专利名称：检测掩膜版的方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术的测试方法，尤其涉及一种检测掩膜版的方法。
背景技术：
掩膜版半导体技术中用来提供线路图案以便执行图案转移的光罩，在 半导体领域需要大量的用到。掩膜板的图案正确与否在半导体器件领域是 至关重要的，同样检测掩膜版的图案和性能也相当重要。
传统的掩膜版图形和颗粒的检测是利用掩膜版专用激光检测仪器来检 测，而掩膜版的焦深、能量域值等方面的性能评价是用掩膜版直接来制造 产品，再通过产品的良率确认掩膜版是否正常来判断。
已有的这种方法只能确认掩膜版上是否有较大图形缺陷的问题，而且
不仅存在时间周期长的缺点， 一般需要1-2个月的周期。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种检测掩膜版的方法，能够在较 短的时间内检测掩膜板的性能，并且节约成本。
为解决上述技术问题，本发明检测掩膜版的方法的技术方案是，包括
以下步骤第一步，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测 掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第二步，焦距一定、按照不同的能量 在光片上同时曝光待检测掩膜版和己知为良品掩膜版的图形；第三步，做 成检测文件；第四步，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第五步，根 据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域 值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第六步，综合第四步和第五步 的结果判断待检测掩膜版的性能。
作为本发明的进一步改进是，在第四步中，当不同的焦距下缺陷按一 个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当 同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷而己知为良品的掩膜没有，则 判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大；反之， 当己知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版 的焦深可允许变化范围比己知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知 为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范 围是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开 路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
作为本发明另一种进一步改进是，在第五步中，当不同的能量下缺陷 按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷； 当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有， 则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之， 当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版 线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良 品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏 感程度是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
本发明利用缺陷检测设备对新旧掩膜版间焦深和能量域值方面进行比
较，同时兼顾图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染
等掩膜版综合性能的检测。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1为本发明流程图2至图5为本发明实施例示意图。
图中附图标记分别是30为能量一定焦距变化时一个曝光单元，20为能 量一定焦距变化时缺陷检测设备査处的受焦深变化影响导致的细微的线宽 差异，10为能量一定焦距变化时待测掩膜版的缺陷，300为焦距一定能量 变化时一个曝光单元，200为焦距一定能量变化时缺陷检测设备査处的受焦 深变化影响导致的细微的线宽差异，100为焦距一定能量变化时待测掩膜版 的缺陷。
具体实施例方式
如图1所示，本发明检测掩膜版的包括的步骤为1，能量一定、按照 不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形； 2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良 品掩膜版的图形；3，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良 品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；4，根据第二步 的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，综合第三步和第四步的结果判断待检 测掩膜版的性能。
如图2至图5所示，本发明的另一实施例包括以下的步骤
首先，如图2所示，待测的掩膜版和己知为良品的掩膜板从左向右依 次为已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版。曝光的 能量一定，从焦距的中心值为0开始在焦距轴方向按照正负不同的焦距量 来曝光掩膜板，曝光的列数为3歹U。待测的掩膜版和已知为良品的掩膜板 的排列方式也可以是已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的 掩膜版。同样按照能量一定，从焦距的中心值为0开始在焦距轴方向按照 正负不同的焦距量来曝光掩膜板。
然后，如图3所示，曝光的焦距一定，焦距一定、以能量中心值为300 ms开始按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜 版的图形，曝光的列数为3列。
在根据缺陷检测设备做成检测文件之后，根据图1的曝光方式得到检 测结果的图形如图3所示，曝光的焦距在Y方向以0. 2um为最小单位变化， 在不同的焦距下的一个曝光单元30中，按一个曝光单元重复在同一个位置 出现的缺陷为待检测掩膜版的缺陷10。而当同一个焦距在待测掩膜版上测 出大面积缺陷，即受焦深变化影响导致的细微的线宽差异20，而已知为良 品的掩膜没有出现这种大面积的线宽差异的缺陷时，则判断待测掩膜版的 焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大。反之，当已知良品的掩 膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版 都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的。同 时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路 是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。
根据图2的曝光方式得到的检测结果的图形如图4所示，能量变化在Y
方向以50ms为最小单位变化，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元300重 复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷100;当同一个能量 在待测掩膜版上测出大面积缺陷，即缺陷检测设备査处的受能量变化影响 而产生的系为的线宽差异200，而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜 版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之，当己知良品的 掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的 影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都 没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致 的。最后，综合以上的判断判断待检测掩膜版的性能。同时根据检测结果 通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面 有无划伤，污染等方面的缺陷。
本发明的检测掩膜版的方法通过利用缺陷检测设备比较待测掩膜版和 已知为良品的掩膜板达到检测待测掩膜版的目的，减少了工作量，提高工 作效率。
权利要求
1. 一种检测掩膜版的方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第二步，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第三步，做成检测文件；第四步，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第五步，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第六步，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。
2. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，在第四步 中，当不同的焦距下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断 为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷 而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有 已知为良品掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而 待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩 膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断 新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的，同时根据检测结果通过光显 确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤， 污染等方面的缺陷。
3. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，在第五步 中，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷 而己知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比己知 为良品的掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩 膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致的，同时根据检测结果通过光 显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划 伤，污染等方面的缺陷。
4. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，两个待检 测的掩膜版和一个已知为良品的掩膜版的在光片上的依次排序为待检测掩膜版、己知为良品的掩膜版、待检测掩膜版。
5. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，两个待检 测的掩膜版和一个已知为良品的掩膜版的在光片上的依次排序为已知为良品的掩膜版、待检测掩膜版、已知为良品的掩膜版。
6. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第一步能 量一定、以焦距中心值为0um开始按照不同的焦距在光片上同时曝光待检 测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形。
7. 根据权利要求1所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第二步， 焦距一定、以能量中心值为300 ms开始按照不同的能量在光片上同时曝光 待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形。
8. 根据权利要求6或7所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，第一 步和第二步在两个光片上同时进行。
9. 根据权利要求6所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，焦距变化以O. 2um为最小单位。
10. 根据权利要求7所述的检测掩膜版的方法，其特征在于，能量变 化以50ms为最小单位。
全文摘要
本发明公开了一种检测掩膜版的方法，步骤为1，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；3，做成检测文件；4，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；6，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。本发明减少了工作量，提高工作效率。
文档编号G03F1/84GK101452201SQ20071009436
公开日2009年6月10日 申请日期2007年11月30日 优先权日2007年11月30日
发明者柳 王 申请人:上海华虹Nec电子有限公司