专利名称：薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示基板。
背景技术：
随着半导体器件如薄膜晶体管(TFT)的发展，可在短时间内处理更多的数据的信息处理器件也得以发展。用于显示已处理数据的显示器件也在快速发展。
显示器件的例子包括液晶显示器件(LCD)、有机发光器件(OLED)和等离子体显示面板(PDP)。
通常显示器件包括TFT以显示全色图像。尤其地，最近已引入具有低温多晶硅(LTPS)TFT的显示器件。
在LTP技术中，用于有源矩阵显示器件的TFT的沟道层由比非晶硅具有更高电子迁移率的多晶硅形成。同样，由于用于控制显示器件的驱动电路可以直接形成在显示基板上，因此不需要在显示面板周围排列独立的驱动集成电路。因此，与使用非晶硅的显示器件相比部件的数目减少。LTP的制造技术可以提供具有高耐用性、薄外观、高亮度和低能耗特征的显示器件。
在LTPS TFT中，多晶硅图案直接形成在显示面板上，以及栅极在多晶硅图案上形成。源极和漏极在多晶硅图案上形成。接触孔在多晶硅图案和栅极之间的绝缘层上形成。源极和漏极通过接触孔电连接到多晶硅图案。
然而，源极和漏极的金属离子从源极和漏极扩散到多晶硅图案。尤其，在基板上形成钝化层之后，在该钝化层执行退火工序用于去除钝化层内的氢。在该工序中，由于退火工序的温度大约是200℃到400℃，源极和漏极的金属离子或原子从源极和漏极扩散到多晶硅图案。从而，通过金属离子的扩散多晶硅图案的长度逐渐缩减。在这种情况下，TFT的性能急剧退化且也降低了由显示器件产生的显示质量。
发明内容
依照本发明的一实施方式，如这里具体和广义所描述的，本发明提供包括设置在基板上的半导体图案的薄膜晶体管。该半导体图案包含具有导电或绝缘特征的半导体图案部分，和接近半导体图案部分的一侧且用于防止金属离子沿半导体图案部分扩散的防扩散部分。第一绝缘层覆盖半导体图案且具有暴露半导体图案部分的第一区域的第一接触孔。第二接触孔暴露半导体图案部分的第二区域。栅极位于第一绝缘层上并且第二绝缘层覆盖该栅极。第二绝缘层具有暴露第一区域的第三接触孔和暴露第二区域的第四接触孔。源极叠在第二绝缘层并且连接到第一区域，漏极叠在第二绝缘层并且连接到第二区域。
依照本发明的另一方案，本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括在基板上形成半导体层和构图半导体层以形成半导体图案。半导体图案包含具有导电或绝缘特征的半导体图案部分，在该半导体图案部分中形成防扩散部分以防止金属离子通过半导体图案部分扩散。形成第一绝缘层以覆盖半导体图案而栅极形成在第一绝缘层上且与半导体图案隔开。形成第二绝缘层以覆盖栅极。构图第一和第二绝缘层以形成第一绝缘层图案和第二绝缘层图案，第一和第二绝缘层图案具有暴露半导体图案部分的第一和第二区域的接触孔。源极和漏极形成在第二绝缘层图案上，其中源极与第一区域接触而漏极与第二区域接触。
依照本发明的又一方案，本发明提供包括第一基板和在该第一基板上的薄膜晶体管的显示基板。该薄膜晶体管包含具有导电或绝缘特征的半导体图案部分，和与半导体图案部分隔开的栅极。源极与半导体图案部分的第一区域电接触，及漏极与半导体图案部分的第二区域电接触。防扩散部分沿基板从半导体图案部分的一侧突出，并且配置为防止金属离子从源极和漏极朝半导体图案部分的中心扩散。
依照本发明的再一方案，本发明提供一种薄膜晶体管，其包括设置在基板上并具有通过沟道区域隔开的源极区域和漏极区域的半导体图案。防扩散结构邻近半导体图案。栅极与沟道区域隔开并且通过第一绝缘层分开。第二绝缘层覆盖栅极，源极叠在第二绝缘层上并与源极区域接触。漏极叠在第二绝缘层之上，并与漏极区域接触。防扩散结构配置为用于将从源极和漏极扩散的金属离子引导向远离沟道区域。
应当理解本发明的前述的一般性描述和以下的详细描述都是示意性和解释性的，意欲提供对本发明权利要求的进一步解释。
本申请所包括的附图提供对本发明的进一步理解，并且结合在本申请中构成说明书一部分，示出了本发明的具体实施例并与说明一起解释本发明的原理。在附图中图1是依照本发明实施方式的TFT的平面图；图2是沿图1中线I-I’提取的截面图；图3A是依照一实施方式示出图2中的半导体图案部分中金属离子扩散路径的平面图；图3B是依照另一实施方式示出图2中的半导体图案部分中金属离子扩散路径的平面图；图4是依照本发明的一实施方式通过制造TFT的方法形成的半导体层的平面图；图5是沿图4中的线II-II’提取的截面图；图6是示出构图后的多晶硅层的平面图；图7是沿图6中的线III-III’提取的截面图；图8是覆盖图7中的半导体图案的第一绝缘层的截面图；图9是覆盖图8中的半导体图案的第二绝缘层和层间绝缘层的截面图；图10是通过构图层间绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层形成的层间绝缘层图案、第二绝缘层图案和第一绝缘层图案的截面图；图11是在图10的层间绝缘层图案上形成的源极和漏极的截面图；图12是依照本发明的一实施方式的显示器件的截面图；以及图13是依照本发明的另一实施方式的显示器件的截面图。
在图中，为了清楚，放大了半导体图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极和其它结构的厚度。
具体实施例方式
在此用到，当提到一层在另一层或基板“上”时，它可能是直接在其它层或基板上方，或者也可能存在插入层。当半导体图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极和其它结构称为“第一”、“第二”、“第三”和/或“第四”时，它们不能理解为对这些构件的限制，而用于区别半导体图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极和其它结构。因此，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”相对于半导体图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极和其它结构是可选择性地或者互换的。
薄膜晶体管图1是依照本发明的实施方式的TFT的平面图，图2是沿图1中线I-I’提取的截面图。
参照图1和图2，TFT TR包括形成在基板S上的半导体图案SP、第一绝缘层图案FILP、栅极GE、第二绝缘层SILP、源极SE和漏极DE。
半导体图案SP设置在基板S上。在该实施方式中，半导体图案SP包括多晶硅。通常在平面图中半导体图案SP可具有亚铃状形状。
例如，亚铃状半导体图案SP包括半导体图案部分SPP和防扩散部分EP。
在该实施方式中，依照外部电压的施加/切断，半导体图案部分SPP具有导电或绝缘特性。尤其地，半导体图案部分SPP包括第一区域FR、第二区域SR和沟道部分CP。第一区域FR和第二区域SR分别对应源极SE和漏极DE。
在平面图中，第一区域FR设置在半导体图案部分SPP的第一端而第二区域SR设置在与第一端相对的第二端。在半导体图案部分SPP的第一区域FR和第二区域SR掺杂入N型或P型杂质，从而提供导电特性。
另外，在第一区域FR和第二区域SR之间夹入沟道部分CP。根据外部电压的施加/切断，沟道部分CP具有导电或绝缘特性。
防扩散部分EP从半导体图案部分SPP突出或延伸。防扩散部分EP防止来自金属离子从源极SE和漏极DE扩散到半导体图案部分SPP的沟道部分CP。源极SE和漏极DE与半导体图案部分SPP的第一区域FR和第二区域SR电连接。
图3A是依照一实施方式示出在图2半导体图案部分中金属离子扩散路径的平面图。
参照图3A，半导体图案部分SPP的第一区域FR分别对应源极SE和漏极DE。
当第一区域FR和第二区域SR分别连接到源极SE和漏极DE时，来自源极SE和漏极DE的金属离子主要从第一区域FR和第二区域SR向沟道部分CP扩散。在这点，因为第一区域FR和第二区域SR具有导电特性，所以即使金属离子从源极SE和漏极DE向第一和第二区域FR和SR扩散，也不会影响第一和第二区域FR和SR的电特性。即，第一和第二区域FR和SR持续保持它们的导电特性。
另一方面，当来自源极SE和漏极DE的金属离子经过第一区域FR和第二区域SR并在随后扩散到沟道部分CP时，沟道部分CP的长度减小。而且，由于来自源极SE和漏极DE的金属离子的扩散，沟道部分CP可能失去半导体特性。
依照本发明的另一技术方案，可以通过向防扩散部分EP扩散一些金属离子减少移向沟道部分CP的金属离子。为了这个目的，可形成防扩散部分EP以沿半导体图案部分SPP的侧边突出或延伸。因此，防扩散部分EP配置为用于传导从远离沟道部分CP的源极和漏极扩散的至少一部分金属物。
如图3A所示，防扩散部分EP可具有针形形状。另外，两个针形防扩散部分EP可以像叉形物的齿一样彼此平行排列。
这样，当在半导体图案部分SPP里形成防扩散部分EP时，在来自源极SE和漏极DE的金属离子中向沟道部分CP扩散的金属离子向防扩散部分EP扩散。因此，分散了来自源极SE和漏极DE的金属离子的扩散方向。
通过分散来自源极SE和漏极DE的金属离子的扩散方向，可以防止源极SE和漏极DE短路，其中在沟道部分CP的长度缩减和/或沟道部分CP导电时产生短路。
尽管在此示出的防扩散部分EP是一个针状，但是依照其它实施方式，防扩散部分EP可以具有各种形状。例如，如图3B所示防扩散部分EP可以是多边形。在图3B所示的具体实施方式
中，防扩散部分EP的宽度WEP大于沟道部分的对应宽度WCP。
可选择性地形成仅接近源极SE的防扩散部分EP。同样的，也可以选择性地形成仅接近漏极DE的防扩散部分EP。此外，可以形成既接近源极SE又接近漏极DE的防扩散部分EP。
防扩散部分EP可以在与长方形的半导体图案部分SPP的纵向方向平行的方向突出从而可以更有效地扩散金属离子。另外，可在相对于半导体图案部分SPP的径向形成防扩散部分EP。
再参照图1和图2，第一绝缘层图案FILP形成在基板S上以覆盖半导体图案SP。第一绝缘层图案FILP包括暴露第一区域FR的第一接触孔FCT和暴露第二区域SR的第二接触孔SCT。在该实施方式中，因为第一区域FR和第二区域SR以预定的距离彼此分开，所以第一接触孔FCT和第二接触孔SCT也以预定的距离彼此分开。
栅极GE形成在第一绝缘层图案FILP上。例如，在第一接触孔FCT和第二接触孔SCT之间设置栅极GE。栅极可以由铝、铝合金和铝-钕合金形成。
第二绝缘层图案SILP形成在第一绝缘层图案FILP上，从而通过第二绝缘层图案SILP覆盖栅极GE。第二绝缘层图案SILP使栅极GE绝缘于外部导体。在该实施方式中，第二绝缘层图案SILP具有暴露第一区域FR的第三接触孔TCT和暴露第二区域SR的第四接触孔FOCT。层间绝缘层图案ILDP形成在第二绝缘层图案SILP上。
源极SE通过在第一和第二绝缘层图案FILP和SILP上形成的第一和第三接触孔FCT和TCT与第一区域FR电连接。
漏极DE通过分别在第一和第二绝缘层图案FILP和SILP上形成的第二和第四接触孔SCT和FOCT与第二区域SR电连接。
制造TFT的方法图4是依照本发明的一实施方式通过制造TFT的方法形成的半导体层的平面图。图5是沿图4中的线II-II’提取的截面图。
参照图4和图5，在基板S上形成多晶硅层PL。
多晶硅层PL的形成可包括在基板S上沉积非晶硅层并结晶所沉积的非晶硅层。非晶硅层可用化学气相沉积(CVD)工艺形成，且可以用高能激光诸如YAG激光结晶。
图6是示出构图后的多晶硅层的平面图，和图7是沿图6中的线III-III’提取的截面图。
参照图6和图7，当在基板S上形成多晶硅层PL后，在多晶硅层PL上形成光刻胶图案(未示出)。
在该实施方式中，光刻胶图案的形成可包括在多晶硅层PL上形成光刻胶薄膜，使用图案掩模对光刻胶薄膜进行曝光，及显影曝光后的光刻胶薄膜。另外，可以通过使用喷墨法在多晶硅层PL上设置光刻胶物质形成光刻胶图案。
参照图6和图7，使用光刻图案作为刻蚀掩模刻蚀多晶硅层PL，从而形成半导体图案SP。具体地说，构图多晶硅层PL以形成具有半导体图案部分SPP和防扩散部分EP的半导体部分SP。半导体图案部分SPP具有第一区域FR、第二区域SR和沟道部分CP。
在平面图中，第一区域FR在半导体图案SP的第一端形成，而第二区域SR在与第一端相对的第二端形成。沟道部分CP夹在第一区域FR和第二区域SR之间。
防扩散部分EP沿基板S相对第一区域FR和/或第二区域SR从半导体图案SP突出或延伸。
在该实施方式中，防扩散部分EP是针形并且沿基板S从半导体图案SP的第二区域SR延伸。至少形成一针形的防扩散部分EP。防扩散部分EP可平行地排列。
防扩散部分EP从长方形的半导体图案SP的侧边延伸。例如，至少一防扩散部分EP可以在与半导体图案SP的绘向方向平行的方向延伸。另外，防扩散部分EP可以相对第一和第二区域FR和SR从半导体图案SP的侧边在径向形成。
防扩散部分EP可以相对第一和第二区域FR和SR在半导体图案SP上形成。同样地，可相对第一区域FR在半导体图案部分SPP上选择性地形成防扩散部分EP。另外，可相对于第二区域SR在半导体图案部分SPP选择性地形成防扩散部分EP。
在图6中，在与漏极DE电连接的第二区域SR选择性地形成防扩散部分EP。
图8是覆盖图7中的半导体图案的第一绝缘层的截面图。
参照图8，当具有半导体图案部分SPP和防扩散部分EP的半导体图案SP在基板S上形成之后，形成第一绝缘层FIL以覆盖半导体图案SP。第一绝缘层FIL可以由有机层、氧化层或氮化物层形成。
图9是覆盖图8中的半导体图案的第二绝缘层和层间绝缘层的截面图。
参照图9，当在基板S上形成第一绝缘层FIL之后，栅极GE和存储电极StE形成在第一绝缘层FIL上。栅极GE可与半导体图案部分SPP分开形成。
然后，通过使用栅极GE作为掩模在半导体图案SP内掺入n型和p型导电杂质。使用离子植入工序掺杂n型或p型导电杂质。导电杂质掺杂入半导体图案SP中栅极GE没有覆盖的第一区域FR和第二区域SR。从而，相对第一区域FR和第二区域SR的部分具有导电特性。
然后，第二绝缘层SILD形成在第一绝缘层FIL上用以覆盖栅极GE。同样地，层间绝缘层ILP形成在第二绝缘层SILD上。
图10是通过构图层间绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层形成的层间绝缘层图案、第二绝缘层图案和第一绝缘层图案的截面图。
参照图10，当第二绝缘层SILD和层间绝缘层ILP形成在第一绝缘层FIL上之后，构图层间绝缘层ILP、第二绝缘层SILD和第一绝缘层FIL用以形成第一绝缘层图案FILP、第二绝缘层图案SILP和层间绝缘层图案ILPP。绝缘层FILP、SILP和ILPP具有暴露半导体图案SP的第一区域FR和第二区域SR的一对接触孔CT1和CT2。在该实施方式中，接触孔CT1和CT2形成在栅极GE的两侧。
图11是在图10的层间绝缘层图案上形成的源极和漏极的截面图。
参照图11，源极/漏极金属层(未示出)形成在构图后的层间绝缘层图案ILPP上。源极/漏极可以由铝、铝合金、铬或铬合金形成。
然后，使用光刻工艺构图源极/漏极金属层，从而在层间绝缘层图案ILPP上形成源极SE和漏极DE。
源极SE和漏极DE通过接触孔CT1和CT2与半导体图案SP的第一区域FR和第二区域SR电连接。
向第一区域FR和第二区域SR提供来自源极SE和漏极DE的大量金属离子。然而，防扩散部分EP防止了金属离子扩散到夹在第一区域FR和第二区域SR之间的半导体图案部分SPP。因此，可以防止半导体图案部分SPP长度减小，或者防止半导体图案部分SPP导电。
显示基板图12是依照本发明的实施方式的显示器件的截面图。
参照图12，显示基板包括基板S、TFT和像素P。
基板S可以是具有类似于玻璃板的透光度的透明基板。
TFT设置在基板S上用于在预定的时间内向像素P传输信号。
TFT包括半导体图案SP、第一绝缘层图案FILP、栅极GE、第二绝缘层图案SILP、源极SE和漏极DE。
在平面图中由多晶硅形成的半导体图案SP具有长方亚铃形状，且半导体图案SP包括半导体图案部分SPP和从半导体图案部分SPP突出的防扩散部分EP。
半导体图案部分SPP根据外部电压的施加/断开具有导电或绝缘特性。半导体图案部分SPP包括在半导体图案部分SPP的第一端形成的第一区域FR，在相对于第一端的第二端形成的第二区域SR和夹在第一区域FR和第二区域SR之间的沟道部分CP。在该实施方式中，在第一区域FR和第二区域SR中掺入n型或p型杂质。因此，半导体图案部分SPP相对第一区域FR和第二区域SR具有导电特性。
同时，沟道部分CP根据外部电压的施加/断开具有半导体特性。
防扩散部分EP沿基板S从半导体图案部分SPP以预定长度突出。防扩散部分EP防止了金属离子从源极SE和漏极DE向沟道部分CP扩散。源极SE和漏极DE分别与半导体图案部分SPP的第一区域FR和第二区域SR电连接。
防扩散部分EP可以沿基板S从半导体图案部分SPP的侧边突出或延伸。同样地，防扩散部分EP可以具有针状形状。另外，至少两个针形防扩散部分EP以叉形物形状排列。
防扩散部分EP可以在源极SE和漏极DE里形成。同样地，可以选择性地形成仅在源极SE里的防扩散部分EP。另外，也可以选择性地形成仅在漏极DE里的防扩散部分EP。
在图12中，防扩散部分EP从连接到漏极DE的半导体图案部分SPP的第二区域SR突出。
防扩散部分EP可以在与具有长方形的半导体图案部分SPP的绘向方向平行的方向突出，从而金属离子可以更有效的扩散。另外，可以在相对于半导体图案部分SPP的径向形成防扩散部分EP。
再参照图12，第一绝缘层图案FILP形成在基板S上以覆盖半导体图案SP。栅极GE和存储电极StE形成在第一绝缘层图案FILP上。
第二绝缘层图案SILP形成在第一绝缘层图案FILP上以覆盖栅极GE。层间绝缘层图案ILDP形成在第二绝缘层图案SILP上，而钝化层PL形成在层间绝缘层图案ILDP上。
分别通过第三接触孔TCT和第一接触孔FCT，源极SE电连接到第一区域FR。分别通过第四和第二接触孔FOCT和SCT，漏极DE电连接到第二区域SR。
像素P电连接到漏极DE。像素P可包括连接到漏极DE的第一电极M1。例如，作为像素P的第一电极M1可以是透明电极。第一电极M1可由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或非晶铟锡氧化物(a-ITO)形成。
像素P可进一步包括在第一电极M1上的有机发光层OL和第二电极M2。有机发光层OL使用由第一电极M1和第二电极M2供应的电流发光。在该实施方式中，第二电极M2可以由例如，铝或铝合金的具有低功函的金属形成。
图13是依照本发明另一实施方式的显示器件的截面图。在所示出的实施方式中，像素P包括在下基板S上连接到漏极DE的第一电极FE、在面对下基板的上基板S上形成的第二电极CE，从而第二电极与第一电极相对。红色滤色片R、黑矩阵B、绿色滤色片层G位于第二电极CE和基板之间的第二基板上。尽管没有在图中示出，但是蓝色滤光片也位于上基板上。液晶层(未示出)夹在第一电极和第二电极之间。位于液晶层两侧的第一电极和第二电极可以是透明电极。
在图13的实施方式中，除了像素结构，位于下基板上的结构与图12示出的且在以上描述过的基板的结构相似。TFT包括半导体图案SP、第一绝缘层图案FILP、栅极GE、第二绝缘层图案SILP、源极SE和漏极DE。
半导体图案SP包括半导体图案部分SPP和从半导体图案部分SPP延伸的防扩散部分EP。半导体图案部分SPP包括在半导体图案部分SPP第一端形成的第一区域FR、在与第一端相对的第二端形成的第二区域SR和夹在第一区域FR和第二区域SR之间的沟道部分CP。在第一区域FR和第二区域SR内掺杂入n型或p型杂质。因此，对应第一区域FR和第二区域SR的半导体图案部分SPP具有导电特性。
第一绝缘层图案FILP位于基板S之上并覆盖半导体图案SP。栅极GE形成在第一绝缘层图案FILP上。第二绝缘层图案SILP形成在第一绝缘层图案FILP上以覆盖栅极GE。
层间绝缘层图案ILDP叠在第二绝缘层SILP上。层间绝缘层图案ILDP、第二绝缘层SILP和第一绝缘层图案FILP分别包括暴露第二区域SR的接触孔FOCT和SCT。层间绝缘层图案ILDP、第二绝缘层SILP和第一绝缘层图案FILP还分别包括暴露第一区域FR的接触孔TCT和FCT。源极SE通过接触孔TCT和FCT电连接到半导体图案SP的第一区域FR。漏极DE通过接触孔FOCT和SCT电连接到半导体图案SP的第二区域SR。
防扩散部分EP从半导体图案部分SPP的第二区域SR突出或延伸，其中第二区域SR与漏极DE连接。防扩散部分EP的结构和所起作用与上述的防扩散部分EP相似。
通过在半导体图案的边界形成防扩散部分EP，可以防止来自与半导体图案电连接的电极的金属离子扩散到半导体图案。因此，本发明可防止TFT的性能退化。
很显然，本领域的熟练技术人员可以在不脱离本发明的精神或者范围内对本发明进行各种不同的修改和改进。因此，本发明旨在覆盖包括所有落入所附权利要求及其等效物范围内的对本发明进行的修改和改进。
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括半导体图案，包括源极区域、漏极区域、沟道区域和防扩散部分；第一绝缘层，叠在所述半导体图案上；栅极，叠在所述半导体图案上；第二绝缘层，叠在所述栅极上；和源极和漏极，叠在所述第二绝缘层上并分别连接到所述源极区域和所述漏极区域，其中所述防扩散部分用于减少自所述源极或所述漏极到所述沟道区域的金属物的扩散。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体图案还包含掺杂在所述源极区域和所述漏极区域的导电杂质。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属物包含金属离子或金属原子其中之一或者二者。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分从所述半导体图案中沿着所述基板的远离所述半导体图案部分的一侧延伸。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含具有至少一纵长部分的结构。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体图案包含具有长方形的结构，且所述防扩散部分在与半导体图案的纵向方向平行的方向延伸。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含接近所述源极的结构。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含接近所述漏极的结构。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含接近所述源极和所述漏极的结构。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含宽度比所述沟道区域的宽度更大的结构。
11.一种制造薄膜晶体管的方法，包括在基板上形成半导体层；构图所述半导体层以形成半导体图案，所述半导体图案包括沟道区域和防扩散部分；形成叠在所述半导体图案上的第一绝缘层；形成叠在第一绝缘层上的栅极；形成叠在所述栅极上的第二绝缘层；构图所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以形成暴露所述半导体图案的第一区域和第二区域的接触孔；以及形成叠在第二绝缘层上的源极和漏极；其中所述源极与所述第一区域接触及所述漏极与所述第二区域接触，以及其中所述防扩散部分减少了自所述源极或所述漏极到所述沟道区域的金属物的扩散。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括将杂质注入到所述半导体图案的所述第一区域和所述第二区域。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成具有防扩散部分的半导体图案的步骤包括形成至少一纵长结构。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成半导体图案的步骤包括形成在平面图中具有矩形形状的结构，并且其中所述防扩散部分在与所述图案的纵向方向平行的方向形成。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成具有防扩散部分的半导体图案的步骤包含形成接近所述源极的所述防扩散部分。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成具有防扩散部分的半导体图案的步骤包含形成接近所述漏极的所述防扩散部分。
17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成具有防扩散部分的半导体图案的步骤包含形成接近所述源极和所述漏极的所述防扩散部分。
18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述的形成具有防扩散部分的半导体图案的步骤包含形成具有宽度大于所述沟道区域宽度的结构。
19.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，其中所述金属物包含金属离子或金属原子其中之一或者二者。
20.一种显示基板，包括第一基板；叠在所述第一基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有半导体图案、与所述半导体图案的沟道区域隔开的栅极；与所述半导体图案的第一区域电连接的源极；及与所述半导体图案的第二区域电连接的漏极；以及所述半导体图案的防扩散部分，该防扩散部分沿所述基板延伸且配置用于减少自所述源极或所述漏极到所述沟道区域的金属物扩散。
21.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述防扩散部分包含具有至少一纵长区域的结构。
22.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述防扩散部分包括接近所述源极的结构。
23.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述防扩散部分包含接近所述漏极的结构。
24.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述防扩散部分包含接近所述源极和所述漏极的结构。
25.根据权利要求20所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散部分包含具有宽度大于所述沟道区域宽度的结构。
26.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，还包括具有接触所述漏极或所述源极其中之一的第一电极且包含透明且导电的材料的像素结构。
27.根据权利要求26所述的显示基板，其特征在于，所述像素结构还包含在所述第一电极上的有机发光层；以及在所述有机发光层上的第二电极。
28.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，所述金属物包含金属离子或金属原子其中之一或者二者。
29.根据权利要求20所述的显示基板，其特征在于，还包括面对所述第一基板的第二基板，其中所述第二基板包括连接到所述第一基板的所述漏极的第一电极；在所述第二基板上的第二电极；和夹在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层。
30.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，所述第二基板还包括滤色片层和黑矩阵。
31.一种薄膜晶体管，包括叠在基板上的半导体图案，所述半导体图案具有通过沟道区域分开的源极区域和漏极区域以及防扩散结构；与所述沟道区域隔开并通过第一绝缘层彼此分开的栅极；叠在所述栅极上的第二绝缘层；叠在所述第二绝缘层上并与所述源极区域接触的源极；以及叠在所述第二绝缘层上并与所述漏极区域接触的漏极。
32.根据权利要求31所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散结构配置为用于将从所述源极和所述漏极扩散来金属物中至少一部分引导向远离所述沟道区域。
33.根据权利要求31所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散结构包括沿所述基板远离所述半导体图案延伸的纵长结构。
34.根据权利要求31所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防扩散结构包括具有多个平行延伸区域的纵长结构。
35.根据权利要求31所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属物包括金属离子或金属原子其中之一或者二者。
全文摘要
一种薄膜晶体管包括设置在衬底上的半导体图案和具有导电或绝缘特征的半导体图案部分，和在半导体图案部分一侧用于防止金属离子沿半导体图案部分扩散的防扩散部分。第一绝缘层覆盖半导体图案且具有暴露半导体图案部分第一区域的第一接触孔和暴露半导体图案部分第二区域的第二接触孔。栅极设置在第一绝缘层。第二绝缘层覆盖栅极并具有暴露第一区域的第三接触孔和暴露第二区域的第四接触孔。源极形成在第二绝缘层上并连接到第一区域，以及漏极形成在第二绝缘层上并连接第二区域。
文档编号G02F1/136GK101075642SQ200610149878
公开日2007年11月21日 申请日期2006年10月27日 优先权日2006年5月15日
发明者李洪九, 郑湘勳 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社