专利名称：加热处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在平板显示器(FPD)用的玻璃基板等基板上进行加热处理的加热处理装置。
背景技术：
在FPD的制造中，为了在FPD用的玻璃基板上形成电路图案，使用光刻技术。利用光刻形成电路图案按下列顺序进行在玻璃基板上涂布抗蚀剂液，形成抗蚀剂膜，以与电路图案相对应的方式将抗蚀剂膜曝光，对其进行显影处理。
一般，在光刻技术中，为了在形成抗蚀剂膜后和显影处理后，对抗蚀剂膜进行干燥，要对玻璃基板进行加热处理。在这种加热处理中使用加热处理装置。该加热处理装置具有可收纳玻璃基板的壳体；设置在壳体内，载置并加热玻璃基板的加热板；和升降销。该升降销能够以从加热板上突出和没入的方式升降，将由搬送臂把持、搬送的玻璃基板交接至加热板上(参照专利文献1，2，3)。
然而，近来FPD趋向大型化，达到出现一边为2m以上的巨大的玻璃基板。与此相对，在上述现有的加热处理装置中，由于玻璃基板的加热模块为载置玻璃基板的加热板，当玻璃基板大型化时，难以均等地加热整个基板，可能会由于加热处理在玻璃基板上产生弯曲。而且，由于随着玻璃基板大型化，处理性变差，在该加热处理装置中，当玻璃基板大型化时，在搬送臂和升降销之间或升降销和加热板之间交接时的冲击有可能会造成破损。
另一方面，在加热处理装置中，为了避免随着基板的大型化，装置本身尺寸显著增大，要将壳体内的基板周围的空间抑制的尽可能小，使壳体小型化。
专利文献1日本专利特开2002-231792号公报专利文献2日本专利特开2001-196299号公报
专利文献3日本专利特开平11-204428号公报发明内容本发明是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供一种即使基板大型化，也能够抑制基板的弯曲或破损等问题发生，同时，能够实现收纳基板的壳体的小型化的加热处理装置。
为了解决上述问题，本发明提供一种加热处理装置，其可对基板进行加热处理，其特征在于，具有在一个方向搬送基板的搬送通路；围绕上述搬送通路而设置的壳体；沿着上述搬送通路，在上述壳体内以接近在上述搬送通路中被搬送的基板的方式在基板的两面侧分别设置的第一和第二面状加热器。
本发明中，优选上述搬送通路，利用在一个方向隔开一定间隔设置的多个辊部件的旋转，滚动搬送基板；上述第一面状加热器，分别设置在上述辊部件彼此之间，在搬送方向排列有多个。在这种情况下，优选上述第二面状加热器以与上述第一面状加热器的排列间距相对应的方式在搬送方向上排列有多个，上述多个第一和第二面状加热器，能够独立的或以在搬送方向划分的各组进行温度控制。并且，在这种情况下，优选，通过独立的或以在搬送方向划分的各组对上述多个第一和第二面状加热器进行温度控制，由上述多个第一和第二面状加热器构成的加热器组，形成规定的温度分布；优选上述第一和第二面状加热器分别对在上述搬送通路的宽度方向划分的多个区域的各个进行温度控制；优选上述第二面状加热器安装在上述壳体的一个壁部上，上述壳体的上述一个壁部用作开闭上述壳体内的门。并且，在这些情况下，优选上述辊部件的至少外周面由导热率低的材料构成。
在以上的本发明中，优选上述壳体的壁部具有相互隔开一定空间设置的内壁和外壁的双重壁结构，上述内壁和外壁之间的空间用作使上述壳体内外绝热的空气绝热层。
再者，在以上的本发明中，优选在上述搬送通路上被搬送的基板的搬送路径与上述第一和第二面状加热器的间隔分别为5～30mm。
根据本发明，由于设置在一个方向搬送基板的搬送通路，同时沿着搬送通路设置有加热基板的第一和第二面状加热器，能够实施加热处理并防止搬送产生的大的冲击力加在基板上。并且，由于以围绕搬送通路的方式设置壳体，同时在壳体内以接近在搬送通路上被搬送的基板的方式在基板的两面侧分别设置第一和第二面状加热器，因此，能够均匀地加热基板的表面和背面，并能够将壳体内基板两面侧的空间抑制得较小。因此，即使是大型的基板，也可抑制产生基板破损或弯曲等问题，同时可实现收纳基板的壳体薄型化，即小型化。
图1对FPD用的玻璃基板进行抗蚀剂膜的形成和曝光处理后的抗蚀剂膜的显影处理的、使用具有本发明的加热处理装置的抗蚀剂涂布和显影处理系统的概略平面图。
图2为加热处理装置的平面方向的截面图。
图3为加热处理装置的侧面方向的截面图。
图4为构成加热处理装置的第一和第二面状加热器的概略平面图。
图5为表示第一和第二面状加热器的控制系统的概念图。
图6为用于说明在加热处理装置中的基板的加热处理的图。
图7为表示第一和第二面状加热器的控制系统的另一个例子的概念图。
符号说明28，31加热处理单元(加热处理装置)；5辊搬送机构；6壳体；50辊部件；52外周面部；63内壁；64外壁；65空间；71(71a～71r)第一面状加热器；72(72a～72r)第二面状加热器；G基板具体实施方式
以下，参照附图，具体地说明本发明的实施方式。
图1为搭载有本发明的一个实施方式的加热处理装置，对FPD用的玻璃基板(以下简记为“基板”)进行抗蚀剂膜的形成和曝光处理后的抗蚀剂膜的显影处理的抗蚀剂涂布和显影处理系统的概略平面图。
抗蚀剂涂布和显影处理系统100具有载置用于收纳多块基板G的盒C的盒站1；对基板G进行包括抗蚀剂的涂布和显影的一系列处理的处理站2；在与对基板G进行曝光处理的曝光装置9之间，进行基板G的交接的接口站4。盒站1和接口站4分别配置在处理站2的两侧。其中，在图1中，取抗蚀剂涂布和显影处理系统100的长度方向为X方向，在平面上与X方向垂直的方向为Y方向。
盒站1具有可在Y方向并列载置盒C的载置台12，和在与处理站2之间进行基板G的搬入搬出的搬送装置11，可在载置台12和外部之间进行盒C的搬送。设置在搬送装置11上的搬送臂11a可以沿在Y方向延伸的导轨10移动，同时可以上下动、前后动和水平转动，在盒C和处理站2之间进行基板G的搬入搬出。
处理站2具有在盒站1和接口站4之间，在X方向延伸的平行的2列基板G的搬送管线A、B。搬送管线A，通过滚动搬送或传动带搬送等的所谓平流搬送，将基板G从盒站1侧向接口站4侧搬送。搬送管线B，通过滚动搬送或传动带搬送等所谓平流搬送，将基板G从接口站4侧向盒站1侧搬送。
在搬送管线A上，从盒站1侧向接口站4侧依次配置有准分子UV照射单元(e-UV)21，擦洗洗净单元(SCR)22，预热单元(PH)23，粘附单元(AD)24，冷却单元(COL)25，抗蚀剂涂布单元(CT)26，减压干燥单元(DP)27，加热处理单元(HT)28，冷却单元(COL)29。
准分子UV照射单元(e-UV)21进行基板G含有的有机物的除去处理，擦洗洗净单元(SCR)22进行基板G的擦洗洗净处理和干燥处理。预热单元(PH)23进行基板G的加热处理，粘附单元(AD)24进行基板G的疏水性处理，冷却单元(COL)25冷却基板G。抗蚀剂涂布单元(CT)26将抗蚀剂液供给至基板G，形成抗蚀剂膜。减压干燥单元(DP)27在减压下使基板G上的抗蚀剂膜含有的挥发成分蒸发，干燥抗蚀剂膜。以后详细说明的加热处理单元(HT)28进行基板G的加热处理，冷却单元(COL)29与冷却单元(COL)25同样，冷却基板G。
在搬送管线B上，从接口站4侧向盒站1侧，依次配置有显影单元(DEV)30，加热处理单元(HT)31，冷却单元(COL)32。并且，在冷却单元(COL)32和盒站1之间设有检查被实施包含抗蚀剂涂布和显影的一系列处理的基板G的检查装置(IP)35。
显影单元(DEV)30依次进行在基板G上的显影液涂布、基板G的漂洗(rinse)处理和基板G的干燥处理。加热处理单元(HT)31与加热处理单元(HT)28同样，进行基板G的加热处理。冷却单元(COL)32与冷却单元(COL)25同样，冷却基板G。
接口站4具有配置可收纳基板G的缓冲盒的作为基板G的交接部的旋转台(RS)44，和接收在搬送管线A上被搬送的基板G，搬送至旋转台(RS)44上的搬送臂43。搬送臂43可以上下动、前后动和水平旋转，它可接近与搬送臂43相邻设置的曝光装置9，和与搬送臂43和显影单元(DEV)30相邻设置的具有周边曝光装置(EE)和字幕拍录装置(TITLER)的外部装置模块90。
抗蚀剂涂布和显影处理装置100与具有CPU的过程控制器101连接并被控制。用户接口102和存储部103与过程控制器101连接，用户接口102由工序管理者为了管理抗蚀剂涂布和显影装置100的各部分或各单元进行指令输入操作等的键盘，和可视化显示各部分或各单元的工作状况的显示器等构成。存储部103存储方法，该方法记录在过程控制器101的控制下实现由抗蚀剂涂布和显影装置100进行的加热处理或冷却处理等各种处理用的控制程序和处理条件数据。
并且，根据需要，可按照从用户接口102发出的指示等，从存储部103调出任意方法，在过程控制器101中实行，这样可在过程控制器101的控制下，由抗蚀剂涂布和显影处理装置100进行所希望的处理。并且，控制程序和处理条件数据等的方法，可以以在计算机可读取的存储介质(例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存等)中存储的状态被利用；或从另一装置，通过专用电线，随时传送，在线利用。
在这样构成的抗蚀剂涂布显影处理装置100中，首先，利用搬送装置11的搬送臂11a，将载置在盒站1的载置台12上的盒C内的基板G搬送至处理站2的搬送管线A的上游一侧的端部；再在搬送管线A上搬送，利用准分子UV照射单元(e-UV)21，进行基板G含有的有机物的除去处理。将结束用准分子UV照射单元(e-UV)21进行的有机物的除去处理后的基板G，在搬送管线A上搬送，利用擦洗洗净单元(SCR)22进行擦洗洗净处理和干燥处理。
将擦洗洗净单元(SCR)22中的擦洗洗净处理和干燥处理结束的基板G，在搬送管线A上搬送，在预热单元(PH)23中进行加热处理、脱水。将在预热单元(PH)23中加热处理结束的基板G在搬送管线A上搬送，在粘附单元(AD)24进行疏水化处理。将在粘附单元(AD)24中的疏水化处理结束的基板G在搬送管线A上搬送，在冷却单元(COL)25中冷却。
将在冷却单元(COL)25中冷却的基板G在搬送管线A上搬送，在抗蚀剂涂布单元(CT)26中形成抗蚀剂膜。在抗蚀剂涂布单元(CT)26中的抗蚀剂膜的形成，通过在搬送管线A上搬送基板G同时将抗蚀剂液供给至基板G上进行。
将在抗蚀剂涂布单元(CT)26中形成抗蚀剂膜的基板G在搬送管线A上搬送，通过在减压干燥单元(DP)27中暴露在减压气氛中，进行抗蚀剂膜的干燥处理。
将在减压干燥单元(DP)27中进行完抗蚀剂膜干燥处理的基板G在搬送管线A上搬送，在加热处理单元(HT)28中进行加热处理，除去抗蚀剂膜上含有的溶剂。基板G的加热处理，一边利用后述的辊搬送机构5在搬送管线A上搬送一边进行。在加热处理单元(HT)28中的加热处理结束的基板G在搬送管线A上搬送，在冷却单元(COL)29中冷却。
在将在冷却单元(COL)29中冷却后的基板G在搬送管线A上搬送至下游一侧的端部后，利用接口站4的搬送臂43搬送至旋转台(RS)44。其次，利用搬送臂43将基板G搬送至外部装置模块90的周边曝光装置(EE)上，利用周边曝光装置(EE)进行用于除去抗蚀剂膜的外周部分(不要部分)的曝光处理。接着，利用搬送臂43将基板G搬送至曝光装置9，在抗蚀剂膜上进行规定图案的曝光处理。也可以暂时将基板G收纳在旋转台(RS)44上的缓冲盒中后，搬送至曝光装置9。将曝光处理结束的基板G，利用搬送臂43搬送至外部装置模块90的字幕拍录装置(TITLER)中，利用字幕拍录装置(TITLER)记录规定的信息。
在搬送管线B上搬送由字幕拍录装置(TITLER)记录规定信息的基板G，在显影单元(DEV)30中进行显影液的涂布处理，漂洗处理和干燥处理。显影液的涂布处理、冲洗处理和干燥处理按下列顺序进行在搬送管线B上搬送基板G，并将显影液加在基板G上，接着，一旦搬送停止，将基板倾斜规定角度，使显影液流下，在这个状态下，将漂洗液供给至基板G上，洗去显影液，然后使基板G回到水平姿势，再次搬送，同时对基板G吹付干燥气体。
将在显影单元(DEV)30中的显影液涂布处理，漂洗处理和干燥处理结束的基板G在搬送管线B上搬送，在加热处理单元(HT)31中进行加热处理，除去抗蚀剂膜中含有的溶剂和水分。基板G的加热处理在用后述的辊搬送机构5在搬送管线B上搬送的同时进行。在显影单元(DEV)30和加热处理单元(HT)31之间设置进行显影液的脱色处理的i射线UV照射单元也可以。在搬送管线B上搬送在加热处理单元(HT)31中加热处理结束的基板G，在冷却单元(COL)32中冷却。
在搬送管线B上搬送在冷却单元(COL)32中冷却后的基板G，在检查单元(IP)35中检查。通过检查的基板G由设在盒站1上的搬送装置11的搬送臂11a收纳在载置在载置台12上的规定的盒C中。
其次，详细说明加热处理单元(HT)28。其中，加热处理单元(HT)31的结构与加热处理单元(HT)28完全相同。
图2为表示加热处理单元(HT)28(加热处理装置)的平面方向的截面图。图3为其侧面方向的截面图。
加热处理单元(HT)28具有向着X方向的一侧搬送基板G的辊搬送机构5，围绕或收纳辊搬送机构5而设置的壳体6，在壳体6内加热由辊搬送机构5被滚动搬送的基板G的加热机构7。
辊搬送机构5，具有在X方向隔开一定间隔的多个在Y方向延伸的大致为圆柱状的可旋转的辊部件50。辊部件50的旋转轴51直接或间接地分别与未图示的电动机等驱动源连接，利用驱动源的驱动旋转，这样，可在多个辊部件50上，向着X方向的一侧搬送基板G。并且，辊部件50分别具有与基板G的全宽(Y方向)接触的形状。外周面52利用树脂等导热率低的材料制成，使得难以传递由加热机构7加热的基板G的热量。旋转轴51利用铝、不锈钢、陶瓷等高强度而且导热率比较低的材料制成。辊搬送机构5的搬送通路或搬送面构成搬送管线A(在加热处理单元(HT)31中，为搬送管线B)的一部分。
壳体6形成为薄的箱状，能够以大致水平状态收纳基板G。在与X方向相对的侧壁部上分别具有搬送管线A(在加热处理单元(HT)31中为搬送管线B)上的基板G可通过的，在Y方向延伸的隙缝状的搬入口61和搬出口62。辊搬送机构5的辊部件50的旋转轴51分别由设置在与壳体6的Y方向相对的侧壁部上的轴承60以可旋转的方式支承，配置在壳体6内。
壳体6的壁部，这里为上壁部、底壁部和与Y方向相对的侧壁部，具有互相间隔开一定空间设置的内壁63和外壁64的二重壁结构。内壁63和外壁64之间的空间65作为使壳体6内外绝热的空气绝热层起作用。其中，在外壁64的内侧面上设置有使壳体6内外绝热用的绝热件66。
加热机构7具有沿着辊搬送机构5的基板G的搬送通路，设置在壳体6内的第一和第二面状加热器71(71a～71r)、72(72a～72r)。第一和第二面状加热器71、72分别以接近由辊搬送机构5搬送的基板的方式设置在由辊搬送机构搬送的基板G的背面(下面)一侧和表面(上面)一侧。这样，可实现壳体6的薄型化。
第一面状加热器71形成为在Y方向延伸的长方形，在辊部件50之间分别设置、在X方向排列有多个(从X方向上游一侧依次为71a～71r)。这样进一步实现壳体6的薄型化。第一面状加热器71安装、支撑在与壳体6的Y方向相对的侧壁部上。第二面状加热器72形成为在Y方向延伸的长方形，以与第一面状加热器71的排列间距相对应的方式在X方向排列有多个(从X方向上游一侧依次为72a～72r)。在壳体6的上壁部上安装、支撑有第二面状加热器72。第一面状加热器71和由辊搬送机构5搬送的基板G的搬送路径的间隔，与第二面状加热器72和由辊搬送机构5搬送的基板G的搬送路径的间隔相等。
在本实施方式中，通过以相等的间距在X方向排列有多个用于加热基板G的第一和第二面状加热器71、72，可以在第一面状加热71彼此(或第二面状加热器72彼此)之间的位置(例如图3的符号P位置)上，在X方向将壳体6分割为多个。这样，即使是大型的基板G。也容易搬运加热处理装置28本身。
再者，在本实施方式中，通过在X方向排列有多个用于加热基板G的第二面状加热器72，可在第二面状加热器72彼此间的位置(例如图3的符号P位置)，将壳体6的上壁部构成为可开闭为左右对开的两扇门状(参照图3的假想线)。这样，容易进行壳体6内的辊搬送机构5或加热机构7的维护。
如图4所示，(图4为构成加热处理装置28的第一和第二面状加热器71、72的概略平面图)，第一和第二面状加热器71、72分别具有在云母板上设置发热体构成的多个(例如4个)云母加热器73(73a、73b、73c、73d)和以在Y方向排列的方式安装该多个云母加热器73的长方形的传热体74。
如图5所示(图5为表示第一和第二面状加热器71、72的控制系统的概念图)，在多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r中，在X方向划分的X方向上游组的第一和第二面状加热器71a～71g、72a～72g(的云母加热器73)和X方向下游组的第一和第二面状加热器71h～71r、72h～72r(的云母加热器73)分别与不同的加热器电源105a、105b连接。在X方向上游组的第一和第二面状加热器71a～71g、72a～72g和X方向下游组的第一和第二面状加热器71h～71r、72h～72r上分别设置有未图示的温度传感器。加热器电源105a、105b分别由接受温度传感器的检测信号和过程控制器101发出的指令的加热器控制器(控制部)104控制。即由X方向上游组的第一和第二面状加热器71a～71g、72a～72g构成的区域S和由X方向下游组的第一和第二面状加热器71h～71r、72h～72r构成的区域T，由加热器控制器104分别独立地进行温度控制。此外，将区域S和区域T与相同电源连接，改变该电源的区域S的输出和区域T的输出也可以。
在壳体6的X方向两端部的例如上壁部和底壁部上分别设置有排气口67。排气装置68与排气口67连接。这样，利用排气装置68动作，通过排气口67，可以对壳体6内进行排气。排气口67和排气装置68构成对壳体6内进行排气的排气机构。也可以在Y方向形成多个排气口67，也可以形成为在Y方向延伸的长孔状。通过在壳体6的X方向两端部分别设置排气机构，可在搬入口61和搬出口62上形成气帘(aircurtain)，能够抑制外部的尘埃等从搬入口61和搬出口62侵入壳体6内。此外，也可以在侧壁部上形成排气口67，在这种情况下，可以在X方向形成多个，或形成为在X方向延伸的长孔状。
另一方面，在壳体6的X方向中央部的例如上壁部和底壁部上设置作为对壳体内进行吸气的吸气机构的吸气口69。吸气口69可以例如在Y方向形成多个，也可以形成为在Y方向延伸的长孔状。与排气口67对照，在壳体6的X方向的中央部设置吸气口69，由此可以可靠地防止壳体6内的氛围气体的滞留，可有效使加热机构7产生的热在壳体6内扩散，同时，可以防止加热处理时产生的、抗蚀剂膜含有的升华物附着在壳体6内。此外，也可以在侧壁部上形成吸气口69，在这种情况下，可以在X方向形成多个或形成为在X方向延伸的长孔状。此外，吸气装置(未图示)与吸气口69连接，利用吸气装置的动作，将热的空气导入壳体6内也可以。
其次，说明在上述这样构成的加热处理单元(HT)28中的基板G的加热处理。
在加热处理单元(HT)28中，当由减压干燥单元(DP)27侧(在加热处理单元(HT)31中为显影单元(DEV)30侧)的搬送机构搬送的基板G通过搬入口61时，被交接至辊搬送机构5，利用该辊搬送机构5搬送，并且利用由加热器控制器104进行温度控制的第一和第二面状加热器71、72，在壳体6内加热。因此，由于基板的搬送和加热并行进行，可以缩短处理时间。由于利用第一和第二面状加热器71、72从两面侧加热基板G，可以抑制产生弯曲。当由辊搬送机构5搬送的基板G通过搬出口62时，被交接至冷却单元(COL)29侧(在加热处理单元(HT)31中为冷却单元(COL)32侧)的搬送机构，利用该平流式搬送机构搬送。因此，由于加热处理时和加热处理前后的基板G的搬送为由辊搬送机构5等进行所谓平流式，因此能够安全地搬送基板G。
加热处理时，由于X方向上游组的第一和第二面状加热器71a～71g、72a～72g和X方向下游组的第一和第二面状加热器71h～71r、72h～72r分别与不同的加热器电源105a、105b连接，可以将由X方向上游组的第一和第二面状加热器71a～71g、72a～72g构成的区域S和由X方向下游组的第一和第二面状加热器71h～71r、72h～72r构成的区域T设定为不同的温度。在将基板G加热至规定温度(例如130℃左右)的情况下，如果将区域T设定为与规定温度大致相等或比规定温度稍高的温度(例如140～150℃左右)，将区域S设定为比区域T的温度高的温度(例如170～180℃左右)，则如图6所示(图6为说明加热处理单元(HT)28中的基板G的加热处理的图)，在区域S中加热由辊搬送机构5搬送的基板G(参见图6(a))，急速升温至规定温度附近后，在区域T中加热(参见图6(b))，在规定温度下保温，可以缩短加热处理时间。
此外，由于第一面状加热器71的排列间距和第二面状加热器72的排列间距相等，通过将上下对应的第一和第二面状加热器71、72设定为相等的加热温度，能够可靠地防止基板G产生弯曲。
接着，说明第一和第二面状加热器71、72的控制系统的另一个例子。
图7为表示第一和第二面状加热器71、72的控制系统的另一个例子的概念图。
能够以在X方向划分的各组对多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r进行温度控制，同时利用云母加热器73以在Y方向划分的多个区域的每个对各组进行温度控制。例如，分别使第一和第二面状加热器71a～71c、72a～72c的Y方向两侧部的具有云母加热器73a、73d的区域H，第一和第二面状加热器71a～71c、72a～72c的Y方向中央部的具有云母加热器73b、73c的区域I，第一和第二面状加热器71d～71g、72d～72g的Y方向两侧部的具有云母加热器73a、73d的区域J，第一和第二面状加热器71d～71g、72d～72g的Y方向中央部的具有云母加热器73b、73c的区域K，第一和第二面状加热器71h～71o、72h～72o的Y方向两侧部的具有云母加热器73a、73d的区域L，第一和第二面状加热器71h～71o、72h～72o的Y方向中央部的具有云母加热器73b、73c的区域M，第一和第二面状加热器71p～71r、72p～72r的Y方向两侧部的具有云母加热器73a、73d的区域N，和第一和第二面状加热器71p～71r、72p～72r的Y方向中央部的具有云母加热器73b、73c的区域O与不同的加热器电源105c～j连接，利用分别接受温度传感器的检测信号和过程控制器101发出的指令的加热器控制器104控制加热器电源105c～j。采用这种结构，可以更细地控制由多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r构成的加热器群。此外，将区域H～O与相同电源连接，改变该电源的区域H～O的输出也可以。并用图5所示的控制系统，使区域H～K和区域L～O分别与相同电源连接，分别改变这些电源的区域H～K和区域L～O的输出也可以。
在这种情况下，考虑壳体6的侧壁部或排气机构等造成的热损失，如果在区域S中设定区域I、J的温度比区域K高，而且设定区域H的温度比区域I、J高，同时，在区域T中，设定区域O、L的温度比区域M高，而且设定区域N的温度比区域O、L高，则可以缩短加热处理时间，同时，在区域S和区域T中，可以将壳体6内的基板G的全部表面加热至均等的温度，可以提高加热处理的品质。
通常，当加热器与被加热物隔开一定距离设置时，虽然容易均匀地加热被加热物，但加热效率降低。但在本实施方式中，由于能够对每个由多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r构成的加热器组划分后的区域进行控制温度，因此即使以接近被辊搬送机构5搬送的基板G的方式设置第一和第二面状加热器71、72，也能够均匀地加热整个基板G。优选由辊搬送机构5搬送的基板G的搬送路径与第一面状加热器71和第二面状加热器72的间隔分别为5～30mm，使由辊搬送机构5搬送的基板G不与第一和第二面状加热器71、72接触，而且不降低第一和第二面状加热器71、72的加热效率。
此外，也可以分别使第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r与不同的加热器电源连接，利用加热器控制器104分别独立地控制温度，另外，也可以使第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r的云母加热器73a～73d分别与不同的加热器电源连接，利用加热器控制器104分别独立地进行温度控制。
在本实施方式中，由于分别独立的或以在X方向划分的组对多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r进行温度控制，因此由多个第一和第二面状加热器71a～71r、72a～72r构成的加热器组可以形成与用途相适应的规定的温度分布。此外，只要能够通过预备加热部7a抑制基板的弯曲，在主加热部7b中也可以不设置上壁部的第二面状加热器72。
产业上利用的可能性根据本发明，可以在如FPD用玻璃基板等特别在基板大型的情况下适用。但不限于玻璃基板，在半导体晶片等其他基板的加热处理中可以广泛使用。
权利要求
1.一种加热处理装置，对基板进行加热处理，其特征在于，具有在一个方向搬送基板的搬送通路；围绕所述搬送通路而设置的壳体；和沿着所述搬送通路，在所述壳体内以接近在搬送通路被搬送的基板的方式分别设在基板的两面侧的第一和第二面状加热器。
2.如权利要求1所述的加热处理装置，其特征在于，所述搬送通路，利用在一个方向隔开一定间隔而设置的多个辊部件的旋转，滚动搬送基板；所述第一面状加热器，分别设在所述辊部件之间，在搬送方向排列有多个。
3.如权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于，所述第二面状加热器以与所述第一面状加热器的排列间距相对应的方式在搬送方向上排列有多个，能够独立的或以在搬送方向上划分的各组对所述多个第一和第二面状加热器进行温度控制。
4.如权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于，通过独立的或以在搬送方向上划分的各组对所述多个第一和第二面状加热器进行温度控制，由所述多个第一和第二面状加热器构成的加热器组，形成规定的温度分布。
5.如权利要求3或4所述的加热处理装置，其特征在于，所述第一和第二面状加热器分别对在所述搬送路的宽度方向上划分的多个的区域的各个进行温度控制。
6.如权利要求3或4所述的加热处理装置，其特征在于，所述第二面状加热器安装在所述壳体的一个壁部，所述壳体的所述一个壁部用作开闭所述壳体内的门。
7.如权利要求2～4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于，所述辊部件的至少外周面由导热率低的材料形成。
8.如权利要求1～4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于，所述壳体的壁部的至少一部分具有互相隔开一定空间而设置的内壁和外壁的双重壁结构，所述内壁和外壁之间的空间用作使所述壳体内外绝热的空气绝热层。
9.如权利要求1～4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于，在所述搬送路被搬送的基板的搬送路径与所述第一和第二面状加热器的间隔分别为5～30mm。
全文摘要
本发明提供一种即使是大型的基板，也可以抑制产生基板弯曲或破损等，同时实现使收纳基板的壳体小型化的加热处理装置。加热处理装置(28)具有作为在一个方向搬送基板(G)的搬送通路的辊搬送机构(5)；围绕搬送通路而设置的壳体(6)；在壳体(6)内，以接近基板(G)的方式在搬送通路中被搬送的基板(G)的两面侧分别设置的沿着搬送通路的第一和第二面状加热器(71a～71r、72a～72r)。
文档编号G03F7/00GK1979765SQ20061016560
公开日2007年6月13日 申请日期2006年12月8日 优先权日2005年12月8日
发明者相马康孝, 和田宪雄, 八寻俊一 申请人:东京毅力科创株式会社