在用于液晶显示器的玻璃基板上制造导电特征的方法和装置的制作方法

专利名称：在用于液晶显示器的玻璃基板上制造导电特征的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在液晶显示器(LCD)应用中制造镀金属特征 (feature )。
背景技术：
电镀是得到公认的沉积技术。在半导体制造领域，电镀通常在 单晶片处理器中执行，该晶片浸在电解液中。在电镀过程中，该晶 片通常放置在晶片支架上，其相对于作为阳极的带正电的平板(也 浸在该电解液中)为负的或接地电位。为形成铜层，例如，该电解 液通常为大约0.3M到大约0.85M之间的CuS04， pH在大约0到大 约2之间(通过H2S04调节)，并具有痕量级(ppm浓度)的专有 有机添加剂以及cr,以提高沉积质量。在该电镀处理工艺过程中， 通常转动该晶片，以有利于均匀i也电镀。在该电镀处理工艺过禾呈中
获得足够的膜厚度后，将该晶片从电镀室移到另一个室，在该室中 在去离子(DI)水中清洗晶片，以从该晶片表面去除剩余的电解液。 接着，该晶片经历额外的湿处理，以从背面和斜面边缘去除不需要 的铜，然后用另外的DI水清洗去除湿处理4b学剩余物。然后，在 准备进行化学冲几械平面化(CMP)操作之前，干燥并冷却该晶片。
尽管在半导体晶片制造中通常使用湿电镀工艺处理，但是，到 目前为止，湿电镀尚未用在LCD制造中。这主要归因于通常用在 制造中的LCD的尺寸。例如， 一些LCD是由3米乘3米尺寸范围的玻璃基板制造。该大尺寸使得传统意义上的电镀不能进行，因为
这会产生遍及该表面区域的严重不均匀性。其次，因为CMP操作 不会在如此大的基板上起作用，所以铜电镀是不切实际的。出于这 些原因，LCD金属特征限制为賊射铝特征，然后该特征^皮蚀刻，以 限定需要的布图。当前处理工艺的缺点也是该玻璃基板的尺寸。要 得到基本上均匀溅射的3米乘3米的基板会需要非常大的源靶材
(例如，与该基4反大约相同尺寸的铝革巴材)。该革巴材的成本巨大， 但需要大的靶材来执行铝溅射。
鉴于上述内容，需要能够在玻璃基板(如用在LCD应用中的 基板)上更有效地制造金属特征的方法和装置。

发明内容
总的来说，本发明限定了能够使用局部电镀制造金属特征以在 LCD中限定金属特4正的方法和系统，该LCD限定在3皮璃基玲反上。 应当理解的是，本发明可以以多种方式实现，包括处理工艺、装置、 系统、设备、或方法。以下描述本发明的多个创新性的实施方式。
在一个实施方式中，公开了一种用于在玻璃基板上制造金属特 4正的方法。该方法包4舌在该JE皮璃基纟反上施加光刻"交层。然后，在光 刻胶层上形成多个特征的图案，以限定反型光刻胶掩才莫(inverse photoresist mask )。然后在该反型光刻月交掩才莫上局部施加电镀流体， 从而在未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成电镀材料。在其后 的操作中，去除该反型光刻胶掩模，以在该未被该反型光刻胶掩模 覆盖的区域内限定金属特征。
在另一个实施方式中，公开了一种用于在玻璃基板上限定金属 特征的系统。该系统包括光刻单元。该光刻单元配置为在玻璃基板 或形成在该玻璃基板上的层之上施加和限定反型光刻胶掩模。提供接近电镀头(proximity plating head )。该4妄近电镀头配置为形成^l寻 施力口到该反型光刻月交掩才莫的电镀弯液面(meniscus )。该电镀弯'液面 至少包含电解液和电镀化学品(plating chemistry )。提供光刻月交清 除器以去除该反型光刻胶掩模，留下在先前未被该反型光刻胶掩模 覆盖的区域中形成的金属特征。
在又一个实施方式中，7>开一种用于限定将成为液晶显示器 (LCD) —部分的金属特征的方法。该方法应用于玻璃基板，该玻 璃基板的掩蔽导电金属层(例如，阻挡层)限定在该玻璃基板或该 玻璃基板的一层上。在该掩蔽导电金属层上施加反型光刻胶掩模。 然后在该反型光刻胶掩才莫上形成电镀弯液面。该电镀弯液面至少包 含电解液和电镀化学品，其中该电镀弯液面在该掩蔽导电金属层上 未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成金属特征。
从下面结合附图、以实例的方式i兌明本发明原理的详细描述 中，本发明的其他方面和优点将变得显而易见。


通过下面结合附图的详细描述，本发明将变得容易理解。为便 于描述，相同的参考标号表示相同的结构元件。
图1示出了在其上制造有层的玻璃基板的横截面示意图。
图2-图7示出了示例性的金属特征，其可使用反型光刻胶掩才莫 和局部电镀处理工艺制造。
图8A、 8B、 8C、和8D-l-2示出了用于利于在具有反型光刻胶 掩模的基板上局部电镀的示例性结构。图9示出了用于在LCD基板上制造金属特征的示例性的处理 工艺流程。
图10-图11示出了用于制造将被用在LCD中的TFT器件的层 的示例性的处理工艺流禾呈。
图12示出了示例性的底栅TFT结构。
具体实施例方式
公开了一种发明，该发明为在用于液晶显示器(LCD)制造中 的玻璃基板上制造镀金属特征的方法和装置。该方法实现了形成镀 金属特征而不需要昂贵的金属溅射(例如，其使用昂贵的并且大的 金属靶材)的方法。由于现代LCD的大(sheer)尺寸，制造商要 求在大至3米乘3米的玻璃基板上制造镀金属特征。结果，大尺寸 要求专门设计的金属溅射室和昂贵的大的金属靶材(有时与基板一 样大)。本发明的方法利用反型光刻胶掩模和之后的局部镀金属电 镀。该镀金属将在该光刻胶掩模中形成，以限定该镀金属特征。然 后，去除该光刻胶掩模，以限定期望的镀金属特征。
在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对本发明的彻底 理解。然而，本领域的普通技术人员可以理解的是，本发明可不利 用这些具体细节的一些或全部来实现。在有的情况下，公知的工艺 操作没有详细描述，以免不必要地混淆本发明。
图1示出了在其上制造有层的玻璃基板100的横截面示意图。 在玻璃基板100上制造的层是在制造由多个薄膜晶体管(TFT)组 成的液晶显示器时所通常制造的那些层。因此，列举的图1到7的 示意图示出了在玻璃基板100上制造TFT时执行的示例性处理工艺 操作。然而，本发明的教导可同等地适用于在玻璃基板上制造任何镀金属结构，如用在LCD制造商中的所使用的那些镀金属结构。 示例性TFT可以指顶栅TFT、底栅TFT以及其它TFT类型。这些 TFT器件的每个的几何安排以它们特定的方式变化，然而，每个均 使用镀金属特征，并且可根据本发明的教导形成这些特征。
再次参考图1，玻璃基板100示出非晶硅特征102，在其上已 经形成图案。众所周知，非晶石圭特4正102通过首先沉积非晶石圭层而 形成。尽管非晶硅特征102显示为在玻璃基板100上形成，但LCD 制造领域的技术人员可以理解的是，在形成该非晶硅层之前，在玻 璃基板100上可适当地制造其它膜、层、或特征。因此，示出的结 构仅仅是一个实例，在该结构中非晶硅形成在玻璃基板100上。继 续结合该实例，使该非晶硅形成图案(例如，利用合适的蚀刻处理 工艺)，从而形成多个非晶硅特征102。
非晶硅特征102限定该半导体材料，其能够限定晶体管，如 TFT。通常使用非晶硅，这是因为其适应于在低温处理工艺中(通 常大约300摄氏度到大约400摄氏度)使用玻璃基板的大区域制造。 通常，遍及玻璃基板100形成TFT阵列，从而可限定^f象素化的屏幕。 一旦形成非晶硅特征102后，在非晶石圭特征102上形成介电层104。 介电层104是氮化硅(SiN)介电层。然后，使介电层104形成图 案，从而形成接触孔103,其暴露非晶硅特征102。
图2示出了图1中当在介电层104和非晶硅特征102的暴露区 域之上形成阻挡层106之后的横截面示意图。该阻挡层106可以是 氮化钽(TaN)材料或镍(Ni)材料。该阻挡层的厚度优选地在大 约25埃到大约200埃的范围内，并且更优选地在大约50埃到大约 150埃之间。阻挡层106应当在整个表面上^是供导电层，该导电层 在此处理步骤是暴露的。通过在整个表面上形成阻挡层106，将为 局部电镀才喿作限定导电路径，这将在以下进^f亍讨-i仑。图3示出图2中当在阻挡层106上形成光刻胶层108之后的横 截面示意图。光刻胶层108所形成的厚度将控制将在光刻胶层108 的形成图案的区域内所形成的金属图案的最终厚度。在一个实施方 式中，如图4所示使光刻胶层108形成图案，从而该暴露区域将限 定镀金属将最终在哪里存在。图4的形成图案的光刻胶层108，限定 金属图案区域110,其中镀有镀金属。在这个实施方式中，光刻胶 层108的厚度将限定该镀金属特征的厚度。例如，形成图案的光刻 胶108，的厚度接近大约1微米(例如，10,000埃)的数量级。因此， 光刻胶108，的厚度配置为控制该镀金属线所期望的厚度，该镀金属 线将在去除光刻胶的区域内形成。形成图案的光刻胶层108，限定反 型光刻胶掩模。
图5示出了所得到的金属图案112,其电镀在形成图案的光刻 胶108，内。如下面将要讨论的，通过电镀处理工艺形成金属图案 112,该电镀处理工艺局部扫描在形成图案的光刻胶108表面上的 电镀材#牛，乂人而^又在该光刻月交不存在并且与该下层的阻挡层106相 4妄触的区域内进行电镀。
在接下来的步骤中，去除形成图案的光刻胶108，，如图6所示， 然后在图7中去除阻挡层106。得到的结构是镀金属特征112，其 通过仅在形成图案的光刻胶层内进行电镀而形成，在该层内形成图 案的光刻胶层108，限定金属图案112的厚度、形状、和位置。在这 个实例中，金属图案112限定导电栅，其通过电介质104与非晶硅 图案102相接触。如上所述，非晶硅特征102可用于在液晶显示器 (LCD)中限定TFT。
图8A示出了玻璃基板100的顶视图。玻璃基板100的顶视图 示出遍及玻璃基板100形成的多个TFT 142。在当今的尺寸中，玻 璃基板100可以在大约3米乘3米的范围内。如果需要较小的显示 器，则可通过将大的制造的3米乘3米的基板切割为较小的面板而形成显示器屏幕。尽管玻璃基板100的尺寸较大并且可能继续增加， 但是接近电镀头130配置为执行电镀处理工艺，其在该电镀头下方 的局部电镀区域上是可控的。如图所示，该接近电镀头设计为在玻 璃基板100的表面上沿着扫描方向132进4亍扫描。
接近头130的扫描将限定在其上进行电镀的电镀区域138和当 接近头130沿着方向132扫描时限定将被电镀的区域的非电镀区域 140。在一个实施方式中，为能够进行扫描，接近头130可设计为 移动，或者玻璃基才反可i殳计为移动，或两个都能移动。如上所述， 接近头130设计为电镀处理过的玻璃基板100的特定局部区域，从 而将未被该光刻胶覆盖的区域电镀至填充形成图案的光刻胶材料 108，限定的空隙的程度。因此，电镀区域138限定那些由图4中的 形成图案的光刻胶108，所限定的电镀区域。在一个实施方式中，接 近电镀头130可设计为适于在玻璃基板100的整个表面上扫描的任 何长度。因此，玻璃基板100的实际尺寸并不决定接近头130扫描 和输送局部电镀的能力。尽管在图中未示出，但接近头130也可比 玻璃基板100的宽度短。在这种情况下，接近头130可设计为光栅 (raster)扫描表面，直到扫描完整个表面或期望电镀的区域。
如图8B所示，4妻近电镀头130的底部将包4舌多个端口 (限定 在接近电镀头130内的孔或通道)，这些端口允许流体输送到玻璃 基板100的表面并形成电镀弯液面。然而，应当注意的是，只要能 够形成电镀弯液面，这些端口的实际构造可在#:量和几{可布局上有 所不同。在一个实例中，多个流体输送端口 134限定在4妻近电镀头 130的大约中心区i或，并且多个流体去除端口 136限定为围绕流体 输送端口 134。可〗吏用真空利用这些流体去除端口 136去除流体。 该安排将允许设计用于电镀该形成图案的光刻胶之间的镀金属材 料的流体有效地输送到玻璃基板100的表面，并且通过流体去除端口 136去除多余的电镀流体。所以接近电镀头130设计为形成可控 的弯液面131 (如图8D-1和图8D-2所示)。
图8C示出了玻璃基板100的三维图，其中接近电镀头130在 可以形成在玻璃基板100上的层之上扫描。接近电镀头130设计为 具有多个导管133，其通过流体输送端口 134输送流体并通过流体 去除端口 136去除流体。导管l史量和端口数量的配置依赖于接近电 镀头130的几何形状、长度、和尺寸。因此，导管133及端口 134 和136仅仅是示例性的，以说明输送该流体的功能，其中，该流体 设计为在光刻胶掩模的暴露区域上电镀导电材料。以下将提供对示 例性电镀流体材料的讨i仑。
图8D-1示出了图8C的4黄截面示意图，其中，接近电镀头130 沿着方向132在形成在玻璃基板100的表面上的层之上扫描。接近 电镀头130设计为通过输送可控的电镀弯液面131的方式执行电 镀。电镀弯液面131将在形成的形成图案的光刻胶108，内留下电镀 区域112。如上所述，玻璃基板100设计为具有多个特征，其限定 遍及玻璃基板100表面的TFT阵列。电镀弯液面131的输送将确保 该电镀材料施加在形成图案的光刻胶108，上，从而金属图案112将 保留在光刻胶108，的形成图案的区域内。上面也提到，该金属具有 由光刻胶层108的厚度所限定的厚度水平。当然，形成图案的金属 112可以近似于光刻胶108的厚度或其稍微变化，这依赖于所期望 的处理工艺条件。
图8D-2示出了设在支撑件上的LCD玻璃基板100的横截面示 意图。该支撑件可以是脊形支撑件、柔性支撑件、或包括传送带组 件的支撑件，其中，该传送带组件用于在制造厂或制造阶段中便捷 地移动基才反。为限定一个示例性电镀处理工艺的目的，该支持件配 置为LCD玻璃基板100连接到导电触点160。导电触点160设计为 与阻挡层106电接触，阻挡层106是在介电层104表面上沉积的掩蔽层。通过确保该导电触点与阻挡层106导电(该阻挡层是在玻璃 基板100的整个表面上沉积的掩蔽层)，电镀弯液面131 (其提供有 正电源154) ^1寻完成所需的利于该电镀处理工艺的导电路径。在该 实例中，导电触点连4妄到负电源152。
该负电源152^是供负偏置电力，其对该阻挡层106充电以起到 阴极的作用。电触点可建立为单点触点、在该基板长度上条状触点、 或通过基板边缘的多个点触点的形式。
接近电镀头130作为阳极由正电源154的正电力进行充电。接 近电镀头130通过臂130a悬于该基板上方。臂130a可包含导管通 道，用于容置一个或多个输送和去除在电镀操作中使用的流体的导 管。当然，该导管通道可通过任何其它合适的技术连接到接近电镀 头130,如捆扎在臂130a上等等。在一个实施方式中，臂130a是 利于接近电镀头130纵贯基4反进4亍移动的系统的一部分。
4妾近电镀头130的移动可以禾呈序4空制，/人而以多种方式扫4苗该 基板。应当理解的是，该系统是示例性的，并且可以-使用任何其他 合适类型的构造，其可使得一个或多个接近电镀头的移动紧密接近 该基板。
此处所使用的局部金属/镀金属电镀，意指在该接近电镀头130 下限定区i或，在该区i或内沉积金属材料。如图所示，在4妻近电镀头 130下的区域小于基板的表面区域。因此，仅在接近头102下的给 定点及时地进行局部金属电镀。为在基板表面上完成更多的金属电 镀，4妄近电镀头130需在基板的另一个表面区域上移动。
在阻挡层106上的种子层(seed layer)(未示出)是可选的， 但是，执行电镀操作之前在该阻挡层上形成种子层会有利于某些实 施方式。当电镀的材料是铜时，种子层通常是使用已知技术溅射或沉积的薄铜层。之后，随着接近电镀头130在局部区域上行进处理， 在该种子层上形成沉积的金属层(例如，以形成图5中的金属图案 112)。通过电4匕学反应的方式形成沉积金属，包含在弯液面131内 的电解液有利于该电化学反应，该弯液面131限定在接近电镀头130 和种子层(或阻挡层106)之间。
该电镀化学品通过多个流体输送端口 134提供，其能够使得在 接近电镀头130下进行局部金属电镀。电镀化学品可设计为用于铜 沉积，然而，依赖于特定应用(即，所需金属材料的类型)，可替 换为其他电镀化学品。该电镀化学品可由沉积金属、合金或复合金 属材料的水溶液形成。在一个实施方式中，沉积金属可以包括但不 限于，铜材料、镍材料、铊材料、钽材料、钛材料、鴒材料、钴材 料、合金材料、复合金属材料等中的一种。
该电镀化学品优选地限制在弯液面131内，弯液面131限定为 位于未被该反型光刻胶掩模覆盖的暴露的种子层(或阻挡层106) 上的薄流体层。为了进一步限制和限定弯液面131，可通过额外的 流体$俞送端口 (未示出)施加异丙醇(IPA)蒸汽。弯液面131的 厚度可基于所期望的应用而有所不同。在一个示例中，该弯液面的 厚度可以在大约O.lmm到大约10mm之间的范围内变化。因此，接 近电镀头130靠近该基板表面设置。此处所使用的用语"靠近"限 定在4妄近电镀头130的下表面和该基才反表面之间的间隔，并且该间 隔应当足以形成流体弯液面。多个流体去除端口 136^是供真空以去 除由多个流体输送端口 134输送的电镀反应流体副产物。
才艮据本发明的一个方面，通过在由多个流体输送端口 134 ^是供 的电解液中发生化学反应形成沉积电镀材料。将接近电镀头130作 为阳极进行充电可有利于该化学反应。在一个实例中，该接近头电 连接到正偏置电压电源。为能够进行电镀，该化学制剂中的离子还 原在暴露的种子层或阻挡层上执行，该种子层或阻挡层通过电连接到负偏置电源而作为阴极被充电。该化学反应使得金属层在该反型
光刻月交掩才莫内形成为沉积层。经由多个流体去除端口 136去除反应 副产物和井毛尽的反应物流体。
图9示出了用在LCD基板镀金属特征制造中的方法操作的流 程图。该方法开始于操作200,其中玻璃基板(其可具有在先制造 的层)覆盖有给定厚度的光刻胶，该厚度将限定目标镀金属厚度。 在操作202中使该光刻胶形成图案。该图案将限定将形成的镀金属 特征的形状、尺寸、和位置，由此限定反型光刻胶掩模。在操作204 中，在该形成图案的光刻胶表面上扫描镀金属的局部电镀。将在未 被该光刻胶覆盖的暴露表面内形成该镀金属，以限定期望的金属特 征。在操作206中，去除该光刻胶，然后执行其他步骤以在操作208 中限定TFT。如果需要额外的金属特征，可以实施多次相同的反型 掩模/局部电镀。
图10示出了才艮据本发明一个实施方式的当^f吏用局部电镀弯液 面限定金属图案以形成液晶显示器的TFT时所执行的处理工艺操 作的流程图。该方法开始于操作250，其中，在液晶显示器基板上 形成非晶硅晶体管结构。如上所述，依赖于TFT结构的类型，该非 晶硅可在先前限定在该玻璃基板上的制造好的层上形成。遍及该液 晶显示器基板限定该非晶硅晶体管结构，以形成用在液晶显示器技 术中的TFT阵列。
在操作252中，在非晶硅晶体管结构252之上形成介电层，然 后在操作254中穿过该介电层将接触孔向下蚀刻至该非晶硅结构。 在操作256中，阻挡层沉积为在该LCD基板上的掩蔽层，其覆盖 该介电层和暴露的接触孔。接着，将导电种子层施加到该沉积的阻 挡层上。在一个实施方式中，该导电种子层为铜种子层，其形成在 该阻挡层上，该阻挡层通常为氮化钽(TaN)层。在操作260中， 使反型光刻胶掩模形成图案，用于限定金属图案。该反型光刻胶掩 模将暴露下层的导电种子层。在操作260中，在该LCD基板上扫描局部电镀弯液面，从而 在该反型光刻胶掩模内沉积导电材料。该导电材料限定金属图案。 在一个实施方式中，该电镀弯液面设计为电镀铜层，然后该铜层将 与在操作258中形成的该导电铜种子层相接触。如以上才艮据图8D-2 所述，因为在正电源154和负电源152之间形成导电i 各径，所以允 许局部电镀弯液面电镀该铜材冲+ ，该负电源连4妄到该基4反(以及该 导电阻挡层和种子层)。通过创建该电路径，可以让电镀弯液面131 在未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内电镀导电材料，例如，铜。
在操作264中，去除该光刻胶掩模。可使用任何去除该光刻胶 掩模的处理工艺，包括湿光刻胶去除处理工艺。在操作266中，去 除暴露的阻挡层和该导电种子层，暴露该介电层并留下所限定的金 属图案。然后该才喿作可进行到才喿作268的LCD制造处理工艺中的 下一步。
图11示出了用于才喿作350中在LCD基^反上形成LCD TFT器 件的处理工艺操作。在操作352中，碳化硅(SiN)层在该非晶硅 晶体管结构上形成，遍及该LCD基板限定这些结构。然后在操作 354中穿过该氮化硅层将接触孔向下蚀刻至该非晶硅结构，然后在 才喿作356中，阻挡层在该LCD基玲反上沉积为掩蔽层，其覆盖该氮 化硅层和该接触孔。在操作358中，使反型光刻月交掩模形成图案， 用于限定金属图案。因此，该反型光刻胶掩模将在需要形成镀金属 特征的区域内暴露下层的阻挡层。
在才喿作360中，在该LCD基板上扫描局部电镀弯液面。然后 在该反型光刻月交掩才莫(inverse pattern mask)内4吏用局部电镀弯液面 沉积导电材料。因此该导电材料将限定金属图案。在操作362中， 去除该光刻月交掩才莫，以及在才喿作364中，去除该阻挡层而暴露该氮 化石圭层并且留下限定的金属图案。然后，在l喿作366中，该处理工 艺可进行至制造LCD显示器的进一步的操作。值得注意的是，实现了不需要向下溅射镀金属材料而形成镀金 属图案，并然后执行蚀刻操作以限定该金属图案，这在铝金属特征
限定中常见。另外，值得注意的是不需要化学机械抛光(CMP)操 作，这在半导体领域中的铜特征限定中常见。由于玻璃基板的尺寸， CMP处理是不可行的，并且出于这个原因，传统的LCD制造4吏用 昂贵的铝溅射(利用昂贵的大溅射靶材)以及蚀刻。也就是说，铜 特征尽管由于它们的属性是有益的，但是当需要CMP操作以去除 多余材料时是不可行的。此外，由于一些蚀刻操作的升高的温度， 导致一些蚀刻#:作在LCD制造中不可^f亍。即，由于玻璃基板不能 承受更高的热度，所以不可以在LCD制造中升高温度。至少出于 这些原因，在大基板上的局部电镀特征的限定在该领域是一种进 步，其能够制造较低阻抗的铜金属线(这可提高晶体转换速度)， 而不需要昂贵的溅射室、CMP操作、昂贵的耙材、和升高的温度。
图12示出了示例性底栅TFT结构。在该实例中，金属溅射用 于限定栅电极和电容器(Cs)电极。根据一个实施方式，通过首先 形成反型光刻胶掩冲莫以及然后使用局部电镀头电镀来限定这些金 属特征。也可通过首先形成该反型光刻胶掩模以及然后使用该局部 电镀头电镀来限定源极和漏极电极。因此，实际的结构形状或几何 形状并不受这里公开的本发明的限制。相反，如上所述，可使用反 型光刻胶掩模以及然后使用该局部电镀头电镀来限定任何形状、尺 寸或特征布图。
尽管根据多个优选实施方式描述本发明，但是可以理解的是， 阅读了先前说明并研究了这些附图的本领域的技术人员能够实现 各种改变、增加、置换及其等同方式。例如，这里描述的电镀系统 可用于任何形状和尺寸的基板。因此本发明意在包括落在请求保护 的发明的真正的精神和范围内的这些改变、增加、置换和等同方式。
权利要求
1. 一种用于在玻璃基板上制造金属特征的方法，包括在所述玻璃基板上施加光刻胶层；在所述光刻胶层上形成多个特征图案，以限定反型光刻胶掩模；在所述反型光刻胶掩模上局部地施加电镀流体，以在未被所述反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成电镀材料；以及去除所述反型光刻胶掩模，以在未被所述反型光刻胶掩模覆盖的所述区域内限定所述金属特征。
2. 根据权利要求1所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，其中，在所述光刻胶层上形成所述多个特征图案包括在光 刻系统中向所述光刻月交施加光。
3. 根据权利要求1所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，其中，局部地施加所述电镀流体包括对所述反型光刻胶掩 模以及所述未被所述反型光刻胶掩模覆盖的所述区域施加电 镜弯'液面。
4. 根据权利要求3所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，其中，所述基板包括连续的导电膜，并且所述光刻胶施加 在所迷连续的导电膜上，从而在施加所述电镀流体时，形成至 所述连续的导电膜的电接触，其中，所述电镀弯液面作为阳极 被充电，并且所述连续的导电膜作为阴极被充电，以及在未被 所述反型光刻胶掩模覆盖的区域内的所述连续的导电膜上进 行电镀。
5. 根据权利要求4所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，进一步包4舌去除之前被所述反型光刻胶掩模覆盖的所述区域内的所 述连续的导电膜。
6. 根据权利要求1所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，其中，所述电镀流体由一种或多种流体限定，并且所述流 体选自由异丙醇(IPA)、电解溶液和能够进行金属电镀的电镀 化学品组成的组。
7. 根据权利要求6所述的用于在玻璃基板上制造金属特征的方 法，其中，所述电镀化学品由用于沉积金属的水溶液限定，所 述沉积金属包括铜材料、镍材料、铊材料、钽材料、钛材料、 鴒材料、钴材料、铬材料、合金材料、和复合金属材料中的一 种。
8. —种用于在玻璃基板上限定金属特征的系统，包括光刻单元，所述光刻单元#1配置为在所述玻璃基纟反或形 成在所述玻璃基板上的层之上施加并限定反型光刻胶掩模；接近电镀头，所述接近电镀头被配置为形成将被施加至 所述反型光刻胶掩模的电镀弯液面，所述电镀弯液面至少包含 电解溶液和电镀化学品；以及光刻胶去除器，所述光刻胶去除器被配置为去除所述反 型光刻胶掩模，留下形成在之前未被所述反型光刻胶掩模覆盖 的区域内的金属特征。
9. 根据权利要求8所述的用于在玻璃基板上限定金属特征的系 统，其中，在限定所述反型光刻胶掩模之前，在所述玻璃基板 上限定掩蔽导电金属层，从而所述掩蔽导电金属层使得所述接近电镀头能够在未被所述反型光刻胶掩模覆盖并露出所述掩 蔽导电金属层的区域内进行电镀。
10. 根据权利要求9所述的用于在玻璃基板上限定金属特征的系 统，其中，所述电镀弯液面作为阳招j皮充电并且所述掩蔽导电 金属层作为阴极被充电以能够进行电镀。
11. 根据权利要求8所述的用于在玻璃基板上限定金属特征的系 统，其中，所述电镀化学品由用于沉积金属的水溶液限定，所 述沉积金属包括铜材料、镍材料、铊材料、钽材料、钬材料、 鴒材料、钴材料、铬材料、合金材料、和复合金属材料中的一 种。
12. 根据权利要求8所述的用于在玻璃基板上限定金属特征的系 统，其中，所述金属特征是液晶显示构造的一部分。
13. 根据权利要求12所述的用于在玻璃基板上限定金属特征的系 统，其中，所述液晶显示构造是薄膜晶体管(TFT)构造。
14. 一种限定作为液晶显示(LCD)的一部分的金属特征的方法， 包括在玻璃基板上，所述玻璃基板具有限定在所述玻璃基板 上或所述玻璃基板的层上的掩蔽导电金属层；在所述掩蔽导电金属层上施加反型光刻胶掩模；在所述反型光刻胶掩模上形成电镀弯液面，所述电镀弯 液面至少包含电解溶液和电镀化学品，所述电镀弯液面在所述 掩蔽导电金属层上的未被所述反型光刻胶掩模覆盖的区域内 形成所述金属特征。
15. 根据权利要求14所述的限定作为液晶显示(LCD)的一部分 的金属特征的方法，进一步包括去除所述光刻胶掩模，留下之前未被所述反型光刻胶掩 模覆盖的区域内的金属特征。
16. 根据权利要求14所述的限定作为液晶显示(LCD)的一部分 的金属特征的方法，其中所述电镀弯液面作为阳极被充电并且 所述掩蔽导电金属层作为阴极被充电以能够进行电镀。
17. 根据权利要求14所述的限定作为液晶显示(LCD)的一部分 的金属特征的方法，其中所述电镀化学品由用于沉积金属的水 溶液限定，所述沉积金属包括铜材料、镍材料、铊材料、钽材 料、钛材料、钨材料、钴材料、铬材料、合金材料、和复合金 属材料中的一种。
全文摘要
提供用于将金属特征限定为液晶显示器(LCD)一部分的方法和系统。该方法应用于玻璃基板，并且该玻璃基板具有限定在该玻璃基板或该玻璃基板的层上的掩蔽导电金属层(例如，阻挡层)。反型光刻胶掩模施加在该掩蔽导电金属层上。然后在该反型光刻胶掩模上形成电镀弯液面。该电镀弯液面至少包含电解溶液和电镀化学品，其中，该电镀弯液面在掩蔽导电金属层上的未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成金属特征。
文档编号G02F1/1368GK101288165SQ200680037893
公开日2008年10月15日 申请日期2006年9月8日 优先权日2005年10月11日
发明者杰弗里·马克斯 申请人:朗姆研究公司