11a形成金属层20的示例。在该示例中，金属层20紧挨透明导电层10的端子10T的区域前面延伸。这种形式还允许基于如参考图7描述的第二绝缘层，实现可靠的对金属层20的保护，并且其有效地作为增加端子密度的措施。
此外，如由图11中的示例显而易见的，耦合区域11不需要总是基本上位于透明导电层10的端子10T的区域中心，并且还可以采用除了如平面图示出的矩形以外的任何形式。而且，在这样的结构中产生了有效使用纵向延伸的透明导电层10的端子区域的优点，即耦合区域11在形状上形成为在其平面图上包括至少一个线性边缘(11a、11b或11c)，并且沿透明导电层10的端子10T的区域中的线性边缘形成金属层20。
如上文所述的示例采用了这样的形式，其中金属层20延伸进入端子区域，但是从金属层20整个覆盖有绝缘层30、3a或3b以全面地防止金属层20被腐蚀的观点来看，金属层20不总是需要进入端子区域。在上文提及的实施例中，已经描述了透明导电层10是安置在金属层20下面的层，但是这种层10不总是需要是透明的，并且可以是具有任何其他属性的层，只要该层适用于所应用的电子装置，并且具有高于金属层20的抗氧化性。
上文描述了根据本发明的代表性实施例，但是对于本领域的技术人员而言，在必要时，在不偏离如权利要求中描述的本发明的范围的前提下，可以以不同的方式修改实施例。
工业应用性本发明能够应用于配备有用于连接到外围电路的接线端子的电子装置。
权利要求
1.一种电子装置，包括由基板支撑的导电层和具有低于导电层的电阻率的材料的金属层，该金属层在导电层上延伸，该导电层具有高于金属层的抗氧化性，并且形成了用于连接到外围电路的端子，其中金属层在导电层端子外部的导电层的延伸部分上延伸，和/或在用于在导电层端子区域中使导电层暴露于外部的耦合区域的外围或附近延伸；并且提供了电绝缘层，其覆盖导电层端子的至少一部分和整个金属层，并且其在导电层端子区域中的耦合区域以外的区域上延伸。
2.一种电子装置，包括由基板支撑的导电层和具有低于导电层的电阻率的材料的金属层，该金属层在导电层上延伸，该导电层具有高于金属层的抗氧化性，并且形成了用于连接到外围电路的端子，其中金属层专门地沿着基本上平行于端子列队方向延伸的耦合区域的边缘和/或基本上与列队方向成直角延伸的耦合区域的边缘、或在其附近延伸，耦合区域用于在导电层端子区域中使导电层暴露于外部；并且提供了电绝缘层，其覆盖导电层端子的至少一部分和至少主要部分的金属层，并且其在导电层端子区域中的耦合区域以外的区域上延伸。
3.权利要求1或2的电子装置，其中导电层经由耦合区域中的各向异性导电膜连接到外围电路的端子。
4.权利要求1的电子装置，其中金属层围绕导电层端子区域中的耦合区域而形成。
5.权利要求1～4的任何一个的电子装置，其中耦合区域在形状上形成为包括在其平面图上的至少一个线性边缘，并且在导电层端子区域中沿该线性边缘形成金属层。
6.权利要求1～5的任何一个的电子装置，其中绝缘层包括第一绝缘层，其与金属层一起构图并且堆叠在金属层上，和第二绝缘层，其覆盖至少一部分已被构图的第一绝缘层和金属层的侧面。
7.权利要求1～6的任何一个的电子装置，其中导电层、金属层和/或绝缘层分别位于与用于在电子装置中形成的显示元件或驱动元件的导电膜、金属膜和/或绝缘膜所处的相同的层中。
全文摘要
本发明的目的在于，提供一种端子结构，其可以减少连接电阻，并且防止腐蚀，以及，提供一种基于该端子结构的电子装置。一种电子装置，包括由基板(8)支撑的透明导电层(10)和具有低于透明导电层(10)的电阻率的材料的金属层(20)，金属层(20)在透明导电层(10)上延伸，透明导电层(10)具有高于金属层(10)的抗氧化性，并且形成了用于连接到外围电路(50)的端子(10T)。在透明导电层(10)的端子(10T)外部的透明导电层(10)的延伸部分(10L)上，和/或在用于使透明导电层(10)的端子(10T)区域中的透明导电层(10)暴露于外部的耦合区域(11)的外围或附近，金属层(20)延伸。提供了电绝缘层(30)，其覆盖至少一部分透明导电层(10)的端子(10T)和整个金属层(20)，并且其在透明导电层(10)的端子(10T)区域中的耦合区域(11)以外的区域上延伸。
文档编号G02F1/1362GK1829933SQ200480022165
公开日2006年9月6日 申请日期2004年7月26日 优先权日2003年7月29日
发明者松浦典由 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司