专利名称：液晶显示器及其制造方法和制造设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器，其制造方法，及其制造设备。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD包括两个提供有场产生电极的面板和插入其间的液晶(LC)层。通过施加电压到场产生电极以在LC层中产生决定LC层中的LC分子的取向从而调节入射光偏振的电场，LCD显示图像。
在包括各个面板上的场产生电极的LCD之中，在一个面板上提供了多个排列成矩阵的像素电极，并提供了覆盖另一面板的整个表面的公共电极。通过施加独立的电压到各个像素电极实现LCD的图像显示。为了施加独立的电压，多个三端薄膜晶体管(TFT)连接到各个像素电极，并在面板上提供多个传送信号以控制TFT的栅极线和多个传送电压以施加到像素电极的数据线。
LCD也包括至少一个对准层，用于从面板表面水平线向(horizontalalignment)或垂直线向(veritical alignment)对准液晶层的液晶分子。对准层是由印刷在面板上的聚酰亚胺材料制成的有机对准层。
然而，对准层以均匀的厚度被印刷在大尺度的面板上是困难的，且由于对准层的低聚酰亚胺化率(polyimidization ratio)经常产生对准缺陷。而且，要求诸如聚酰亚胺的印刷、预固化(pre-cure)和主固化(main-cure)的多个工艺以形成有机对准层。
此外，已经发展了用无机对准层替换有机对准层的技术，且无机对准层可以比有机对准层更容易形成。然而，要求用于诸如等离子体增强化学气相淀积和溅射的薄膜淀积工艺的昂贵设备以形成无机对准层。而且，当使用这些设备时，需要用于移除淀积的对准层以暴露用于上下面板和外部驱动电路电连接的短点(short point)区域和焊盘区域的步骤工艺。
发明内容
本发明的一个目的是提供液晶显示器、其制造方法及其制造设备，该设备用于通过省略暴露短点区域和焊盘区域的蚀刻工艺而以低成本形成无机对准层。
根据本发明的一实施例，提供了液晶显示器的制造方法，包括在面板上形成场产生电极和利用大气压力等离子体在基板上形成无机对准层。
优选无机对准层仅形成在面板的有源区上，且等离子体产生电极在面板上移动以形成无机对准层。
该方法还可以包括在利用大气压力等离子体淀积无机对准层之前预清洁部分面板。
该方法还可以包括在利用大气压力等离子体形成无机对准层之后后清洁(post-cleaning)无机对准层的表面。
预清洁和后清洁处理优选使用从氧气(O2)、氦气(He)和空气中选出的至少一种气体，且在形成无机对准层之后在无机对准层的表面上进行离子束处理。
无机对准层可以包括从非晶硅(a-Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOX)和氟化类金刚石碳中选出的至少一种材料。
硅烷(SiH4)、氢气(H2)或氦气(He)可以用以形成非晶硅(a-Si)。
硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)、氢气(H2)或氦气(He)可以用以形成碳化硅(SiC)。
硅烷(SiH4)、氨(NH4)、氢气(H2)或氦气(He)可以用以形成氮化硅(SiN)。
硅烷(SiH4)、氧气(O2)或氦气(He)可以用以形成氧化硅(SiOX)。
乙炔(C2H2)、诸如四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)的含氟气体、或氦气(He)可以用以形成氟化类金刚石碳。
根据本发明另一实施例，提供了一种用于制造液晶显示器的设备，其包括第一电极；附着于第一电极并具有至少一个小电极和绝缘体的等离子体控制器，其中小电极和绝缘体交替排列；面向第一电极并形成在包括至少一个有源区的样品玻璃上的第二电极；用于产生射频以施加电压到第一和第二电极的功率产生器；和用于提供形成无机对准层必需的气体的供气单元。
等离子体控制器可以设置在非第一电极。
优选至少小电极一边的长度等于有源区一边的长度，且至少绝缘体一边的长度等于有源区之间的间隔。
根据本发明的又一实施例，提供了一种液晶显示器，其包括面板；和无机对准层，该无机对准层形成在面板上并在对准层边缘具有圆形表面。
优选无机对准层包括从非晶硅(a-Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOX)和氟化类金刚石碳中选出的至少一种材料。
本发明的范围由权利要求限定，其接合进这部分作为参考。通过考虑一个或多个实施例的下列详细描述，本发明的实施例的更完整的理解及其另外的优点的实现将提供给本领域的技术人员。将首先简要描述的所附图片将作为参考。
通过参照附图详细描述其优选实施例，本发明的上述及其它优点将变得更明显，其中图1是根据本发明一实施例的液晶显示器的示范性透视图；图2是图1中所示的LCD沿线II-II’所取的剖面图；图3是示出根据本发明一实施例的LCD制造工艺的流程图；图4是根据本发明一实施例的用于薄膜晶体管面板的样品玻璃的示范性平面图；图5是根据本发明一实施例的液晶显示器的制造设备的示范性剖面图；图6A到6C是当由利用根据本发明一实施例的示于图5中的设备的制造方法形成无机对准层时样品玻璃的平面图；图7是根据本发明另一实施例的用于薄膜晶体管面板的样品玻璃的示范性平面图；图8是根据本发明另一实施例的液晶显示器的制造设备的示范性剖面图；图9A到9C是当由利用根据本发明另一实施例的示于图8中的设备的制造方法形成无机对准层时样品玻璃的平面图；图10是根据本发明一实施例的具有形成其上的无机对准层的样品玻璃的示范性剖面图；
图11是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局图；图12A和12B是示于图11中的LCD沿线XIIa-XIIa和XIIb-XIIb所取的剖面图；通过参照下列的详细描述，本发明的实施例及其优点将得到更好的理解。应该认识到，相似的参考标号用于识别示于一个或多个图中的相似元件。还应该认识到，图不必按照比例画。
具体实施例方式
通过参照其中示出了本发明的优选实施例的附图，将在下文中更充分地描述本发明。然而，本发明可以很多不同的形式实现，并不应被解释为限于这里所述的实施例。
在附图中，为了清楚，夸大了层、膜和区域的厚度。相似的参考标号指相似的元件。将会理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一个元件上时，不存在中间元件。
将参照图1和2详细描述根据本发明一实施例的液晶显示器。
图1是根据本发明一实施例的液晶显示器的示范性透视图，图2是图1中所示的LCD沿线II-II’所取的剖面图。
根据本发明一实施例的LCD包括液晶面板组件300、连接到液晶面板组件300的多个柔性印刷电路膜72、形成在柔性印刷电路膜72上的多个驱动器71、和连接到柔性印刷电路膜72的多个印刷电路板450和550。
液晶面板组件300包括下面板100、与下面板100相对的上面板200、设置在两个面板100和200之间的具有LC分子的LC层3，围绕LC层3的密封层310和电连接到下和上面板100和200的短点73。
因为下面板100大于上面板200，下面板100的外围区域41和42被上面板200暴露，且柔性印刷电路膜72连接到下面板100的外围区域41和42。
下和上面板100和200分别包括基板110和210、和分别形成在基板110和210上的薄膜61和62。
对准层11和21分别形成在薄膜61和62的表面上，对准层11和21的边缘11a和21a被倒圆。
液晶层3被下面板100和上面板200之间的密封层310密封。
下面板100和上面板200分别包括导电连接元件43和44，且短点73通过导电连接元件43和44把下面板100连接到上面板200。
现在，参照图3及图1和2，将更详细地描述根本发明一实施例的液晶显示器的制造方法。
图3是示出根据本发明一实施例的LCD制造工艺的流程图。
参照图3，通过在基板110上形成包括薄膜晶体管(未示出)和像素电极(未示出)的薄膜61而制造了下面板100，通过在基板210上形成包括公共电极和滤色器的薄膜62而制造了上面板200(S11)。可选地，公共电极和滤色器可以形成在下面板100上。
接着，根据本发明，薄膜61和62的表面可以通过利用大气压力等离子体预清洁(S12)。利用大气压力等离子体的预清洁工艺可以使用从氧气(O2)、氦气(He)和空气中选出的至少一种气体。
接着，根据本发明，通过利用大气压力等离子体，无机对准层分别形成在薄膜61和62上(S13)。这里，无机对准层淀积在有源区中，在有源区中，薄膜晶体管和像素电极设置在下面板中，且设置有滤色器。无机对准层可以包括从非晶硅(a-Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOX)和氟化类金刚石碳中选出的至少一种材料。
诸如硅烷(SiH4)、氢气(H2)或氦气(He)的气体可用以形成非晶硅(a-Si)。诸如硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)、氢气(H2)或氦气(He)的气体可用以形成碳化硅(SiC)。诸如硅烷(SiH4)、氨(NH4)、氢气(H2)或氦气(He)的气体可用以形成氮化硅(SiN)。诸如硅烷(SiH4)、氧气(O2)或氦气(He)的气体可用以形成氧化硅(SiOX)。诸如乙炔(C2H2)、诸如四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)的含氟气体、或氦气(He)的气体可用以形成氟化类金刚石碳。
在形成无机层之后，为了产生对准特性可以在无机对准层的表面上使用离子束处理。
接着，根据本发明，形成在下和上面板上的无机对准层的表面通过利用大气压力等离子体被后清洁(S14)。
接着，形成了密封层310，且在下面板100和上面板200之一上淀积了液晶材料(S15)。然后，下面板100和上面板200被组合(S16)，且组合分为多个显示单元(S17)。随后采取了用于把单元面板连接到外部驱动电路和背光单元的模块工艺以完成液晶面板组件300(S18)。
现在，参照图4和5将更详细描述根据本发明一实施例的液晶显示器的制造设备。
图4是根据本发明一实施例的用于薄膜晶体管面板的样品玻璃的平面图，图5是根据本发明一实施例的液晶显示器的制造设备的剖面图。
参照图4，样品玻璃30包括多个有源区40，例如3×3形式的9个有源区。有源区40是设置多个像素电极和多个薄膜晶体管的位置。多个数据焊盘区域41和多个栅极焊盘区域42设置在有源区40的外围部分之外，它们排列于有源区40的两边。每个栅极焊盘区域42用于连接到产生栅极信号的栅极驱动电路，每个数据焊盘区域41用于连接到产生数据信号的数据驱动电路。多个短点73形成在栅极和数据焊盘区域41和42及有源区40之间以把上面板200和下面板100彼此电连接。
参照图5，用于形成对准层的设备包括容纳样品玻璃30的腔50，且预定气体在其中流进流出。腔50是用于把腔50内部与外部隔离并通过预定气体的动作形成对准层的活化(activation)空间。
设备包括附着于腔50的上部和内部并连接到外部的功率产生器58的第一电极51。功率产生器58产生射频，第一电极51接收来自功率产生器58的射频功率。优选第一电极51由诸如铝的具有低电阻率的导电材料制成。
设备包括附着于腔50下内部并面向第一电极51的第二电极52。样品玻璃30和第二电极52对准，且第二电极52接地。
等离子体控制器53附着于面向第二电极52的第一电极51的表面。等离子体控制器53包括多个绝缘体55和多个小电极54，它们交替并可变地排列。
小电极54接收来自第一电极51的射频功率以在第一电极和第二电极之间形成等离子体70。
小电极的至少一边约等于有源区40至少一边的长度。此外，通过仅在小电极54和第二电极52之间形成等离子体70，无机对准层11可以淀积在样品玻璃30的有源区40上。
因为绝缘体55不接收来自第一电极51的射频功率，等离子体不会形成在绝缘体55和第二电极52之间。绝缘体55的至少一边的长度基本等于有源区40之间的间隔。此外，无机对准层11不形成在有源区40之间的位置上。
腔50具有用于供应形成无机对准层11必需的气体的供气单元56和用于把等离子体状态的活化气体排到腔50外部的出气单元57。
接着，参照附图，将详细描述由利用根据本发明一实施例的示于图5中的设备的制造方法形成无机对准层的步骤。
图6A到6C是当由利用根据本发明一实施例的示于图5中的设备的制造方法形成无机对准层时样品玻璃的平面图。
首先，参照图6A，样品玻璃30装载在第二电极52上，等离子体控制器53对准在样品玻璃30的一个端部上。然后，等离子体控制器53的小电极54面向样品玻璃30的有源区40且绝缘体55面向有源区40之间的空间。
参照图6B，等离子体控制器53移到样品玻璃30的另一个端部。然后，当等离子体控制器53移动时，通过仅在小电极54和第二电极52之间形成等离子体，无机对准层11和21仅在有源区40上淀积。当等离子体控制器53到达一个有源区40的端部时，停止了射频功率。然后，当等离子体控制器53到达相邻的有源区40的开始位置时，再次供应射频功率并再次淀积无机对准层11和21。
在重复实施这些工艺之后，当等离子体控制器53到达样品玻璃30的另一个端部时，停止了射频功率的供应，且无机对准层11和21完全形成在样品玻璃30的有源区40上，如图6C中所示。
有利地，在本发明的实施例中，通过利用大气压力等离子体，无机对准层11和21仅形成在有源区40上，且无机对准层不会淀积在栅极焊盘区域42、数据焊盘区域41或短点区73上。此外，不必蚀刻淀积的对准层以暴露电连接区域。而且，更简化了利用大气压力等离子体以形成无机对准层的设备，且通过省略形成真空的步骤可以最小化工艺时间。此外，随着等离子体控制器53的移动，无机对准层同时淀积。因此，无机对准层在样品玻璃上具有均匀的厚度，即使样品玻璃是大尺度的。
接着，参照图7和8，将详细描述根据本发明另一实施例的液晶显示器的制造设备。
图7是根据本发明另一实施例的用于薄膜晶体管面板的样品玻璃的平面图，图8是根据本发明另一实施例的液晶显示器的制造设备的剖面图。
参照图7，样品玻璃31包括多个有源区40，例如2×2形式的4个有源区40。多个数据焊盘区域41和多个栅极焊盘区域42设置在有源区40的外围部分之外，它们排列于有源区40的两边。多个短点73形成在栅极和数据焊盘区域41和42及有源区40之间。
参照图8，附着于面向第二电极62的第一电极61的表面的等离子体控制器63具有样品玻璃30的有源区40的阵列结构。等离子体控制器63包括两个小电极64和形成在两个小电极64之间的绝缘体65。小电极64至少一边的长度约等于有源区40至少一边的长度，绝缘体65至少一边的长度基本等于有源区40之间的间隔。
接着，参照附图，将详细描述由利用根据本发明的实施例的示于图8中的设备的制造方法形成无机对准层的步骤。
图9A到9C是当由利用根据本发明另一实施例的示于图8中的设备的制造方法形成无机对准层时样品玻璃的平面图。
首先，参照图9A，样品玻璃31装载有第二电极62，等离子体控制器63对准在样品玻璃31的一个端部上。然后，等离子体控制器63的小电极64面向样品玻璃31的有源区40且绝缘体65面向有源区40之间的空间。
参照图9B，等离子体控制器63移到样品玻璃31的另一个端部。然后，当等离子体控制器63移动时，通过仅在小电极64和第二电极62之间形成等离子体，无机对准层11和21仅在有源区40上淀积。当等离子体控制器63到达有源区40的端部时，停止了射频功率。然后，当等离子体控制器63到达相邻的有源区40的开始位置时，再次供应射频功率并再次淀积无机对准层11和21。
在重复实施这些工艺之后，当等离子体控制器63到达样品玻璃31的另一个端部时，停止了射频功率的供应，且无机对准层11和21完全形成在样品玻璃31的有源区40上，如图9C中所示。
有利地，根据分别形成在样品玻璃30和31上的有源区40的尺寸和数目，绝缘体55和65及等离子体控制器53和63的小电极54和64的配置设计分别可变。因此，本发明允许等离子体控制器附着于用于提供大气压力等离子体的设备，从而利用一个设备在样品玻璃的不同数量和形状的有源区上形成对准层。
现在，参照附图更详细地描述形成在样品玻璃上的无机对准层。
图10是根据本发明一实施例的具有形成其上的无机对准层的样品玻璃的剖面图。
根据图10，无机对准层11形成在有多个有源区的样品玻璃30上。无机对准层11具有倒圆的边缘11a和11b。当蚀刻和淀积常规技术的无机对准层时，无机对准层的边缘是陡的。然而，因为无机对准层11通过利用大气压力等离子体独立淀积在每个有源区中，无机对准层的边缘形成为圆形。
以上参考图3和7描述了用于下面板的样品玻璃。然而，通过利用基本相同的设备和制造方法，无机对准层可选地形成在用于上面板的样品玻璃上，上面板具有多个滤色器和公共电极，没有数据焊盘区域和栅极焊盘。
接着，描述根据本发明一实施例的液晶显示器。
参照图11到12B，根据本发明一实施例的液晶显示器包括下面板100，面向下面板100的上面板200和形成在下面板100和上面板200之间的液晶层3。
首先，将详细描述根据本发明一实施例的下面板100。
多个栅极线121和多个存储电极线131形成在由诸如透明玻璃或塑料的材料制成的绝缘基板110上。
栅极线121传送栅极信号并基本在横向延伸。每个栅极线121包括向下突出的多个栅电极124和具有接触另一层或外部驱动电路的大面积的端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，该柔性印刷电路膜可以贴附到基板110、直接安装在基板110、或者集成到基板110。栅极线121可以延伸以连接到可以集成在基板110上的驱动电路。
存储电极线131提供有预定电压，且每个存储电极线131包括基本平行于栅极线121延伸的干(stem)和从干分支的多对存储电极133a和133b。每个存储电极线131设置在两个相邻栅极线121之间，且干靠近两个相邻栅极线121之一。每个存储电极133a和133b具有连接到干的固定端部和与其相对设置的自由端部。存储电极133b的固定端部具有大面积，且其自由端部分支为线性分支和弯曲分支。然而，存储电极线131可以具有各种形状和设置。
栅极线121和存储电极线131优选由例如Al或Al合金的含Al金属、例如Ag或Ag合金的含Ag金属、例如Cu或Cu合金的含Cu金属、例如Mo或Mo合金的含Mo金属、Cr或Cr合金、Ta或Ta合金、或Ti或Ti合金制成。应该注意，栅极线121和存储电极线131可以具有多层结构，包括具有不同物理特性的两个导电膜。两个膜之一优选由例如含Al金属、含Ag金属、或含Cu金属的低电阻率金属制成，以减少信号延迟或电压降。另一膜优选由例如含Mo金属、含Cr金属、含Ta金属或含Ti金属的材料制成，其与其他材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)具有良好的物理、化学和电学接触特性。两膜的组合的示例是下Cr膜和上Al(合金)膜，以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，栅极线121和存储电极线131可以由各种金属或导体制成。
栅极线121和存储电极线131的侧面关于基板110的表面倾斜，且其倾斜角在约30-80度范围变化。
优选由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121、存储电极线131和第一测试线21上。
优选由氢化非晶硅(简称为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体条151形成在栅极绝缘层140上。半导体条151基本在纵向延伸并在靠近栅极线121和存储电极线131时变得相对宽，使得半导体条151覆盖栅极线121和存储电极线131的大面积。每个半导体条151包括多个朝栅电极124分支的突起154。
多个欧姆接触条161和岛165形成在半导体条151上。欧姆接触条161和岛165优选由重掺杂例如磷的N型杂质的n+氢化a-Si制成，或者它们可以由硅化物制成。每个欧姆接触条161包括多个突起163，且突起163和欧姆接触岛165成对位于半导体条151的突起154上。
半导体条151和欧姆接触161和165的侧面关于基板110表面倾斜，且其倾斜角优选在约30-80度范围。
多个数据线171和多个漏电极175形成在欧姆接触161和165以及栅极绝缘层140上。
数据线171传送数据信号并基本在纵向延伸以交叉栅极线121。每个数据线171也交叉存储电极线131并在相邻存储电极对133a和133b之间延伸。每个数据线171包括多个朝栅电极124突出并弯曲得类似月牙的源电极173，以及具有用于接触另一层或外部驱动电路的大面积的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在FPC膜(未示出)上，该FPC膜可以贴附到基板110、直接安装在基板110、或者集成到基板110。数据线171可以延伸以连接到可以集成在基板110上的驱动电路。
漏电极175与数据线171分离并与源电极173关于栅电极124相对设置。每个漏电极175包括宽端部和窄端部。宽端部交叠存储电极线131且窄端部被源电极173以“J”形部分围绕。
栅电极124、源电极173和漏电极175以及半导体条151的突起154形成TFT，该TFT具有形成在设置于源电极173和漏电极175之间的突起154中的沟道。
数据线171和漏电极175优选由难熔金属例如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金制成。然而，它们可以具有多层结构，包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)。多层结构的示例是包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的双层结构，以及下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三层结构。然而，数据导体171和175可以由各种金属或导体制成。
数据线171和漏电极175具有倾斜边缘轮廓，且其倾斜角在约30-80度之间变化。
欧姆接触161和165仅插入在下面的半导体条151和其上的上覆导体171和175之间，并减小其间的接触电阻。虽然半导体条151在大部分地方窄于数据线171，半导体条151的宽度在靠近栅极线121和存储电极线131时变得相对大，如上所述，从而光滑表面的轮廓，因此防止数据线171的断开。半导体条151与数据线171和漏电极175以及下面的欧姆接触161和165几乎具有相同的平面形状。然而，半导体条151包括一些未被数据线171和漏电极175覆盖的暴露部分，例如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175和半导体条151的暴露部分上。钝化层180优选由无机或有机绝缘体制成，且其可以具有平坦顶表面。无机绝缘体的示例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有光敏性和小于约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，使得其具有有机绝缘体的优异的绝缘特性，同时用有机绝缘体防止半导体条151的暴露部分被破坏。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179和漏电极175的多个接触孔182和185。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181、暴露存储电极线131靠近存储电极133b的固定端部的部分的多个接触孔183a、和暴露存储电极133b的自由端部的线性分支的多个接触孔183b。
多个像素电极191、多个立体交叉(overpass)83和多个接触辅助81和82形成在钝化层180上。它们优选由例如ITO或IZO的透明导体，或者例如Ag、Al、Cr或其合金的难熔导体制成。
像素电极191通过接触孔185物理和电连接到漏电极175，使得像素电极191从漏电极175接收数据电压。提供有数据电压的像素电极191与相对的滤色器面板200的提供有公共电压的公共电极270一起产生电场，该电场确定设置在两面板100和200之间的液晶层3的液晶分子(未示出)的取向。像素电极191和公共电极270形成称作“液晶电容器”的电容器，其存储在TFT截止之后施加的电压。
像素电极191与包括存储电极133a和133b的存储电极线131交叠。像素电极191和与其连接的漏电极175以及存储电极线131形成称作“存储电容器”的附加的电容器，其提高液晶电容器的电压存储能力。
立体交叉83在栅极线121上越过，并分别通过接触孔183a和183b连接到关于栅极线121彼此相对设置的存储电极线131的暴露部分和存储电极133b的自由端部的暴露线性分支。包括存储电极133a和133b的存储电极线131以及立体交叉83可以用于修补栅极线121、数据线171或TFT中的缺陷。
接触辅助81和82分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助81和82保护端部129并增强端部129和179与外部器件之间的粘着。
随后是滤色器面板200的描述。
用于防止光泄漏的称为黑矩阵的阻光元件220形成在有例如透明玻璃或塑料的材料制成的绝缘基板210上。阻光元件220可以具有面对像素电极191的多个开口，且它可以与像素电极191基本具有相同的平面形状。
多个滤色器230也形成在基板210上，且它们基本设置在由阻光元件220围绕的区域中。滤色器230可以沿着像素电极191基本在纵向延伸。滤色器230可以代表例如红、绿和蓝色的三原色之一。
覆层250形成在滤色器230和阻光元件220上。覆层250优选由(有机)绝缘体制成，且它防止滤色器230被暴露，并提供平坦表面。覆层250可以被省略。
公共电极270形成在覆层250上。公共电极270优选由例如ITO和IZO的透明导电材料制成。
无机对准层11和21覆盖在面板100和200的内表面上，且偏振器(未示出)设置在面板100和200的外表面上，使得它们的偏振轴可以交叉，且偏振轴之一可以平行于栅极线121。
如上所述，使用大气压力等离子体形成无机对准层的本发明通过省略短点区域和焊盘区域的蚀刻步骤而比先前工艺更简化。有利地，对准层可以通过使用一个装置在样品玻璃上形成各种形状。
虽然参考优选实施例详细描述了本发明，但本领域的技术人员应该理解，可以对其进行各种改进和替换，而不脱离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范畴。
权利要求
1.一种液晶显示器的制造方法，该方法包括在面板上形成场产生电极；和通过利用大气压力等离子体在所述面板上形成无机对准层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述无机对准层仅形成在所述面板的有源区上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中等离子体产生电极在所述面板上移动以形成所述无机对准层。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述无机对准层之前，利用大气压力等离子体预清洁用于淀积所述无机对准层的部分所述面板。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述预清洁工艺使用从氧气(O2)、氦气(He)和空气选出的至少一种气体。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述无机对准层之后，利用大气压力等离子体后清洁所述无机对准层的表面。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述后清洁工艺使用从氧气(O2)、氦气(He)和空气选出的至少一种气体。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述无机对准层之后在所述无机对准层的表面上进行离子束处理。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述无机对准层包括从非晶硅(a-Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOX)和氟化类金刚石碳选出的至少一种材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其中硅烷(SiH4)、氢气(H2)或氦气(He)用以形成非晶硅(a-Si)。
11.根据权利要求9所述的方法，其中硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)、氢气(H2)或氦气(He)用以形成碳化硅(SiC)。
12.根据权利要求9所述的方法，其中硅烷(SiH4)、氨(NH4)、氢气(H2)或氦气(He)用以形成氮化硅(SiN)。
13.根据权利要求9所述的方法，其中硅烷(SiH4)、氧气(O2)或氦气(He)用以形成氧化硅(SiOX)。
14.根据权利要求9所述的方法，其中乙炔(C2H2)、诸如四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)的含氟气体、或氦气(He)用以形成所述氟化类金刚石碳。
15.一种用于制造液晶显示器的设备，包括第一电极；等离子体控制器，附着于所述第一电极并具有至少一个小电极和至少一个绝缘体，其中所述小电极和所述绝缘体交替排列；第二电极，面向所述第一电极并形成在包括至少一个有源区的样品玻璃上；功率产生器，用于产生射频以施加电压到所述第一和第二电极；和供气单元，用于提供形成无机对准层必需的气体。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述等离子体控制器可以设置在非所述第一电极。
17.根据权利要求15所述的设备，其中至少所述小电极一边的长度等于所述有源区一边的长度。
18.根据权利要求15所述的设备，其中至少所述绝缘体一边的长度等于所述样品玻璃上的多个有源区之间的间隔。
19.一种液晶显示器，包括面板；和无机对准层，形成在所述面板上并具有圆形表面的边缘。
20.根据权利要求19所述的液晶显示器，其中所述无机对准层包括从非晶硅(a-Si)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOX)和氟化类金刚石碳选出的至少一种材料。
全文摘要
本发明提供了一种液晶显示器、其制造方法及其制造设备。该方法包括在面板上形成场产生电极，和利用大气压力等离子体在基板上形成无机对准层。通过省略短点(short point)区域和焊盘区域的蚀刻步骤，更加简化了利用大气压力等离子体以形成所述无机对准层的工艺。而且，通过使用一种设备，对准层可以在所述样品玻璃上形成各种形状。
文档编号G02F1/1333GK1896824SQ20061010151
公开日2007年1月17日 申请日期2006年7月12日 优先权日2005年7月12日
发明者卢淳俊, 徐德钟, 尹容国, 全栢均 申请人:三星电子株式会社