专利名称：液晶显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，更具体地讲，涉及一种液晶显示器和一种减少光刻工艺的次数来制造该液晶显示器的方法。
背景技术：
传统的液晶显示器(LCD)包括两个面板和置于这两个面板之间的液晶(LC)层，这两个面板设有场发生电极例如像素电极和共电极。LCD通过向场发生电极施加电压以在LC层内产生电场来显示图像，其中，电场确定LC层中的液晶分子的取向以调整入射光的偏振。
LCD可具有包括几层薄膜的层状结构，在制造LCD面板中采用几步光刻工艺。
然而，因为光刻工艺包括复杂的步骤，所以生产LCD面板的成本高。随着光刻工艺的次数增加，生产成本增加且生产时间增长。因此，期望的是减少光刻步骤的次数。
发明内容
一种液晶显示器，包括第一基底；第一电极，形成在第一基底上；钝化层，形成在第一基底和第一电极之间；第二基底，面对第一基底；第二电极，形成在第二基底上；柱状分隔件，形成在第二基底和第一基底之间；液晶层，具有相对于第一基底和第二基底垂直排列的液晶分子，并形成在第一基底和第二基底之间。钝化层和柱状分隔件在同一层由基本相同的材料制成。
液晶显示器还可包括栅极线和数据线，形成在第一基底上；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接。
滤色器可形成在液晶显示器的第二基底上，或者光阻挡构件可形成在第二基底上。
第二电极可包括多个切口。
液晶显示器还可包括形成在钝化层和第一电极之间的倾斜构件。倾斜构件可包括向上突出的脊部和倾斜表面。脊部和第二电极的切口可交替地布置。
倾斜构件、钝化层和柱状分隔件可由相同的层制成并由基本相同的材料制成。倾斜构件、钝化层和柱状分隔件可通过模子来形成。
一种用于制造液晶显示器的方法，包括在基底上涂覆有机层；通过利用模子来挤压有机层；通过将来自有机层的溶剂吸收到模子中而硬化有机层来形成薄膜；从基底去除模子。
该方法还可包括在去除模子之后去除有机层的被挤压的部分，或者在吸收来自有机层的溶剂时软烤模子和所述有机层，以在去除模子之前进一步硬化有机层。
薄膜可包括具有接触孔的钝化层，薄膜可包括倾斜构件和柱状分隔件，或者薄膜可包括具有接触孔的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件。
模子可包含聚二甲基硅氧烷。
通过结合附图进行以下的描述，可更详细地理解本发明的示例性实施例，附图中图1示出了根据本发明实施例的LCD的布局图；图2示出了图1的沿着II-II′线截取的LCD的剖视图；图3示出了图1的沿着III-III′线和III″-III″″线截取的LCD的剖视图；图4A至图4E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层的剖视图；图5A至图5E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件的剖视图；图6A至图6E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件的剖视图；图7示出了根据本发明实施例的LCD的布局图；图8示出了图7的沿着VIII-VIII′线截取的LCD的剖视图；图9示出了图7的沿着IX-IX′线和IX″-IX″″线截取的LCD的剖视图。
具体实施例方式
现在，将在下文参照附图来更充分地描述本发明的示例性实施例，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于这里提到的实施例。相同的标号始终表示相同的元件。
将参照图1至图3来详细地描述根据本发明实施例的LCD。图1示出了根据本发明实施例的LCD的布局图，图2示出了图1的沿着II-II′线截取的LCD的剖视图，图3示出了图1的沿着III-III′线和III″-III″″线截取的LCD的剖视图。
参照图1至图3，根据本发明实施例的LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100、共电极面板200、置于TFT阵列面板100和共电极面板200之间的LC层3。
多条栅极线121和多条存储电极线131形成在由诸如透明玻璃的材料制成的绝缘基底110上。
栅极线121基本在横向方向上延伸，且彼此分开并传输栅信号。每条栅极线121包括多个突出，形成多个栅电极124；端部129，具有用来与另一层(未示出)或外部驱动电路(未示出)接触的大区域。用来产生栅信号的栅极驱动电路(未示出)可安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，柔性印刷电路膜可附于绝缘基底110、直接安装在绝缘基底110上，或者与绝缘基底110集成。栅极线121可延伸，从而与驱动电路(未示出)连接，驱动电路可与绝缘基底110集成。
每条存储电极线131基本在横向方向上延伸，且设置在两条相邻的栅极线121之间并靠近于这两条栅极线121中上面的一条。每条存储电极线131包括形成第一存储电极133a至第四存储电极133d的多个分支，其中，存储电极连接部分133e连接第一存储电极133a和第二存储电极133b。
第一存储电极133a和第二存储电极133b纵向设置且彼此隔开，第三存储电极133c和第四存储电极133d倾斜地设置并且连接在第一存储电极133a和第二存储电极133b之间。详细地讲，第一存储电极133a具有连接到存储电极线131的固定端部和自由端部，并具有突出。第三存储电极133c近似地从第一存储电极133a的中心延伸到第二存储电极133b的上端，第四存储电极133d近似地从第一存储电极133a的中心延伸到第二存储电极133b的下端。
存储电极线131被提供有预定的电压例如共电压，共电压被施加到LCD的共电极面板200上的共电极270。每条存储电极线131可包括在横向方向上延伸的一对干线(stem)，并可具有各种形状和布置。
栅极线121和存储电极线131优选地由含Al金属诸如Al和Al合金、含Ag金属诸如Ag和Ag合金、含Cu金属诸如Cu和Cu合金、含Mo金属诸如Mo和Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。然而，栅极线121和存储电极线131可具有包括物理特性不同的两层导电膜(未示出)的多层结构。两层导电膜中的一层优选地由低电阻率金属制成以减少信号延迟或电压降，低电阻率金属包括例如含Al金属、含Ag金属和/或含Cu金属。另一层导电膜优选地由诸如含Mo金属、Cr、Ta或Ti的材料制成，这种材料具有优良的物理特性、化学特性以及具有与其它材料诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)优良的电接触特性。两层导电膜的组合的优良示例是下Cr导电膜和上Al(合金)导电膜，以及下Al(合金)导电膜和上Mo(合金)导电膜。然而，栅极线121和存储电极线131可以由各种金属或导体制成。
此外，栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基底的表面倾斜，其倾角的范围是从大约30度至大约80度。
优选地由硅氮化物(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选地由氢化非晶硅(简写为α-Si)或多晶硅制成的多个半导体带151形成在栅极绝缘层140上。各半导体带151基本在纵向方向上延伸，并具有朝着栅电极124分支的多个突出154。半导体带151在栅极线121和存储电极线131的附近变宽，从而半导体带151覆盖栅极线121和存储电极线131。
多个欧姆接触带161和欧姆接触岛165形成在半导体带151上。欧姆接触带161和欧姆接触岛165优选地由重掺杂有n型杂质例如磷的n+氢化α-Si制成，或者可由硅化物制成。各欧姆接触带161包括多个突出163，突出163和欧姆接触岛165成对地位于半导体带151的突出154上。
半导体带151和欧姆接触带161、欧姆接触岛165的侧面呈锥形，其倾角的范围是从大约30度至大约80度。
多条数据线171、与数据线171分开的多个漏电极175和多个孤立的金属件178形成在欧姆接触带161、欧姆接触岛165和栅极绝缘层140上。
用来传输数据电压的数据线171基本在纵向方向上延伸，并与栅极线121以直角相交。数据线171也与存储电极线131和存储电极连接部分133e交叉，使得各数据线171设置在相邻的第一存储电极133a和第二存储电极133b之间。各数据线171包括端部179，端部179具有用来与另一层或外部装置接触的大区域。各数据线171包括朝着漏电极175突出的多个源电极。用来产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在FPC膜(未示出)上，FPC膜可附于绝缘基底110、直接安装在绝缘基底110上，或者与绝缘基底110集成。数据线171可延伸，从而与驱动电路接触，驱动电路可与绝缘基底110集成。
各漏电极175包括端部，具有用来与另一层接触的大区域；另一端部，设置在栅电极124上且被源电极173部分地围住。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体带151的突出154一起形成具有形成在突出154内的沟道的TFT，突出154设置在源电极173和漏电极175之间。
金属件178设置在第一存储电极133a的端部附近的栅极线121上。
数据线171、漏电极175和金属件178优选地由难熔金属例如Cr、Mo、Ti、Ta或它们的合金制成。然而，数据线171、漏电极175和金属件178也可具有包括低电阻率膜(未示出)和优良接触膜(未示出)的多层结构。与上面描述的下Cr膜和上Al合金膜及下Al膜和上Mo膜的组合一样，这种组合的优良示例为下Mo膜、中间Al膜和上Mo膜。然而，数据线171和漏电极175可由各种金属或导体制成。
与栅极线121和存储电极线131一样，数据线171和漏电极175具有锥形的侧面，其倾角的范围是从大约30度至大约80度。
欧姆接触带161和欧姆接触岛165仅置于下面的半导体带151与其上的上面的数据线171和上面的漏电极175之间，并减小半导体带151与数据线171和漏电极175之间的接触电阻。半导体带151包括没有覆盖有数据线171和漏电极175的多个暴露部分，例如位于源电极173和漏电极175之间的部分。虽然半导体带151在大部分位置比数据线171窄，但是如上所述，半导体带151的宽度在栅极线121和存储电极线131的附近变大，以使表面的轮廓平滑，从而防止了数据线171的断开。
优选地由无机或有机绝缘体制成的钝化层180可具有平坦的顶表面。无机绝缘体的示例包括硅氮化物和硅氧化物。有机绝缘体可具有光敏性和小于大约4.0的介电常数。钝化层180可包括无机绝缘体下膜和有机绝缘体上膜，从而钝化层180在保护半导体带151的暴露部分免受有机绝缘体的损害的同时，具有有机绝缘体的优良的绝缘特性。
钝化层180具有多个暴露数据线171的端部179的接触孔182和暴露漏电极175的端部的接触孔185。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181，暴露栅极线171的端部129；多个接触孔183a，暴露存储电极线131在第一存储电极133a的固定端部附近的部分；多个接触孔183b，暴露第一存储电极133a的自由端部的突出。
多个柱状分隔件320和多个倾斜构件330a、330b形成在钝化层180内。
柱状分隔件320和倾斜构件330a、330b可由与钝化层180相同的层制成，并可由与钝化层180的材料相同的材料制成。
倾斜构件330a和330b包括由图1中的粗虚线所表示的脊部，并且倾斜构件330a和330b的倾斜表面的高度从倾斜构件330a和330b的脊部向边缘逐渐减小。倾斜构件330a和330b的脊部基本上相对于假想的使像素电极191二等分的横线具有反对称性。
上倾斜构件330a和下倾斜构件330b的脊部从像素电极191的右上角附近的右边缘近似地向像素电极191的左边缘的中心倾斜地延伸，并且与第三存储电极133c和第四存储电极133d叠置。上倾斜构件330a和下倾斜构件330b分别设置在像素电极191的上二等分和下二等分处，像素电极191的上下二等分可由假想的横线划分。上倾斜构件330a和下倾斜构件330b的脊部与栅极线121成大约45度角，并且基本相互垂直地延伸。
柱状分隔件320与钝化层180一起支撑TFT阵列面板100和共电极面板200之间的间隔。
多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个天桥(overpass)83形成在钝化层180及倾斜构件330a和330b上，多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个天桥83优选地由透明导体例如ITO或IZO制成，或者由反射导体例如Ag或Al制成。
像素电极191通过接触孔185与漏电极175物理地且电连接，从而像素电极191从漏电极175接收数据电压。
像素电极191被提供有数据电压，并与共电极270合作产生电场，电场确定液晶层3中的液晶分子(未示出)的取向。
像素电极191和共电极270形成液晶电容器，该液晶电容器存储TFT失活(deactivation)后施加的电压。额外的称为“存储电容器”的电容器被设置以增大电压存储容量，该电容器与液晶电容器并联连接。通过使像素电极191与包括第一存储电极133a至第四存储电极133d的存储电极线131叠置来实现存储电容器。
各像素电极191在其左角处被切成斜面，像素电极191的斜切边与栅极线121成大约45度角。
接触辅助件81通过接触孔181与栅极线121的端部129连接，接触辅助件82通过接触孔182与数据线171的端部179连接。接触辅助件81和82保护端部129和179，并补充端部129和179与外部装置的粘附。
天桥83横跨栅极线121，并通过接触孔183b与第一存储电极133a的固定端部的暴露突出连接，通过接触孔183a与存储电极线131的暴露部分连接，接触孔183a和接触孔183b相对于栅极线121彼此相对地设置。天桥83与金属件178叠置，并可与金属件178电连接。包括第一存储电极133a至第四存储电极133d的存储电极线131与天桥83和金属件178一起用于修复栅极线121、数据线171或TFT的缺陷。用于修复栅极线121的在栅极线121和存储电极线131之间的电连接通过用激光束照射栅极线121和天桥83的交点来获得，从而使栅极线121电连接到天桥83。在这种情况下，金属件178增强栅极线121和天桥83之间的电连接。
下面参照图1和图2来描述共电极面板200。
用于防止光泄漏的称为黑色矩阵的光阻挡构件220形成在由诸如透明玻璃的材料制成的绝缘基底210上。光阻挡构件220可包括多个面向像素电极191的开口225，并且可具有与像素电极191基本相同的平面形状。在其它方面，光阻挡构件220可包括与数据线171相应的线性部分和与TFT相应的其它部分。
多个滤色器230形成在柔性基底210上，并基本设置在由光阻挡构件220围住的区域内。滤色器230可基本在纵向方向上沿着像素列延伸，使得滤色器230可呈带状。滤色器230可代表原色中的一种，例如代表红色、绿色或蓝色。
用来防止暴露滤色器230并提供平坦表面的覆盖层250形成在滤色器230和光阻挡构件220上。可省略覆盖层250。
优选地由透明导电材料例如ITO和IZO制成的共电极270形成在覆盖层250上。共电极270具有面向像素电极191的多组切口，所述多组切口包括中心切口71、下切口72a和上切口72b。切口71-72b中的每个设置在倾斜构件330a和330b的相邻的脊部之间，和/或设置在倾斜构件330a和330b与像素电极191的斜切边之间。此外，切口71-72b中的每个具有至少一个与倾斜构件330a和330b平行延伸的倾斜部分。切口71-72b相对于上述使像素电极191二等分的横线基本具有反对称性。
下切口72a和上切口72b中的每个包括倾斜部分，近似地从像素电极191的左边缘近似地向像素电极191的下边缘或上边缘延伸；横向部分和纵向部分，从倾斜部分的各端沿着像素电极191的边缘延伸、与像素电极191的边缘叠置并且与倾斜部分成钝角。
中心切口71包括中心横向部分，近似地从像素电极191的左边缘沿着第三存储电极133c延伸；一对倾斜部分，从中心横向部分的端部近似地向像素电极的右边缘延伸，并与中心横向部分成钝角；一对端子纵向部分，从各个倾斜部分的端部沿着像素电极的右边缘延伸、与像素电极191的右边缘叠置，并与各倾斜部分成钝角。
切口71-72b的数量可根据设计因素而变化，光阻挡构件220也可与切口71-72b叠置，以阻挡光通过切口71-72b泄漏。
可为垂直的取向层11和21涂覆在TFT阵列面板100和共电极面板200的内表面上，偏振器12和22在TFT阵列面板100和共电极面板200的外表面上的设置方式为，偏振器12和22的偏振轴可以相交，并且偏振轴中的一个可与栅极线121平行。当LCD为反射式LCD时，可省略偏振器之一。
LCD还可包括至少一层用于补偿LC层3的延迟的延迟膜(未示出)。延迟膜具有双折射，并且其提供的延迟与LC层3所提供的延迟相反。延迟膜可包括单轴或双轴的光学补偿膜，具体地讲，可包括负单轴补偿膜。
LCD还可包括背光单元(未示出)，背光单元用于通过偏振器12和22、延迟膜、TFT阵列面板100和共电极面板200向LC层3提供光。
优选地，LC层3具有负介电各向异性且倾向于垂直排列，即LC层3中的LC分子以这样一种方式排列在不存在电场的情况下，LC分子的长轴基本垂直于TFT阵列面板100和共电极面板200的表面。
如图1中所示，一组切口71-72b与倾斜构件330a和330b将像素电极191划分为多个子区域，每个子区域具有两个主边缘。
切口71-72b与倾斜构件330a和330b控制LC层3中的LC分子的倾斜方向。
在将共电压施加到共电极270并将数据电压施加到像素电极191的情况下，产生基本垂直于TFT阵列面板100和共电极面板200的电场。LC分子响应于电场趋于以这样一种方式改变它们的取向LC分子的长轴垂直于电场的方向。
在不存在电场的情况下，LC分子由倾斜构件330a和330b预倾斜，在施加电场的情况下，LC分子的预倾斜方向确定LC分子的倾斜方向，这与由切口71-72b和像素电极191的斜切边确定的倾斜方向相一致。
此外，厚度变化的倾斜构件330a和330b使电场的等势线变形，等势线的变形提供倾斜力，这也与当倾斜构件330a和330b的介电常数小于LC层3的介电常数时由切口71-72b确定的倾斜方向相一致。
因此，也确定了远离切口71-72b和像素电极191的斜切边的LC分子的倾斜方向，从而缩短了LC分子的响应时间。
共电极270的切口71-72b、钝化层180的倾斜构件330a和330b及像素电极191的边缘使电场畸变成具有与切口71-72b和像素电极191的边缘基本垂直的水平分量。因此，在各子区域上的LC分子以水平分量的方向倾斜，并且倾斜方向的方位分布位于四个方向，从而增大了LCD的视角。
可用突起(未示出)或凹陷(未示出)来代替切口71-72b中的至少一个。突起优选地由有机或无机材料制成，并设置在场发生电极191或270的上面或下面。
可更改切口71-72b与倾斜构件330a和330b的形状和布置。
由于所有畴的倾斜方向与栅极线121成大约45度角，并且倾斜方向与偏振器12和22的透射轴相交成45度提供了最大的透射率，其中，倾斜方向平行或垂直于TFT阵列面板100和共电极面板200的边缘，所以偏振器12和22可以这样一种方式粘附偏振器12和22的透射轴平行或垂直于TFT阵列面板100和共电极面板200的边缘，从而降低了生产成本。
根据本发明实施例的LCD中的钝化层180、倾斜构件330a和330b及柱状分隔件320可由相同的层制成，并且可包含基本相同的材料。
现在，参照图4A至图5E，描述用于形成钝化层180、倾斜构件330a和330b及柱状分隔件320的制造方法以用于根据本发明实施例的LCD。
图4A至图4E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层的剖视图，图5A至图5E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件的剖视图。
如图4A中所示，在绝缘基底110上涂覆有机绝缘层180a，如图4B中所示，将具有与钝化层180(图2和图3)相应的凹陷52和与接触孔181、182、183a、183b、185(图2和图3)相应的突出51的模子50与有机绝缘180a对齐，并且模子50挤压有机绝缘层180a。模子50可由聚二甲基硅氧烷形成，有机绝缘层可包含热硬化树脂。
如图4C中所示，在施加压力期间，包含聚二甲基硅氧烷的模子50吸收来自有机绝缘层180a的溶剂，因而有机绝缘层180a变硬。在这里，可增加软烤(soft-bake)处理以进一步硬化有机绝缘层180a。
如图4D中所示，从硬化的有机绝缘层180b去除模子50，如图4E中所示，干蚀刻由模子挤压的部分44以完成接触孔185。
因为钝化层180仅具有接触孔181、182、183a、183b和185，所以对于形成钝化层180，使用模子50的工艺比使用掩模的光刻工艺更有效，更具体地讲，通过省略曝光步骤和显影步骤，对于制造LCD，该工艺可缩短生产时间并降低生产成本。
另外，因为在用于形成钝化层180的方法中省略了曝光步骤，所以有机绝缘层不包含光酸产生剂(PAG)。因此，用于形成钝化层180的材料的成本降低，并简化了材料的沉积。
如图5A中所示，在绝缘基底110上涂覆有机绝缘层33a，如图5B中所示，将具有与图1和图2的柱状分隔件320和倾斜构件330a、330b相应的凹陷54和55的模子53与有机绝缘层33a对齐，并且模子53挤压有机绝缘层33a。模子53可由聚二甲基硅氧烷形成，有机绝缘层可包含热硬化树脂。
如图5C中所示，在施加压力期间，包含聚二甲基硅氧烷的模子53吸收来自有机绝缘层33a的溶剂，因而有机绝缘层33a变硬。在这里，可增加软烤处理以进一步硬化有机绝缘层33a。
如图5D中所示，从硬化的有机绝缘层33b去除模子53，如图5E中所示，干蚀刻由模子53挤压的部分45和46以同时完成柱状分隔件320和倾斜构件330b。
通过省略曝光步骤和显影步骤，这种用于制造柱状分隔件320和倾斜构件330a和330b的方法可缩短生产时间并降低生产成本。另外，因为省略了曝光步骤，所以有机绝缘层可省略PAG。因此，用于形成钝化层180的材料的成本降低，并简化了材料的沉积。
使用根据本发明实施例的一个模子同时形成钝化层180、柱状分隔件320、倾斜构件330a和330b，这将参照图6A至图6E来描述。
图6A至图6E示出了在根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中LCD的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件的剖视图。
如图6A中所示，在绝缘基底110上涂覆有机绝缘层400a，如图6B中所示，将具有与柱状分隔件320和倾斜构件330b(图2)相应的凹陷58和59及与接触孔185相应的突出57的模子56与有机绝缘层400a对齐，并且模子56挤压有机绝缘层400a。模子56可由聚二甲基硅氧烷形成，有机绝缘层可包含热硬化树脂。
如图6C中所示，在施加压力时，包含聚二甲基硅氧烷的模子56吸收来自有机绝缘层400a的溶剂，因而有机绝缘层400a变硬。在这里，可增加软烤处理以进一步硬化有机绝缘层400a。
如图6D中所示，从硬化的有机绝缘层400b去除模子56，如图6E中所示，干蚀刻由模子56挤压的部分44、45和46以同时完成包括接触孔185的钝化层180、柱状分隔件320和倾斜构件330a、330b。
与光刻工艺相比，通过省略曝光步骤和显影步骤，这种制造钝化层180、柱状分隔件320和倾斜构件330b的方法可缩短生产时间并降低生产成本。
另外，通过使用一个模子可同时形成钝化层180、柱状分隔件320和倾斜构件330a、330b，因此可进一步缩短生产时间和降低生产成本。
因为在这种用于形成钝化层180、柱状分隔件320和倾斜构件330a、330b的方法中，省略了曝光步骤，所以有机绝缘层不包含PAG。因此，用于形成钝化层180的材料的成本降低，并简化了材料的沉积。
将参照图7至图9来详细描述根据本发明另一实施例的LCD。
图7示出了根据本发明实施例的LCD的布局图，图8示出了图7的沿着VIII-VIII′线截取的LCD的剖视图，图9示出了图7的沿着IX-IX′线和IX″-IX″″线截取的LCD的剖视图。
参照图7至图9，LCD也包括TFT阵列面板100、共电极面板200、LC层3、多个柱状分隔件320和一对偏振器12和22，其中，多个柱状分隔件320置于TFT阵列面板100和共电极面板200之间，一对偏振器12和22附于TFT阵列面板100和共电极面板200的外表面上。
根据该实施例的TFT阵列面板100和共电极面板200的层状结构与图1至图3中所示的TFT阵列面板100和共电极面板200的层状结构几乎相同。
对于TFT阵列面板100，多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘基底110上，其中，多条栅极线121包括栅电极124和端部129，多条存储电极线与第一存储电极133a至第四存储电极133d和存储电极连接部分133e连接，栅极绝缘层140、包括突出154的多个半导体带151及包括突出163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165顺序地形成在栅极线121和存储电极线131上。包括源电极173和端部179的多条数据线171、多个漏电极175和多个孤立的金属件178形成在欧姆接触带161和欧姆接触岛165上，钝化层180形成在数据线171、漏电极175和金属件178上。多个接触孔181、182、183a、183b和185设置在钝化层180和栅极绝缘层140处。多个柱状分隔件320和多个倾斜构件330a、330b形成在钝化层180上，多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个天桥83形成在钝化层180和倾斜构件330a、330b上，取向层11涂覆在接触辅助件81和82及天桥83上。
对于共电极面板200，具有多个开口225的光阻挡构件220、多个滤色器230、共电极270和取向层21形成在绝缘基底210上。
根据该实施例的TFT阵列面板100的半导体带151的平面形状与下面的接触带161和欧姆接触岛165及图1至图3的数据线171和漏电极175的平面形状相似。然而，半导体带151的突出154包括一些没有覆盖有数据线171和漏电极175的暴露部分，例如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
另外，TFT阵列面板100还包括设置在其上的多个半导体岛(未示出)和多个欧姆接触岛(未示出)，半导体岛和欧姆接触岛设置在金属件178上。
根据本发明实施例的TFT阵列面板的制造方法利用一步光刻工艺同时形成数据线171、漏电极175、金属件178、半导体151、欧姆接触带161和欧姆接触岛165。
用于光刻工艺的光阻图案具有取决于位置的厚度，具体地讲，它具有厚度减小的第一部分和第二部分。第一部分位于将被数据线171、漏电极175和金属件178占据的布线区上，第二部分位于TFT的沟道区上。
可通过几种技术例如通过在曝光掩模上提供半透明区及透明区和阻光的不透明区来获得光阻剂的取决于位置的厚度。半透明区可具有狭缝图案、格状图案或者具有中等透射率或中等厚度的薄膜。当使用狭缝图案时，优选地，狭缝的宽度或狭缝之间的距离小于用于光刻的曝光机的分辨率。另一示例是使用回流光阻剂。详细地讲，当通过利用仅具有透明区和不透明区的一般曝光掩模来形成由可回流材料制成的光阻图案时，通过回流工艺而使光阻剂流到没有光阻剂的区域上，从而形成了薄的部分。结果，通过省略光刻工艺简化了制造工艺。
另外，共电极面板200包括设置在共电极270上的多组包括中心突出61、下突出62a和上突出62b的突出。突出61-62b优选地由无机绝缘体或有机绝缘体制成。
此外，虽然可选择省略覆盖层，但是共电极270没有切口，因而没有覆盖层。
虽然在共电极面板200处没有切口，但是突出61-62b可与薄膜晶体管面板100的倾斜构件330a和330b一起足以起到确定倾斜方向的作用。
取向层21的在突出61-62b上的部分也是突出的，且具有倾斜表面。因为取向层21是垂直的，所以LC分子相对于取向层21的表面竖起排列，并可在不存在电场的情况下，通过突出61-62b预倾斜。
此外，因为突出61-62b的介电常数小于LC层3的介电常数，所以突出61-62b使电场的等势线变形，并且等势线的变形提供的倾斜力也与由倾斜构件330a和330b确定的倾斜方向相一致。
各组突出61-62b面向像素电极191，且所处的位置与图1至图3的切口71-72b的位置相同。
与图1至图3的切口71-72b的描述一样，一组突出61-62b和倾斜构件330a和330b将像素电极191划分为多个子区域，每个子区域具有两个主边缘。
突出61-61b、钝化层180的倾斜构件330a和330b及像素电极191的边缘使电场畸变为具有基本垂直于突出61-62b和像素电极191的边缘的水平分量。因此，每个子区域中的LC分子以水平分量的方向倾斜，倾斜方向的方位分布位于四个方向，从而增大了LCD的视角。
突出61-62b可形成在共电极270之下。
钝化层180、柱状分隔件320、倾斜构件330a和330b可按图4A至图6B中的那样形成，因此，可进一步缩短生产时间和降低生产成本。
因为在用于形成钝化层180、柱状分隔件320、倾斜构件330a和330b的这种方法中省略了曝光步骤，所以有机绝缘层不包含PAG。因此，用于形成钝化层180的材料的成本降低，因而简化了材料的沉积。
切口的省略去除了用于在共电极270处形成切口的光刻步骤。
许多上面描述的图1至图3中示出的LCD的特征可适于图7至图9中示出的TFT阵列面板。
如上所述，可利用模子形成钝化层、柱状分隔件和倾斜构件，因此，可省略光刻工艺，从而可进一步缩短生产时间和降低生产成本。
虽然已经参照优选实施例详细地描述了本发明，但是本领域的技术人员要明白，在不脱离如权利要求中所提到的本发明的精神和范围的情况下，在这里可进行各种修改和替代。
权利要求
1.一种液晶显示器，包括第一基底；第一电极，形成在所述第一基底上；钝化层，形成在所述第一基底和所述第一电极之间；第二基底，面对所述第一基底；第二电极，形成在所述第二基底上；柱状分隔件，形成在所述第二基底和所述第一基底之间；液晶层，具有相对于所述第一基底和所述第二基底垂直排列的液晶分子，并形成在所述第一基底和所述第二基底之间，其中，所述钝化层和所述柱状分隔件在同一层由基本相同的材料制成。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括栅极线和数据线，形成在所述第一基底上；薄膜晶体管，与所述栅极线和所述数据线连接，其中，所述薄膜晶体管与所述第一电极连接。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括形成在所述第二基底上的滤色器。
4.如权利要求3所述的液晶显示器，还包括形成在所述第二基底上的光阻挡构件。
5.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二电极包括多个切口。
6.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括形成在所述钝化层和所述第一电极之间的倾斜构件。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述倾斜构件包括向上突出的脊部和倾斜表面。
8.如权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述脊部和所述第二电极的所述切口交替地布置。
9.如权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述倾斜构件、所述钝化层和所述柱状分隔件由相同的层制成并由基本相同的材料制成。
10.如权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述倾斜构件、所述钝化层和所述柱状分隔件通过模子来形成。
11.一种用于制造液晶显示器的方法，包括在基底上涂覆有机层；通过利用模子来挤压所述有机层；通过将来自所述有机层的溶剂吸收到所述模子中而硬化所述有机层来形成薄膜；从所述基底去除所述模子。
12.如权利要求11所述的方法，还包括在去除所述模子之后去除所述有机层的被挤压的部分。
13.如权利要求11所述的方法，还包括在吸收来自所述有机层的溶剂时软烤所述模子和所述有机层，以在去除所述模子之前进一步硬化所述有机层。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜包括具有接触孔的钝化层。
15.如权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜包括倾斜构件和柱状分隔件。
16.如权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜包括具有接触孔的钝化层、倾斜构件和柱状分隔件。
17.如权利要求11所述的方法，其中，所述模子包含聚二甲基硅氧烷。
全文摘要
本发明提供了一种液晶显示器，其包括第一基底；第一电极，形成在第一基底上；钝化层，形成在第一基底和第一电极之间；第二基底，面对第一基底；第二电极，形成在第二基底上；柱状分隔件，形成在第二基底和第一基底之间；液晶层，具有相对于第一基底和第二基底垂直排列的液晶分子，并形成在第一基底和第二基底之间。钝化层和柱状分隔件在同一层由基本相同的材料制成。
文档编号G02F1/136GK1940661SQ20061010143
公开日2007年4月4日 申请日期2006年7月13日 优先权日2005年9月29日
发明者李永范, 崔国铉, 金京燮, 李庸懿 申请人:三星电子株式会社