图像形成装置和图像形成方法

专利名称：：图像形成装置和图像形成方法
技术领域：
：本发明涉及图像形成装置和图像形成方法，该图像形成装置是小型的并且在高速下运作。相关技术描述近年来，允许达到1,200dpi或以上的高图像质量的图像形成装置具有两个主要的问题有待解决。其一为对实现高速性能的需求，另一个问题是对实现小型化的需求。对于前者而言，为了改进图像形成装置的生产率，对印刷速度的改进是极为重要的。关于单色机，通常采用通过增加光电导体的线速度(在下文中可能称为"电子照相光电导体"、"静电潜像承载部件"、"图像承载部件"或"光电导绝缘体")以及增大光电导体的直径的措施。关于全色机，存在两个趋势，一个是串联技术的实现(使用多个图像形成元件)，另一个是采取通过增加光电导体的线速度以及增大光电导体的直径的措施的趋势，正如在单色机的情况中那样。在此，图像形成元件表示用于成像的最小单元结构，至少包括光电导体、充电部件、写入部件和显影部件。另外，可以提供转印部件和定影部件、清洁部件、电荷消除部件等；然而，当同时使用多个图像形成元件时，所必需的并非众多的这些图像形成单元，而是以组合方式形成的一个单元。同时，利用基于电子照相系统的图像形成装置、形成多色图像和全色图像的方法一般地被广泛分为两种方法。具体而言，它们是基于"串联系统(tandemsystem)"图像形成装置——其中给每一种颜色提供图像形成单元；和基于"单鼓系统(one-drumsystem)"的图像形成装置。前者——基于"串联系统"的图像形成装置，每单位时间可产生很多印张，但是具有装置尺寸大以及成本高的问题，原因在于对于每一图像形成单元而言，成像处理器如充电器和激光扫描单元是必需的；然而，后者——基于"单鼓系统"的图像形成装置，使得不必将位置精确度提高到与"串联系统"的位置精确度一样高，原因在于由使用多个光导鼓(photoconductordrums)而引起的输出图像的偏移与"串联系统"相比小得难以觉察，从而使得由使用四个光导鼓而引起的成本得以降低是可能的。同样，"单鼓系统"是有利的，因为同时有可能使图像形成装置紧凑；因此，近年来，其已经引起关注。另外，关于"单鼓系统"的全色图像形成装置，如在图9(尽管图9基本是用于解释本发明的图像形成装置，然而，为方便起见，参考本图，常规"单鼓系统"的全色技术将在此予以解释)中所示，下列方法例如也被描述在日本专利申请特开(JP-A)第3-192282号中各颜色的墨粉图像未被顺序地转印到记录材料(ll)上，而是通过转印辊(转印部件)(10)的电场主要地一次被转印到中间转印带(5)上，所述各颜色的墨粉图像通过显影单元(4)中的各颜色的显影设备(4Y)、(4M)、(4C)和(4K)形成在光导鼓(1)上，该光导鼓通过充电器(2)充电并通过曝光器(3)选择性曝光；通过第二转印辊(6)的电场，将转印到该中间转印带(5)上的四种颜色的墨粉图像同时转印到记录材料(ll)上；然后将未定影的墨粉图像定影。注意，在该图中，参照数字(40)表示与其上安装的显影设备一起旋转的转子，(6)表示第二转印辊，(8)表示清洁光导鼓(l)表面的清洁设备，(9)表示用于清洁中间转印带(5)表面的中间转印清洁设备。相比于在"单鼓系统"中使用转印鼓(transferdrum)的情况，以及在"串联系统"中将记录材料保持于并在输送带上输送而进行转印的方法，就图像形成装置中的各设备的布置来说，上述使用中间转印带(5)的方法提供了更大的自由度，因此就其能够使图像形成装置紧凑以及适于很多种记录材料而言，上述使用中间转印带(5)的方法近年来已经被适当地使用，并且已经成为彩色图像形成装置的主流。顺便提及，在"单鼓系统"的情况中，四种颜色的墨粉图像是利用一个光导鼓形成的，因此，如果光导鼓的旋转有变化，则各颜色图像的形成位置在光导鼓上的排齐行为，使得光导鼓旋转改变的效应在各颜色的调色剂图像中似乎处于相似的方式下，因此，"单鼓系统"的特征在于，通过使各颜色的成像位置在光导鼓上形成整齐排列，即使当由光导鼓的旋转改变所引起的图像密度不均匀情况出现时，色调上的变化罕有发生。同样，在布置于一个光导鼓附近区域的处理器中，除显影设备之外的任何物件允许该同样的物件用于每一种颜色；因此，甚至存在这样的特征可能简化所述装置的结构，以及可能使所述装置紧凑以及降低成本。然而，在"单鼓方法"中，存在一个问题"单鼓系统"通过黄色、洋红、青色和黑色四种颜色形成全色图像所花费的时间，比得到黑色的单色图像花费的时间长大约四倍，因此，生产每单位时间的全色图像(印刷速度)的生产率是低的。因为其具有优点和缺点，因此，在目前的情况下，根据"单鼓系统"的图像形成系统，被用在目的还是用来产生黑白图像的全色机中。然而，在常规的图像形成装置中，因为构成图像形成元件的部件，例如用于充电步骤和写入布置的部件，在能力上是落后的，因此难于设计小型、高速性能(50张/分钟或以上沐高分辨率(l,200dpi或以上)。在充电步骤中，改进充电能力以实现高速性能是必需的。当光电导体的直径被减小时，充电部件和光电导体可以被布置为使其彼此面对的宽度(称为充电缝隙(chargingnip))变得非常小。对于迄今所使用的线式充电部件一一其以电晕(scorotron)充电器为代表一_而言，通过增加电线的数量来增加落在光电导体表面上的电晕的量是不可能的，但是存在一个问题当电线彼此距离太近时，它们彼此干扰，耗电量变大。另外，栅极对于稳定充电是必需的，并且其大小决定充电缝隙宽度。栅极通常由导电金属板制成，并放置在光电导体的切线方向。基于该原因，当光电导体的直径被减小时，在栅极中心与两端之间的栅极-光电导体表面距离显著不同，并且净缝隙宽度变得非常小(在对应于光电导体移动方向的前端和后端的两端处，充电变得不稳定)。为了解决这个问题，可能使用栅极，该栅极不是平的，以适合光电导体的弯曲。然而，装置不得不有些复杂，以便将这种光电导体放在其中，并且可以放置充电部件的空间不可避免的是小的，原因在于直径减小；因此，此种方法是不现实的。与所述方法相比，存在一种使用辊形充电部件的方法。辊形充电部件以使得可与光电导体表面接触的方式来使用，或者以这样的方式使用其两个表面被彼此靠近放置，其中在其间的间隙在50pm左右。在大多数情况下，通过在相等的速度下旋转两个表面(使两个表面一起旋转)，并对辊施加偏置电压，从所述辊向光电导体的放电发生，所述光电导体表面被充电。在这种情况下，通过使辊的直径减小到可能的程度，可以成功地使充电部件变得紧凑。当辊直径被减小时，可充电范围(光电导体远离辊表面约50-100nm的这样一个范围；被称为充电缝隙)变窄，因此充电能力被降低。然而，其降低不像电晕充电装置充电的降低那样多；此外，充电能力显著改善，因为，施加于辊部件的偏置电压不仅包括直流电分量，也包括叠加方式的交流电分量。通过利用这样的技术，充电步骤目前不再是图像形成方法中的限速因素。然而，归功于交流电叠加而获得更大的充电能力，对光电导体表面存在一个较大的危险，因此对光电导体的耐久性(使用期限)的影响将会是巨大的。同时，在写入步骤中，直到目前，发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)一直被用作写入光源，因为它们以阵列的形式被放置在光电导体的纵向上(在鼓形小直径光电导体的情况中，不是在纵向(MD(machinedirection)),而是在横向(TD(traversedirection)),换言之为轴向)，位于该光电导体的附近。然而，其分辨率是通过一个元件的大小决定的，并且也取决于元件之间的距离。因此，在及时性这一点上，决不认为LED最适合作为1200dpi或以上的光源。同时，当使用LD时，写入是通过借助多面镜在光电导体的纵向上引出并发送光束而实施的。当光电导体的直径被减小时，光电导体线速度相对于印刷速度增加，因此需要增加多面镜的转数。然而，目前多面镜的转数至多是40,000rpm左右，并且单光束引起对写入速度的限制。与上述相比，利用多个光束的系统已经开始使用。使用了下列用来自多个LD光源的光束照射一个多面镜的系统；和多光束曝光单元，如其中多个LD被布置为一个阵列的构造。同样在目前，作为多光束单元，使用了具有三个或更多光源的面发射激光器，此外使用了其光源以两维方式放置的面发射激光器。这些技术已经使得以1200dpi或以上的分辨率在光电导体上实施写入是可能的。如刚才所述，构成图像形成元件的部件的改进或新技术已经使得光电导体的小型化、高速性能(50张/分钟或以上)和高分辨率(1200dpi或以上)易于实现。同时，事实上，关于如上所述的相关技术，当同时要实现小型化和高速性能的时候，不是很清楚在处理设计中，限速因素在何处归功于光电导体的线速度、布置在该光电导体附近的部件的大小与它们各自能力之间的关系；此外，相应于小型化和高速性能需求的光电导体技术必须变得更清晰。因此，本发明目的是解决相关技术中的问题以及实现下面的目标。本发明的目的是提供能够在高速下形成高质量图像的小型图像形成装置，以及使用该图像形成装置的图像形成方法。同样，一个目标是提供图像形成装置和利用该图像形成装置的图像形成方法，所述图像形成装置耐久性高，并且即使在重复使用时，能够进行具有很少异常图像的稳定的图像输出。
发明内容通过多种模拟，本发明人已经研制处出在图像形成过程中的限速方法，其允许获得所需要的小型化、高速性能(A4大小50张/分钟或以上)和高分辨率(1，200dpi或以上)，换言之获得"特定光电导体"和"特定方法"的组合。其结果是，一些事实被揭露。为实现高速性能，在维持光电导体的小直径的同时，必需增加该光电导体的线速度，但是所需的线速度根据所设定的印刷速度和纸间距而变。在此，"纸间距(papergap)"如下定义。假定进纸的大小和方向对应于横向A4(210mmx297mm)，第(X)张进纸的后端与第(X+1)张进纸的前端之间在进纸方向上的长度从进纸方向观察为210mm，该长度表示为"纸间距"(可能以比值表达)。当目标印刷速度恒定时，纸间距越小，光电导体线速度可以被设定的越小；然而，纸间距具有下限，而且光电导体线速度随其下限自然设定。光电导体的线速度对排列在该光电导体附近的图像形成元件(部件)的能力和大小具有影响。如在早期的解释中，如果充电部件具有充电能力余地(余量)，例如，可以使充电部件变小，从而在光电导体附近产生规划(排列)的余地。其结果是，在充电歩骤之前和之后的歩骤中，例如，可以以在图像形成过程中有利的方向上，变换电荷消除部件和写入部件的排列。例如，如果光电导体电势衰变的余地由于电荷消除是小的，则通过该光电导体减小的尺寸来增大电荷消除-充电空间(thechargeelimination-chargingspace)是可能的。可选地，如果光电导体电势衰变的余地在写入之后是小的，则写入-显影空间可以被增大，例如可以通过将写入光源放置在充电部件旁边来增大。〖020]在此，解释了"如果光电导体电势衰变的余地由于电荷消除是小的，则通过该光电导体减小的尺寸来增大电荷消除-充电空间(thechargeelimination-chargingspace)是可能的"和"如果光电导体电势衰变的余地在写入之后是小的，则写入-显影空间例如可以通过将写入光源放置在充电部件旁边来增大"的含义。关于前者，通过用光照射光电导体，电荷消除单元起着衰减该光电导体上的剩余电势、降低使用写入光的曝光部分与未曝光部分之间的势差以及统一光电导体表面电势用于下次该光电导体表面被充电的功能。当光电导体的线速度恒定时，以及光电导体电势衰变的余地由于电荷消除而小的时候(例如，光强小，光电导体的响应差，以及灵敏性小)，有必要以一种方向变换电荷消除部件的排列，该方向在图像形成过程中是有利的。假定在充电能力上存在余地，减小充电部件的尺寸以及增大电荷消除单元与充电单元之间的间隔是可能的。因此，可能延长电荷消除光照射时间以及延长电荷消除光照射之后的时间。具体而言，提供用于衰减光电导体上的剩余电势以及统一该光电导体的表面电势的时间间隔，成为可能。接下来，将描述"如果光电导体电势衰变的余地在写入之后是小的，则写入-显影空间例如可以通过将写入光源放置在充电部件旁边来增大"的含义。期望的是，使光电导体表面放置为面对曝光器，并在这样的曝光量(极限能量)下被光照射，其足够的电势衰变在光到达显影单元之前可以获得。然而，当光电导体照射之后的表面电势衰变率不足时，光载体移动到远至光电导体表面所需的时间不得不通过特定方法获得。一种响应该需求的方法是延长曝光器与布置在光电导体附近的显影单元之间的距离。通过重复如上所述的这种模拟，已经研制出高速(A4大小50张/分钟或以上)和高分辨率(l,200dpi或以上)方法和步骤中所使用的光电导体所需的性能，其中所需的性能是限速因素，在图像形成中，这些性能很大程度上不同于常规装置的性能。其方法很大不同于常规图像形成装置的关键在于该方法需要一种光电导体，该光电导体高度灵敏，几乎没有光疲劳(lightfatigue),而且是高度耐久的；关于其高灵敏度所需的迅速的暗衰变性能，为了在方法中对其进行补偿，借助写入光的曝光与显影之间所花时间(在下文中称为曝光-到-显影时间长度(曝光-显影时间长度))在很大程度上縮短。具体而言，在现有的图像形成装置中，曝光-到-显影时间长度至少为70ms左右。然而，根据我们的模拟，在坚持的条件下(withfollow-throughonthecondition),已经发现，曝光-到-显影时间长度可以达到50ms以下的条件。同时，迄今为止光电导体还没有被用于这样的短曝光-到-显影时间长度中；因此，本发明人决定评价表面电势光衰变的时间响应，以便得到与此一致的光电导体的性能。关于评价电子照相光电导体的表面电势光衰变的时间响应的方法，通常按照飞行时间(TimeofFlight(TOF))方法来评价电荷传输材料或由该电荷传输材料与粘合剂树脂形成的树脂膜，例如，如在日本专利申请公开(JP-A)第10-115944号和日本专利申请公开(JP-A)第2001-312077号中所见。在设计光电导体的组分配制中，这是一种有用的方法。然而，要指出一个不同之处关于装置中所用的光电导体的电荷转移的条件，膜中的电场强度在使光电导体表面曝光之后会时刻改变；关于借助TOF方法测定的光电导体的电荷转移的条件，电场强度是不变的。同样，对于层状类型光电导体而言，由于曝光而产生的电荷产生层中的电荷发生，以及从电荷产生层向电荷传输层的注入行为对电荷转移所引起的效应，没有反映在按照TOF方法的测量值中。同样，作为直接评价光电导体的时间响应的方法，已经提出了一种方法，例如，如在日本专利申请特开(JP-A)第2000-305289号中所见，在该方法中，利用高速表面静电计，在高速下记录脉冲光照射之后光电导体的表面电势变化，并测量达到预定电势所耗用的响应时间。该方法通常被称为"飞行静电印刷时间(XerographicTimeofFlight(XTOF))方法"。该方法用作一种消除TOF方法中的缺点的评价方法。然而，按照该方法，测量中所用的光源经常不同于电子照相装置中所用的曝光单元，因此该方法具有这样一个方面，即其不必是直接的测量方法。与上述方法相比，通过使用在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中所述的光电导体性能评价方法和评价装置，设定光电导体的曝光部位(用写入光照射的部分)到达显影单元所用的预定时间(在下文中，为简单起见，称为曝光-到-显影时间长度(Ted))，以及掌握曝光部分电势(曝光部分的表面电势)与从LD输出的光电导体的曝光量(能量)的关系(光衰变曲线)，是可能的。在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中所述的这种技术也相应地应用于本发明，并且同样被认为对利用实践光源、适合高速图像形成装置的光电导体性能的评价方法应当如何实现是非常有启发性的；因此，下面将描述其概要。下面的技术内容描述在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中。"各种方法被用于评价在电子照相系统的复印机或类似物中所使用的光电导体性能的方法，特别是灵敏性性能的测量；例如，在第一种测量方法中，该方法是动态测量方法，光电导体的表面被充电预定的时间期间，或者直到达到预定的表面电势为止，同时使该光电导体在1,000rpm的高转速下旋转，然后，用光照射该光电导体的表面，并使其曝光预定的时间期间或者直到达到预定的表面电势为止，根据该曝光和照明度，计算该光电导体耗用在预定表面电势衰变上的时间的积，即曝光量，所需的曝光量是光电导体的灵敏度；在第二种测量方法中，如根据1992年3月31制定的日本电子摄影协会(SocietyofElectrophotographyofJ叩an)标准中的白光灵敏度测量方法而标准化的动态测量方法所示，当用恒定光强度的白光进行连续曝光时，测量表面电势的变化，同时在lOOrpm的低转速下旋转光电导体，在先前调整的充电状态下使该光电导体的表面充电，使得其达到预定的表面电势，当光电导体表面的充电部分经过曝光单元时，施加预定照明度的狭缝光，在充电部分已经通过所述曝光单元之后，及时测量预定位置中或预定点处的光电导体表面电势，所测量的表面电势值为该光电导体的灵敏度；在第三种测量方法中，如根据1992年3月31制定的日本电子摄影协会(SocietyofElectrophotographyofJapan)标准中的白光灵敏度测量方法而标准化的静态测量方法所示，在光电导体于100卬m的低转速下旋转的同时，在先前调整的充电状态下使光电导体的表面充电，使得其达到预定的表面电势，当光电导体表面的充电部分来到曝光单元时，光电导体旋转停止，施加预定照明度的光预定的时间期间，用透光表面静电计测量表面电势的变化，预定的表面电势衰变所需的曝光量为该光电导体的灵敏度。这些灵敏度评价方法具有共同的问题由于使用钨灯或卤素灯作为光照射光源、使用机械快门或电磁快门控制照射时间以及测量系统如表面静电计响应等的限制性，第一种测量方法中的曝光时间、第二种测量方法中的曝光时间和第三种测量方法中的曝光时间分别为O.lsec或以上、O.Olsec或以上和O.OOlsec或以上，因此防止光电导体的一点被曝光的时间是短的。光强度在0.1nW/cn^至10nW/ci^范围内；然而，使用目前的电子照相方法的复印机和打印机由所谓的数字机器通过激光扫描来控制，其中光电导体上的一个点被曝光的时间通常在几十纳秒(ns)至100ns左右的范围内，以及光强度通常为几+W/cm2;因此，用常规测量方法来实现的测量条件是不能被稳定化的。再次，为了猜测和评价真实复印机等中的光电导体的性能，按照与用于真实复印机等中的光电导体的条件级别相同的级别进行评价是必需的；理想地，较好的是测量在实际使用了该光电导体的复印机中的光电导体的灵敏度，但是通常光电导体以及其上安装有该光电导体的复印机是被同时开发的，这使得在光电导体的开发过程中制备可以稳定用作测量器的复印机是不可能的，因此，通常难于通过其上实际安装有光电导体的复印机来评价该光电导体。此外，当试图借助其中实际中使用光电导体的复印机来评价该光电导体的灵敏性时，针对该复印机等的操作条件如光电导体大小、处理设备的布置、线速度和处理定时被明确确定且不能更改，因此存在一个问题每当光电导体的鼓直径和鼓长度的尺寸变化时，必需制备对应于该光电导体的复印机等。因此，日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872中所述方面的目的是提供数字式光电导体性能评价装置，其中这些问题被消除，按照与具有激光扫描光学系统的数字计算机相同级别的级别可以及时评价光电导体的灵敏性性能，同样，可能进行非常自由以及高度可靠的评价，而不需要依赖特定的数字计算机。具体而言，所提供的是光电导体性能评价装置，其包括布置在光电导体附近的充电器、曝光器和电荷消除器作为测试目标；其中第一表面静电计被放置在充电器与曝光器之间；第二表面静电计被放置在曝光器与电荷消除器之间；光电导体以自由旋转的方式被保持；充电器、电荷消除器以及第一和第二表面静电计被连接至共同的机构上，以便能够在光电导体的圆周方向、直径方向和纵向方向移动；曝光器由激光写入设备形成，并且以在光电导体的直径方向和纵向方向上自由移动的方式提供；通过连续照射激光发射设备，扫描并曝光光电导体；关于第二表面静电计在圆周方向的可移动范围，其被提供了最大自由度；布置在光电导体附近的设备被提供以最大自由度；基于光电导体的外径、光电导体的线速度、激光扫描副扫描方向上的分辨率、充电时间、曝光时间以及布置在光电导体附近的设备的布置位置上的信息，采用开/关控制；并且，根据曝光之前和之后的光电导体表面电势，评价和分析光电导体的性能，所述表面电势是通过第一和第二表面静电计以及设备的布置位置的信息测量的。例如，在激光发射设备与曝光器中的多面镜之间提供光衰变滤波片；当以调整激光发射设备的曝光功率范围的驱动电流计，最大曝光功率是Pmax和最小曝光功率是Pmin时，期望光衰变滤波片对激光波长的透射比T(%)为T2{(Pmin/PmaX)n}xl00(%)，其中n为正整数；建议使用一片有色玻璃作为该光衰变滤波片的板；再次，建议提供多个11=1时的透射比T的光衰变滤波片；同样，在重复测量曝光之前和之后的表面电势之后，在改变曝光器的曝光功率时，建议用由新的光衰变滤波片替换的光衰变滤波片重复类似的测量；此外，在改变曝光器的曝光功率时，还建议多次测量光电导体的表面电势，其中光衰变滤波片的数量根据曝光功率变化。具体而言，根据该发明的光电导体性能评价装置为这样的光电导体性能评价装置，其包括布置在光电导体附近的充电器、曝光器和电荷消除器作为测试目标；其中第一表面静电计被放置充电器与曝光器之间；第二表面静电计被放置在曝光器与电荷消除器之间；光电导体以自由旋转的方式保持；充电器、电荷消除器以及第一和第二表面静电计被连接至共同的机构，以便能够在光电导体的圆周方向、直径方向和纵向方向移动；曝光器由激光写入设备形成，能够在光电导体的直径方向和纵向方向上移动，并且以远离光电导体表面为激光写入系统的fB透镜的焦距的方式，安置在光电导体直径方向上；在这种状态下，进行对光电导体的评价，方式为当曝光器中的多面镜在旋转时，以及光电导体在恒定转速下旋转时，借助电荷消除器使光电导体的表面经历电荷消除，通过充电器使光电导体表面充电以变成预定的表面电势，通过曝光器用激光照射已充电的光电导体，通过第一表面静电计测量该充电状态下的光电导体的表面电势，用第二表面静电计测量曝光之后的光电导体的表面电势，从光电导体的外径和线速度、激光扫描副扫描方向上的分辨率、充电时间、曝光时间、充电器相对于圆周方向的放置位置以及所测量的光电导体的表面电势，计算电势衰变上所用的曝光量(到达能量)，根据所计算的曝光量与所测量的曝光之后的电势或者曝光之前和之后的电势变化之间的关系，确定光电导体的灵敏度，改变施加于光电导体的曝光功率，重复该过程预定的次数"。图2中描绘了一个利用描述在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中的技术的光电导体测量结果的例子。根据图2，从表面电势对曝光能量的曲线判断，存在一个随着曝光能量的增加而发生电势衰变变得更大(表面电势降低)的光强度区域，以及表面电势不降低的光强度区域。取这两个光强度区域之间的边界为边界点(渡越点(transitpoint)),使用比该边界点低的光强度进行下面的测量。如在图3中所示，在描述在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中的装置中，当曝光-到-显影时间长度改变时，测量曝光部分电势的变化。随后，如在图4中所示，绘制曝光部分电势与曝光-到-显影时间长度的关系，这使得能够发现一个弯曲点。在该弯曲点处的曝光-到-显影时间长度在本发明中被定义为"渡越时间"。根据上述，可以精确地掌握曝光-到-显影时间长度、曝光部分电势与渡越时间之间的关系，即电子照相光电导体的表面电势光衰变的时间响应。要注意，渡越时间取决于用白光照射之前的表面电势和光电导体膜厚度(换句话说，其取决于施加于光电导体的电场强度)。因此，当测量渡越时间时，使用具有与实际中所用的光电导体相同的组成和膜厚度的光电导体，使得用白光照射之前的光电导体表面电势与使用该光电导体的图像形成装置的未曝光部分表面电势相同；因此必须进行评价。为可靠起见，本发明中的"渡越时间"将被进一步解释。通过使用示于日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号或图14中的光电导体性能评价装置，可能要掌握曝光部分电势与来自LD(曝光部分)输出的光电导体的曝光量的关系(光衰变曲线)(参见图2)。关于图14中的装置，当直接在写入单元对面的位置是(A)以及直接在显影单元对面的位置是(B)时，曝光时间-显影时间(theexposuretime-developingtime(Ted))如下表达。Ted气光导鼓的圆周长)x(OA与OBn之间的角度)/360+(光电导体的线速度)在该测量方式中，如在图14中所示，通过移动表面静电计——其位于显影部位，在光电导体的圆周方向，在该图中用LD光照射的光电导体的曝光部位到达面对显影单元的位置所耗用的预定时间(在下文中，为简单起见，称为曝光-到-显影时间长度)可以相对自由地被设定在某一范围内。在该装置中，当测量伴随曝光-到-显影时间长度改变的曝光部分电势中的变化时，其中曝光量是固定的，在曝光部分电势与曝光-到-显影时间长度的关系中可能发现弯曲点(参见图4)。在本发明中，为方便起见，在该弯曲点处的曝光-到-显影时间长度被定义为渡越时间。关于该关系的具体例子示于图15中，在该图中，曝光-到-显影时间长度被写为处理时间。作为本发明中的两个要求的进一步解释，艮卩，"以1,200dpi或以上的分辨率曝光光电导体的表面"和"曝光区从面对写入单元的位置移动到面对显影单元的位置所用的时间小于50ms并大于该光电导体的渡越时间"，这两个要求是测量模式，其中在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中的描述适用实际中的机器，其在某些方面涉及"曝光区从面对写入单元(曝光单元)的位置移动到面对显影单元的位置所用的时间小于50ms"。在此，为了参考，根据解释计算描述在出版物中的每一种条件下的"曝光-到-显影时间长度"。关于"在1,200dpi或以上的分辨率下曝光光电导体的表面的条件"，根据在出版物中的描述，"光束曝光之后旋转远至第二表面静电计所需的时间为303ms{(鼓直径24mm)x(圆周率3.14)x(55。/360。)/(线速度38mm/s)};关于[方面2-1]，"光束曝光之后旋转远至第二表面静电计所需的时间为58ms{(鼓直径60mm)x(圆周率3.14)x(20。/360。)/(线速度180mm/s)};关于[方面2-2],"光束曝光之后旋转远至第二表面静电计所需的时间为116ms{(鼓直径60mm)x(圆周率3.14)x(40。/360。)/(线速度180mm/s));关于[具体实施例3]，"光束曝光之后旋转远至第二表面静电计所需的时间为366ms{(鼓直径80mm)x(圆周率3.14)x(55。/360。)/(线速度105mm/s)}。换句话说，此种常规材料没有提及"光束曝光之后旋转远至显影部位所需的时间小于50ms"。注意，当解释光电导体时，将详细地解释控制光电导体的渡越时间的方法；在此，本发明人己经对一种典型类型的带负电层状光电导体的渡越时间进行了分析，在该层状光电导体中，中间层(intermediatelayer)、电荷产生层(chargegeneratinglayer)禾口电荷传输层(chargetransportinglayer)被提供在承载体上。其结果是，在电荷产生层中产生的光载体的转移性能反映在渡越时间上，但是因此发现，电荷传输层中的空穴转移性能(holetransportproperty)通常反映在渡越时间上。因此，据发现，为了极大地控制渡越时间，考虑如何设计电荷传输层是合理的。本文所提到的曝光-到-显影时间长度，被定义为当光电导体上的任意点从面对写入单元的位置移动到面对显影单元的位置所需的时间。更具体而言，如在图1中所示，其为这样的时间在该期间，光电导体上的一个任意点从面对写入部件的位置(A)移动到面对显影部件的位置(B)，同时该光电导体以图中的点线箭头方向旋转。在此，位置(A)是写入光凍)的中心，并且是从写入光源朝向光电导体中心施加的写入光的中心与光电导体表面相交处的点。可以说，位置(B)是显影缝隙的中心，并且当棒状显影套筒被用在图1中时，位置B可以是显影套筒与光电导体表面彼此变得最为接近的位置。因此，曝光-到-显影时间长度是通过以位置(A)与位置(B)之间圆周(弧)的长度(mm)，除以光电导体线速度(mm/sec)，计算出的时间长度(sec)。按照上述方法，通过使光电导体的渡越时间与精确计算的曝光-到-显影时间长度之间的关系变清楚，完成了本发明。当就光电导体方面而言，考虑在这些条件下使用的状态时，光电导体的光衰变必须在曝光-到-显影时间长度内完成。关于此处所提到的光衰变的完成，当短期内施加写入光时，如同光电导体已经充电之后激光的情况中，光电导体的表面电势随时间流逝逐渐衰减，在这种情况下，电势减小量(速度)很大，直到达到某时间点；但是，在该某时间点之后，电势速度变得非常小。该阶段的表面电势保持在相当小的值，并且即使允许比这更多的时间时，也几乎不产生电势衰变。可能认为该时间是光电导体中产生的大部分光载体穿过光敏层时的时间(渡越时间)。据推断，该时间是取决于光电导体的载流子产生和载流子输送时间的性质，伹是在串联型全色图像形成装置中应用的情况下，还没有明确过程条件与满足该渡越时间的光电导体之间的关系。当写入单元不能符合光电导体的属性时，光照射光电导体的量减少，这造成在负片-正片显影中的图像密度降低的问题，并且这将导致串联型全色机中的彩色平衡减小。基于该原因，采取了通过降低写入分辨率的措施。同样，当光电导体的渡越时间大于曝光-到-显影时间长度时，光电导体的曝光部位到达显影部位，同时光敏层内产生的光载体仍旧处于被输送中。因此，(l)因为光电导体表面电势没有充分降低，因此不可能充分获得显影电势，这造成在负片-正片显影中的图像密度降低的问题；(2)即使达到显影电势，当曝光部位通过显影部位时，表面电势仍旧继续降低，并且墨粉被显影在负片-正片显影中的曝光部分处(静电执行墨粉的附着)；因此，曝光部分与墨粉之间的粘合力降低，转印时点或粉尘的分辨率上的增加易于发生；(3)进一步，当光电导体旋转一次经过图像形成元件，然后进入下面步骤时，在下次充电时稍后在内部产生的载流子使得前面的图像曝光部分的电势稍微降低。因此，中间色调电势上存在差异，这使得异常图像如残留图像(afterimages)出现在单色机中，在生成很多中间色调图像的全色机的情况下，使得彩色再现性降低。本发明基于本发明人的知识，解决问题的方法如下。(l)图像形成装置，包括光电导体；充电单元，用以向所述光电导体充电至期望的电势；写入单元，用以通过以1,200dpi或以上的分辨率对光电导体的表面进行曝光而形成静电潜像；墨粉图像形成单元，用以通过利用墨粉显影所述静电潜像而形成墨粉图像，所述墨粉图像形成单元具有多个显影设备，所述显影设备被放置为面对光电导体并且容纳有多种针对各颜色的发色显影剂(colordeveloper);转印单元，用以将在所述光电导体上形成的墨粉图像转印到转印材料上；和定影元件，用以将所述转印的墨粉图像定影在所述转印材料上，其中光电导体上的任意一点从面向写入单元的位置移动到面向显影单元的位置所用的时间小于50ms而大于光电导体的渡越时间。(2)图像形成装置，包括光电导体；多个充电单元，用以向所述光电导体充电至期望的电势；多个写入单元，用以通过以l,200dpi或以上的分辨率对光电导体的表面进行曝光而形成静电潜像；墨粉图像形成单元，用以通过利用墨粉显影所述静电潜像而形成墨粉图像，所述墨粉图像形成单元具有多个显影设备，所述显影设备被放置为面对光电导体并且容纳有多种针对各颜色的发色显影剂；转印单元，用以将在所述光电导体上形成的墨粉图像转印到转印材料上；和定影元件，用以将所述转印的墨粉图像定影在所述转印材料上，其中光电导体上的任意点从面向多个写入单元的各个位置移动到面向相应的多个显影单元的各个位置所用的时间小于50ms而大于光电导体的渡越时间。(3)根据(1)和(2)的任一项所述的图像形成装置，其中使用了多光束曝光系统，在该多光束曝光系统中，写入单元被配置为通过利用多个光束同时曝光多个曝光区域而形成静电潜像。(4)根据(3)所述的图像形成装置，其中所述多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成。(5)根据(4)所述的图像形成装置，其中在多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成，并且面发射激光器以二维方式布置。(6)根据权利要求1所述的图像形成装置，其中光电导体具有光敏层，该光敏层含有由下式(l)表示的偶氮颜料，〇(其中Cp,和Cp2分别表示偶合剂残基；R2(M和R202分别表示氢原子、卤素原子、垸基、烷氧基和氰基中的任一个，R2(U和R202可以彼此相同或不同；CpjBCp2分别由下面的结构式(2)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>R208K207结构式(2)其中R203表示氢原子、烷基和芳基中的任意一个；R204、R2G5、R206、R207和R2M分别表示氢原子、硝基、氰基、卤素原子、卤代烷基、垸基、烷氧基、二垸基氨基和羟基中的任意一个；Z表示形成可以具有取代基的碳环芳基，或者可以具有取代基的杂环芳基所需的原子基团。(7)根据(6)所述的图像形成装置，其中偶氮颜料中的Cp!和Cp2彼此不同。(8滩据(1)至(5)的任一项所述的图像形成装置，其中光电导体具有钛氧基酞菁晶体(titanylphthalocyaninecrystal)的光敏层，在使用CuKaX-射线(1.542A)的X-射线衍射光谱中，该钛氧基酞菁晶体具有至少27.2°的布拉格角(20±0.2°)的最大衍射峰，在9.4°、9.6°和24.0。具有主峰，在7.3。具有最小角衍射峰，在7.3°和9.4°的峰之间没有衍射峰，在26.3。没有衍射峰。(9)根据(1)至(8)的任一项所述的图像形成装置，其中光电导体具有位于光敏层上的保护层。(10)根据(9)所述的图像形成装置，其中保护层包括无机颜料和电阻率为l(TQ.cm或以上的金属氧化物中的至少一种。(11)根据(9)所述的图像形成装置，其中保护层是通过至少硬化无电荷输送结构的、三官能或以上的自由基可聚合的单体与具有电荷输送结构的单官能自由基可聚合化合物而形成的。(12)根据(1)至(11)的任一项所述的图像形成装置，提供了可从图像形成装置主体上可拆卸安装的印刷墨盒(processcartridge),其中，该印刷墨盒包括光电导体和一个或多个选自充电单元、写入单元、显影单元、转印单元、清洁单元和电荷消除单元的单元，光电导体和所述一个或多个单元被集成在一个单元中。(13)图像处理方法，包括充电步骤，用以对光电导体充电至期望的电势；写入歩骤，用以通过在1,200dpi或以上的分辨率下曝光光电导体的表面而形成静电潜像；墨粉图像形成歩骤，用以通过利用墨粉显影所述静电潜像而形成墨粉图像，所述墨粉图像形成步骤具有多个显影设备，所述显影设备被放置为面对光电导体并且容纳有多种针对各颜色的发色显影剂；转印步骤，用以将在所述光电导体上形成的墨粉图像转印到转印材料上；和定影步骤，用以将所述转印的墨粉图像定影在所述转印材料上，其中光电导体上的任意一点从面向写入单元的位置移动到面向显影单元的位置所用的时间小于50ms而大于光电导体的渡越时间。(14)图像处理方法，包括使光电导体多次充电至期望的电势；写入图像，通过在1，200dpi或以上的分辨率下曝光光电导体的表面，在光电导体上形成多个静电潜像；通过利用墨粉显影所述静电潜像，形成墨粉图像；将所述光电导体上的墨粉图像转印到转印材料上；将所述转印的墨粉图像定影在所述转印材料上，其中光电导体上的任意点从面向多个写入单元的各个位置移动到面向相应的多个显影单元的各个位置所用的时间小于50ms而大于光电导体的渡越时间。(15)根据(13)和(14)的任一项所述的图像形成方法，其中使用了多光束曝光系统，在该多光束曝光系统中，写入单元被配置为通过利用多个光束同时曝光多个曝光区域而形成静电潜像。(16)根据(15)所述的图像形成方法，其中所述多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成。和(17)根据(16)所述的图像形成方法，其中在多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成，并且面发射激光器以二维方式布置。通过下面详细及具体的解释显然的是，本发明能够提供一种小型图像形成装置以及使用该图像形成装置的图像形成方法，所述图像形成装置能够解决相关技术中的多种问题，且在高速下形成高质量图像；同样，本发明能够提供一种即使反复使用时耐久性高，且能够进行具有很少异常图像的稳定图像输出的图像形成装置，以及使用该图像形成装置的图像形成方法，因此具有非常优异的效果。本发明人已经研制出在图像形成过程中的限速方法，其允许获得小型、高速性能(50张/分钟或以上)和高分辨率(l，200dpi或以上)。其结果是，一些事实被揭露。在维持光电导体的小直径的同时，为了实现高速性能，有必要增加该光电导体的线速度，但是所需的线速度根据所设定的印刷速度和纸间距而变。当目标印刷说明书第14/126页速度恒定时，纸间距越小，光电导体线速度可以被设定的越小；然而，纸间距具有下限，因此光电导体线速度随其下限自然设定。光电导体的线速度对排列在该光电导体附近的图像形成元件(部件)的能力和大小具有影响。如在早期的解释中，如果充电部件具有充电能力的余地，例如，可以使充电部件变小，从而在光电导体附近产生规划(排列)的空间。其结果是，在充电步骤之前和之后的步骤中，例如，可以以在图像形成过程中有利的方向上变换电荷消除部件和写入部件的排列。例如，如果光电导体电势衰变的余地由于电荷消除是小的，则通过该光电导体减小的尺寸来增大电荷消除-充电空间(thechargeelimination-chargingspace)是可能的。可选地，如果光电导体电势衰变的余地在写入之后是小的，则写入-显影空间可以被增大，例如可以通过将写入光源放置在充电部件旁边来增大。通过重复如上所述的这种模拟，寻求一个步骤，在该步骤中，光电导体性能是限速因素，在图像形成中，该限速因素很大程度上不同于常规装置的限速因素。其方法很大不同于常规图像形成装置的关键在于，借助写入光，曝光与显影之间所花时间(在下文中称为曝光-到-显影时间长度)在很大程度上被縮短。具体而言，在现有的图像形成装置中，曝光-到-显影时间长度至少为70ms左右。然而，根据我们的模拟，在进一步推进了该条件(withfollow-throughontheconditions),已经发现，曝光-到-显影时间长度可以达到如此情形可以在50ms以下。同时，迄今为止光电导体还没有被用于这样的短曝光-到-显影时间长度中；因此，本发明人决定评价表面电势光衰变的时间响应，以便得到与此一致的光电导体的性能。关于评价电子照相光电导体的表面电势光衰变的时间响应的方法，通常按照飞行时间(TimeofFlight(TOF))方法来评价电荷传输材料或由该电荷传输材料与粘合剂树脂形成的树脂膜，例如，如在日本专利申请特开(JP-A)第10-115944号和日本专利申请特开(JP-A)第2001-312077号中所见。在设计光电导体的组成配制中，这是一种有用的方法。然而，要指出一个差异关于处于装置中所用的光电导体的电荷转移的条件，膜中的电场强度在使光电导体表面曝光之后会时刻改变；关于借助TOF方法测定的光电导体的电荷转移的条件，电场强度是不变的。同样，对于层状类型光电导体而言，由于曝光而产生的处于电荷产生层中的电荷发生以及从电荷产生层向电荷传输层的注入行为对电荷转移的影响，按照TOF方法没有反映在测量值中。同样，作为直接评价光电导体的时间响应的方法，己经提出了一种方法，例如，如在日本专利申请特开(JP-A)第2000-305289号中所见，在该方法中，利用高速表面静电计，在高速下记录脉冲光照射之后光电导体的表面电势变化，并测量达到预定电势所耗用的响应时间。该方法通常被称为"飞行静电印刷时间(XerographicTimeofFlight(XTOF))方法"。该方法作为除去TOF方法中缺点的评价方法是有用的。然而，按照该方法，测量中所用的光源经常不同于在电子照相装置中所用的曝光单元，因此该方法具有这样一个方面，即其并非是直接测量方法。与上述方法相比，通过使用在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中所述的光电导体性能评价方法和评价装置，有可能设定光电导体的曝光部位(用写入光照射的部分)到达显影单元所用的预定时间(在下文中，为简单起见，称为曝光-到-显影时间长度(Ted))，以及掌握曝光部分电势(曝光部分的表面电势)与从LD输出的光电导体的曝光量(能量)的关系(光衰变曲线)。图2中描绘了上述测量结果的一个例子。根据图2，从表面电势对曝光能量的曲线判断，存在一个随着曝光能量的增加电势衰变变得更大(表面电势降低)的光强度区域，以及表面电势不降低的光强度区域。取这两个光强度区域之间的边界为边界点(渡越点(transitpoint))，使用比该边界点小的光强度进行下面的测量。如在图3中所示，在描述在日本专利申请特开(JP-A)第2000-275872号中的装置中，当曝光-到-显影时间长度改变时，测量曝光部分电势的变化。随后，如在图4中所示，绘制曝光部分电势与曝光-到-显影时间长度的关系，这使得能够发现一个弯曲点。在该弯曲点处的曝光-到-显影时间长度在本发明中被定义为"渡越时间"。根据上述，可以精确地掌握曝光-到-显影时间长度、曝光部分电势与渡越时间之间的关系，即电子照相光电导体的表面电势光衰变的时间响应。要注意，渡越时间取决于用白光照射之前的表面电势和光电导体膜厚度(换句话说，其取决于施加于光电导体的电场强度)。因此，当测量渡越时间时，使用具有与实际中所用的光电导体相同的组成和膜厚度的光电导体，使得用白光照射之前的光电导体表面电势与使用该光电导体的图像形成装置的未曝光部分表面电势相同；因此必须进行评价。注意，当解释光电导体时，将详细地解释控制光电导体的渡越时间的方法；在此，本发明人己经对一种典型类型的带负电层状光电导体的渡越时间进行了分析，在该层状光电导体中，中间层、电荷产生层和电荷传输层被提供在承载体上。其结果是，在电荷产生层中产生的光载体的转移性能反映在渡越时间上，但是因此发现，电荷传输层中的空穴转移性能(holetransportproperty)通常反映在渡越时间上。因此，据发现，为了极大地控制渡越时间，考虑如何设计电荷传输层是合理的。本文所提到的曝光-显影时间长度被定义为当光电导体上的任意点从面对写入单元的位置移动到面对显影单元的位置所需的时间。更具体而言，如在图1中所示，其为这样的时间在该期间，光电导体上的一个任意点从面对写入部件的位置(A)移动到面对显影部件的位置(B),同时该光电导体以图中的点线箭头方向旋转。在此，位置(A)是写入光(束)的中心，并且是从写入光源朝向光电导体中心施加的写入光的中心与光电导体表面相交处的点。可以说，位置(B)是显影缝隙的中心，并且当棒状显影套筒被用在该图中时，位置B可以是显影套筒与光电导体表面彼此变得最为接近的位置。因此，曝光-到-显影时间长度是通过用位置(A)与位置(B)之间圆周(弧)的长度(mm)，除以光电导体线速度(mm/sec)，而计算的时间长度(sec)。按照上述方法，通过使光电导体的渡越时间与精确计算的曝光-到-显影时间长度之间的关系变清楚，完成了本发明。当就光电导体一方而言考虑这些条件下的使用状态时，光电导体的光衰变必须在曝光-到-显影时间长度内完成。关于此处所提到的光衰变的完成，当短期内施加写入光时，如同光电导体已经充电之后激光的情况中，光电导体的表面电势随时间流逝逐渐衰减。在这种情况下，电势减小量(速度)很大，直到时间达到某点，但是在该时间点之后电势速度变得非常小。该阶段的表面电势保持在相当小的值，并且即使允许比这更多的时间时，也几乎不产生电势衰变。可能认为该时间是光电导体中所产生的大部分光载体穿过光敏层时的时间(渡越时间)。据推断，该时间是取决于光电导体的载流子产生和载流子输送时间的性质，但是在双鼓型全色图像形成装置中应用的情况下，迄今为止还没有明确过程条件与满足该渡越时间的光电导体之间的关系。当写入单元的性能不能跟上处理速度时，光照射光电导体的量减少，这造成在负片-正片显影中的图像密度降低的问题，并且这将导致双鼓型全色机中的彩色平衡减小。基于该原因，通过降低写入分辨率解决该问题。同样，当光电导体的渡越时间大于曝光-显影时间长度时，光电导体的曝光部位到达显影部位，同时光敏层内产生的光载体仍旧处于被输送中。因此，(i)因为光电导体表面电势没有充分降低，因此不可能充分获得显影电势，这造成在负片-正片显影中的图像密度降低的问题；(ii)即使得到显影电势，当曝光部位通过显影部位时，表面电势仍旧继续降低，并且墨粉被显影在负片-正片显影中的曝光部分处(静电执行墨粉的附着)；因此，曝光部分与墨粉之间的粘合力降低，转印时点或粉尘的分辨率上的增加易于发生；(iii)进一步，当光电导体旋转一次经过图像形成元件，然后进入下面步骤时，在下次充电时稍后在内部产生的载流子使得前面的图像曝光部分的电势稍微降低。因此，中间色调电势上存在差异，这使得异常图像如残像出现在单色机中，在生成很多中间色调图像的全色机的情况下，使得彩色再现性降低。本发明基于本发明人的知识，解决问题的方法如下。(1)图像形成装置，包括彩色图像形成单元，具有第一光电导体、具有l,200dpi或以上的分辨率的第一写入单元、和多个彩色显影设备，其中，在第一转印部分处，形成于所述第一光电导体上的彩色墨粉图像通过利用所述多个彩色显影单元而被转印到记录材料上；黑色图像形成单元，具有第二光电导体、具有1,200dpi或以上的分辨率的第二写入单元、和黑色显影设备，其中，在第二转印部分处，形成于所述第二光电导体上的黑色墨粉图像通过利用所述黑色显影单元而被转印到记录材料上；和定影元件，用以将所述转印到记录材料上的彩色墨粉图像和黑色墨粉图像定影，其中所述第一和第二光电导体上的任意点从面向写入单元的位置运动到面向显影单元的位置所用的时间小于50ms而大于第一和第二光电导体的渡越时间。(2)图像形成装置，包括第一墨粉图像形成单元，其具有第一光电导体、1,200dpi或以上的分辨率的第一写入单元和第一组的多个显影单元；第二墨粉图像形成单元，其具有第二光电导体、1,200dpi或以上的分辨率的第二写入单元和第二组的多个显影单元；转印单元，用以将在所述第一和第二光电导体上形成的墨粉图像转印到转印介质上的转印部分处；和定影元件，用以将所述转印的墨粉图像定影在记录材料上，其中对于所述第一和第二光电导体上的任意点，在从面向多个写入单元的位置移动到面向显影单元的位置中，所用的时间小于50ms，而且，分别而言，大于所述第一光电导体和第二光电导体的渡越时间。(3)根据(1)或(2)的图像形成装置，其中使用了多光束曝光系统，在该多光束曝光系统中，由于第一和/或第二写入单元利用多个光束，所以同时曝光多个曝光区域。(4)根据(3)所述的图像形成装置，其中所述多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成。(5)根据(4)所述的图像形成装置，其中在多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成，并且面发射激光器以二维方式布置。(6)根据(1)到(5)中的任意一项所述的图像形成装置，其中光电导体的光敏层含有由下面的结构式(l)表示的偶氮颜料，O(在该结构式中，Cp!和Cp2都表示偶合剂残基R加和R2Q2各表示氢原子、卤素原子、烷基、垸氧基或者氰基，R2(H和R202可以相同或不同，这是无关紧要的；CPl和Cp2由下面的结构式(2)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>结构式(2)在该结构式中，R203表示氢原子、烷基或者芳基；R204、R205、R206、R207和R208中的每一个表示氢原子、硝基、氰基、卤素原子、卤代烷基、垸基、烷氧基、二烷基氨基或羟基；并且，Z表示形成可以具有取代基的碳环芳基，或者可以具有取代基的杂环芳基所需的原子基团。(7)根据(6)所述的图像形成装置，其中偶氮颜料中的CPl和Cp2彼此不同。(8)根据(1)至(5)的任一项所述的图像形成装置，其中光电导体具有含钛氧基酞菁晶体(titanylphthalocyaninecrystal)的光敏层，在使用CuKa特征X-射线(1.542A)的X-射线衍射光谱中，该钛氧基酞菁晶体，在布拉格角(26±0.2°)时，具有至少在27.2。处的最大强度的衍射峰，在9.4°、9.6。和24.0。具有主峰，在7.3°处具有最小角衍射峰，在7.3°和9.4。的峰之间没有衍射峰，在26.3。没有衍射峰。(9)根据(1)至(8)的任一项所述的图像形成装置，其中光电导体具有位于光敏层上的保护层。(10)根据(9)所述的图像形成装置，其中保护层包括无机颜料和电阻率为101(^.咖或以上的金属氧化物中的至少一种。(U)根据(9)所述的图像形成装置，其中保护层是通过至少硬化无电荷输送结构的、三官能或以上的自由基可聚合的单体与具有电荷输送结构的单官能自由基可聚合化合物而形成的。(12)根据(1)至(11)的任一项所述的图像形成装置，其中，光电导体和一个或多个单元集成，所述一个或多个单元选自充电单元、写入单元、显影单元、转印单元、清洁单元和电荷消除单元，以及安装有可从装置主体上拆卸的印刷墨盒。(13)图像处理方法，包括具有第一光电导体的彩色图像形成步骤，1，200dpi或以上的分辨率的第一写入步骤，多个彩色显影步骤，以及中间转印步骤，其中在第一转印步骤中，经过中间转印步骤，将形成于所述第一光电导体上的彩色墨粉图像转印到记录材料上；具有第二光电导体的黑色墨粉图像形成步骤，1,200dpi或以上的分辨率的第二写入步骤，和黑色显影步骤，其中在第二转印步骤中，通过黑色显影步骤，将形成于所述第二光电导体上的黑色墨粉图像转印到记录材料上；以及，定影步骤，其将所述转印的彩色墨粉图像和黑色墨粉图像定影在记录材料上；其中所述第一和第二光电导体上的任意点从面向写入步骤的位置运动到面向显影步骤的位置所用的时间小于50ms而大于所述第一和第二光电导体的渡越时间。(14)图像处理方法，包括，至少具有第一光电导体的第一墨粉图像形成步骤，在1,200dpi或以上的分辨率下的第一写入步骤，和第一组的多个显影步骤；包括第二光电导体的第二墨粉图像形成步骤，在1,200dpi或以上的分辨率下的第二写入步骤，和第二组的多个显影步骤；转印步骤，其——在一个转印步骤中，转印形成于所述第一和第二光电导体上的墨粉图像到转印介质上；和定影步骤，其将转印的墨粉图像定影在记录材料上；其中第一和第二光电导体上的任意点从面向写入步骤的位置移动到面向的显影步骤的位置所用的时间小于50ms而大于第一和第二光电导体的各自的渡越时间。(15)根据(13)和(14)的任一项所述的图像形成方法，其中使用了多光束曝光系统，在该多光束曝光系统中，由于第一和/或第二写入步骤使用多个光束，同时曝光多个曝光区域。(16)根据(15)所述的图像形成方法，其中所述多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成。(17)根据(16)所述的图像形成方法，其中在多光束曝光系统中所用的光源由三个或三个以上的面发射激光器阵列组成，并且面发射激光器以二维方式布置。根据本发明，有可能提供一种小型图像形成装置以及使用该图像形成装置的图像形成方法，所述图像形成装置能够解决相关技术中的多种问题，且在高速下形成高质量图像。同样，可能提供一种即使反复使用时耐久性高、且能够进行具有很少异常图像的稳定图像输出的图像形成装置，以及使用该图像形成装置的图像形成方法。附图简述图1是解释图像形成装置中曝光-到-显影时间长度的图。[100]图2是显示光电导体的光衰变性能的实例图。[101]图3是显示评价光衰变性能方法的概念图。[102]图4是显示计算渡越时间的方法的图。[103]图5是显示本发明中所用的电子照相光电导体的层结构的图。[104]图6是显示本发明中所用的电子照相光电导体的另一种层结构的图。[105]图7是显示本发明中所用的电子照相光电导体的又一种层结构的图。[106]图8仍旧是显示本发明中所用的电子照相光电导体的又一种层结构的图。[107]图9是用于解释本发明中单鼓系统电子照相方法和图像形成装置的示意图。[108]图10是用于解释本发明的单鼓系统全色图像形成装置的示意图。[109]图11是显示合成实施例A-l中合成的钛氧基酞菁的XD光谱图。[110]图12是显示水糊(湿饼)之干燥粉末的XD光谱图。[111]图13是实施例A-7和A-17中所用的测试图。[112]图14是显示本发明的光电导体性能评价装置的图。[113]图15是显示渡越时间的具体实例的图。[114]图16是用于解释本发明的双鼓系统电子照相方法和图像形成装置的示意图。[115]图17是用于解释本发明的双鼓系统电子照相方法和图像形成装置的示意图。[116]图18显示合成实施例B-l中合成的钛氧基酞菁的XD光谱图。图19显示水糊(湿饼)之干燥粉末的XD光谱图。[118]图20是实施例B-1、B-7、B-12、B-17和B-22所用的测试图。发明详述(图像形成装置和图像形成方法)[119]本发明的图像形成装置包括静电潜像承载部件(可能称为光电导体)、充电单元、写入单元、显影单元、转印单元和定影单元，其中静电潜像承载部件上的任意一点从面对所述写入单元的位置运动到面对所述显影单元的位置所用的时间(称为曝光-到-显影时间长度)小于50ms并且大于所述光电导体的渡越时间；进一步，该图像形成装置包括根据需要而适当选择的其它单元，如清洁单元、电荷消除单元、显影剂再循环单元和控制单元。[120]本发明的图像形成方法包括充电步骤、写入步骤、显影步骤、转印步骤和定影步骤，其中静电潜像承载部件上的任意点从面对写入单元的位置移动到面对显影单元的位置所用的时间(称为曝光-到-显影时间长度)小于50ms并且大于光电导体的渡越时间；进一步，该图像形成方法包括根据需要性而适当选择的其它步骤，如清洁步骤、电荷消除步骤、循环步骤和控制步骤。[121]本发明的图像形成方法可以通过本发明的图像形成装置而适当实施；通过充电单元可以进行充电步骤，通过写入单元可以进行写入步骤，通过显影单元可以进行显影步骤，通过转印单元可以进行转印步骤，通过电荷消除单元可以进行电荷消除步骤，通过定影单元可以进行定影步骤，以及通过其它单元可以进行其它步骤。-静电潜像的形成-[122]可以形成静电潜像，例如通过均匀充电静电潜像承载部件的表面，然后通过静电潜像形成单元，成影像地曝光该静电潜像承载部件。[123]例如，静电潜像形成单元至少包括充电器——其均匀地充电静电潜像承载部件的表面，和曝光器——其成影像地曝光静电潜像承载部件的表面。-充电单元-[124]充电器不受特别限定，可以根据目的选择。其例子包括本领域中已知的接触充电器，其备有导体/半导体辊、刷子、膜、橡胶叶片及类似物；非接触充电器，其利用电晕放电，如电晕充电装置(corotrcm)或电晕充电装置(scorotron);和辊形靠近放置的充电器(包括封闭型非接触充电器，其中在光电导体表面与充电器之间存在lOO(am或更小的间隙，例如，如在日本专利申请特开(JP-A)第2002-148904号或日本专利申请特开(JP-A)第2002-148905号中所述)。[125]本发明的光电导体，通常通过充电单元，被充电至-300V至-150V的范围，优选地，充至-500V至-l,OOOV的范围。这即是在本方法方法中将光电导体充电至期望的电势。期望地，通过充电器施加到静电潜像承载部件的电场强度在20至60V/nm范围内，更期望在30至50V&m的范围内。施加到光电导体的电场强度越高，点再现性越好；然而，当电场强度太高时，可能会出现光电导体击穿、显影时载流子附着(carrierattachment)及类似情况；这些都成问题。注意电场强度由下面的等式(A)表示。电场强度(V/nm"SV/G...(A)应当注意，在等式(A)中，SV表示在显影位置中静电潜像承载部件的未曝光部分处的表面电势。G表示至少包括光敏层的光敏层膜厚度Oim)(电荷产生层和电荷传输层)。—写入单元-写入，例如，可以通过利用曝光器，通过成影像地曝光静电潜像承载部件的表面来实施。对于曝光器，使用分辨率为1,200dpi或更大的光源，并且可以根据目的选择合适的光源；其例子包括复印光学系统、棒透镜阵列系统、激光光学系统和液晶快门光学系统。另外，在本发明中，可以使用后曝光系统(back-exposuresystem),其中曝光是从静电潜像承载部件的后表面一侧成影像进行的。作为光源，使用能够保持高照明度的光源，如发光二极管(light-emittingdiodes(LEDs))、激光二极管(laserdiodes(LDs))或电发(electroluminescences(ELs))。在这些光源中，期望的是，一个是利用多个激光束进行多光束曝光的，一个是被用作多光束光源的光源是由三个或三个以上面发射激光器构成的，一个是面发射激光器是以二维方式构造的；LD以阵列形式布置的多通道激光二极管阵列(LDA)描述在日本专利(JP-B)第3227226号中，发射点可以以二维方式布置的面发射激光器描述在日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中，它们对实施高密度写入是非常有利的。所用光源(写入光)的分辨率决定了待形成的静电潜像的分辨率，进一歩，决定了待形成的墨粉图像的分辨率，并且随分辨率增加可以获得更清晰的图像。然而，当在高分辨率下进行写入时，由此在写入上花费的时间越多因此，当仅有一个写入光源时，写入变成鼓线速度(印刷速度)上的限速因素。因此，当仅有一个写入光源时，2，400dpi左右的分辨率是最大值。当存在多个光源时，"2,400dpix写入光源的数目"实际上是最大值，原因在于写入区可以被所述写入光源光源共享。在这些写入光源中，有利地使用发光二极管和激光二极管，原因在于它们具有高辐照能。在本发明中，尽管取决于起初的电荷电势，当光电导体在曝光之后移动到显影部位时的表面电势通常在-OV至-200V范围内，优选在在-OV至-100V范围内，更优选在-OV至-50V范围内。-显影单兀—通过利用墨粉显影静电潜像以及如此形成墨粉图像(可见图像)，可以实施显影。对于墨粉，使用极性与光电导体电荷极性相同的墨粉，并且静电潜像是通过逆转显影(负片-正片显影)而被显影。有两种显影方法图像是仅利用墨粉而被显影的单组分方法，以及使用了由墨粉和载体构成的双组分显影剂的双组分方法。[134]同样，多个彩色墨粉图像被顺序叠加在光电导体上，使用接触显影单元可能扰乱先前所显影的墨粉图像。因此，当形成多个彩色墨粉图像时，期望利用可允许跳跃式显影(jumpingdeveloping)的非接触显影单元。[135]关于本发明所使用的图像形成方法，存在一个必要条件位于光电导体表面上的点经过写入单元与显影单元之间所用的时间(曝光-到-显影时间长度)为50ms或更少。-转印单元-[136]转印单元是用于将可见图像转移至转印材料(记录介质，如纸；在下文中可能称为"转印纸")的单元，其可以分为直接将可见图像从导体表面转印至记录介质的方法，和使用中间转印部件，首先将可见图像转印到中间转印部件上，然后二次将该可见图像转印到记录介质上的方法。转印单元可以有利地用在这两个方面中，但是在实现高图像质量时存在大的负面效果时，转印次数更小的前种(直接转印)方法更有利。[137]转印例如可以通过以如下的方式转印可见图像来实施，使得静电潜像承载部件(光电导体)利用转印充电器充电，其可以通过转印单元来进行。转印单元不受特别限定，并且可以根据目的从本领域中那些已知的适当地选择；其优选的例子包括同时也能够输送记录介质的转印输送带。[138]期望地，每一转印单元(第一和第二转印单元)至少具有转印充电器，其朝着记录介质一侧剥离并充电在静电潜像承载部件上形成的可见图像。关于转印单元，无论存在一个、两个或两个以上，都是没关系的。转印充电器的例子包括借助电晕放电的电晕转印设备、转印带、转印辊、压力转印辊和粘合剂转印设备。注意，对于记录介质，可以从常规记录介质(记录纸)中选择，无特别限定。[139]对于转印充电器而言，可能使用转印带或转印辊，在此种情况下，期望使用产生较少臭氧的接触型转印带、转印辊等。注意，尽管在转印时恒压系统和恒电流系统适用电压/电流施加系统，然而更期望恒电流系统，其能够保持转印电荷量恒定，并且稳定性优良。对于转印部件，可以使用任何常规转印部件，只要其能够满足本发明的结构。[140]每次成像循环的光电导体通过电荷量，很大程度上，根据转印之后的光电导体表面电势(进入电荷消除部分中时的表面电势)而变化。该值越大，当反复使用时，对光电导体的静电疲劳(electrostaticfatigue)的影响越大。[141]该通过电荷量等于在光电导体的膜厚度方向流动的电荷量。作为光电导体的图像形成装置中的操作，该装置通过主充电器被充电(在大多数情况下充负电)至期望的电荷电势，光写入基于对应于原稿的输入信号被实施。在这种情况下，在已经进行写入的部分处产生光载体，从而中和表面电荷(电势衰变)。此时，取决于光载体生成的电荷量在光电导体膜厚度方向流动。同时，在经过显影步骤和转印步骤之后，没有进行光写入的区域(未写入部分)转移至电荷消除歩骤(如果必要，在电荷消除步骤之前进行清洁歩骤)。在此，当光电导体的表面电势接近通过主要充电而产生的电势(除暗衰变元件之外)时，与已经进行光写入的区域处的电荷量近似相同的电荷量将要在光电导体膜厚度方向流动。典型地，因为目前原稿的写入百分比低，因此在该系统中，当重复使用时，在电荷消除步骤中流动的电流占据了大部分的光电导体通过电荷量(假定写入百分比为10%，在电荷消除步骤中流动的电流占总量的90%)。[142]该通过电荷对光电导体静电性能具有很大的影响，例如引起形成光电导体材料的退化。其结果是，取决于通过电荷量，特别是使得光电导体的剩余电势增加。如果光电导体的剩余电势增加，则在本发明所用的负片-正片显影中图像密度降低，因此是一个大问题。因此，为了实现图像形成装置中光电导体的长寿命(高耐久性)，在解决如何降低光电导体的通过电荷量上存在一个难题。[143]与上述比较，排除光消除过程被认为是合理的；然而，除非主充电器的充电器能力很大，否则充电不可能是稳定的，因此可能导致具有残像的问题。当光辐照根据相对于光电导体表面的充电(由此产生的电场)的电势而进行时，产生了光电导体的通过电荷，因此已经产生的光载体发生移动。因此，如果光电导体表面电势可以通过除光之外的方法被衰减，则有可能降低每光电导体旋转(成像循环)的通过电荷量。[144]为实现上述，通过调整转印步骤中的转印偏压(transferbias)来调整光电导体通过电荷量是有效的。具体而言，通过主充电进行充电、并且其中未进行写入的未写入部分进入转印步骤，其电势接近其充电时的电势，暗衰变量除外。在这种情况下，通过主充电设备将极性面上的绝对值降低至ioov或更小，当未写入部分在转印步骤之后进入电荷消除步骤时，几乎不产生光载体，以及不产生通过电荷。期望该值尽可能接近OV。[145]进一步，在调整转印偏压的情况下，通过施加转印偏压，以使光电导体充电，使其光电导体表面电势具有与通过主充电而产生的电荷极性相反的极性，光载体将不会产生，这使得该想法甚至是更期望的。然而，在光电导体被充电至相反极性的转印条件下，在一些情况下，可能产生大量转印灰尘，或者下一次成像过程(循环)的主充电可能被延迟。在那种情况下，因为可能引起诸如残像这样的故障，因此期望的是相反极性的绝对值为100V或更小。[146]控制的加入，使得显著且有用地利用本发明中的效果是可能的。-定影单元-[147]在定影中，转印到记录介质上的可见图像利用定影设备来定影，每次当每种彩色墨粉被转印到记录介质上时，图像则可以针对每种彩色墨粉被定影，或者在图像叠加到记录介质上的同时，每种彩色墨粉的图像可被定影。定影设备不受特别限定，并且可以根据目的适当选择，但是适当地使用加热/加压单元。加热/加压单元的例子，包括加热辊和加压辊的组合，以及加热辊、加压辊和环形带的组合。典型地，期望加热/加压单元中的加热发生在80'C至20(TC的温度范围内。应当注意，在本发明中，根据目的，例如，可以使用本领域中的光定影设备，用以结合定影步骤中的定影单元一起使用，或者代替定影步骤中的定影单元。-其它-电荷消除单元不受特别限定，并且可以从本领域已知的除电器中适当选择。其例子包括激光二极管(LDs)、发光二极管(LEDs)和电发光(ELs)。另外，可以使用荧光灯、钨灯、卤素灯、汞蒸汽灯、钠蒸汽灯、氙灯等以及特定光学滤波器或类似物。也可以使用滤波器，如锐截止(sharp-cut)滤波器、带通滤波器、近红外切割滤波器(near-infraredcutfilter)、分色滤波器、干涉滤波器以及色温转换滤波片。清洁单元不受特别限定，并且可以从本领域已知的清洁单元中适当选择，只要其能除去保留在静电潜像承载部件上的静电墨粉；其例子包括磁刷清洁器、静电刷清洁器、磁辊清洁器、叶片清洁器、毛刷清洁器和网状清洁器(webcleaners)。再循环单元用于再循环和输送由清洁单元去除的静电彩色墨粉到显影单元；以常规输送单元为例。控制单元用于控制上述步骤，并且这可以通过控制单元适当地进行。控制单元不受特别限定，并且可以下本领域中已知的控制单元中适当地选择，只要其能够控制所述单元的运动；其例子包括如定序器或计算机。在此，本发明图像形成装置的一个方面将参考图9进行解释。图9用于解释本发明图像形成装置的示意图，后面示出的修改的实施例也在本发明的范围内。示于该图中的图像形成装置配备有形成全色图像的全色图像形成单元，其包括鼓形图像承载部件(在下文中称为"图像承载部件")。注意，在下文中的"彩色(color)"表示除黑色之外的颜色，"全色(full-color)表示包括黑色的颜色。与此一致，"彩色墨粉(colortoner)"表示除黑色之外的墨粉。在进行全色成像的图像承载部件(l)的附近，充电器(2)、曝光器(3)、显影单元(全色显影单元)(4)、中间转印承载部件(5)、第一转印辊(IO)、第二转印辊(6)、清洁设备(8)、中间转印承载部件清洁设备(9)及类似设备，相对于图像承载部件(l)的旋转方向(箭头(R1)的方向)，大致以该次序布置。在图9中，图像承载部件(l)至少包括位于载体上的光敏层，其特征在于其渡越时间小于所用图像形成装置的曝光-到-显影时间长度。尽管图像承载部件(l)像鼓一样成形，其也可以以片或环形带成形。同样，存在这样的必要条件图像承载部件表面从面向曝光器(3)的位置移动到面向显影单元(4)的位置所用的时间为50ms或更少。线型充电器、辊式充电器或类似物用于充电器(2)。当需要高速充电时，充电缝隙可以保持为宽的，有利地使用电晕充电器(scorotroncharger),然而在试图实现小型化和后面所述的图像形成装置中，有效地使用产生更少酸性气体(NOx、Sox等)或臭氧的辊式充电器。通过该充电器为图像承载部件充电；施加在光电导体上的电场强度越高，可以得到的点再现性更优选；因此，期望施加20V&m或更大的电场强度。然而，鉴于引起图像承载部件击穿以及显影时载流子附着的可能性一一这些是成问题的，最大值通常为60V/iam或以下，更期望为50V/nm或以下。能够保持高照明度的光源，如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)或电发光(EL)，用于曝光器(3)。光源(写入光)的分辨率决定待形成的静电潜像的分辨率，进一步，决定待形成的墨粉图像的分辨率，并且当分辨率增加时，可以得到更清晰的图像。然而，当在高分辨率下进行写入时，由此在写入上花费的时间越多；因此，当仅有一个写入光源时，写入变成鼓线速度(工艺速度)上的限速因素。因此，当仅有一个写入光源时，1,200dpi左右的分辨率是最大值。当存在多个写入光源时，"l，200dpix写入光源的数目"实际上是最大值，原因在于写入区可以被所述写入光源共享。在这些光源中，有利地使用发光二极管和激光二极管，原因在于它们具有高辐照能。面发射激光器具有很多发射点，因此使得它能够增加同时写入的点的数目，因此特别地，面发射激光器在利用高密度写入的装置中非常有利，如在本发明中。显影单元(4)，其是一个显影单元，具有四个显影套筒(developingsleeves)。显影单元(4)由旋转体(40)和安装在其上的四个全色显影设备(4Y)、(4M)、(4C)和(4K)组成，旋转体(40)以箭头(R2)的方向旋转。关于显影单元(4)，即用于颜色的显影设备，是在显影形成于图像承载部件(l)上的静电潜像中被使用，将会通过旋转体(40)以箭头(R2)方向的旋转，而被置于与图像承载部件(l)表面相对的显影位置上。当显影偏压通过显影偏压施加电源(图中未显示)被施加至显影设备(4Y)、(4M)、(4C)和(4K)时，在图像承载部件(l)上形成的黄色、洋红、青色和黑色各颜色的静电潜像被供给每一颜色的墨粉，并作为每一颜色的墨粉图像而被显影。在显影单元(4)中，使用具有与光电导体电荷极性的极性相同的墨粉，并且静电潜像借助逆转显影(负片-正片显影)而被显影。数字光源被通常用于图像面积比低的图像，并且考虑逆转显影系统中光源的寿命是有利的，在该系统中写入部分是利用墨粉显影的。有两种方法，即单组分方法——图像是仅利用墨粉而被显影的，以及双组分方法一一其中使用了由墨粉和载体构成的双组分显影剂；显影单元(4)可以有利地用在该两种情况中。例如，当使用两组分显影剂时，黄色(4Y)显影设备包括无磁性黄色墨粉和磁性载体。洋红(4M)显影设备包括无磁性洋红墨粉和磁性载体。青色(4C)显影设备包括无磁性青色墨粉和磁性载体。黑色(4K)显影设备包括无磁性黑色墨粉和磁性载体。通过被转移到转印纸，在图像承载部件上形成的墨粉图像变成位于转印纸上的图像；在这种情况下，存在两种方法。一种是将在图像承载部件表面上显影的墨粉图像直接转印到转印纸上的方法，另一种是将墨粉图像从图像承载部件临时转印到中间转印部件上，然后将其转印到转印纸上的方法。两种情况都适用本发明。在此，所述中间转印承载部件临时承载所显影的各颜色的墨粉图像，并且通过将这些墨粉图像转印到转印承载部件上，形成多种颜色被顺序叠加的图像。对于转印承载部件，可能使用转印带或转印辊，但是期望使用产生较少臭氧的接触型转印带、转印辊等。中间转印承载部件(5)被设置在多个辊上，按箭头(R3)的方向被旋转驱动。第一转印辊(10)被提供在中间转印承载部件(5)的内部，其对着图像承载部件(1)的表面挤压中间转印承载部件(5)。第一转印偏压从第一转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至第一转印辊(IO)，因此，位于图像承载部件(l)上的各颜色的墨粉图像，被转印到中间转印承载部件(5)上并顺序叠加。第二转印辊(6)用于将中间转印承载部件(5)上的全色墨粉图像转移到转印材料(ll)上，如纸上，并按箭头(R4)的方向旋转。转印材料(11)被贮存在进纸盒(12)中，并通过进纸输送单元(图中未显示)，在预定的定时下，被提供给位于中间转印承载部件(5)与第二转印辊(6)之间的第一转印部分(转印间隙部分)(13)。在这种情况下，第二转印偏压从第二转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至第二转印辊(6)，因此，位于中间图像承载部件(5)上的四种颜色的全色墨粉图像接着被同时转印到转印材料(ll)上。当墨粉图像从图像承载部件被直接转印至转印材料，而不需要使用中间转印部件时，例如如上所述的中间转印部件，则在图像承载部件上形成多种颜色的墨粉图像，并且所述墨粉图像同时被转印到转印材料。注意，尽管恒压系统和恒电流系统在转印时适用于电压/电流施加系统，然而能够保持转印电荷量不变且稳定性优良的恒电流系统是更期望的。特别适当的是控制到达图像承载部件的电流值的方法，该方法是通过从向转印部件供应电荷的电源部件(高压电源)已经输出的电流中，扣除流经与转印部件关联的部分且不流入图像承载部件中的电流而实施的。转印电流是一个基于所需电荷量的电流，该所需电荷量是用于剥离静电附着至光电导体的墨粉、并将其移动到转印接收部件(转印纸、中间转印部件或类似物)所需给定的电荷量。为了避免转印缺陷，如转印残留，建议增加转印电流；然而，当使用负片-正片显影时，提供了极性与图像承载部件电荷极性相反的充电，因此图像承载部件静电疲劳将是显著的。大的转印电流是有利的，原因在于有可能产生比光电导体与墨粉之间的静电吸附更大的电荷量；然而当电流值大于某一阈值时，转印部件与图像承载部件之间出现放电现象，结果是，连续显影的墨粉图像被打乱。因此，最大值处于这样的范围，其可以防止此种放电现象产生。该阈值取决于转印部件与图像承载部件之间的间隙(距离)、取决于形成它们的材料以及取决于类似因素而变化；当电流值约为200pA或更小时，可能避免放电现象。因此，转印电流的最大值为200pA左右。常规的转印部件可以用于转印部件，只要其可以满足本发明的结构。同样，如上所述，通过控制转印电流来减小转印之后图像承载部件的表面电势(未用写入光曝光的部分)，使得有可能降低每次成像循环的图像承载部件通过电荷量，这在本发明中是有效的。当图像承载部件(1)上的全色墨粉图像被转移至中间转印承载部件(5)或转印材料(11)时，清洁设备(8)去除没有被转移至中间转印承载部件(5)或转印材料(11)上、而保留在图像承载部件(l)上的墨粉(剩余墨粉)。当墨粉保留在图像承载部件(I)上时，通过毛刷或叶片将其从图像承载部件(l)上去除。有时仅用清洁刷进行清洁。对于清洁刷而言，可以使用以毛刷或磁性毛刷为代表的常规清洁刷。当中间转印承载部件(5)上的墨粉图像被转移至转印材料(11)时，中间转印承载部件清洁设备(9)去除没有被转移至转印材料(11)上、而保留在中间转印承载部件(5)上的墨粉(剩余墨粉)。四种颜色的全色墨粉图像，因此，已经被转印至转印材料(ll)上，转印材料(11)通过转印输送带(7)被输送至定影设备(14)，在那里转印材料(ll)被加热和加压，四种颜色的全色墨粉图像被定影在其表面上。因此，四种颜色的全色图像在转印材料(ll)上得以形成。尽管图中未显示，用于电荷消除灯或类似物的光源可以适当地从常规除电器中选择，只要其可以去除保留在图像承载部件(l)上的电荷；其例子包括激光二极管(laserdiode(LD))和电发光(electroluminescence(EL))。可选地，可以使用荧光灯、钩灯、卤素灯、汞蒸汽灯、钠蒸汽灯、氙灯等以及特定光学滤波器(滤光器(opticalfilter))的组合或类似物。滤波器如锐截止滤波器、带通滤波器、近红外切割滤波器(near-infraredcutfilter)、分色滤波器、干涉滤波器以及色温转换滤波片，可适用于该光学滤波器。接下来，图IO是用于解释本发明的另外一个全色图像形成装置的示意图，下面描述的修改实施例也在本发明的范围内。在图10中，附图标记(15)是带状光电导体，其至少包括位于在载体上的光敏层，并且其特征在于，其渡越时间小于所用的图像形成装置的曝光-到-显影时间长度。同样，存在这样的一个必要条件，即光电导体表面，在从面向曝光器(16Y)、(16M)、(16C)和(16K)的位置分别移动到面向显影单元(17Y)、(17M)、(17C)和(17K)的位置中，所用的时间为50ms或更少。在图10中，该光电导体(15)能够按箭头(R5)的方向旋转，在其附近，至少充电器(18Y)、(18M)、(18C)禾卩(18K)，具有一个显影套筒的显影单元(17Y)、(17M)、(17C)和(17K)，清洁部件(19)，和电荷消除单元(20),以旋转的次序被布置。充电器(18Y)、(18M)、(18C)和(18K)是构成给光电导体表面均匀充电的一个充电单元中的充电器。当来自于位于充电器(18Y)、(18M)、(18C)禾卩(18K)与显影单元(17Y)、(17M)、(17C)和(17K)之间的曝光器(16Y)、(16M)、(16C)和(16K)的激光被施加在光电导体表面侧时，则在光电导体(15)上形成静电潜像。四个图像形成元件(21Y)、(21M)、(21C)和(21K),与位于它们中央的光电导体(15)，沿着中间转印承载部件(22)布置，中间转印承载部件(22)是转印材料输送单元。中间转印承载部件(22)设置在多个辊上，按箭头(R6)的方向被旋转驱动。第一转印辊(23)被提供在中间转印承载部件(22)的内部上，其对着图像承载部件(15)的表面，挤压中间转印承载部件(22)。第一转印偏压从第一转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至第一转印辊(23)，因此，位于图像承载部件(15)上的各颜色的墨粉图像被转印到中间转印承载部件(22)上，并顺序叠加。第二转印辊(24)用于将中间转印承载部件(22)上的全色墨粉图像转移到转印材料(25)上，如纸上，并按箭头(R7)的方向输送转印材料(25)。转印材料(25)被贮存在进纸盒(26)中，并通过进纸输送单元(图中未显示)，在预定的定时下，被提供给位于中间转印承载部件(22)与第二转印辊(24)之间的第一转印部分(转印缝隙部分)(27)。在这种情况下，来自第二转印偏压施加电源(图中未显示)第二转印偏压，被施加至第二转印辊(24)上，因此，位于中间图像承载部件(22)上的四种颜色的全色墨粉图像，接着被一次转印到转印材料(25)上。同样地，在图像承载部件上形成的墨粉图像，通过被转移到转印纸，变成位于转印纸上的图像；以及如上述使用中间转印部件的方法，存在一种直接将墨粉图像转印至转印材料而不需要使用中间转印部件的方法。两种情况都适用本发明。在图IO所示的全色图像形成装置中，如下进行图像形成操作。首先，在图像形成元件(21Y)、(21M)、(21C)和(21K)处，静电潜像形成于光电导体(15)上。当光电导体(15)旋转时，光电导体通过充电器(18Y)、(18M)、(18C)和(18K)充电。在这种情况下，为形成高分辨率潜像，进行充电，使得光电导体的电场强度为20V&m或以上(60V/pm或以下，优选为50V/^im或以下)。接下来，通过来自曝光部件(16Y)、(16M)、(16C)和(16K)的激光，在1，200dpi或以上(优选为2,400dpi或以上)的分辨率下，进行写入，其中曝光部件^Y)、(16M)、(16C)和(16K)安置在光电导体的外面；对应于待产生的各种颜色的图像的静电潜像得以形成。作为写入光源，使用适合任意光电导体的光源，如前面所述。同样，在这种情况下，关于写入的分辨率，2,400dpi是每个写入光源的近似最大值。[187]接下来，当潜像通过显影单元(17Y)、(17M)、(17C)和(17K)被显影时，墨粉图像得以形成。显影单元(17Y)、(17M)、(17C)和(17K)是用Y(黄色)、M(洋红)、C(青色)和K(黑色)的墨粉进行显影的显影单元，并且在光电导体(15)上产生的各颜色的墨粉图像被相继叠加在中间转印承载部件(22)上。[188]通过进纸辊(图中未显示)从盘输送转印材料(25)，然后通过一对阻力辊(resistrollers)(图中未显示)使其停止一次，并在对应于中间转印承载部件(22)上的图像形成的计时下，随后送至转印输送带(27)。当输送保持在转印输送带(27)上的转印纸(25)时，各颜色的墨粉图像在位置(转印位置)(26)处被转印，在该位置，转印纸(25)与中间转印承载部件(22)相接触。[189]光电导体上的墨粉图像借助电场被转印到转印材料(25)上，该电场是根据施加在第二转印辊(24)的转印偏压与中间转印承载部件(22)之间的电势差产生的。将记录材料(25)——其已经经过转印部分，且四种颜色的墨粉图像已经被相继叠加在其上——输送至定影设备(28)，在那里定影墨粉，然后送至在图中未显示的出纸部分。[190]同样，通过清洁器(19)，收集没有被第一转印辊(23)转移、而保留在光电导体(15)上的残留墨粉。[191]随后，通过电荷消除部件(20)将光电导体上的不必要的剩余电荷除去。之后，再次通过充电器进行均匀充电，形成下一个图像。[192]应当注意，尽管图像形成元件以颜色Y(黄色)、M(洋红)、C(青色)和K(黑色)的次序布置，如从朝向图IO的实施例中的第一转印辊的除电器所见，然而，这些颜色的次序可以被任意设置，不限于上述次序。同样，当仅仅产生黑色原稿时，提供终止除黑色((25Y)、(25M)和(25C))之外的图像形成元件的机构，在本发明中是特别有效的。[193]同样，如前面较早所述，期望的是转印之后，光电导体被充电至100V或以下，处于与主除电器的充电极性相同的极性下；甚至更期望以与之相反的极性被充电，更期望被充电至100V或以下，处于与其相反的极性下。这使得当重复使用时，降低光电导体的残留电势是有可能的。[194]上述图像形成单元，可以以固定的方式，安装在复印机、传真机或打印机中；并且，也可以作为处理盒，安装在这些装置中。处理盒是容纳有光电导体，并且也包括静电潜像形成单元、显影单元、转印单元、清洁单元、电荷消除单元及类似单元的装置(组件)。[195]下面参考附图，解释本发明中的实施方式。实施方式[196]在图16中，本发明图像形成装置的一个实例，作为实施方式B-1示出。图16中的图像形成装置是根据电子照相系统的全色图像形成装置(四种颜色的)，该图是示意显示其示意结构的纵向截面图。图像形成装置的例子包括打印机、复印机和传真机。[197]该图中的图像形成装置，配备有可形成彩色图像(除黑色之外的颜色的图像)的彩色图像形成单元，以及可形成黑色图像的黑色图像形成单元，分别包括鼓形电子照相光电导体(在下文中称为"光电导体")(301)和(310)。在这些光电导体中，光电导体(301)(第一光电导体)用于形成彩色图像，而光电导体(310)(第二光电导体)用于形成黑色图像。注意，下文中的"彩色(color)"表示除黑色之外的颜色，而"全色(full-color)"表示包括黑色的颜色。与此一致，"彩色墨粉(colortoner)"表示除黑色之外颜色的墨粉。[198]在用于彩色图像形成的光电导体(301)附近，充电器(302)、曝光器(303)、显影单元(彩色显影单元)(304)、中间转印承载部件(305a)、转印辊(转印设备)(305b)、第二转印辊(306)、清洁设备(307a)、中间转印承载部件清洁设备(307b)及类似设备，相对于光电导体(301)的旋转方向(箭头(R1)的方向)，大致以该次序布置。[199]在图16中，光电导体(301)至少包括位于载体上的光敏层，其特征在于其渡越时间小于所用图像形成装置的曝光-到-显影时间长度。尽管光电导体(301)像鼓一样成形，其也可以是如片或环形带那样的形状成形。同样，存在这样的必要条件光电导体表面，从面向曝光器(303)的位置运动到面向显影单元(304)的位置，所用的时间为50ms或更少。[200]线系统充电器、辊形充电器或类似物用于充电器(302)。当需要高速充电时，充电缝隙可以保持为宽的，有利地使用电晕充电装置系统的充电器，然而在试图实现小型化和在后面所述的图像形成装置中，有效地使用产生更少量酸性气体(NOx、Sox等)或臭氧的辊形充电器。通过该充电器为光电导体充电；施加在光电导体上的电场强度越高，点再现性越好；因此，期望施加20V/iam或更大的电场强度。然而，鉴于引起光电导体击穿以及显影时载流子附着的可能性——这些都成问题，最大值通常为60V/卩un或以下，更期望为50V/iam或以下。[201]能够保持高照明度的光源，如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)或电发光(EL)，用于曝光器(303)。光源(写入光)的分辨率决定待形成的静电潜像的分辨率，进一步，决定待形成的墨粉图像的分辨率，并且当分辨率增加时，可以得到更清晰的图像。然而，当在高分辨率下进行写入时，由此在写入上花费的时间越多；因此，当仅有一个写入光源时，写入变成鼓线速度(处理速度)上的限速因素。因此，当仅有一个写入光源时，1，200dpi左右的分辨率是最大值。当存在多个写入光源时，"1，200dpix写入光源的数目"实际上是最大值，原因在于写入区可以被所述写入光源共享。在这些光源中，有利地使用发光二极管和激光二极管，原因在于它们具有高辐照能。面发射激光器具有很多发射点，因此使得增加同时写入的点的数目成为可能，因此，面发射激光器在利用高密度写入的装置中是特别有利的，如在本发明中。[202]显影单元(304)，其是一个显影单元，具有三个显影套筒。显影单元(304)由旋转体(304a)和安装在其上的三个彩色显影设备(304Y)、(304M)和(304C)组成，旋转体(304a)以箭头(R4)的方向旋转。[203]关于显影单元(304)，即在显影形成于光电导体(301)上的静电潜像中所用的颜色的显影设备，是通过旋转体(304a)以箭头(R4)方向的旋转，而被放置在与光电导体(301)表面相对的显影位置上。当显影偏压通过显影偏压施加电源(图中未显示)被施加至显影设备(304Y)、(304M)和(304C)上时，在光电导体(301)上形成的黄色、洋红和青色各颜色的静电潜像被供给每一种颜色的墨粉，并作为每一种颜色的墨粉图像而被显影。[204]在显影单元(304)中，使用与光电导体电荷极性具有相同极性的墨粉，并且静电潜像借助逆转显影(负片-正片显影)而被显影。在现今数字光源的情况中，尽管图像面积比根据曝光器中所用的光源而变化，但是图像面积比通常是低的；响应起来，如果逆转显影系统——在该逆转显影系统中墨粉显影是在被写入部分上实施的，考虑光源的寿命或类似情况，则是有利的。有两种方法，即单组分系统，其中显影仅通过墨粉来实施，以及双组分系统，其中使用了由墨粉和载体构成的双组分显影剂；显影单元(304)可以有利地用在该两种情况中。例如，当使用两组分显影剂时，黄色显影设备(304Y)包括无磁性黄色墨粉和磁性载体。洋红显影设备(304M)包括无磁性洋红墨粉和磁性载体。青色显影设备(304C)包括无磁性青色墨粉和磁性载体。同时，关于上述提到的用于黑色的显影单元(313)，黑色显影设备(313K)包括无磁性黑色墨粉和磁性载体。[205]通过被转移到转印纸，在光电导体上形成的墨粉图像变成位于转印纸上的图像；在这种情况下，存在两种方法。一种是将在光电导体表面上显影的墨粉图像直接转印到转印纸上的方法，另一种是将墨粉图像从光电导体临时转印到中间转印部件上，然后将其转印到转印纸上的方法。两种情况都适用本发明。在此，所述中间转印部件临时承载所显影的各颜色的墨粉图像，并且通过将这些墨粉图像转印到转印部件上，形成多种颜色被顺序叠加的图像。对于转印承载部件，可能使用转印带或转印辊，但是期望使用产生较少臭氧的接触型转印带、转印辊等。中间转印承载部件(305a)按箭头(R5)的方向被旋转驱动，其被设置在多个辊上。第一转印辊(305b)被提供在中间转印部件(305a)的内部，其对着光电导体(301)的表面挤压中间转印部件(305a)。从第一转印偏压施加电源(图中未显示)，施加第一转印偏压至第一转印辊(305b)，因此，位于光电导体(301)上的各颜色的墨粉图像被转印到中间转印部件(305a)上并顺序叠加。[206第二转印辊(306)用于将中间转印部件(305a)上的彩色墨粉图像转移到转印材料(P),如纸上，并按箭头(R6)的方向旋转。转印材料(P)被贮存在进纸盒(330)中，并通过进纸输送单元(图中未显示)，在预定的定时下提供给位于中间转印部件(305a)与第二转印辊(306)之间的第一转印部分(转印缝隙部分)(Nl)。在这种情况下，第二转印偏压从第二转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至第二转印辊(306)，因此，位于中间转印部件(305a)上的三种颜色的彩色墨粉图像接着被一次性转印到转印材料(P)上。[207]当墨粉图像从光电导体被直接转印至转印材料，而不需要使用中间转印部件时——比如如上所述的中间转印部件，在光电导体上形成多种颜色的墨粉图像，并且所述墨粉图像同时被转印到转印材料上。[208]注意，尽管在转印时恒压系统和恒电流系统适用于电压/电流施加系统，然而能够保持转印电荷量不变且稳定性优良的恒电流系统是更期望的。特别合适的是控制到达光电导体的电流值的方法，该方法是通过从向转印部件供应电荷的电源部件(高压电源)业已输出的电流中，扣除流经与转印部件关联的部分、且不流入光电导体中的电流而实施的。[209]转印电流是基于用于剥离静电附着至光电导体的墨粉、并将其移动到转印接收部件(转印纸、中间转印部件或类似物)所需电荷量的电流。为了避免转印缺陷，如转印残留，建议增加转印电流；然而，当使用负片-正片显影时，提供了极性与光电导体电荷极性相反的充电，因此光电导体的静电疲劳将是显著的。大的转印电流是有利的，原因在于有可能产生比光电导体与墨粉之间的静电吸附大的电荷量；然而，当电流值大于某一阈值时，转印部件与光电导体之间发生放电现象，结果是，连续显影的墨粉图像被打乱。因此，最大值处于这样的范围，其可以防止此种放电现象产生。该阈值取决于转印部件与光电导体之间的间隙(距离)、取决于形成它们的材料以及取决于类似因素而变化。常规的转印部件可以用于所述转印部件，只要其可以满足本发明的结构。[210]同样，如前面所述，通过控制转印电流来减小转印之后光电导体的表面电势(未用写入光曝光的部分)，使得有可能降低每次成像循环的光电导体通过电荷量，这在本发明中是有效的。[211]当光电导体(301)上的彩色墨粉图像被转移至中间转印部件(305a)或记录材料(P)时，清洁设备(307a)去除没有被转移至中间转印部件(305a)或记录材料(P)、而保留在光电导体(301)上的彩色墨粉(剩余墨粉)。当墨粉保留在光电导体(301)上时，通过毛刷或叶片将其从光电导体(301)上去除。有时仅用清洁刷进行清洁，可以使用主要以毛刷或磁性毛刷为代表的常规清洁刷可用作清洁刷。[212]当中间转印部件(305a)上的彩色墨粉图像被转移到记录材料(P)上时，中间转印部件清洁设备(307b)去除没有被转移到记录材料(P)、而保留在中间转印部件(305a)上的彩色墨粉(剩余墨粉)。[213]在用于黑色图像形成的光电导体(310)附近，充电器(311)、曝光器(312)、显影单元(黑色显影单元)(313)、转印辊(转印设备)(314)、清洁设备(315)及类似设备，相对于光电导体(310)的旋转方向(箭头R10的方向)，大致以该次序布置。[214]充电器(311)将光电导体(310)表面均匀充电至预定的极性和电势。按照图像形成，在光电导体(310)已经被充电之后，通过用激光辐照光电导体(310)表面，曝光器(312)形成黑色的静电潜像。通过将黑色墨粉附着至静电潜像，显影单元(313)显影静电潜像，为黑色墨粉图像。转印辊(314)接触光电导体(310)表面，形成位于该转印辊本身与光电导体(310)之间的第二转印缝隙部分(N2)，并在箭头(R14)方向上旋转。在该第二转印部分(N2)中，光电导体(310)上的黑色墨粉图像通过转印辊(314)被转印至记录材料(P)，黄色、洋红和青色的彩色墨粉图像在第一转印部分(N1)中已经被转印至其表面。[215]因此四种颜色的全色墨粉图像已经被转印至记录材料(P)，记录材料(P)被输送至定影设备(320)，在那里记录材料(P)被加热和加压，四种颜色的全色墨粉图像被定影在其表面上。因此，四种颜色的全色图像在转印材料(P)上得以形成。同时，未被转印到记录材料(P)上、而保留在光电导体(310)上的黑色墨粉(剩余墨粉)，通过清洁设备(315)去除。[216]尽管图中未显示，用于电荷消除灯或类似物的光源可以适当地从常规除电器中选择，只要其可以去除保留在光电导体(301)和(310)上的电荷；其例子包括激光二极管(LD)和电发光(EL)。可选地，可以使用荧光灯、钨灯、卤素灯、汞蒸汽灯、钠蒸汽灯、氙灯等以及特定光学滤光器的组合或类似物。滤光片，如锐截止滤光片、带通滤光片、近红外切割滤光片、分色滤光片、干涉滤光片以及色温转换滤光片，可用于光学滤光器。[217]接下来，本发明的图像形成装置的另一个例子，作为实施方式2，示于图17中。该图中的图像形成装置，配备有分别具有光电导体(50)和(60)的两个图像形成单元(S1)和(S2)。[218]该图中的图像形成装置，被提供有形成黑色和黄色的墨粉图像的图像形成区(第一图像形成区)，和形成洋红和青色的墨粉图像的图像形成区(第二图像形成区)。在第一图像形成区中，黄色墨粉被称为伴随黑色墨粉的彩色墨粉，然而并非总是这种情况，洋红或青色的彩色墨粉可以用于代替黄色墨粉。对于供应给第二图像形成区的彩色墨粉，除供应给第一图像形成区的彩色墨粉之外的任何墨粉是可接受的，并且没有特别限定。[219]在光电导体(50)附近，充电器(51)、曝光器(52)、显影设备(53)、转印设备(54)、清洁设备(55)、中间转印部件清洁设备(56)及类似设备，相对于光电导体(50)的旋转方向(箭头R50的方向)，大致以该次序布置。[220]显影设备(53)，其是一个显影单元，具有两个显影套筒。显影单元(53)由旋转体(53a)和安装在其上的两个彩色显影设备(53Y)和(53K)组成，旋转体(53a)以箭头(R53)的方向旋转。[221]关于显影设备(53)，即在显影形成于光电导体(50)上的静电潜像中所用的彩色显影设备，将通过旋转体(53a)在箭头(R53)方向的旋转，而被放置在与光电导体(50)表面相对的显影位置上。当显影偏压通过显影偏压施加电源(图中未显示)被施加至显影设备(53Y)和(53K)时，在光电导体(50)上形成的黄色和黑色颜色的静电潜像被供给各颜色的墨粉，并作为各颜色的墨粉图像而被显影。[222]同时，在用于图像形成的光电导体(60)附近，充电器(61)、曝光器(62)、显影单元(63)、转印设备(64)、清洁设备(65)及类似设备相对于光电导体(60)的旋转方向(箭头R60的方向)大致以该次序布置。[223]按照图像形成，在光电导体(60)已经被充电之后，通过用激光辐照光电导体(60)表面，曝光器(62)形成洋红和青色的静电潜像。关于显影单元(63)，即在显影形成于光电导体(60)上的静电潜像中所用的彩色显影设备，将通过旋转体(63a)在箭头(R4)方向的旋转，而被放置在与光电导体(60)表面相对的显影位置上。当显影偏压通过显影偏压施加电源(图中未显示)被施加至显影设备(63M)和(63C)时，在光电导体(60)上形成的洋红和青色颜色的静电潜像被供给各颜色的墨粉，并作为各颜色的墨粉图像而显影。[224]在转移设备(64)中，在光电导体(60)上形成的洋红和青色的墨粉图像被转印至中间转印部件(66)，黑色和黄色的墨粉图像已经在转移设备(54)中被转印至其表面上。通过被转移到转印纸，在光电导体上形成的墨粉图像变成位于转印纸上的图像；在这种情况下，存在两种方法。一种是将在光电导体表面上显影的墨粉图像直接转印到转印纸上的方法，另一种是将墨粉图像从光电导体临时转印到中间转印部件上，然后将其转印到转印纸上的方法。两种情况都适用本发明。[225]在此，中间转印部件临时承载各显影的彩色图像，并且通过将这些墨粉图像转印到转印纸上，形成多种颜色被顺序叠加的图像。对于转印承载部件，可能使用转印带或转印辊，但是期望使用产生较少臭氧的接触型转印带、转印辊等。中间转印部件(66)按图中箭头的方向被旋转驱动，其被设置在多个辊上。进行电晕放电的电晕转印设备(54)和(64),被安置在中间转印部件(66)的内部上。第一转印偏压从第一转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至电晕转印设备(54)和(64)，因此，位于光电导体(50)和(60)上的各颜色的墨粉图像被转印到中间转印部件(66)上并顺序叠加。[226]第二转印偏压从第二转印偏压施加电源(图中未显示)被施加至第二转印辊(70)，因此，位于中间转印部件(66)上的全色墨粉图像，接着被一次性转印到记录材料(P)上。[227]当墨粉图像从光电导体被直接转印至记录材料，而不需要使用中间转印部件时，例如如上所述的中间转印部件，则在光电导体上形成多个彩色墨粉图像，并且所述墨粉图像被一次性转印到转印材料上。[228]四种颜色的全色墨粉图像因此已经被转印至记录材料(P)上，记录材料(P)被输送至定影设备(80)，在那里记录材料(P)被加热和加压，四种颜色的全色墨粉图像被定影在其表面上。同时，未被转印到记录材料(P)上、而保留在中间转印部件(66)上的黑色墨粉(剩余墨粉)通过清洁设备(56)去除。[229]上述图像形成单元，可以以固定的方式，安装在复印机、传真机或打印机中，并且也可以作为印刷墨盒的形式组合在这些装置中。印刷墨盒是容纳有光电导体，并且也包括静电潜像形成单元、显影单元、转印单元、清洁单元、电荷消除单元及类似单元的设备(组件)。-静电潜像承载部件-[230]静电潜像承载部件，优选表现小于图像形成装置中所用的曝光-到-显影时间长度的渡越时间；期望的是，静电潜像承载部件具有位于载体上的光敏层，该光敏层是由电荷产生层和电荷传输层以多层结构形成；静电潜像承载部件可以适当地选自本领域中已知的静电潜像承载部件，只要其不阻止足够量光载体的产生或妨碍空穴的运动。[231]接下来，将参考附图详细解释用在本发明中的电子照相光电导体。[232]图5是显示用在本发明中的电子照相光电导体的结构实例的截面图，其中电荷产生层(35)与电荷传输层(37)以多层结构形成在承载体(31)上，电荷产生层(35)主要含有有机生电荷材料作为生电荷材料，电荷传输层(37)主要含有电荷传输材料。[233]图6是显示用在本发明中的电子照相光电导体的另一结构实例的截面图，其中中间层(39)、电荷产生层(35)和电荷传输层(37)以多层结构形成在承载体(31)上，电荷产生层(35)主要含有有机生电荷材料作为生电荷材料，电荷传输层(37)主要含有电荷传输材料。[234]图7是显示用在本发明中的电子照相光电导体的又一结构实例的截面图，其中中间层(39)、电荷产生层(35)和电荷传输层(37)以多层结构形成在承载体(31)上，电荷产生层(35)主要含有有机生电荷材料作为生电荷材料，电荷传输层(37)主要含有电荷传输材料，并且进一步，保护层(41)被提供在电荷传输层上(光敏层)。[235]图8仍是显示用在本发明中的电子照相光电导体的又一结构实例的截面图，其中中间层(39)是由电荷阻挡层(43)和防波纹层(moirepreventionlayer)(45)构成的，电荷产生层(35)和电荷传输层(37)以结合的方式放在所述中间层上，电荷产生层(35)主要包括至少有机生电荷材料作为生电荷材料，电荷传输层(37)主要包括电荷传输材料。[236]对于导电承载体(31)，可以使用的是显示体积电阻率为101Q"cm或以下的电导率的导电载体；例如通过利用气相沉积或溅射，用金属如铝、镍、铬、镍铬合金(nichrome)、铜、金、银或钼，或者金属氧化物如氧化锡或氧化铟，涂敷膜状或圆柱片的塑料或纸而形成的承载体；所述承载体可以是铝、铝合金、镍、不锈钢等的板，或者可以使用通过挤压或者拉延将板形成管，以及通过切割、细致整理和抛光进行表面处理。同样，环形镍带或环形不锈钢带可以用作导体承载体。[237]承载体可以通过将导电细粒分散在合适的粘结剂树脂中、并涂布到承载体材料上来制备。导电粉末的例子包括炭黑，乙炔黑，铝、镍、铁、镍铬合金(nichrome)、铜、锌、银等的金属，或者导电氧化锡和ITO的金属氧化物粉末。与导电粉末一起使用的粘结剂树脂的例子包括热塑性树脂、热固性树脂或可光致固化树脂，如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏1,1-二氯乙烯、聚丙烯酸酯树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯、乙酸纤维素树脂、乙基纤维素树脂、聚乙烯醇縮丁醛树脂、聚乙烯醇縮甲醛树脂、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯咔唑、丙烯酸类树脂、有机硅树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂或醇酸树脂。此类导电层可以通过将导电粉末和粘结剂树脂分散在特定溶剂如四氢呋喃、二氯甲垸、丁酮或甲苯中，然后施用它们来提供。[238]进一步，通过在具有热收縮内管的合适的圆柱形基底上形成导电层制备的承载体，同样可以有利地用作本发明中的导电承载体，所述热收縮内管由合适的材料如聚氯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚偏1,1-二氯乙烯、聚乙烯、氯化橡胶或特氟隆(注册商标)制成。[239]在这些中，可能最有利的是，使用能够易于经历阳极氧化物涂布处理的铝质圆筒状承载体。本文所提到的铝包括纯铝和铝合金。具体而言，根据JIS的第1000号至第1999号、第3000号至第3999号以及第6000号至第6999号的铝和铝合金，是最合适的。阳极氧化物涂布膜，是通过使各种金属和合金在电解质溶液中经历阳极化处理而产生的；在这些阳极氧化物涂布膜中，被称为耐酸铝(alumite)的涂布膜是最适合本发明中所用的光电导体，该涂布膜是通过使铝或铝合金在电解质溶液中经历阳极化处理而生成的。特别地，耐酸铝，对防止当用在逆转显影(负片-正片显影)中时所引起的点缺陷(黑点和背景污渍点)是出色的。[240]阳极化处理在铬酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸、氨基磺酸等的酸浴中进行。在这些酸中，通过硫酸盐浴的处理是最合适的。作为一个例子，处理在下列条件下进行硫酸浓度为10%至20%，浴液温度为5'C至25'C,电流密度为1A/dm2至4A/dm2，电解电压为5V至30V，处理时间为5min至60min;然而，要注意所述处理不必在这些条件下进行。因为如此生成的阳极氧化物是多孔且高度绝缘的，其表面非常不稳定。因此，在生成之后存在暂时的变化，并且阳极氧化物涂布膜的性能值易于变化。为了避免这种情况，期望对阳极氧化物涂布膜予以密封处理。对于密封处理而言，存在一些方法，包括将阳极氧化物涂布膜浸入含有氟化镍或乙酸镍的溶液中的方法，将阳极氧化物涂布膜浸入沸水中的方法，通过加压蒸汽处理阳极氧化物涂布膜的方法，以及类似方法。在这些方法中，将阳极氧化物涂布膜浸入含乙酸镍的溶液中的方法是最有利的。在密封处理之后，在阳极氧化物涂布膜上进行洗涤处理。该处理的主要目的是去除由于密封处理而附着的过量的物质，如金属盐。当诸如金属盐之类的物质过量保留在承载体(阳极氧化物涂布膜)表面上时，不仅在其上形成的涂布膜的质量将受到不利影响，而且低电阻成分通常将保留下来，因此不利地成为背景污染的起因。利用软化水进行洗涤可以仅进行一次，但是通常洗涤发生在多个步骤中。在这种情况下，期望最后的洗涤液应当尽可能是干净的(去离子的)。同样，在多歩洗涤过程的一个步骤中，期望通过接触部件进行物理洗擦。期望如此形成的阳极氧化物涂布膜的膜厚度应当在5pm至15pm及其左右的范围内。当该膜厚度远远小于上述范围时，作为阳极氧化物涂布膜，就屏障性能而言，将存在不足的效果；然而，当该膜厚度远远大于上述范围时，作为电极，其时间常数上将产生非常大的增加，因此产生残余电势以及光电导体的响应降低是有可能的。[241]鉴于图像形成装置的小型化，期望承载体应当形成为圆筒形(鼓)，其外径为40mm或更小。[242]接下来，将分析中间层(39)。一般而言，中间层主要是由树脂形成的；考虑到所述树脂用溶剂涂敷用作光敏层，期望该树脂可高度耐受通常的有机溶剂。树脂的例子包括水溶性树脂，如聚乙烯醇、酪蛋白和聚丙烯酸钠；醇溶性树脂，如共聚尼龙和甲氧基甲基化尼龙；以及用于形成三维网状的可固化树脂，如聚氨酯、蜜胺树脂、酚醛树脂、醇酸-蜜胺树脂和环氧树脂。[243]中间层含有用于降低剩余电势的金属氧化物或类似物是可能的，它们同时具有防止波纹的效应。金属氧化物的例子包括二氧化钛、二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锡和氧化铟。在这些金属氧化物中，二氧化钛和氧化锡被特别有效地使用。同样，如果必要，可以对所使用的金属氧化物予以表面处理。[244]这些中间层可以通过使用特定溶剂和特定涂布方法来形成，如在光敏层的情况中。中间层的厚度适当地应当为0lam至5pm。[245]中间层(39)具有至少两个功能，即，一个功能是防止相反极性的电荷一一当光电导体被充电时，其被诱导至电极侧——被注入光敏层中；另一个功能是防止在写入时由类似于激光的相干光引起的波纹。功能分离的中间层是用于本发明中所使用的光电导体的有效手段，其中这些功能以分离的方式分配给两层或多层。下面将解释由电荷阻挡层(43)和防波纹层(45)构成的功能分离的中间层。[246]电荷阻挡层(43)是具有防止相反极性的电荷——当光电导体被充电时，其被诱导至电极(导电承载体(31))——从承载体中被注入光敏层中的功能的层。在负电荷的情况下，其具有防止空穴注入的功能；以及在正电荷的情况下，具有阻止电子注入的功能。电荷阻挡层的例子包括以氧化铝层为例的阳极氧化物涂层；以SiO为例的无机型绝缘层；通过玻璃网状的金属氧化物形成的层；由聚磷腈形成的层；由氨基硅烷反应产物形成的层；由绝缘粘结剂树脂形成的层；以及由可固化粘结剂树脂形成的层。在这些层中，可以有利地使用由绝缘粘结剂树脂形成的层以及由可固化粘结剂树脂形成的层，它们能够按照湿涂法形成。电荷阻挡层与在其上形成的防波纹层和光敏层以多层结构，一起使用；因此，当通过湿涂法提供这些层时，重要的在于电荷阻挡层由此种材料形成或者具有此种结构，以致可以阻止涂层薄膜被用于防波纹层和光敏层的溶剂涂布所腐蚀。[247]可用的粘结剂树脂的例子包括热塑性树脂和热固性树脂，如聚酰胺、聚酯和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；例如，也可能使用热固性树脂，在该热固性树脂中，含有多个活性氢原子(-OH基团、->12基团、-NH基团等中的氢原子)的化合物和含有多个异氰酸酯和/或含有多个环氧基团的化合物进行聚合。在这种情况下，具有多个活性氢原子的化合物的例子包括含有活性氢的丙烯酸型树脂，如聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基树脂、酚醛树脂、聚酰胺、聚酯、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇或甲基丙烯酸羟乙酯。含有多个异氰酸酯基团的化合物的例子包括甲苯二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯、二苯基甲垸二异氰酸酯等，或它们的预聚物。含有多个环氧基团的化合物的例子包括双酚A型环氧树脂。具体而言，就成膜性能、环境稳定性和耐溶剂性而言，聚酰胺可以被最有利地使用。在聚酰胺中，N-甲氧基甲基化尼龙是最合适的。N-甲氧基甲基化尼龙可以通过对含有聚酰胺6作为组分的聚酰胺进行改性而获得，例如，按照T.L.Cairns(J.Am.Chem.Soc.71.P651(1949))提出的方法。通过用甲氧基甲基基团取代原始聚酰胺的酰胺键中的氢原子，生成N-甲氧基甲基化尼龙。取代率可以在很宽的范围内选择，取决于改性条件；然而，就环境稳定性而言，期望取代率在10mol。/。至85mol。/。的范围内，原因在于中间层的吸湿性在某种程度上被抑制，且N-甲氧基甲基化尼龙的醇亲和性是出色的。更期望取代率在20mol。/。至50moP/。范围内。同样，取代率为85mol。/。或以下；当酰胺取代程度(N-N-甲氧基甲基的程度)增加时，醇溶剂亲和性增加；然而因为受到主链周围的大的侧链基团的强烈影响，主链的松弛状态、主链之间的配位态或类似情况可能变化，吸湿性同样也会增加，而结晶性降低，这导致熔点减小，以及机械强度和弹性降低。更期望取代率为70mol。/。或以下。进一步，根据研究结果，作为尼龙，尼龙6是最有利的，尼龙66是其次最有利的；相反，共聚尼龙，如尼龙6/66/610不是很有利的，这与日本专利申请特开(JP—A)第9-265202号中的公开相反。[248]通过热聚合无油醇酸树脂和氨基树脂而生成的热固性树脂，同样可以用作粘结剂树脂，如丁醇改性三聚氰胺树脂，以及进一步，光致固化树脂同样可以用作粘结剂树脂，例如通过结合具有不饱和键的树脂如具有不饱和键的聚氨酯和不饱和聚酯，与光聚合引发剂如噻吨酮基化合物和甲酸甲基苄酯而生成的光致固化树脂。[249]另外，粘结剂树脂可以含有整流导电聚合物，或者具有这样的功能，即根据电荷极性，通过对树脂/化合物添加受体(供体)性能，控制从基底而来的电荷注入。[250]同样，期望电荷阻挡层的膜厚度大约在0.1pm至2.(^m左右的范围内，更期望在0.3pm至2.0nm的范围内。当电荷阻挡层变厚时，剩余电势的增加变得显著，特别是在低温和低湿度下，原因在于反复的充电和曝光；然而，当其变得很薄时，关于阻挡性能的效应减小。如果需要，则将试剂(agent)、溶剂、添加剂、硬化促进剂及硬化(交联)必需的类似物加入电荷阻挡层(43)，并且通过刮刀涂布、浸涂法、喷涂、打浆涂布(beatcoating)、喷嘴涂布方法等，按照常规的程序，在基底上形成电荷阻挡层(43)。施用之后，利用光或类似物，通过干燥、加热或硬化，干燥或硬化电荷阻挡层(43)。[251]当通过类似于激光的相干光实施写入时，防波纹层(45)具有防止光敏层内由光干涉引起的波纹图像的功能。当中间层被功能分开时，金属氧化物被包含在防波纹层中，使得该防波纹层具有在写入时产生光载体的功能。基本而言，防波纹层具有分散写入光的功能。具有大折射率的材料，对于防波纹层表现此种功能是有效的。[252]因为在具有功能分隔之中间层的光电导体中，来自承载体(31)的电荷注入被电荷阻挡层阻止，因此就防止剩余电势而言，期望至少与已充电光电导体表面上的电荷具有相同极性的电荷，能够在防波纹层中移动。因此，在带负电光电导体的情况下，例如期望防波纹层被赋予电子电导率，因此期望使用含具有电子导电率的金属氧化物的防波纹层或者导电防波纹层。可选地，导电材料(例如受体)等的应用，使得本发明的效应甚至更显著。[253]对于粘结剂树脂，可以使用与电荷阻挡层的材料类似的材料，但是鉴于光敏层(电荷产生层(35)和电荷传输层(37))形成于防波纹层上的这一事实，重要的是，粘结剂树脂的材料不被光敏层(电荷产生层和电荷传输层)的涂敷溶剂腐蚀。[254]对于粘结剂树脂，有利地使用热固性树脂。具体而言，最有利地使用醇酸树脂和三聚氰胺树脂的混合物。在这种情况下，醇酸树脂与三聚氰胺树脂之间的混合比，是决定防波纹层的结构和性能的一个重要因素。当醇酸树脂与三聚氰胺树脂之比(重量比)在5:5至8:2范围内时，可以称为是有利的混合比。如果比5:5的情况含有更多的三聚氰胺，则在热硬化时的体积收縮变得更大，易于引起涂布缺陷，并且使得光电导体的剩余电势变大，这是不利的。同时，如果比8:2的情况含有更多醇酸树脂，则光电导体的剩余电势可以被有效地降低，但是体电阻变得非常低，进一步引起背景污染，这也是不利的。[255]关于防波纹层，金属氧化物与粘结剂树脂之间的体积比决定着其重要性能。因此重要的是，金属氧化物与粘结剂树脂的体积比在1:1至3:1范围内。当金属氧化物与粘结剂树脂的体积比小于1:1时，重复使用时，不仅防波纹能力降低，而且残余电势可能显著上升。同时，当该体积处于3:1以上的范围内时，不仅粘结剂树脂的粘合可能较差，而且涂层的表面性能可能变差以及上面的光敏层的成膜性能可能受到负面影响。当光敏层以多层结构形成，以及且形成薄层如电荷产生层时，此种负面效应可能变成一个严重的问题。同样，当体积比大于3:1时，金属氧化物表面可能不能被粘结剂树脂覆盖，因此金属氧化物表面直接与电荷产生材料接触，从而使得光载体的发生率(incidence)变高，不利地影响背景污染。[256]进一步，通过在防波纹层中使用不同平均粒径的、两种类型的金属氧化物，可能改进对导电基底的阻光能力，从而防止波纹；同样，可能去除可能是异常图像起因的针孔。为了如此进行，重要的是，所使用的两种类型的金属氧化物的平均粒径之比在某一范围(0.2〈D2/D1S0.5)内。当该粒径比不在本发明规定的范围内时，换句话说，当金属氧化物(T2)的平均粒径与平均粒径较大的金属氧化物(T1)的平均粒径之比非常小(0.22D2/D1)时，金属氧化物表面上的活性增加，电子照相光电导体中的静电稳定性受到很大削弱。同样，当另一种金属氧化物(T2)的平均粒径与一种金属氧化物(T1)的平均粒径之比非常大(D2/D1>0.5)时，对导电基底的阻光能力降低，以及对波纹和异常图像的预防能力降低。本文所提到的平均粒径计算自粒度分布测量值，粒度分布测量值是在水体系中进行剧烈分散时得到的。[257]同样，粒径较小的金属氧化物(T2)的平均粒径(D2)为多大是一个重要的因素，0.05nm<D2<0.2(Hmi是重要的。当平均粒径(D2)为0.05pm或以下时，阻光能力降低，波纹可能产生。同时，当平均粒径(D2)为0.20pm或以下时，金属氧化物在防波纹层上的填充百分率被降低，因此防止背景污染的效应不能充分发挥。[258]同样，两种类型的金属氧化物之间的混合比(重量比)也是重要的因素。当T2/(T1+T2)在0.2以下时，金属氧化物的填充百分比不是很大，因此防止背景污染的效应不能充分发挥。同时，当T2/(T1+T2)为0.8以上时，阻光能力降低，可能引起波纹。因此，0.2^T2/(T1+T2)S0.8是重要的。[259]同样，防波纹层的厚度在1hhi至10pm，优选2pm至5|xm的范围内是适当的。当层厚度为lnm以下时，阻止效应的表现差，然而，当层厚度为10nm以上时，剩余电势累积，这是不期望的。[260]按照常规的程序，金属氧化物通过球磨机、砂磨机、碾磨机等与溶剂和粘结剂树脂一起分散，如果需要，加入试剂(agent)、溶剂、添加剂、硬化促进剂及硬化(交联)必需的类似物，然后通过刮刀涂布、浸涂法、喷涂、打浆涂布(beatcoating)、喷嘴涂布方法等，在基底上成形。施用之后，利用光或类似物，通过干燥、加热或硬化，使防波纹层干燥或硬化。[261]接下来，将解释光敏层。光敏层由电荷产生层(35)和电荷传输层(37)组成，电荷产生层(35)含有有机电荷产生材料作为电荷产生材料，而电荷传输层(37)包括作为主要组分的电荷传输材料。[262]电荷产生层(35)是包含作用为电荷产生材料的有机电荷产生材料作为主要组分的层。当利用球磨机、碾磨机、砂磨机、超声波等，将有机电荷产生材料连同必要的粘结剂树脂分散在特定溶剂中，并将该混合物施用在导电承载体上并干燥，形成电荷产生层(35)。[263]如果必需，电荷产生层中所用的粘结剂树脂的例子包括聚酰胺、聚氨酯、环氧树脂、聚酮、聚碳酸酯、有机硅树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯基甲酮类(polyvinylketone)、聚苯乙烯、聚砜、聚-N-乙烯咔唑、聚丙烯酰胺、聚二苄乙烯(polyvinylbenzal)、聚酯、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚苯醚、聚酰胺、聚乙烯吡啶、纤维素树脂、酪蛋白、聚乙烯醇和聚乙烯吡咯烷酮。对于按重量计100份电荷产生材料，粘结剂树脂的量为按重量计0份至按重量计500份，优选为按重量计10份至按重量计300份是合适的。[264]本文所使用的溶剂的例子包括异丙醇、丙酮、丁酮、环己酮、四氢呋喃、二氧杂环己烷、乙基溶纤剂、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二氯甲垸、二氯乙烷、一氯苯、环己垸、甲苯、二甲苯和挥发油等。涂布溶液的涂布方法的例子包括浸入法、喷涂、打浆涂布(beatcoating)、喷嘴涂布、旋转涂布(spinnercoating)和环式涂布(ringcoating)。电荷产生层的膜厚度在0.01pm至5pm范围内，优选在O.lnm至2pm的范围内是合适的。[265]对于电荷产生材料而言，可以使用有机电荷产生材料。[266]对于有机电荷产生材料，可以使用常规材料，优选为双偶氮颜料或三偶氮颜料和酞菁系列颜料。其例子包括酞菁系列颜料，如金属酞菁盐和无金属酞菁盐；azleniumsaltpigments;方酸次甲基颜料(squaricacidmethinepigments);具有昨唑骨架的偶氮颜料；具有三苯胺骨架的偶氮颜料；具有二苯胺骨架的偶氮颜料；具有二苯并噻吩骨架的偶氮颜料；具有芴酮骨架的偶氮颜料；具有恶二唑骨架的偶氮颜料；具有联芪(bisstilbene)骨架的偶氮颜料；具有联苯乙烯恶二唑骨架的偶氮颜料；具有联苯乙烯恶二唑骨架的偶氮颜料；茈系颜料(perylenepigments);蒽醌系列或多环的醌类系列颜料(polycyclicquininepigments);醌亚胺(quinonimine)系列颜料；二苯甲烷和三苯甲烷系列颜料；苯醌和萘醌系列颜料；花青和偶氮甲碱(cyanineandazomethine)系列颜料；靛青(indigoid)系列颜料；和二苯并咪唑系列颜料(bisbenzimidazolepigments)。这些电荷产生材料可以单独或作为包括两种或两种以上类型的混合物使用。[267]在这些颜料中，由下面结构式(l)表示的偶氮颜料可以有效地使用。具体而言，不对称偶氮颜料在载流子发生效率上很大，其中在一种偶氮颜料中的CPl和Cp2彼此不同，因此可以有效地用作本发明中的电荷产生材料。[268]在结构式(l)中，CPl和Cp2都表示偶合剂残基；R加和R2q2各表示氢原子、卤素原子、垸基、烷氧基或氰基，并且无论R2(H和R202彼此相同或不同都无关紧要。Cp!和Cp2由下面的结构式(2)表示。结构式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>在结构式(2)中，R203表示氢原子，烷基如甲基或乙基，或者芳基如苯基。R204、R2Q5、R2q6、r2。7和r2m各表示氢原子、硝基、氰基、卤素原子如氟、氯、溴或碘、卤代垸基如三氟甲基、烷基如甲基或乙基、烷氧基如甲氧基或乙氧基、二烷基氨基或羟基；Z表示形成取代/未取代芳香碳环，或者形成取代/未取代的芳香杂环所需的原子基团。[270]同样，钛氧基酞菁(titanylphthalocyanine)可以有效地用于本发明中的电荷产生材料。具体而言，下列钛氧基酞菁晶体在载流子发生效率上是很好的，并且可以被有效地用作本发明中的电荷产生材料在使用CuKaX-射线(1.542A)的X-射线衍射光谱中，在至少27.2°的布拉格角(29±0.2°)处具有最大衍射峰的钛氧酞菁晶体，特别是在至少27.2。处具有最大衍射峰，在9.4°、9.6。和24.0。处具有主峰，在7.3。处具有最小角衍射峰，在7.3。和9.4。处的峰之间没有衍射峰，在26.3。处没有衍射峰的钛氧基酞菁晶体。[271]关于包含在本发明的电子照相光电导体中的有机电荷产生材料，其效果可以通过尽可能减小电荷产生材料的粒度来表达；期望平均粒度为0.25pm或更小，更期望0.2pm或更小。其产生方法描述如下。控制包含在光敏层中的电荷产生材料的粒度的方法是这样一种方法在电荷产生材料被分散之后，将0.25pm以上的粗颗粒去除。[272]在此，平均粒度表示体积平均粒径，其可以通过超离心自动粒度分布测量装置CAPA-700(由Horiba,Ltd.生产)来测定。在这种情况下，平均粒度计算为相当于50%累积分布的粒径(中数直径)。然而，存在着少量存在的粗颗粒不能通过该方法察觉的可能性；因此，为了进一步详细地计算平均粒度，重要的是在电子显微镜下观察电荷产生材料粉末或其分散液，从而计算其大小。[273]接下来，将描述有机电荷产生材料被分散之后去除粗颗粒的方法。[274]上述方法是这样的方法在制备含有已经被制作得尽可能细的颗粒的分散液之后，将该分散液用特定滤器过滤。关于分散液的制备，利用通常的方法；当利用球磨机、碾磨机、砂磨机、珠磨机(beadmill)、超声波等，将有机电荷产生材料连同必要的粘结剂树脂分散在特定溶剂中时，得到分散液。在这种情况下，建议根据光电导体或类似物的静电性质选择粘结剂树脂，以及根据溶剂与颜料的湿润性、颜料的可分散性或类似性质选择溶剂。[275]该方法非常有效，原因在于甚至有可能去除肉眼看不见的(或者通过粒径测量不能察觉的)、少量保留的粗颗粒，且也在于可牢固地控制粒度分布。具体而言，将以此种方式制备的分散液用有效孔径为5pm或更小、更优选为3pm或更小的滤器过滤，从而得到分散液。同样根据该方法，可能制备仅包括粒度小(0.25pm或更小，优选为0.2pm或更小)的有机电荷产生材料的分散液，通过在图像形成装置中安装利用该分散液的光电导体，使得本发明的效果甚至更显著。[276]在这种情况下，当经过过滤的分散液的粒度非常大时，或者粒度分布非常宽时，可能由过滤引起的损失变大，或者过滤可能不能进行，原因在于产生阻塞。因此，在过滤之前的分散液中，期望继续分散直到平均粒度达到0.3(am或更小，以及其标准偏差达到0.2pm或更小。当平均粒度为0.3pm或更大时，由过滤引起的损失变大，而当标准偏差为0.2pm或更大时，可能存在过滤时间可能大量延长的问题。[277]关于在本发明中所用的电荷产生材料，分子间氢键非常强，这是显示高灵敏度性能的电荷产生材料的一个特征。因此，所分散的颜料颗粒中的颗粒之间的相互作用也非常强。结果是，存在着一个很大的可能性通过分散设备或类似物分散的电荷产生材料颗粒，由于稀释或类似原因，将再次絮凝；通过用滤器进行过滤，该滤器的尺寸小于如上述分散之后的粒度，可能去除此类絮凝产物。在这种情况下，因为分散液处于触变态，所以即使大小小于所用滤器有效孔径的颗粒也被去除。可选地，通过过滤，将具有结构粘度的液体变为状态接近牛顿特性是可能的。因此，通过去除电荷产生材料粗颗粒，本发明的效果得到显著的改进。[278]过滤分散液的滤器根据待去除的粗颗粒的大小而变化；根据本发明人的研究，对于在电子照相装置中所用的需要600dpi左右的分辨率的光电导体，大小为3pm或更大的粗颗粒的存在至少对图像具有影响。因此应当使用有效孔径为5pm或更小的滤器。更期望使用有效孔径为3pm或更小的滤器。当该有效孔径变小时，对粗颗粒的去除将有更大的影响，但是如果该有效粒径非常小，必要的颜料颗粒本身将被过滤掉，因此必须是适当的尺寸。此外，如果其太小，将导致以下问题过滤花费大量时间，滤器被阻塞，以及当使用泵或类似物输送液体时将输出巨大的载荷等。在此，自不待言，对欲被过滤的分散液中所用的溶剂具有耐受性的材料，用于滤器。[279]当电荷传输材料和粘结剂树脂溶解或分散在特定溶剂中，然后该混合物被施用于电荷产生层上并干燥，可以形成电荷传输层(37)，这是一种包含电荷传输材料作为主要组分的层。[280]电荷传输材料可以被分为空穴传输材料和电子传输材料。空穴传输材料的例子包括聚-N-乙烯咔唑及其衍生物、聚卞咔唑基乙基谷氨酸(poly-Y-carbazolylethylglutamate)及其衍生物、芘-甲醛縮合物(pyrene-formaldehydecondensates)及其衍生物、聚乙烯基芘(polyvinylpyrene)、聚乙烯基菲(polyvinylphenanthrene)、聚硅烷(polysilane)、唑衍生物(oxazoledirivatives)、"恶二哇(oxadiazole)衍生物、咪唑衍生物、单芳基胺(monoarylamine)衍生物、二芳基胺(diarylamine)衍生物、三芳基胺(triarylamine)衍生物、赏(stilbene)衍生物、a-苯基芪(a-phenylstilbene)衍生物、联苯胺(benzidine)衍生物、二芳基甲烷(diarylmethane)衍生物、三芳基甲烷(triarylmethane)衍生物、9-苯乙烯基蒽(9-styrylanthracene)衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、二乙烯基苯(divinylbenzene)衍生物、腙(hydrazone)衍生物、茚(indene)衍生物、丁二烯衍生物、芘(pyrene)衍生物、联芪(bisstilbene)衍生物、烯胺(enamine)衍生物和其它常规材料。这些电荷传输材料的每一种可以单独使用，或两种或以上结合使用。[281]电子传输材料的例子包括受电子材料，如氯醌(chloranil)、溴醌(bromanil)、四氰乙烯(tetracyanoethylene)、四氰喹啉二甲烷(tetracyanoquinodimethane)、2，4，7-四硝基-9-荷酮、2,4,5，7-四硝基-9-药酮、2,4,5,7-四硝基P占吨酮(2,4，5,7-tetranitroxanthone)、2,4,8-四硝基噻吨酮、2，6，8-三硝基-4H-茚并[l，2-b]噻吩-4-酮、1,3,7-三硝基二苯并噻吩-5,5-二氧化物，和苯醌(benzoquinone)衍生物。[282]粘结剂树脂的例子包括热塑性树脂和热固性树脂，如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏l,l-二氯乙烯、聚丙烯酸酯、苯乙基树脂、聚碳酸酯、乙酸纤维素树脂、乙基纤维素树脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯咔唑、丙烯酸类树脂、有机硅树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。[283]对于按重量计100份粘结剂树脂，电荷传输材料的量为按重量计20份至按重量计300份，优选为按重量计40份至按重量计150份是合适的。期望电荷传输层的厚度在5jum至100pm左右的范围内。[284]对于此处所用的溶剂，可以使用四氢呋喃、二P恶烷、甲苯、二氯甲垸、一氯苯、二氯乙垸、环己酮、丁酮、丙酮或类似物。使用非卤化溶剂是期望的，原因在于目的是降低对环境伤害等。具体而言，有利地，可以使用环醚如四氢呋喃、二氧杂环戊垸(dioxolati)和二喵垸，芳香系烃类如甲苯和二甲苯，以及它们的衍生物。[285]在本发明中，可以将增塑剂和均化剂加至电荷传输层。对于增塑剂，可以使用典型的树脂增塑剂，如邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯，并且其用量，对于粘结剂树脂的含量而言，在0wt。/。至30wto/。的范围内是合适的。对于均化剂，可以使用硅油如二甲基硅油或甲基苯基硅酮油，具有全氟烷基基团侧链的聚合物，或者低聚物，并且其用量对于粘结剂树脂的含量而言在0wt。/。至1wtn/。的范围内是合适的。[286]光电导体的渡越时间，通常是，由如上所述的该电荷传输层的载流子传输能力决定。将描述渡越时间的控制方法。[287渡越时间取决于电荷生成层中产生的光载体被注入电荷传输层、通过电荷传输层并消除表面电荷的时间。在上述时间内，载流子被注入并消除表面电荷的时间可以忽略，原因在于与载流子通过电荷传输层的时间相比，其非常短。因此，渡越时间大概表示载流子通过电荷传输层的时间。[288]控制渡越时间是指控制载流子的转移速度和载流子的移动距离。前者取决于电荷传输层的组成、材料等，而后者取决于电荷传输层的厚度。[289]电荷传输层的组成由电荷传输材料的类型、粘结剂树脂的类型、电荷传输材料密度和添加剂的存在/缺乏和类型决定。在这些中，电荷传输材料的类型、电荷传输材料密度和粘结剂树脂的类型，很大程度上影响电荷传输层的组成。关于电荷传输材料的类型，通常通过利用具有大迁移率的材料用作电荷传输材料，可能縮短渡越时间。关于粘结剂树脂的类型，通过使用小极性的粘结剂树脂或高分子电荷传输材料，可能縮短渡越时间。关于电荷传输材料密度，密度越高，可以使得渡越时间越短。关于电荷传输层的膜厚度，膜厚度越小，可以使得渡越时间越短。[290]然而，当电荷传输层被放置在表面上时，几乎不可能仅仅为了縮短渡越时间而设计电荷传输层。例如，当电荷传输材料密度太高而达到最大程度时，渡越时间肯定被縮短，然而耐磨性被降低很多，并且光电导体的寿命被縮短。同样，当电荷传输层非常薄时，渡越时间被縮短，但是很有可能会引起副作用，如击穿或背景污染，因此电荷传输层不能轻易制成薄的。[291]因此，电荷传输层由材料组成，测量渡越时间；根据光电导体的渡越时间与寿命之间的关系达到最优化。[292]同样，在表面层上形成保护层是本发明中的有效方法，因为电荷传输层中的载流子传输速度被赋予为最优先考虑的事。在这种情况下，因为仅仅将关注集中在载流子转移速度上而设计电荷传输层是可能的，所以在电荷传输层的耐磨性在某种程度上被忽略的情况下，可以采用上述方法。[293]关于本发明的电子照相光电导体，保护层可以被放置在光敏层上，目的是保护光敏层。近年来，随着计算机已经在日常基础上使用，期待着装置的小型化以及打印机的高速输出。因此，通过提供保护层以及因此改进的耐久性，可以有效地使用本发明的光电导体，其高度灵敏且无异常图像。[294]在这种情况下，保护层被放置作为光电导体表面层，不考虑载流子传输能力将影响渡越时间。基于该原因，层结构和层厚度对于保护层是重要的。关于层结构，可以有效地使用下述两种类型。关于膜厚度，重要的是在任何情况下，不能使保护层比必需的还厚。[295]在本发明中所用的有效保护层被广泛分为两种类型。一种是填料被加入粘结剂树脂内部的结构。另一种是使用了可交联粘结剂的结构。[296]首先，解释填料被加入保护层的结构。[297]用于保护层的材料的例子包括树脂，如ABS树脂、ACS树脂、烯烃-乙烯基单体共聚物、氯化聚醚、烯丙基树脂、酚醛树脂、聚縮醛、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚烯丙基砜、聚丁烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、丙烯酸类树脂、聚甲基戊烯、聚丙烯、聚苯醚、聚砜、聚苯乙烯、AS树脂、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氨酯、聚氯乙烯、聚偏1,1-二氯乙烯和环氧树脂。在这些树脂中，可以最有利地使用聚碳酸酯和聚丙烯酸酯。[298]另外，下列物质可以加入保护层中，目的是改进耐磨性含氟树脂如聚四氟乙烯；有机硅树脂；这些树脂具有分散的无机填料，如二氧化钛、氧化锡、钛酸钾和二氧化硅，或有机填料；及类似物。用于光电导体保护层的填料材料的例子如下作为有机填料材料，有含氟树脂粉末如聚四氟乙烯、有机硅树脂粉末、炭粉(a-carbonpowders)及类似物；作为无机填料材料，有金属粉末，如铜、锡、铝和铟，金属氧化物，如二氧化硅、氧化锡、氧化锌、二氧化钛、氧化铟、氧化锑、氧化铋、掺锑氧化锡和掺锡氧化铟，以及无机材料，如钛酸钾。具体而言，无机颜料和金属氧化物是有利的。二氧化硅、二氧化钛和氧化铝是有效的。[299]保护层中的填料密度，根据所使用的填料类型或光电导体被使用时的电子照相过程条件而变；然而，期望填料在保护层上表面侧上的总固体含量中的比率约为5wt。/。或以上，优选为10wt。/。或以上和50wtn/。或以下，更优选为30wt%或以下。期望所使用的填料的体积平均粒径在O.lnm至2pm的范围内，更期望为0.3pm至lpm。在这种情况下，当平均粒径非常小时，保护层的耐磨性不能得到充分发挥；相反，当其非常大时，涂层的表面性能可能退化，或者涂布膜本身不能形成。[300]本发明中填料的平均粒径表示体积平均粒径，除非存在另外陈述的具体记载；其可以通过超离心自动粒度分布测量装置CAPA-700(由Horiba,Ltd.生产)计算。在此，填料的平均粒度计算为相当于50%累积分布的粒径(中数直径)。同样，重要的是，同时所测的颗粒的标准偏差为lKim或更小。当标准偏差大于该值时，粒度分布可能太宽，以至本发明的效应不能被显著得到。[301]同样，本发明中所用的填料的pH极大地影响填料的分辨率和可分散性。其原因之一据认为是填料，特别是金属氧化物，在被产生时留下了盐酸等。当盐酸等残余量大时，图像模糊的发生是不可避免的，并且取决于其残余量，盐酸等可能影响填料的可分散性。[302]关于此种情况的另一个原因是填料表面上的充电性能的差异，特别是在金属氧化物表面上。通常地，分散在液体中的颗粒是带正电或带负电的，具有相反电荷的离子聚集起来以使颗粒保持电中性；此处，当形成双电层(electricdoublelayer)时，颗粒的分散状态得以稳定。当远离颗粒进行测量时，液体中的某个位置的电势g电势)逐渐降低，充分远离颗粒的电中性区域的电势停留在零。因此，由于《电势的绝对值上的增加提高了颗粒的排斥，稳定性得以改善；而纟电势的绝对值接近零时，稳定性降低。同时，《电势根据体系的pH值变化很大；在某一pH值时，电势变为零，并产生等电点。因此，通过尽可能远离体系的等电点，增加《电势的绝对值，可以稳定分散体系。[303]在本发明的结构中，已经证实等电点处的pH为5或以上的填料在防止图像模糊上是最有利的，以及填料的碱性越大，其倾向于具有防止图像模糊的效果越大。关于等电点处具有高pH的碱性填料，当体系是酸时，《电势变得甚至更高，因此可分散性以及可分散性的稳定性得以改善。[304]在此，作为本发明中填料的pH值，写为从《电势至等电点的pH值。在这种情况下，通过由OtsukaElectronicsCo.,Ltd生产的激光《静电计，测量g电势。[305]进一步，对于可防止容易产生的图像模糊的填料而言，高电绝缘品质(电阻率为101QQ.Cm或更大)的填料是有利的，特别地，pH为5或以上的填料以及介电常数为5或以上的填料是有利的。同样，不用说的一个事实是pH为5或以下的填料或者介电常数为5或以上的填料可以单独使用，将包括pH为5或以下的填料和pH为5或以上的填料组合为各包括两种类型或两种类型以上的混合物，以及将介电常数为5或以下的填料和介电常数为pH为5或以上的填料组合为各包括两种类型或两种类型以上的混合物，这也是可能的。在这些填料中，具有高耐磨性的、高度绝缘和高度耐热以及具有六边形紧密堆积结构的a-氧化铝是特别有效的，原因在于可以防止图像模糊，并且耐磨性可以得到改善。[306]本发明中所用的填料的电阻率定义如下。因为粉末如填料的电阻值根据填充百分比而变，其需要在特定条件下进行测量。在本发明中，利用与日本专利申请特开(JP-A)第5-113688号中公开的测量装置类似的装置(图l)，测量填料的电阻率值，并使用所测量的值。在该测量装置中，电极面积是4.0cm2。在测量之前，调整样品量，使得电极之间的距离变成4mm，这是通过向一个电极的一侧施加4kg的载荷而实现。在被施加的上面电极重量(lkg)下进行测量，其中所施加的电压为100V。关于超过106Q.cm的范围，测量通过HIGHRESISTANCEMETER(Yokogawa-Hewlett-PackardLtd.)进行；关于在此之下的范围，测量通过DIGITALMULTIMETER(FlukeCorporation)进行。作为测量的结果而得到的电阻率值，被定义为本发明中的电阻率值。[307]如下测量填料的介电常数。使用电阻率测量中所使用的测定池，当施加荷载之后测量电容，从而计算介电常数。对于电容的测量，使用DIELECTRICLOSSMEASURINGAPPARATUS(AndoElectricCo"Ltd.)。[308]进一步，这些填料可以通过至少一种类型的表面处理剂进行表面处理，至少有利的，原因在于填料的进一步可分散性是可能的。因为填料可分散性的降低不仅引起残余电势增加，而且引起涂布膜的透明度降低，涂层缺陷发生以及耐磨性降低，可能引起一个严重的问题，即高耐久性或高图像质量的实现受到阻碍。对于表面处理剂，所有常规使用的表面处理剂是可以接受的；然而，使得填料的绝缘性能能够保持的表面处理剂是有利的。例如，下面物质是更有利的，因为填料的进一歩分散以及对图像模糊的防止是可能的酞酸盐基偶联剂、铝基偶联剂、锆铝酸盐基偶联剂、高级脂肪酸等，或者上述物质与硅烷偶联剂的混合物，以及Al203、Ti02、Zr02、硅氧烷、硬脂酸铝等，或者它们的混合物。尽管通过硅烷偶联剂的处理增加了图像模糊的效果，然而可能的是，该效果可以通过混合表面处理剂与硅烷偶联剂而被控制。表面处理量根据所用的填料的平均初级粒径而变化；然而，表面处理量适当的是在3%至30%范围内，以重量计；更优选在5%至20%范围内，以重量计。当表面处理量小于该范围时，不能有效地获得填料的分散，而当表面处理量远大于该范围时，可引起残余电势的急剧上升。这些填料材料中的每一种单独使用或者两种或两种以上结合使用。填料的表面处理量被定义为所用的表面处理剂与填料量的重量比，如上所述。[309]这些填料材料可以通过使用特定的分散设备来分散。同样，所用的填料由于保护层的透射比而被分散为初级粒子水平，因此带有较少聚集体的填料是有利的。[310]同样，电荷传输材料被包含在保护层中，以降低残余电势以及改进响应性。对于电荷传输材料而言，可以使用在电荷传输层中的解释中提到的材料以及常规电荷传输材料。当低分子电荷传输材料被用作电荷传输材料时，可以提供保护层中的密度梯度。降低保护层表面侧的密度以改进耐磨性，是一种有效的方法。在此，密度表示低分子电荷传输材料的重量与构成保护层的所有材料总重量之比；密度梯度表示——相对于重量比，密度在表面侧上的降低梯度。同样，在改进光电导体的耐久性上，应用高分子电荷传输材料是非常有利的。根据本发明人研究的结果，在具有此种结构的保护层中，分散在保护层中的填料不会严重影响渡越时间，渡越时间是通过由构成粘结剂基质的[粘结剂树脂+电荷传输材料]组成的部分上的载流子传输速度决定的。因此，同样在这种情况下，应用如在关于电荷传输层中所述的思想是合理的。[311]另外，对于保护层中的粘结剂树脂，可能使用常规高分子电荷传输材料。作为当其被使用时所产生的效果，可以实现在耐磨性和高速电荷传输上的改进。[312]作为保护层的形成方法，采用通常的涂布方法。另外，保护层的厚度在O.liam至10pm左右是合适的。[313]接下来，关于保护层的粘结剂结构，将解释具有交联结构的保护层(在下文中称为交联型保护层(crosslinkedtypeprotectivelayer))。[314]关于交联结构的形成，使用具有多个可交联官能团的活性单体，通过使用光或热能使交联反应发生，从而形成三维网络。该网络起着作为粘结剂树脂的功能，并且表现出高耐磨性。[315]对于活性单体而言，使用整体或部分具有电荷传输能力的单体。通过使用此类单体，电荷传输位点在网络中得以形成，并且保护层所需的功能可以被充分表现。对于具有电荷传输能力的单体，可以有效使用具有三芳基胺结构的活性单体。此类结构，使得确保充分的载流子传输速度以及縮短渡越时间成为可能。[316]另一方面，具有这种网络的保护层磨耗抗力高，然而另一方面，其在交联反应的时刻使得体积收縮很大，从而当制作得很厚时可能引起裂缝。在这种情况下，保护层可以形成多层结构，其中低分子分散聚合物的保护层被用于下层(光敏层一侧)，而具有交联结构的保护层作为上层形成(表面一侧)。[317]在交联型保护层中，可以以特别有效的方式使用下面所述的具有特定结构的保护层。[318]特定的交联型保护层，是通过至少硬化没有电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基可聚合单体与具有电荷传输结构的单官能自由基可聚合化合物而形成的保护层。由于硬化三官能或三官能以上自由基可聚合单体而形成交联结构，三维网络得以发展，可以得到交联密度非常高、非常硬以及高弹性的表面层，并且表面层平坦且非常光滑；因此，可以实现高耐磨性和抗划伤性。正如刚才所述，增加光电导体表面的交联密度是重要的，换句话说，每单位体积交联键的数量；然而，因为在硬化反应中大量键瞬间形成，由于体积收縮会产生内应力。因为当交联型保护层的膜厚度变大时，该内应力增加，所以当保护层中的所有层被硬化时，裂缝和膜剥离可能发生。即使此现象在最早阶段不出现，但是当保护层被反复用在电子照相过程中时，受到充电、显影、转印和清洁的危害和热变化的影响，其可能随时间变得易于出现。[319]解决该问题的方法，定向于软化固化的树脂层，例如(l)将高分子组分引入交联层和交联结构中，(2)大量使用单官能和双官能自由基可聚合单体，以及(3)使用具有柔韧基团的多官能单体；然而，在任一种方法中，交联层的交联密度降低降低，因此磨耗抗力不能得到显著的增加。与此相比，关于本发明的光电导体，提供了交联密度高的交联型保护层，其中三维网络在电荷传输层上得以发展，该交联型保护层具有设定在lpm至l(^m范围内的膜厚度；因此，可防止裂缝和膜剥离发生，同样，可以达到高耐磨性。通过将交联型保护层的厚度调整至2pm至8|am的范围，此种问题甚至更容易得以解决，同样可能选择具有高交联密度的材料，导致耐磨性的进一步改进。[320]本发明的光电导体可以防止裂缝和膜剥离，原因在于当交联型保护层制作地薄时，内应力不增加，当存在着放置在下面的光敏层或电荷传输层时，作为表面的交联型保护层中的内应力可以得到缓和。因此，对于交联型保护层而言，不必含有大量高分子材料；并且不可能出现擦痕和墨粉成膜，其是由于与硬化材料不相容导致的，所述硬化材料是通过高分子材料与自由基聚合组分(自由基聚合单体和具有电荷传输结构的自由基聚合化合物)之间的反应产生的，当交联型保护层含有高分子材料时反应得以发生。进一步，当相当于保护层中的所有层的厚膜通过功能辐照硬化时，到达内部的光传输由于电荷传输结构的吸收受到限制，从而可能阻止硬化反应充分进行。因为本发明的交联型保护层被制备成优选为10pin或更小的薄层，硬化反应均匀进行到内部，可以维持内部以及表面上的高耐磨性。同样，在形成本发明的交联型保护层时，除三官能自由基可聚合单体之外，含有具有电荷传输结构的单官能自由基可聚合化合物；当三官能或三官能以上的自由基聚合单体硬化时，该自由基聚合化合物参与交联键。与上述比较，当不具有官能团的低分子电荷传输材料包含在交联表面层中时，它们的不相容性引起低分子电荷传输材料的沉积或白色混浊，且交联表面层的机械强度减小。同样，当双官能或双官能以上的电荷传输化合物被用作主要组分时，其通过多个键被固定在交联结构中，交联密度进一步增加；然而，因为电荷传输结构体积很大，固化树脂结构的扭曲变得非常大，这使得交联型保护层中的内应力增加。[321]进一步，本发明的光电导体具有优良的电性能。因此该光电导体在重复稳定性上是优良的，从而使得产生高度耐用且高度稳定的光电导体是可能的。这可归功于如下事实作为交联型保护层的组成材料，使用具有单官能的电荷传输结构的自由基聚合化合物，并且自由基聚合化合物被固定为交联键之间的侧链。没有官能团的电荷传输材料如上所述引起沉积和白色混浊，导致电性能显著退化，如重复使用时灵敏度降低以及剩余电势增加。当主要使用双官能或双官能以上的电荷传输化合物时，化合物被交联结构中的多个键固定；因此，在电荷传输的同时，不能稳定地保持中间结构(阳离子自由基)，并且易于发生灵敏度的减小以及由于电荷陷获而引起的剩余电势增加。电性能的这些退化导致图像密度减小以及字母和字符等变窄的图像。进一步，在本发明的光电导体中，可以将具有很少电荷陷获、允许高迁移率的设计应用于作为交联型保护层下层提供的电荷传输层，该设计用于常规光电导体，由交联型保护层引起的电的负效应可以被降低至最低水平。[322]进一步，在根据本发明的交联型保护层形成中，具体而言，通过制备不溶于有机溶剂中的交联型保护层，耐磨性被显著发挥。本发明的交联型保护层是通过硬化无电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基可聚合单体与具有电荷传输结构的单官能自由基可聚合化合物形成的，整层具有形成三维网络的高交联密度；然而，有可能交联密度可能局部降低，并且交联型保护层可能作为高度密集交联的微小硬化材料的聚集体形成，这取决于除组分之外所含的材料(例如，添加剂一一如单官能或双官能单体，高分子粘结剂，抗氧化剂，均化剂和增塑剂，以及来自下层的溶解的混合物组分)以及硬化条件。交联型保护层的硬化材料之间的结合力是弱的，且可溶于有机溶剂中，当反复用在电子照相过程中时，也使得在微小硬化材料上的局部磨损和脱附更易于发生。通过制备不溶于有机溶剂的交联型保护层，正如在本发明中那样，贝lj:当原始三维网络发展时，得到交联的高程度，同时当链反应在宽范围内进行时，可制得分子量高的硬化材料；因此，可以实现在耐磨性上的显著改进。[323]接下来，将解释本发明的交联型保护层涂布溶液的组成材料。[324]本发明中无电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基可聚合单体，例如，不具有空穴传输结构，如三芳基胺、腙、吡唑啉、咔唑等，或者不具有电子传输结构，如具有稠合多环醌的吸电子芳环、联苯醌(diphenoquinone)、氰基、硝基等，同样，所述自由基可聚合单体表示具有三个自由基聚合官能团或三个以上自由基聚合官能团的单体。对于这些自由基聚合官能团而言，任何基团是合适的，只要它们具有碳-碳双键并且能够进行自由基聚合。这些自由基聚合官能团的例子包括l-取代的乙烯官能团、1,1-取代的乙烯官能团，并且两种官能团示于下面。[325](1)l-取代的乙烯官能团的例子包括由下面的结构式10表示的官能团。CH2=CH—Xl—结构式IO(在结构式10中，X!表示可以具有取代基的亚苯基，亚芳基如亚萘基，可以具有取代基的亚链烯基，-CO-基团，-COO-基团，-CON(R1Q)-基団(Rk)表示氢，烷基如甲基或乙基，芳烷基如苄基、萘基甲基或苯乙基，或者芳基如苯基或萘基)，或-S-基团。)[326]这些官能团的基体例子包括乙烯基、苯乙烯基、2-甲基-1,3-丁二烯基、乙烯基羰基、丙烯酰氧基(acryloyloxygroup)、丙烯酰酰胺基团(acryloylamidegroup)和二乙烯基硫醚基团。[327](2)l，l-取代的乙基官能团的例子包括由下面的结构式11表示的官能团。CH2=C(Y)一X^一结构式ii(在结构式ll中，Y在结构式ll中，Y表示可以具有取代基的烷基，可以具有取代基的芳垸基，可以具有取代基的芳基如苯基或萘基，卤素原子，氰基，硝基，烷氧基如甲氧基或乙氧基，-COORu基团(Ru表示氢原子，可以具有取代基的垸基如甲基或乙基，可以具有取代基的芳垸基如苄基或苯乙基，或可以具有取代基的芳基如苯基或萘基)，或-CONRuRu基团(Ru和R13各表示表示氢原子，可以具有取代基的烷基如甲基或乙基，可以具有取代基的芳烷基如苄基、萘基甲基或苯乙基，或者可以具有取代基的芳基如苯基或萘基，R^和Ru可以彼此相同或不同。)；同时，X2表示与上面结构式10中的X!相同的取代基、单键或亚烷基。在此，注意至少Y或X2表示氧羰基(oxycarbonylgroup)、氰基、亚链烯基或芳环)。[328]这些官能团的具体例子包括a-丙烯酰氧氯基团(a-acryloyloxychloridegroup)、甲基丙烯酰氧基(methacryloyloxygroup)、a-丙烯腈基团(a-cyanoethylenegroup)、a-氰基丙烯酰氧基(a-cyanoacryloyloxygroup)、a-氰基亚苯基(a-cyanophenylenegroup)禾卩甲基丙烯酰氨基基团(methacryloylaminogroup)。[329]取代X,、X2和Y的这些取代基团的取代基的具体例子包括卤素原子、硝基、氰基、垸基如甲基或乙基、垸氧基如甲氧基或乙氧基、芳氧基如苯氧基、芳基如苯基或萘基，以及芳烷基，如苄基或苯乙基。[330]在这些自由基聚合官能团中，丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基基团是特别有用的，通过使用分子中具有三个或多个羟基的化合物和丙烯酸(盐)、卤化丙烯酸(acrylicacidhalide)或者丙烯酸酯，并使它们进行酯反应或酯交换反应，可以获得具有三个或更多个丙烯酰氧基的化合物。同样，可以以相似的方式，获得具有三个或以上的甲基丙烯酰氧基的化合物。另外，具有三个或以上的自由基聚合官能团的单体中的自由基聚合官能团，可以彼此相同或不同。[331]对于无电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基聚合单体，提到下面的化合物作为实例；然而，这些化合物不包括所有此类自由基聚合单体。[332]本发明中所使用的自由基聚合单体的例子，包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropanetriacrylate(TMPTA))、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷亚垸基改性三丙烯酸酯、三羟甲基丙垸乙烯氧基改性(在下文中为EO-改性)三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷丙烯氧基改性(在下文中为PO-改性)三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷己内酯改性三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷亚烷基改性三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythrioltetraacrylate(PETTA))、甘油三丙烯酸酯、甘油表氯醇改性(在下文中为ECH-改性)三丙烯酸酯、甘油EO-改性三丙烯酸酯、甘油PO-改性三丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰尿酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritolhexaacrylate(DPHA))、二季戊四醇己内酯改性六丙烯酸酯、二季戊四醇期间五丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇五丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇四丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇三丙烯酸酯、二羟甲基丙垸四丙烯酸酯(dimethylolpropanetetraacrylate(DTMPTA))、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、磷酸EO-改性三丙烯酸酯、2,2,5,5,-四羟甲基环戊酮四丙烯酸酯。这些可以独立使用，或者这些中的两种或两种以上类型可以一起使用。[333]关于本发明中无电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基聚合单体，因为复杂的交联键形成在交联型保护层，所以期望分子量与单体中的官能团数量之比(分子量/官能团的数量)为250或以下。同样，当该比例为250或以上时，交联型保护层是软的，且耐磨性倾向于轻微降低；因此，关于上面所提及的作为实例的所述单体及类似物中具有改性基团如EO、PO和己内酯的单体，不期望单独使用具有极长改性基团的单体。交联型保护层中，无电荷传输结构的三官能或三官能以上的自由基聚合单体的含量，以交联型保护层的总重计，为20wt。/。至80wt%，优选为30wt。/。至70wt%。当单体含量小于20wty。时，交联型保护层中的三维交联键密度是小的，因此与使用热塑性粘结剂树脂的相关技术相比，耐磨性上的显著改进往往难于实现。当单体含量大于80wtn/。时，电荷传输化合物的含量减小，因此倾向于发生电性能上的退化。因为所需的电性能和耐磨性的根据所用的方法而变，因此本方法光电导体中的交联型保护层的膜厚度是变化的，单体组分不能被明确确定的；然而，鉴于电性能与耐磨性之间的平衡，最期望单体组分在30wty。至70wtM的范围内。[334]在本发明交联型保护层中所使用的具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物，例如，具有空穴传输结构，如三芳基胺、腙、吡唑啉、咔唑等，或者具有电子传输结构，如具有稠合多环醌的吸电子芳环、联苯醌(diphenoquinone)、氰基、硝基等，同样，所述自由基聚合单体表示具有一个自由基聚合官能团的化合物。该自由基聚合官能团的例子包括任一种自由基聚合单体，并且丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基基团是特别有用的。作为电荷传输结构，三芳基胺是非常有效的，特别是当使用由结构通式(1)或(2)表示的化合物时，电性能，如灵敏性和残余电势，可以有利地得以维持。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>结构通式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>结构通式(2){在结构通式中，R,表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的垸基、可以具有取代基的芳垸基、可以具有取代基的芳基、氰基、硝基、烷氧基、-COOR7基团(R7表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳烷基或者可以具有取代基的芳基)、碳酰卤基团(carbonylhalidegroup)或者CONR8R9基团(Rg和R9各表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的垸基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳基，以及R8和R9可以彼此相同或不同)；An和AT2各表示取代/未取代的亚芳基，An和Ar2可以彼此相同或不同。An和Ar4各表示取代/未取代的芳基，AT3和Af4可以彼此相同或不同。X表示单键、取代/未取代的亚烷基、取代/未取代的环亚垸基(cycloalkylenegroup)、取代/未取代的亚垸基醚基团、氧原子、硫原子或亚乙烯基。Z表示取代/未取代的亚烷基、取代/未取代的亚烷基醚二价基团或烯氧基羰基二价基团。"m"和"n"分别表示0至3的整数。}[335]由结构通式(1)和(2)表示的具体例子如下所示。[336]在结构通式(1)和(2)中，可能提到，在R,的取代基中，垸基可以是甲基、乙基、丙基、丁基等；芳基可以是苯基、萘基等；芳烷基可以是节基、苯乙基、萘基甲基等；以及烷氧基可以是甲氧基、乙氧基、丙氧基等。这些基团可以，被囟素原子、硝基、氰基、烷基如甲基或乙基、烷氧基如甲氧基或乙氧基、芳氧基如苯氧基、芳基如苯基或萘基以及芳烷基如苄基或苯乙基替换。[337]在R,的这些取代基中，氢原子和甲基是特别有利的。[338]An和Af4分别表示取代/未取代的芳基；在本发明中，取代/未取代的芳基的例子包括稠合多环烃基团、非稠合环状烃基团和杂环基团，其具体例子包括下列基团。[339]形成环、且具有18个或更少的碳原子的稠合多环烃基团的例子，包括戊垸基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、亚联苯基、as-indacenyl基、s-indacenyl基、新基、苊基(acenaphthylenylgroup)、七曜烯基(pleiadenylgroup)、苊基基团(acenaphthenylgroup)、phenaleny基、菲基、蒽基、荧蒽基、醋代亚菲基(acephenanthrylenylgroup)、醋蒽烯基、triphenylel基、芘基、crycenyl基禾卩并四苯基。[340]非稠合环烃基团的例子，包括单环烃化合物如苯、苯醚、聚乙烯苯醚(polyethylenediphenylether)、二苯基硫醚和二苯砜的一价基团；非稠合多环烃化合物如联苯、聚苯、二苯基烷烃、二苯基烯烃、二苯基炔烃、三苯甲烷、联苯乙烯基苯(distyrylbenzene)、1,1-二苯基环烷烃、聚苯基烷烃(polyphenylalkane)和聚苯基烯烃(polyphenylalkene)的一价基团；以及环聚集烃化合物(cyclicassemblyhydrocarboncompounds)如9，9—二苯基荷的一价基团。[341]杂环基的例子包括咔唑、氧芴、二苯并噻吩、螺二唑和噻二唑的一价基团。[342]由Ar3和Ar4表示的芳基可以分别具有诸如下面所示的取代基。(1)卤素原子、氰基、硝基及类似物。(2)垸基，优选为具有d至d2、特别是d至C8、更优选为C,至C4的直链/支链垸基；这些垸基基团可以具有用氟原子、羟基、氰基、具有C,至C4的烷氧基、苯基或卤素原子取代的苯基。其具体例子包括甲基、乙基、正丁基、异丙基、叔丁基、仲丁基、正丙基、三氟甲基、2-羟乙基、2-乙氧乙基、2-氰基乙基、2-甲氧乙基、苄基、4-氯苄基、4-甲基苄基和4-苯基苄基。(3)烷氧基(-OR2);R2表示在(2)中所定义的烷基。其具体例子包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、2-羟基乙氧基、苄氧基和三氟甲氧基。(4)芳氧基；芳基的例子包括苯基和萘基。这些基团可以含有具有d至C4的烷氧基、具有C,至C4的烷基或卤素原子作为取代基。其具体例子包括苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲氧基苯氧基和4-甲基苯氧基。(5)烷基巯基或芳基巯基；其例子包括甲硫基、乙硫基、苯硫基和对甲基苯硫基。(6)结构式11一M\R4(在该结构式中，R3和R4各自独立地表示氢原子，以及在(2)中定义的任一种烷基或芳基。芳基的例子包括苯基、联苯基团和萘基。这些基团可以含有具有d至C4的烷氧基、具有Q至C4的烷基或卤素原子作为取代基。R3和R4可以一起形成环。)[343]其具体例子包括氨基、二乙氨基、N-甲基-N-苯基氨基、N，N-二苯胺基、N,N-二(甲苯基)氨基、二节氨基(dibenzylaminogroup)、哌啶子基(piperidinogroup)、吗啉基，以及吡咯烷基(pyrrolidinogroup)。(7)亚'烷基二氧基(Alkylenedioxygroup)、亚烷基二硫基(alkylenedithiogroup)等，如亚甲二氧基(methylenedioxygroup)、亚甲二硫基(methylenedithiogroup)等。(8)取代/未取代的苯乙烯基、取代/未取代的(3-苯基苯乙烯基、二苯氨基苯基、二甲苯氨基甲基及类似物。[344]由An和Ar2表示的亚芳基是由An和Ar4表示的芳基衍生的二价基。[345]结构式10和11中的"X"表示单键、取代/未取代的亚烷基、取代/未取代的亚环烷基、取代/未取代的亚垸基醚、氧原子、硫原子或亚乙烯基。[346]对于取代/未取代的亚烷基，下面基团是合适的具有d至d2、优选为d至C8、更优选为Q至C4的直链/支链亚垸基。这些亚烷基基团可以具有用氟原子、羟基、氰基、具有Q至C4的垸氧基、苯基或卤素原子取代的苯基基团，以及具有d至C4的垸基或具有d至C4的烷氧基。其具体例子包括亚甲基、亚乙基、正亚丁基、异亚丙基、叔亚丁基、仲亚丁基、正亚丙基、三氟亚甲基、2-羟基亚乙基、2-乙氧基亚乙基、2-氰基亚乙基、2-甲氧基亚乙基、亚节基、苯基亚乙基、4-氯苯基亚乙基、4-甲基苯基亚乙基和4-联苯亚乙基。[347]取代/未取代的亚环垸基是具有Cs至C7的环状亚烷基基团。这些环状亚烷基基团具有氟原子、羟基、具有C,至C4的烷基以及具有C,至C4的烷氧基。其具体例子包括亚环己基(cyclohexylidenegroup)、亚环己基(cyclohexylenegroup)和3,3-二甲基亚环己基。[348]对于取代/未取代的亚垸基醚基团，下列基团是合适的乙烯氧基、丙烯氧基、亚乙基二醇、丙二醇、二甘醇、四甘醇和三丙二醇。亚烷基醚基团和亚烷基基团可以具有取代基，如羟基、甲基和乙基。亚乙烯基由下列结构式表示结构式12<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>R5表示氢、垸基((2)中定义的任一种烷基)和芳基(由An和Ar4表示的任一种芳基);"a"表示1或2的整数；"b"表示1至3的整数。[349]结构式10和U中的"Z"表示取代/未取代的亚烷基、取代/未取代的亚烷基醚二价基团或烯氧基羰基二价基团。[350]取代/未取代的亚垸基的例子包括与X表示的亚烷基类似的那些。[351]取代/未取代的亚烷基醚二价基团的例子包括由X表示的亚垸基醚二价[352]烯氧基羰基二价基团的例子包括己内酯二价改性基团。[353]同样，本发明中具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物的例子包括具有在结构通式(3)中所示的结构的化合物。结构通式(3)c<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>或(在式(3)中，"o"、"p"和"q"分别表示O或l的整数；Ra表示氢原子或甲基;Rb和Rc为除氢原子之外的取代基，表示碳数为1至6的烷基，并且当它们的碳数是2或以上时，它们在碳数上可以彼此不同。"s"和"t"分别表示0至3的整数。Za表示单键、亚甲基或亚乙基。)结构通式(3)[354]对于由该结构通式表示的化合物，Rb和Rc的取代基为甲基或乙基的化合物是特别有利的。[355]关于本发明中所使用的、由结构通式(1)至(3)表示——特别是由结构通式(3)表示的、具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物，因为单官能自由基聚合化合物在两端与打开的碳原子之间以双键进行聚合，因此它们没有封端结构且被并入链型聚合物中；当在通过单官能自由基聚合化合物与三官能或更多官能团的自由基聚合单体之间通过交联聚合形成聚合物时，单官能自由基聚合化合物存在于高分子主链中，并且也存在于主链之间的交联链中(交联链分为分子间交联链和分子内交联链，分子间交联链在一个高分子与另一个高分子之间形成；在分子内交联链中，在一个高分子中，具有折叠主链的部位和在该主链中远离上述部位的位置处业已聚合的单体来源部位被交联)；无论单官能自由基聚合化合物是存在于主链中，还是存在于交联链中，从主链悬垂的三芳基胺结构中的每一个，都具有至少三个布置在氮原子的径向方向上的芳基；尽管体积庞大，并非是三芳基胺结构直接与主链部分结合，然而三芳基胺结构通过羰基或类似物从链部分悬垂，因此三芳基胺结构以一种可允许柔性立体位置调整的方式被固定；因此，因为这些三芳基胺结构可以以此种方式，在聚合物中空间定位为彼此之间适度相邻，因此在分子中几乎没有结构变形;同样，当用作电子照相光电导体的表面层时，据推断，可以采用分子内结构，其相对地没有电荷传输路径的阻断。[356]在本发明中，具有电荷传输材料的单官能自由基聚合化合物的具体例子示于下面；然而，应当注意，所述单官能自由基聚合化合物并不限于下面的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage71</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage72</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage73</formula>本发明中具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物，对赋予交联型保护层电荷传输性能起着重要作用，该单官能自由基聚合化合物在交联型保护层中的含量在20wt。/。至80wt。/。范围内，优选在30wt。/。至70wtM范围内。当所含的此种单官能自由基聚合化合物小于20wt。/。时，不能充分保持交联型保护层的电荷传输性能，并且重复使用时，倾向于发生电性能变差，如灵敏性减小以及残余电势增加。当其大于80wt。/。时，无电荷传输结构的三官能单体的含量减少，这使得交联键密度减小，因此高耐磨性往往难于实现。因为所需的电性能和耐磨性根据所用的过程而变，因此本发明光电导体中的交联型保护层的厚度是变化的，单官能自由基聚合化合物的量不能明确地确定；然而，鉴于电性能与耐磨性之间的平衡，最期望所含的单官能自由基聚合化合物在30wt。/。至70wt。/。的范围内。[358]为本发明电子照相光电导体组成成分的交联型保护层，是通过至少硬化——无电荷传输结构的三官能或更多官能团的自由基聚合单体和具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物——而形成的；此外，可以另外使用单官能和双官能自由基聚合单体、官能单体和自由基聚合低聚物，以便增加功能，例如，调整涂布时的粘度、减轻交联型保护层中的应力、降低表面能以及降低摩擦系数。对于自由基聚合单体和自由基聚合低聚物，可以使用常规的那些。[359]单官能自由基单体的例子包括丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙基酯、丙烯酸2-羟基丙酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸2-乙基己基卡必醇酯、丙烯酸3-甲氧基丁酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸异戊酯、丙烯酸异丁酯、甲氧基三甘醇丙烯酸酯、苯氧基四甘醇丙烯酸酯、丙烯酸十六垸基酯、丙烯酸异十八烷基酯、丙烯酸十八酯和苯乙烯单体。[360]双官能自由基聚合单体的例子包括1，3-丁二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、二甘醇二丙烯酸酯、二丙烯酸新戊二醇酯、双酚B-EO-改性二丙烯酸酯、双酚F-EO-改性二丙烯酸酯和新戊二醇二丙烯酸酯。[361]官能单体的例子包括氟化单体，如八氟戊基丙烯酸酯、2-全氟辛基乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基乙基甲基丙烯酸酯和2-全氟异壬基乙基丙烯酸酯；具有聚硅氧烷基团的单体，如丙烯酰聚二甲基硅氧垸乙基(acryloylpolydimethylsiloxaneethyl)、甲基丙烯酰聚二甲基硅氧烷乙基(methacryloylpolydimethylsiloxaneethyl)、丙烯酰聚二甲基硅氧烷丙基(acryloylpolydimethylsiloxanepropyl)、丙烯酰聚二甲基硅氧烷丁基(acryloylpolydimethylsiloxanebutyl)和二丙烯酰聚二甲基硅氧烷二乙基(diacryloylpolydimethylsiloxanediethyl)，其具有20至70硅氧烷重复单元，如在日本专利申请公布(JP-B)第05-60503和06-45770号中所述。[362]自由基聚合低聚物的例子包括环氧丙烯酸酯低聚物、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物和聚酯丙烯酸酯低聚物。[363]应当注意，当含有大量单官能和双官能自由基聚合单体以及自由基聚合低聚物时，交联型保护层中的三维交联键密度实际上减小，并使得耐磨性减小。因此，期望这些单体和低聚物的含量相对于按重量计IOO份的三官能或更多官能的自由基聚合单体的重量，为按重量计50份或以下，更期望为按重量计30份或以下。[364]同样，本发明的交联型保护层是通过至少硬化无电荷传输结构的三官能或更多官能的自由基聚合单体与具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物而形成；如果必要，聚合引发剂可以包含在交联型保护层涂布溶液中，以使该硬化反应有效进行。[365]热聚合引发剂的例子包括过氧化物基引发剂，如2,5-二甲基-2,5-二氢过氧基己烷、二枯基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化叔丁基异丙苯(t-butylcumylparoxide)、2，5-二甲基-2,5-二(过氧苯酰基)己炔-3、二-叔丁基过氧化物、叔丁基过氧化氢、氢过氧化枯烯、月桂酰过氧化物和2,2-二(4，4-二-叔丁基过氧环己基)丙垸、和偶氮基引发剂，如偶氮二异丁腈、偶氮二环己腈、偶氮二异丁酸甲酯(methylazobisisobutyrate)、偶氮二异丁基脒盐酸盐(azobisisobutylamidinehydrochloride)禾口4，4'-偶氮二-4-氰基戊酸。[366]光聚合引发剂的例子包括乙酰苯或縮酮基光聚合引发剂，如二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-1，2-苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯酮、4-(2-羟基乙氧基傳基-(2-羟基-2-丙基)酮、2-苄基-2-二甲氨基-l-(4-吗啉代苯基)丁酮-l、2-羟基-2-甲基-l-苯丙烷-l-酮、2-甲基-2-吗啉基(4-甲硫基苯基)-l-丙酮和l-苯基-l,2-丙二酮-2-(邻乙氧羰基)肟；苯偶姻乙醚基光聚合引发剂，如苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丁醚和苯偶姻异丙醚；二苯酮基光聚合引发剂，如二苯酮、4-羟基二苯酮、邻苯甲酰苯甲酸甲酯、2-苯甲酰萘、4-苯甲酰联苯、4-苯甲酰苯基醚、丙烯酸化二苯酮(acrylicizedbenzophenone)和1,4-苯甲酰苯；噻吨酮基光聚合引发剂，如2-异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二氯噻吨酮；和其它光聚合引发剂，如乙基蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酸二苯基膦酸、4,6-三甲基苯甲酸苯基乙氧基氧化膦、双(2,4,6-三甲基苯甲酰)苯基氧化膦、双(2，4-二甲氧基苯甲酰)-2,4,4-三甲基苯基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯、9,10-菲、吖啶化合物、三嗪化合物和咪唑化合物。同样，具有光聚合促进效应的化合物可以单独使用或与光聚合引发剂一起使用。其例子包括三乙醇胺、甲基二乙醇胺、安息香酸4-二甲氨基乙酯、安息香酸4-二甲氨基异戊酯、安息香酸(2-二甲氨基)乙酯和4,4'-二甲氨基二苯酮。在这些聚合引发剂中，两种或多种类型类型可以混合在一起。相对于按重量计100份具有自由基聚合性的所含全部材料，聚合引发剂的含量在按重量计0.5份至按重量计40份的范围内，更优选在按重量计1份至按重量计20份的范围内。进一步，对于本发明的形成交联型保护层的涂布溶液而言，如果必要，可能含有添加剂如各种类型的增塑剂(目的是减轻应力、改进粘合等)、均化剂和无自由基反应作用的低分子电荷传输材料；对于增塑剂，可以利用在典型树脂中使用的增塑剂，如邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二辛酯，所使用的各增塑剂的量相对于涂布溶液中的总固体含量，被降低至20wtM或以下，更优选为10wt%或以下。对于均化剂，可以使用硅油，如二甲基硅油或甲基苯基硅酮油，具有全氟烷基基团侧链的聚合物或低聚物，并且所使用的各均化剂用量相对于涂布溶液中的总固体含量，在3wt。/。或以下是合适的。当将至少含有无电荷传输结构的三官能或更多官能的自由基聚合单体与具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物的涂布溶液施用在电荷传输层上并硬化时，形成本发明的交联型保护层。当自由基聚合单体是液体时，使用涂布溶液，另一种组分溶解在自由基聚合单体中；如果必要，使用溶剂来稀释涂布溶液。在这种情况下使用的溶剂的例子包括醇类如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇，酮类如丙酮、丁酮、甲基'异丁基酮和环己酮，酯类如乙酸乙酯和乙酸丁酯，醚类如四氢呋喃、二P恶垸和丙醚，卤素如二氯甲垸、二氯乙烷、三氯乙烷和氯苯，芳族化合物如苯、甲苯和二甲苯；以及溶纤剂如甲基溶纤剂、乙基溶纤剂和乙酸溶纤剂。这些溶剂可以单独使用或者两种或多种结合使用。涂布溶液与溶剂的稀释比根据组分的溶解度、采用的涂布方法和期望的层厚度而变化，并且可以任意决定。可以通过浸涂、喷涂、打浆涂布(beatcoating)、环式涂布或类似涂布进行涂布。在本发明中，在施用交联型保护层涂布溶液之后，借助从外部给予交联型保护层涂布溶液的能量使其硬化，从而形成交联型保护层；此时所使用的外部能量的例子包括热、蒸汽和辐射线。作为施用热能的方法，从涂布表面侧或从承载体侧加热交联型保护层涂布溶液，使用气体如空气或氮气、蒸汽，选自各种类型的热媒介、红外线或电磁波进行加热。期望加热温度在IO(TC至17(TC范围内；当温度在IO(TC以下时，反应速率低，硬化反应往往是不完全的。当其保持在17(TC以上的高温时，硬化反应不均匀进行，大的变形、大量的未反应残留物和惰性末端出现在交联型保护层中。为使硬化反应均匀进行，下述方法也是有效的当在IOO'C以下相对低的温度下进行加热后，在IOO'C或以上进行加热，从而完成反应。对于光能，可以主要使用UV光照射光源，如发射波长位于紫外线区的高压汞蒸汽灯或金属卤化物灯；同样，可以根据自由基聚合包含物质或光聚合引发剂的吸收波长，选择可见光。期望照射光的量在50mW/cm2至1,000mW/cm2的范围内；当其为50mW/cn^以下时，硬化反应多次发生。当其为1,000mW/cr^或更大时，反应不均匀进行，引起交联型保护层表面上出现局部折缝，也导致大量未反应残留物和惰性末端出现。同样，突然的交联使得内应力变大，这是裂缝和膜剥离的起因。辐射能的例子包括使用电子射线的事件。在这些类型的能量中，热能和光能是有用的，原因在于反应速率可以容易地控制，以及装置可以简化。[371]期望本发明交联型保护层的厚度为lpm至10pm,更期望为2pm至8)am。当其大于10pm时，裂缝和膜剥离易于发生，如上所述；当其为8^im或以下时，容限(margin)上的改进使得可能增加交联密度，进一步，可能选择增强耐磨性的物质以及固定硬化条件。同时，自由基聚合反应容易受到氧的阻碍；具体而言，在毗邻空气的表面上，受到由于氧引起的自由基捕获(radicaltrap)影响，交联易于停止进行或者变得不均匀。当所述表面层小于lpm时，这种效应变得显著，并且这种厚度或更小厚度的交联型保护层易于引起耐磨性减小和不均匀摩擦。同样，当施用交联型保护层涂布溶液时，为交联型保护层下层的电荷传输层的组分被混合在其中，具体而言，混合组分散布在整个交联型保护层中，从而阻止硬化反应并减小交联密度。基于这些原因，本发明中所使用的交联型保护层当其厚度为lpm或以上时，具有有利的耐磨性和抗划伤性；然而，在重复使用中，当交联型保护层被局部剥离，直至作为下层的电荷传输层处时，局部剥离部分的磨损增加，因此由于充电性能和灵敏性的改变，半色调图像(halftoneimages)的密度易于变得不均匀。因此，为实现长寿命和高图像质量，期望交联型保护层的膜厚度为2pm或以上。[372]本发明的电子照相光电导体的电荷阻挡层、防波纹层、光敏层(电荷产生层和电荷传输层)和交联型保护层按此顺序以多层结构形成，此种结构的特征在于当作为上层的交联型保护层不溶于有机溶剂时，可以实现耐磨性和抗划伤性方面的显著改进。关于测试在有机溶剂中的溶解度的方法，将一小滴极易溶解高分子材料的有机溶剂如四氢呋喃或二氯甲烷，应用到光电导体表面层，在小滴已经自然干燥之后，在立体显微镜下观察光电导体表面的变形，从而使得测量溶解度成为可能。高度可溶的光电导体经历变化，包括液滴的中心部分变凹以及其附近向上凸起的现象，电荷传输材料沉积以及由于结晶引起的白色混浊或透明度损失的现象，以及折缝起因于表面膨胀和稍后收縮的现象。相反，由于不经历所述现象，不溶性光电导体与其在液滴施用之前保持高度相同。为了制备本发明中不溶于有机溶剂中的交联型保护层，重要的是控制下列因素(l)调整交联型保护层涂布溶液的组成组分的含量；(2)调整交联型保护层涂布溶液的稀释溶剂的固体含量浓度；(3)选择用于交联型保护层的涂布方法；(4)控制交联型保护层的硬化条件；(5)实现作为下层的电荷传输层的低溶解度。然而，并非是通过单独一个因素来实现交联型保护层的不溶性。关于交联型保护层涂布溶液的组成组分，当除无电荷传输结构的三官能或更多官能的自由基聚合单体和具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物之外，还含有大量添加剂如无自由基聚合官能团的粘结剂树脂、抗氧化剂和增塑剂时，交联密度减小，以及作为反应结果产生的硬化材料与添加剂材料之间的相分离发生；因此，交联型保护层涂布溶液往往是溶于有机溶剂中的。具体而言，重要的是，相对于涂布溶液中的总固体含量，添加剂材料的总含量被降低到20wt。/。或以下。同样，为了防止交联密度降低，相对于三官能自由基聚合单体，期望双官能自由基聚合单体、活性低聚物和活性聚合物的总含量为20wty。或以下。进一步，当含有大量具有电荷传输结构的双官能或更多官能的自由基聚合化合物时，体积大的结构体通过多个键固定在交联结构中，这使得变形容易发生，并且交联型保护层涂布溶液倾向于成为微小硬化材料的聚集体。其结果是，交联型保护层涂布溶液可能溶于有机溶剂中。尽管这取决于化合物结构，但期望具有电荷传输结构的双官能或更多官能的自由基聚合化合物的含量，相对于具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物，为10wt。/。或以下。关于交联型保护层涂布溶液的稀释溶剂，当使用蒸发速率低的溶剂时，残留溶剂可能阻碍硬化并且可能增加层组分的混合量，因此可能产生不均匀硬化以及硬化密度上的减小。因此，交联型保护层涂布溶液倾向于溶于有机溶剂中。具体而言，四氢呋喃、四氢呋喃和甲醇的混合溶剂、乙酸乙酯、丁酮、乙基溶纤剂或类似溶剂是有用的，然而，根据涂布方法选择稀释溶剂。关于固体内容物的密度，当其很低时，基于类似原因，交联型保护层涂布溶液倾向于溶于有机溶剂中。由于对层厚度和涂布溶液粘度的限制，对最大密度有限制。具体而言，期望以10wtn/。至50wt。/。的范围含有稀释溶剂。作为交联型保护层的涂布方法，当形成涂布膜时降低溶剂的含量以及降低与溶剂的接触时间的方法基于类似理由是适合的；具体而言，喷涂方法和环式涂布方法是合适的，藉此涂布溶液的量得以限制。同样，使用高分子电荷传输材料作为电荷传输层以及在光敏层(或电荷传输层)与交联型保护层之间形成不溶于交联型保护层涂布溶剂的中间层是防止下层的组分的混合量的有效方法。[376]关于交联型保护层的硬化条件，当加热或光照射的能量低时，硬化没有完成，且有机溶剂中的溶解度增加。相反，当用非常高的能量硬化交联型保护层时，硬化反应变得不均匀，未交联部分和自由基中断部分的数量增加，交联型保护层易于成为微小硬化材料的聚集体。基于该原因，交联型保护层溶于有机溶剂中是可能的。为使其不溶于有机溶剂中，诸如10(rC至17(TC和10分钟至3小时的热硬化条件是有利的，通过紫外光照射诸如50W/cm2至1,000mW/cm2，5sec至5min，温度上升极限为5(TC或以下的硬化条件对防止不均匀硬化反应是有利的。[377]描述了一种制备构成本发明电子照相光电导体的、不溶于有机溶剂的交联型保护层的方法，如下。例如，当具有三个丙烯酰氧基基团的丙烯酸酯单体和具有一个丙烯酰氧基基团的三芳基胺化合物用于涂布溶液时，其含量比在7:3至3:7范围内，相对于这些丙烯酸酯化合物的总量，聚合引发剂的加入量为3wt。/。至20wt%，并加入溶剂，制备涂布溶液。例如，在作为交联型保护层的下层的电荷传输层中，当三芳基胺基给体用于电荷传输材料时，聚碳酸酯用于粘结剂树脂，表面层通过喷涂形成，期望涂布溶液的溶剂为四氢呋喃、2-丁酮、乙酸乙酯或类似物，其用量为丙烯酸酯化合物总量的3倍至10倍。[378]随后，例如，通过喷涂或类似方法，将所制备的涂布溶液施用到光电导体中，在该光电导体中，中间层、电荷产生层和电荷传输层按该顺序以多层结构形成于承载体如铝圆筒上。之后，将该涂布溶液自然干燥或在相对低的温度下短时间干燥(25'C至80'C，lmin至10min)，然后通过紫外线照射或加热进行硬化。[379]在紫外光照射的情况，使用金属卤化物灯或类似物；期望照明度在50W/cn^至1,000mW/cm2的范围内，时间在5sec至5min左右的范围内，以不大于50'C的方式控制鼓温度。[380在热硬化的情况，期望加热温度在l(XTC至17(TC的范围内；例如，当使用鼓风型烘箱作为加热单元以及加热温度设定在15(TC时，加热时间将在20min至3hr范围内。[381]硬化完成之后，将涂布溶液在IOO'C至15(TC的温度下进一步加热10min至30min以减少残留溶剂，并因此获得本发明的光电导体。[382]同样，除含有填料的保护层和交联型保护层外，可能将通过真空薄膜形成方法形成的常规材料如a-C(无定型碳)或a-SiC(无定型SiC)用于保护层。[383]如上所述，当保护层在光电导体上形成时，电荷消除光不能充分达到光敏层，因此电荷消除不能明确地起作用，除非选择适当的保护层。同样，因为保护层吸收电荷消除光，光敏层可能变差，并且可能引起剩余电势上升。因此，在任何保护层中，期望其针对所使用的电荷消除光的透过率为30%或以上，更期望为50%或以上，甚至更期望为85%或以上。[384]如上所述，在光电导体的表面上形成保护层不仅增强了光电导体的耐久性(耐磨性)，当用在后面所述的串联型全色图像形成装置中时也产生了单色图像形成装置不具有的新效果。在本发明中，在尝试改进耐环境性能时，向保护层、电荷传输层、电荷产生层、电荷阻挡层、防波纹层等各层中加入抗氧化剂是可能的，特别用于防止灵敏性降低和剩余电势增加。(酚化合物)2,6-二-叔丁基-对甲酚、丁基化羟基苯甲醚、2，6-二-叔丁基-4-乙基苯酚、十八烷基-(3-(3,5-二-叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯、2,2"-亚甲基-二-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2"-亚甲基-二-(4-乙基-6-叔丁基苯酚)、4,4'，-硫代二-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4，4"-亚丁基二-(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1,1，3-三-(2-甲基-4-羟基-5-叔丁基苯基)丁烷、1，3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-叔丁基-4-羟基节基)苯、四-[亚甲基-3-(3'，,5'，-二-叔丁基-4'，-羟苯基)丙酸酯]甲烷和双[3,3'，-二(4'，-羟基-3'，-叔丁基苯基丁酸]乙二醇酯、生育酚及类似物。(对苯二胺)N-苯基-N'-异丙基-对苯二胺、N,N'-二-仲丁基-对苯二胺、N-苯基-N-仲丁基-对苯二胺、N,N'-二-异丙基-对苯二胺、N,N，-二甲基-N，N'-二-叔丁基-对苯二胺及类似物。(氢醌)2,5-二-叔辛基氢醌、2,6-双十二垸基氢醌、2-十二烷基氢醌、2-十二烷基-5-氯氢醌、2-叔辛基-5-甲基氢醌、2-(2冲八烷基)-5-甲基氢醌及类似物。(有机硫化合物)十二烷基-3，3'-硫代二丙酸酯、双十八垸基-3，3'-硫代二丙酸酯、双十四烷基-3,3'-硫代二丙酸酯及类似物。(有机磷化合物)三苯膦、三(壬基苯基)膦、三(二壬基苯基)膦、三甲苯基膦、三(2,4-二丁基苯氧基)膦及类似物。这些化合物已知作为橡胶、塑料、油和脂肪等的抗氧化剂，并且商业供应的抗氧化剂可容易地得到。本发明中抗氧化剂的添加量针对添加该抗氧化剂的层的总重在0.01Wtn/。至10Wte/。范围内。在全色图像的情况中，各种形式的图像被输入；相反，也可以输入固定形式的图像。例如，存在着在日本文件及类似物中所见的批准的印迹。如批准印迹之类的标记通常被放置在图像区末端的附近，并且用于它们的颜色受到限制。当图像总是以随机方式写入时，图像写入、显影和转印平均地于图像形成元件中的光电导体上进行；相反，当在特定部分中重复大量成像，或者特定图像形成元件如上所述供专用时，对于光电导体的耐久性而言，缺乏平衡。当在这些条件下使用表面耐久性(物理/化学/机械)低的光电导体时，缺乏耐久性变得显著，导致在图像上的问题。同时，当制作的光电导体高度耐久时，此种类型的局部变化是小的，从而不可能导致图像上的缺陷；因此，所述光电导体是非常有效的，原因在于可以实现高耐久性，并且也可以使输出的图像更稳定。实施例[393]在下文中，参考具体实施例，将进一步描述本发明；但是，本发明并不受限于下述实施例。注意，下面的单位术语"份"或者"份数"分别是指"质量份"或者"质量份数"。[394]首先，描述偶氮颜料和钛氧基酞菁晶体的合成方法。用在下述实施例中的偶氮颜料是根据日本专利申请公开(JP-A)第60-29109号和日本专禾!J(JP-B)第3026645号所描述的方法制备的。用在下述实施例中的钛氧基酞菁晶体是根据日本专利(JP-B)第2004-83859号中所描述的方法制备的。-钛氧基酞菁晶体的合成-(合成实施例A-l)[395]根据描述于日本专利申请公开(JP-A)第2004-83859号的实施例1中的方法，制备颜料。[396]具体地，将292g的1，3-二亚氨基异二氢吲哚和1，800份的环丁砜混合，并且在氮气气流下，将20.4g的四丁氧基钛以液滴送入到该混合物中。当滴加完成之时，混合物的温度被逐渐升高到180°C，并且，然后搅拌并反应5小时，同时将反应温度保持在170。C到180°C。在反应完成之后，反应物被自然冷却，过滤沉淀物，并将过滤出的沉淀物用氯仿洗涤，直到沉淀物粉末变成蓝色。接下来，用甲醇洗涤粉末几次，并进一步用80°C热水洗涤几次，然后干燥，得到粗钛氧基酞菁。粗钛氧基酞菁被溶解在其体积之20倍的硫酸中，并且该钛氧基酞菁溶液通过滴加方式被传送到它的体积之100倍的冰水中，同时搅拌，得到晶体的沉淀物。沉淀的晶体被过滤，并然后用离子交换水(pH:7.0;相对电导率1.0nS/cm)进行重复洗涤，直到洗涤溶液达到中性(洗涤后，离子交换水的pH值是6.8，且相对电导率是2.6!^S/cm)，从而得到钛氧基酞菁颜料的湿滤饼(水糊状物)。[397]将40克的如此得到的湿滤饼(水糊状物)放入200g的四氢呋喃中，在均相混合机(MARKIIf-Model,由KENIS,Ltd.生产)中，于2,000rpm，在室温下剧烈搅拌混合物。当糊状物的海蓝色变成浅蓝色(搅拌开始后的20分钟)时，停止搅拌。其后立即将混合物在减压下过滤。将在这种过滤设备中得到的晶体，用四氢呋喃洗涤，从而得到颜料湿滤饼。颜料湿滤饼被在70。C下，在减压下(5mmHg)干燥两天，得到以质量计的8.5份的钛氧基酞菁晶体。这被称作颜料A-1。湿滤饼的固体含量，以质量计，是15%。基于质量比，33倍于湿滤饼体积的晶体转化溶剂被使用。注意在合成实施例A-1的原材料中，没有使用含卤化合物。将所得到的钛氧基酞菁粉末用X-射线衍射仪，在下述条件下予以测量；发现得到钛氧基酞菁粉末，其在布拉格角26为27.2±0.2°处——相对于Cu-Ka线(波长1.542埃)，具有最大峰；在最小角为7.3±0.2°处，具有一个峰；进一步，在9.4±0.2°，9.6±0.2°，24.0±0.2。处具有主要峰；并且，在7.3。峰和9.4。峰之间，没有峰；进一步在26.3。处，没有峰。图11显示了测量结果。将在合成实施例A-l中所得到的水糊状物之一部分，在80。C下，在减压下(5mmHg)干燥2天，从而得到低结晶度钛氧基酞菁粉末。图12显示水糊状物干燥粉末的X-射线衍射光谱。〈X-射线衍射光谱的测量条件>X-射线管Cu电源电压50kV电源电流30mA扫描速率:2°/分钟扫描范围3。到40°时间常数:2秒在晶体转化之前，将合成实施例A-l中制备的钛氧基酞菁之一部分，用离子交换水稀释，以达到以质量计为大约1%;并且将稀释的悬浮液的表面用受过导电处理的铜质撇乳器撇乳。然后，用透射电子显微镜(TEM,H-9000NAR,由Hitachi,Ltd.生产)，在75,000倍的放大率下，观察钛氧基酞菁，以测定颗粒直径。平均颗粒直径如下确定。如上所观察到的TEM图像被打印在胶片上，为TEM照片。从突出的钛氧基酞菁颗粒中，任意选择30个具有针样形状的颗粒；各个颗粒的最长直径被测量。30个颗粒的最长直径之总测量值被平均，并且该平均值被看作钛氧基酞菁颗粒的平均颗粒直径。在合成实施例A-l的水糊状物(湿滤饼)中的钛氧基酞菁之平均颗粒直径，正如以如上方法所确定的，是0.06iam。进一步地，晶体转化的钛氧基酞菁晶体，被在合成实施例A-l中的过滤之近前，用四氢呋喃稀释，以便达到以质量计大约1%;并且，稀释悬浮液的表面，以如上所描述的同样方式被观察。平均颗粒直径，正如以如上所描述的同样方法所确定的，被显示在表A-1中。注意在合成实施例A-l中所制备的钛氧基酞菁晶体中，所有晶体颗粒不必具有相同形状，即存在具有大致三角形或者四边形形状的晶体颗粒，但是晶体颗粒在大小上是近似的。因为这个原因，假定晶体颗粒的最长对角线的长度就是最长直径，计算出平均颗粒直径。结果是，平均颗粒直径是0.12pm。(分散体制备实施例A-l)将在合成实施例A-1中制备的颜料A-l，在下述条件下，分散在下述组合物中，以便制备出分散体，作为电荷产生层涂布溶液。钛氧基酞菁颜料(颜料A-l)15份聚乙烯醇縮丁醛(BX-l,由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.生产)10份2-丁酮280份[404]在商业途径可以得到的珠磨机中，放入聚乙烯醇縮丁醛溶解于其中的2-丁酮和钛氧基酞菁颜料(颜料A-l)，这些成分采用具有直径为0.5mm的PSZ球，在转子速度为1,200rpm下，被分散30分钟，从而制备分散体。这被命名为分散体A-l。(分散体制备实施例A-2)[405]在下述条件下，分散下述组分，以便制备分散体，作为电荷产生涂布溶液。偶氮颜料，以下述结构式表示5份聚乙烯醇縮丁醛(BX-l,由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.生产)2份环己酮250份，2-丁酮100份[406]在珠磨机中，加入聚乙烯醇縮丁醛溶解于其中的一种溶剂(2-丁酮)和偶氮颜料，这些成分采用具有直径10mm的PSZ球，在转子速度85rpm下，被分散7天，从而制备分散体。这被命名为分散体A-2。(分散体制备实施例A-3)[407]分散体(分散体A-3)以分散体制备实施例A-2中的相同方式予以制备，只是将分散体制备实施例A-2中使用的偶氮颜料变为下述结构式表示的颜料。[408]采用粒子大小分布分析仪(CAPA-700,由HORIBAInstrumentsInc.生产)测量在如上所述制备的颜料颗粒中的粒子大小分布。表A-1显示了该结果。表A-l<table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>(光电导体制备实施例A-l)[409]在具有外径60mm的铝鼓(JIS1050)之表面上，顺序地，施用中间涂布溶液、电荷产生层涂布溶液和电荷传输涂布溶液，其中每一种溶液具有下述组成；将施用的涂布溶液顺序地干燥，以便形成中间层——具有厚度3.5pm，电荷产生层——具有厚度0.5pm，和电荷传输层——具有厚度17pm，从而制备多层光电导体(电子照相光电导体la)。-中间层涂布溶液-表面未处理的金红石型钛白粉112份(CR-EL,由ISHIHARAINDUSTRYCO.,LTD.生产，平均颗粒直径0.25—醇酸树脂33.6份(BECKOLITEM6401-50-S(固体含量50%),由DainipponInkandChemicals,Inc生产)蜜胺树脂18.7份(SUPERBECKAMINEG821-60(固体含量60%),由DainipponInkandChemicals,Inc.生产)2-丁酮(2-butanon)115份-电荷产生层涂布溶液-使用如上制备的分散体A-2。-电荷传输层涂布溶液-聚碳酸酯(TS2050，由TeijinChemicals,Ltd.生产)10份电荷传输材料，以下述结构式表示8份<formula>formulaseeoriginaldocumentpage83</formula>二氯甲烷80份(光电导体制备实施例A-2)[410]以光电导体制备实施例A-l中相同方式，制备光电导体(光电导体2a)，只是将在光电导体制备实施例A-l中形成的电荷传输层的层厚度改变为27pm。(光电导体制备实施例A-3)[411]以光电导体制备实施例A-l中相同方式，制备光电导体(光电导体3a)，是电荷传输层的层厚度被改变为37拜。□(光电导体制备实施例A-4)[412]以光电导体制备实施例A-l中相同方式，制备光电导体(光电导体4a)，只是电荷传输层的层厚度被改变为15nm，并且在电荷传输层上形成保护层，保护层具有下述组成且厚度为1pm。-保护层涂布溶液-聚碳酸酯(TS2050,由TeijinChemicals,Ltd.生产)10份电荷传输材料，以下述结构式表示10份CH3C=CHa-氧化铝2份(相对电阻率2.5x1012Q.cm，平均主要颗粒直径0.4pm，折射率1.28)电阻率降低剂(BYK-P105,由BYKChemieCo.生产)0.1份环己酮160份四氢呋喃570份(光电导体制备实施例A-5)[413]以在光电导体制备实施例A-4中相同的方式，制备光电导体(光电导体5a)，只是保护层的层厚度被改变为7pm。(光电导体制备实施例A-6)[414]以在光电导体制备实施例A-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体6a)，只是电荷传输层的层厚度被改变为15pm，以及在电荷传输层上面形成保护层，保护层具有下述组成，厚度是lnm。-保护层涂布溶液-不具有电荷传输结构的三个或者更多官能的自由基可聚合单体10份(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropanetriacrylate),KAYARADTMPTA,由NipponKayakuCo.,Ltd.生产，分子量296，官能团的数目三官能，分子量/官能团的数目=99)自由聚合化合物，其具有单官能电荷传输结构，以下述结构式表示10份<formula>formulaseeoriginaldocumentpage85</formula>光聚合引发剂1份(l-羟基-环己基-苯基-酮，IRGACURE184，由ChibaSpecialtyChemicalsK.K.制造)四氢呋喃100份[415]保护层如下形成。电荷传输层表面被喷涂以保护层涂布溶液，将涂布的保护层涂布溶液自然干燥20分钟，然后用金属卤化物灯在下述条件下光照射该涂布层160W/cm，照射强度500mW/cm2，以及照射时间60秒。(光电导体制备实施例A-7)[416]以光电导体制备实施例A-6中的相同方式，制备光电导体(光电导体7a)，只是保护层的层厚度被改变为8pm。(光电导体制备实施例A-8)[417]以光电导体制备实施例A-l中的相同方式，制备光电导体(光电导体8a)，除了将在光电导体制备实施例A-l中形成的中间层改变为具有多层结构而外，该多层结构由电荷阻挡层和防波纹层构成，电荷阻挡层涂布溶液和防波纹层涂布溶液之每一种含有下述成分，被顺序施用到铝鼓的表面并且分别施用的涂布溶液被干燥，以便形成厚度为1.0pm的电荷阻挡层和厚度为3.5拜的防波纹层。-电荷阻挡层涂布溶液-N-甲氧基甲基化尼龙(FINERESINFR-101，由NAMARIICHICO.，LTD.制造)4份甲醇70份正丁醇30份-防波纹层涂布溶液-没有进行表面处理的金红石型钛白126份(CR-EL,由ISHIHARAINDUSTRYCO.,LTD.制造，平均颗粒直径0.25pm)醇酸树脂25.2份(BECKOLITEM6401-50隱S(固体含量50%)，由DainipponInkandChemicals,Inc生产。)蜜胺树脂14.0份(SUPERBECKAMINEG821-60(固体含量60%)，由DainipponInkandChemicals,Inc生产。)*2-丁酮150份(光电导体制备实施例A-9)[418]以光电导体制备实施例A-l中的相同方式，制备光电导体(光电导体9a)，除了使用分散体A-3代替光电导体制备实施例A-1中所使用的电荷产生涂布溶液而外。(渡越时间(transittime)长度的测量)[419]如下所述，测定所制备的光电导体la到9a的渡越时间。[420]各个光电导体的曝光区域的电势用描述于日本专利申请公开(JP-A)第2000-275872号(示于图1中)的装置，按照以下条件进行测量。[421]光电导体的线速度262mm/sec副扫描方向的分辨率400dpi图像表面静态能0.3mW(曝光量0.4pJ/cm2)写入光波长655nm除电仪开启状态充电条件光电导体表面的充电量被控制，以致在写入之前的表面电势被设置为-800V。[422]在上面提及的条件下，表面静电计200被安置到显影位置，如图3中所示，并且沿着光电导体(OPC)210的圆周方向变换位置，并且测量在10个点的充电量20ms到155ms(毫秒)，其为曝光-到-显影时间长度。在本发明的该实施例中，为了得到下述的曝光一到一显影时间长度，静电计的角度被设置为下述角度。图3中的符号220表示曝光部位，符号230表示表示充电部位，符号240表示电荷消除部位。"20ms，，—IO0"25ms，，-12.50"30ms，，-15。"35ms，，-17.5°"40ms，，—20°"50ms'，-25。"70ms"-35。"90ms"—450"110ms"-550"130ms"-65°"155ms"-77.5。[423]将如此所得到的在各个光电导体的曝光区域中的电势值，分别相对于曝光一到一显影时间长度作图，如图4中所示；并且，在临界点(弯曲点)处的曲线被测定，从而测量各个光电导体的渡越时间。表A-2显示了该结果。表A隱2<table>tableseeoriginaldocumentpage87</column></row><table>(实施例A-l)[424]将在光电导体制备实施例A-l中制备的光电导体"la"安装在图像形成装置上，正如在图9中所示。使用电晕充电器(电晕充电系统)，作为充电部件，对光电导体表面进行充电。以分辨率1,200dpi写入图像，写入时使用波长655nm的半导体激光器作为图像曝光光源(四通道LDA，其中，四个LD被安排成阵列(lx4)一即，一种具有如同日本专利(JP-B)第3227226号所描述结构的半导体激光器，虽然排列不同于其中所描述的排列；并且图像是通过使用多棱镜写入的)，使用两组分显影工艺，显影图像，其中使用具有平均颗粒直径为6.8mn的墨粉。使用第一转印带和第二转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且将留在光电导体表面上的电荷消除，采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源进行消除。[425]由于图像曝光光源是如此被布置，以致在从图像曝光光源的照射部分(进行图像写入光电导体的中心)引向光电导体的核心的直线，和从显影套筒的核心引向光电导体的核心的另一条直线之间形成的夹角是45°，并且光电导体的线速度是480mm/sec，LD如此配置以便在光电导体上的写入光线照射的任意确定点，到达显影套筒中心的时间长度(曝光-到-显影时间长度)是49ms。[426]工艺条件如此设置，以致下述条件可以在初始操作中达到。[427]光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-120V(在图像的密实部分中使用的电势)<评价项目>(1)表面电势的测量[428]每一个制备的光电导体的曝光区域中的电势是采用下述方法被测量的。具体而言，将表面电势计安装到显影单元的如图9所示的位置，并将光电导体负充电到-800V。之后，用半导体激光器写入了图像的密实部分，并且图像显影部分中的曝光区域的电势被测量。表A-3显示了该结果。(2)背景脏污的评价[429]使用图像形成装置输出空白图像打印件，以评估在22°C和相对湿度为50%的条件下的背景脏污。背景脏污水平是基于发生在输出打印件的背景中的黑点数目和黑点大小而进行评价的。背景脏污的情况依据下述四个等级被评级。提供非常良好的结果的光电导体被评级为A，提供良好结果的光电导体被评级为B，提供略差结果的光电导体被评级为C，以及提供非常差的结果的光电导体被评级为D。表A-3示出了评估结果。(3)点的再现性的评价[430]使用图像形成装置，输出独立的1点图像，以便评价点的再现性。用光学显微镜观察该1点图像打印件，并且根据下述四个等级对该点轮廓的清晰度进行评级。提供非常优良的点再现性的光电导体被评级为A，提供优良的点再现性的光电导体被评级为B，提供略差的点再现性的光电导体被评级为C，提供非常差的点再现性的光电导体被评级为D。表A-3显示了评价结果。[431]在上述评价(l)到(3)被进行之后，在上述的工艺操作条件下，连续打印出10,000张图像面积是6%的图纸(平均写入图像面积比等于A4纸张的整个面积之6%的字符)。在连续输出10,000张后，再一次进行上述的评价(1)到(3)。(实施例A-2至ljA-6和比较实施例A-l至IJA-3)[432]在光电导体制备实施例A-2到A-9中制备的电子照相光电导体2a到9a，被以实施例A-l中相同的条件下评价。表A-3显示了评价结果。表A-3也示出了用在实施例A-2到A-6和比较实施例A-l到A-3中的电子照相光电导体编号。表A-3<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>[433]在实施例A-2至'JA-6和比较实施例A-l至UA-3中，为达到上述的曝光-到-显影时间长度，静电计的角度被设定为下述度数。"20ms"-10。"25ms"-12.50"30ms',-150"35ms"-17.5。"40ms"—20。"50ms"-25。"70ms"-35°"90ms"-45。"110ms，，一55。"130ms"-65。"155ms，，-77.5°[434]表A-3中所示结果证实当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例A-l到A-6)，在使用光电导体的初始阶段，以及甚至在反复使用光电导体之后，表现出良好的光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度更长(比较实施例A-l到A-3)，观察到表面电势的增加，并且在光电导体的重复使用后，该现象是显著的。[435]也发现渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例A-l到A-6)，点的再现性是出众的，并且，甚至在重复使用光电导体之后，具有出众的点图像质量的图像得以形成。相反，发现渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例A-l到A-3)，在重复使用光电导体之后，点再现性变差。[436]进一步，根据使用空白图像的评价结果，通过使中间层具有包括电荷阻挡层以及防波纹层的多层结构(实施例A-5)，背景脏污的评价等级得以提高，而且甚至在重复使用后，该改进效果可以被保持。[437]而且，在实施例A-l和实施例A-6之间的比较中，在A-1中所使用的光电导体la的曝光区域的表面电势，比实施例A-6中所使用的光电导体9a的表面电势低。这显示出在光电导体la中使用的不对称偶氮颜料有助于高感光性。(光电导体制备实施例A-10到A-17)[438]以在光电导体制备实施例A-l到A-8中相同的方式，分别制备光电导体，只是用在光电导体制备实施例A-l到A-8中的各个电荷产生层涂布溶液被改变为分散体A-l(所制备的光电导体被以此顺序命名为光电导体10a到17a)。(渡越时间长度的测量)[439]制备的光电导体10a到17a的渡越时间长度，按照如下所述予以测量。[440]各个光电导体的曝光区域的电势，是在下述条件下，采用日本专利申请公开(JP-A)第2000-275872号所描述的设备(示于图1中)测定的。光电导体的线速度262mm/sec副扫描方向的分辨率400dpi图像表面静态能0.3mW(曝光量0.4nJ/cm2)写入光波长780nm除电仪开启状态充电条件光电导体表面的充电量被控制，以致在写入之前的表面电势被设定为-800V。[441]在上面提及的条件下，如图3中所示，被布置在显影位置的表面静电计被沿着光电导体的圆周方向变换位置，并且对于从20ms到155ms的曝光-到-显影时间长度，测量10个点的充电量。在本发明的这些实施例中，为了得到如下的曝光-到-显影时间长度，静电计的角度被设定为下面的角度。"20ms，，-10。"25ms，，-12.50"30ms"—150"35ms，，-17.5°"40ms，，—20。"50ms，，-25。"70ms，，-35°"90ms"-450"110ms，，-55。"130ms，，-65。"155ms，，-77.5。[442]将如此所得到的各个光电导体的曝光区域中的电势值，分别相对于曝光-到-显影时间长度构图，如图4中所示；并且，测定在临界点(弯曲点)的曲线，从而测定各个光电导体的渡越时间。表A-4显示了该结果。表A-4光电导体制备实施例光电导体编号渡越时间(ms)A-1010a42A-lllla50A-1212a54A-1313a46A-1414a54A-1515a48A-1616a56A-1717a44(实施例A-7)[443]将制备的电子照相光电导体10a连接到印刷墨盒(processcartridge),该印刷墨盒被放置在图像形成装置中，如在图9中所示。使用电晕充电器(电晕充电装置)作为充电部件，对光电导体进行充电。根据描述在日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中的面发射激光器阵列(发光点以8x4二维排列；激光束的数目32，波长780nm)中的光源被用作图像曝光光源，以2,400dpi的分辨率，写入图像。使用每个具有平均颗粒直径6.2um的墨粉(黄色墨粉、洋红墨粉、青色墨粉和黑色墨粉被分别用于每一个站)，通过两组分显影过程，显影出图像。使用转印带作为转印部件，显影图像被直接转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁；并且，使用波长为655nm的LED作为电荷消除光源，保留在光电导体表面的电荷被除去。[444]图像曝光光源是如此布置，以致从图像曝光光源的照射部分(图像写入光电导体的中心)画出一条到光电导体的中心的直线，和从显影套筒的中心画到光电导体的中心的另外一条直线之间形成的夹角，为45°。光电导体在线速度为480mm/sec时被启动，因此曝光-到-显影时间长度是49ms。[445]过程条件如此设置，以致下述条件可以在初始操作中达到。[446]光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-150V<评价项目>(1)表面电势的测量[447]每一个制备的光电导体的曝光区域中的电势，是采用下述方法测量的。具体而言，表面电势计被安装到洋红站显影单元的位置处，如图9所示；并且，光电导体被负充电至-800V。之后，用图像曝光光源写入图像的密实部分，并且，图像显影部分中的曝光区域的电势被测量。表A-5显示了该结果。(2)图像密度的评价[448]在负充电每一个光电导体至-800V之后，使用图像形成装置，连续打印出总计10,000张的图像。评价在初始阶段打印出的图像和在输出10,000张之后打印出的图像。根据下述四个等级，对图像密度的水平进行评级。提供非常良好的图像密度的光电导体被评定为A，提供良好的图像密度的光电导体被评定为B,提供略差的图像密度的光电导体被评定为C，以及提供非常差的图像密度的光电导体被评定为D。表A-5显示了评价结果。(3)残留图像的评价[449]使用一张A4大小的图纸，正如显示于图13中(第一部分2/5(五分之二)为斜线图像，后边部分3/5(五分之三)为半色调图像)，以单色模式(仅仅黑色)输出图像。在半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分会在半色调部分浓浓地输出)，被评价并且根据下述四个等级被分级。提供非常优良的结果的光电导体被评级为A,提供优良的结果的光电导体被评级为B,提供略差的结果的光电导体被评级为C以及提供非常差的结果的光电导体被评级为D。表A-5显示了评价结果。[450]在上述评价(1)到(3)被进行之后，在上述工艺条件下，连续打印出10,000张的全色图纸，图像面积是6%(平均写入的斜线所具有的图像面积比率等于A4纸张的全部面积的6%)。在连续输出10,000张后，再次进行上述的评价(1)到(3)。(实施例A-8到A-ll和比较实施例A-4到A-6)[451]评价电子照相光电导体lla到17a，它们是如上所述，在与实施例A-7相同的条件下被制备的。表A-5显示了该结果。表A-5也示出了用在实施例A-8到A-1I和比较实施例A-4到A-6中的电子照相光电导体编号。表A-5光电导体在初始阶段中在打印IO，OOO张之后<table>tableseeoriginaldocumentpage93</column></row><table>[452]显示于表A-5中的结果表明当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短的时候(实施例A-7到A-ll)，在使用光电导体的初始阶段，和甚至在反复使用光电导体之后，表现出良好的光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长的时候(比较实施例A-4到A-6),观察到表面电势的增加，并且在光电导体的重复使用后，该现象显著。[453]也发现渡越时间长度比曝光-至lj-显影时间长度短(实施例A-7到A-ll)，则图像密度高；并且，甚至在重复使用光电导体之后，可以形成极好的彩色图像。相反，发现当渡越时间长度长于曝光-到-显影时间长度的时候(比较实施例A-4到A-6)，在重复使用光电导体之后，图像密度降低。[454]进一步，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短(实施例A-7到A-ll)，得到良好的残留图像水平，并且，甚至在重复使用光电导体之后，可以形成极好的彩色图像。相反，当渡越时间长度长于曝光-到-显影时间长度的时候(比较实施例A-4到A-6)，残留图像水平在重复使用光电导体之后被降低。(光电导体制备实施例A-18到A-25)[455]以光电导体制备实施例A-10到A-17中的相同方式，制备光电导体，只是在光电导体制备实施例A-10到A-17中所使用的导电承载体被改换为镍(Ni)带，其具有的外径是168mm(所制备的光电导体按顺序被命名为光电导体18a到25a)。(渡越时间长度的测量)[456]所制备的光电导体18a到25a的渡越时间长度，被按照如下所述进行测定。[457]各个光电导体的曝光区域的电势，是采用日本专利申请公开(JP-A)第2000-275872号所描述的设备(示于图1中)，在下述条件下，被测量出来的。光电导体的线速度262mm/sec副扫描方向的分辨率400dpi图像表面静态能0.3mW(曝光量0.4|aJ/cm2)写入光波长780nm除电仪开启状态充电条件光电导体表面的充电量被控制，以使在写入之前的表面电势被设定为-800V。[458]在上面提及的条件下，如图3中所示被安置在显影位置的表面静电计被沿着光电导体的圆周方向变换位置，并且，在10个点，相对于作为曝光-到-显影时间长度的20ms到155ms，测量充电量。在本发明的这些实施例中，为达到下述曝光-到-显影时间长度，静电计的角度被设定为下面的角度。"20ms'，—10°"25ms，，画12.50"30ms，'—15。"35ms'，—17.5°"40ms"-20°"50ms"-250"70ms"-35。"90ms，'—45°"110ms"—550"130ms，，一65。"155ms"-77.50[459]将如此所得到的各个光电导体的曝光区域中的电势值，相对于曝光-到-显影时间长度，分别作图，如图4中所示，确定在临界点(弯曲点)的曲线，从而确定各个光电导体的渡越时间。表A-6显示了该结果。表A-6<table>tableseeoriginaldocumentpage94</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage95</column></row><table>(实施例A-12)[460]如此制备的光电导体18a被放置在图像形成装置中，如在图9中所示。对于充电部件，用充电辊代替电晕充电器，其中充电辊靠近地位于从光电导体表面算起的50nm的距离内，光电导体被充电。充电辊的表面环绕有形成间隙的带，其具有的厚度是50pm，以致仅仅在光电导体的两端处的非图像形成表面区域中，光电导体表面能够与充电辊接触。使用半导体激光器为图像曝光光源，以分辨率1,200dpi写入图像，该半导体激光器具有的波长是780nm(四通道LD，其中四个LD被安排为(lx4)阵列中——即一种具有如同日本专利(JP-B)第3227226号中所描述结构的半导体激光器，虽然排列不同于其中所描述的半导体激光器的结构，并且图像通过使用多棱镜写入)，使用两组分显影工艺，采用具有平均颗粒直径为6.8pm的墨粉，显影图像。使用第一转印带和第二转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源，将保留在光电导体表面上的电荷消除。[461]图像曝光光源被如此放置，以致从图像曝光光源的照射部分(图像写入光电导体的中心)画出一条到光电导体的中心的直线，和从显影套筒的中心画到光电导体的中心的另外一条直线之间形成的夹角，是45°。光电导体在线速度为480mm/sec时被启动，因此曝光-到-显影时间长度是49ms。[462]工艺条件如此设置，以致下述条件可以在初始操作中达到。[463]光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-70V(图像的密实部分处的电势)<评价项目>(1)表面电势的测量[464]每一个制备的光电导体的曝光区域中的电势是采用下述方法测量的。具体而言，将表面电势计安装到显影单元的如图9所示的位置，并将光电导体负充电到一800V。之后，使用半导体激光器写入图像的密实部分，并且，图像显影部分中的曝光区域的电势被测量。表A-7显示了该结果。(2)背景脏污的评价[465]使用图像形成装置，在22。C和相对湿度为50n/。的条件下，输出空白图像打印件，评价背景脏污。背景脏污水平是基于出现在输出打印件的背景中的黑点数目和黑点大小进行评价的。背景脏污的情况依据下述四个等级被评级。提供非常优良的结果的光电导体被评级为A，提供优良的结果的光电导体被评级为B，提供略差的结果的光电导体被评级为C，以及，提供非常差的结果的光电导体被评级为D。表A-7显示了评价结果。(3)点再现性的评价[466]使用图像形成装置，输出独立的l点图像，以便评价点的再现性。用光学显微镜观察该1点图像打印件，并且根据下述四个等级对该点轮廓的清晰度进行评级。提供非常良好的点再现性的光电导体被评级为A，提供良好的点再现性的光电导体被评级为B，提供略差的点再现性的光电导体被评级为C，以及，提供非常差的点再现性的光电导体被评级为D。表A-7显示了评价结果。[467]在上述评价(l)到(3)被进行之后，在上述工艺条件下，连续打印出10,000张的图纸，图像面积为6%(平均写入的字符，具有的图像面积比等于A4纸张的全部面积之6%)。在连续输出10,000张后，再次进行上述的评价(l)到(3)。(实施例A-13至ljA-16和比较实施例A-7到A-9)[468]在与实施例A-12相同的条件下，评价如上所描述而制备的电子照相光电导体19a到25a。表A-7显示了该结果。表A-7也示出了在实施例A-13至l」A-16和比较实施例A-7到A-9中所用的电子照相光电导体编号。表A-7光电导体在初始阶段在打印10,000张之后表面电势站旦冃豕点再表面电势背景点再编号(-v)脏污现性(-v)脏污现性实施例A-12183120BA120B到CA实施例A-1319a125B到AA130BB比较实施例A陽720a135CC155CC实施例A-1421a120B至ijAA125B至ljAB到A比较实施例A-822a140CC170CC实施例A-1523a125B至ljAA130B至UAB到A比较实施例A-924a145CC185CC到D实施例A-1625a120AA125AB到A[469]显示于表A-7的结果表明当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短的时候(实施例A-12到A-16)，在使用光电导体的初始阶段，甚至在反复使用光电导体之后，表现出良好的光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长的时候(比较实施例A-7到A-9)，观察到表面电势的增加，并且在光电导体的重复使用后，该现象显著。也发现渡越时间长度短于曝光-到-显影时间长度(实施例A-12到A-16)，则点的再现性是出众的，并且，甚至在重复使用光电导体之后，具有出众的点图像质量的图像可以形成。相反，发现当渡越时间长度长于曝光-到-显影时间长度(比较实施例A-7到A-9)的时候，在重复使用光电导体之后，点再现性变差。[471]进一步，从使用空白图像的评价结果可以看出通过使中间层具有由电荷阻挡层和防波纹层组成的多层结构，背景脏污的评价等级可以被提高，并且甚至在重复使用之后，改善效果可以保持(实施例A-16)。(实施例A-17)[472]所制备的电子照相光电导体18a被连接到印刷墨盒，印刷墨盒被放置在图像形成装置中，所述图像形成装置具有显示于图10中的结构。对于充电部件，充电辊，其接近地位于从光电导体表面算起的50pm的距离内，并且光电导体被充电(在图10中，图解说明电晕充电器)。充电辊的表面被包绕式地缠绕有间隙形成带，间隙形成带具有的厚度是50nm，以使仅仅在光电导体的两端处的非图像形成表面区中，光电导体表面可以与充电辊接触。以2,400dpi的分辨率，写入图像，是使用根据描述于日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中的面发射激光器阵列的光源(发光点是8x4的二维排列；激光束的数目32，波长780nm),作为图像曝光光源。通过两组分显影过程，使用每一种墨粉具有平均颗粒直径6.2um的墨粉(黄色墨粉、洋红墨粉、青色墨粉和黑色墨粉被分别用于每一个站)，显影出图像。显影图像被转印到作为转印部件的转印带上，采用刮板清洁法清洁光电导体表面，并且，使用波长为655nm的LED作为电荷消除光源，除去保留在光电导体表面的电荷。[473]图像曝光光源被如此放置，以致从图像曝光光源的照射部分(图像写入光电导体的中心)画出一条到光电导体的中心的直线，和从显影套筒的中心画到光电导体的中心的另外一条直线之间形成的夹角，是45°。光电导体在线速度为480mm/sec时被启动，并且，因此曝光-到-显影时间长度是49ms。[474]工艺条件如此设置，以致下述条件可以在初始操作中达到。光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-150V(图像的密实部分处的电势)<评价项目>(1)表面电势的测量[475]制备的光电导体之每一个的曝光区域中的电势，是采用下述方法被测量的。具体而言，表面电势计被安装到显影单元的洋红站的位置处，正如显示于图10中，并且光电导体被负充电至-800V。随后，用图像曝光光源写入图像的密实部，并且，测量图像显影部分中的曝光区域的电势。表A-8显示了该结果。(2)彩色再现性的评价[476]使用图像形成装置，输出10,000张ISO/JIS-SCID图像Nl(肖像)，并且，视觉检查和评价图像打印件的彩色再现性。根据下述四个等级，彩色再现性的水平被评级。提供非常良好的彩色再现性的光电导体被评级为A，提供良好的彩色再现性的光电导体被评级为B，提供略差的彩色再现性的光电导体被评级为C，以及提供非常差的彩色再现性的光电导体被评级为D。表A-8显示了评价结果。(3)残留图像的评价[477]使用一张A4大小的图纸，正如显示于图13(前半2/5(五分之二)是斜线图像，后半3/5(五分之三)是半色调图像)，以单色模式(仅仅黑色)输出图像。在半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分会密集在半色调部分输出)被评价，并根据下述四个等级被评级。提供非常优良的结果的光电导体被评级为A，提供优良的结果的光电导体被评级为B，提供略差的结果的光电导体被评级为C，以及，提供非常差的结果的光电导体被评级为D。表A-8显示了评价结果。[478]在上述评价(l)到(3)被进行之后，在上述记录的工艺条件下，连续打印出10,000张全色图纸，具有的图像面积是6。/。(平均写入的倾斜线具有等于A4纸张的整个面积的6%的图像面积比例)。在连续输出10,000张后，重复进行上述的评价(l)到(3)。(实施例A-18至UA-21和比较实施例A-10至ljA-12)[479]在与实施例A-17相同的条件下，评价如上所述而制备的电子照相光电导体19a到25a。表A-8显示了该结果。表A-8也示出了电子照相光电导体编号，它们被用在实施例A-18到A-21和比较实施例A-10到A-12。表A-8<table>tableseeoriginaldocumentpage98</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage99</column></row><table>[480]显示于表A-8中的结果表明当渡越时间长度短于曝光-到-显影时间长度(实施例A-17到A-21)的时候，在使用光电导体的初始阶段，甚至在反复使用光电导体之后，表现出良好的光衰减特性。相反，当渡越时间长度长于曝光-到-显影时间长度(比较实施例A-10到A-12)的时候，观察到表面电势的增加，并且在光电导体的重复使用后，该现象是明显的。[481]也发现渡越时间长度短于曝光-到-显影时间长度(实施例A-17到A-21)，则彩色再现性是极好的，并且甚至在重复使用光电导体之后，形成了具有极好的彩色图像质量的图像。相反，发现当渡越时间长度长于曝光-到-显影时间长度(比较实施例A-10到A-12)的时候，在重复使用光电导体之后，彩色再现性下降。[482]进一步，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度(实施例A-17到A-21)短的时候，得到了良好的残留图像水平，并且，甚至在重复使用光电导体之后，可以形成极好的彩色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度(比较实施例A-10到A-12)更长时，在光电导体重复使用之后，残留图像水平下降。-合成钛氧基酞菁晶体-(合成实施例B-l)[483]根据描述于日本专利申请公开(JP-A)第2004-83859号的实施例1，制备颜料。[484]具体而言，混合292g的1,3-二亚氨基异二氢吲哚和1，800份的环丁砜，并且，在氮气气流下，将20.4g的四丁氧基钛滴入到混合物中。在完成滴加后，混合物的温度被逐渐升高到180°C，并且然后进行搅拌和反应5小时，同时保持反应温度在170。C到180。C。在反应完成之后，反应物被自然冷却，过滤沉淀物，将过滤出的沉淀物用氯仿洗涤，直到沉淀物粉末变成蓝色。接下来，用甲醇洗涤粉末数次，并进一步用80°C热水洗涤数次，然后干燥得到粗品钛氧基酞菁。粗品钛氧基酞菁被溶解在其体积20倍的硫酸中，将钛氧基酞菁溶液滴加入其体积100倍的冰水中，同时搅拌，得到晶体沉淀。过滤沉淀的晶体，然后用离子交换水(pH:7.0;相对电导率1.0pS/cm)重复洗涤，直到洗涤溶液变成中性的(在洗涤后，离子交换水的pH值是6.8，并且相对电导率是2.6pS/cm)，从而得到钛氧基酞菁颜料湿滤饼(水膏状物)。[485]将四十克如此得到的湿滤饼(水膏状物)加入到200g的四氢呋喃中，并且，将该混合物在均相混合机(MARKIIf-型，由KENIS,Ltd.制造)中，在2,000rpm，在室温下，剧烈搅拌。当膏状物的深蓝色颜色转变为浅蓝色时，(在开始搅拌后的20分钟)，停止搅拌。在此之后，马上将混合物在减压下过滤。用四氢呋喃洗涤过滤设备中所得到的晶体，从而获得颜料湿滤饼。将颜料湿滤饼在70°C下，在减压下(5mmHg)，干燥两天，从而得到以质量计8.5份的钛氧基酞菁晶体。这被称作颜料B-l。湿滤饼的固体含量是以质量计15%。基于质量比例，使用33倍于湿滤饼体积的晶体转化溶剂。注意在合成实施例B-1的原材料中，使用不含卤化合物。所得到的钛氧基酞菁粉末，采用X-射线衍射仪，在下述条件下被测量，并且证实得到钛氧基酞菁粉末，相对于Cu-Ka线(波长1.542埃)，其在27.2±0.2°的布拉格(Bragg)26角处具有最大峰；在7.3±0.2°的最小角处有一个峰；并且，进一步，在9.4±0.2°，9.6±0.2°，24.0±0.2。处分别有主峰;以及，在7.3°峰和在9.4。峰之间没有峰，进一步在26.3。处没有峰。图18显示了测量结果。[486]将在合成实施例B-l中所得到的水糊状物之一部分，在80°C下，在减压下(5mmHg)干燥2天，从而得到低结晶度的钛氧基酞菁粉末。图19显示了水糊状物的干燥粉末的X-射线衍射光谱。〈X-射线衍射光谱的测量条件>X-射线管Cu电压50kV电流30tnA扫描速度2°/min扫描范围3。到40°时间常数:2秒[487]在晶体转化之前，将合成实施例B-1制备的钛氧基酞菁(水膏状物)之一部分，用离子交换水稀释，以便以质量计为大约1%;并且，稀释悬浮液的表面用受过导电处理的铜质撇乳器撇乳。然后，用透射式电子显微镜(TEM,H-9000NAR，由Hitachi，Ltd.生产)，在75,000-倍放大率下，观察钛氧基酞菁，确定颗粒直径。平均颗粒直径如下所述而确定。[488]如上所观察到的TEM图像被打印在胶片上，作为TEM照片。从凸出的颗粒，任意选出具有针样形状的30个颗粒，各个颗粒的最长直径被测量。将这30个颗粒的最长直径的总测量值进行平均，该平均值被看作钛氧基酞菁颗粒的平均颗粒直径。采用上面方法，确定在合成实施例B-1的水糊状物(湿滤饼)中钛氧基酞菁的平均颗粒直径为0.06pm。[489]进一步，临近合成实施例B-1中的过滤之前，晶体转化的钛氧基酞菁晶体用四氢呋喃稀释，以便以质量计是大约1%，并且稀释的悬浮液的表面被以如上所述的相同方式观察。用如上所描述的同样方法测定的平均颗粒直径，显示于表B-l。注意在合成实施例B-1中制备的钛氧基酞菁晶体中，所有晶体颗粒不必具有同一形状，即，存在具有大约是三角形或者四边形形状的晶体颗粒，然而，晶体颗粒在大小上是相似的。由于这个原因，假定晶体颗粒的最长对角线的长度是最长直径，计算平均颗粒直径。结果，平均颗粒直径为0.12)am。(分散体制备实施例B-l)[490]在下述条件下，将在合成实施例B-1中制备的颜料B-l分散在下述组分中，以便制备分散体，作为电荷产生层涂布溶液。钛氧基酞菁颜料(颜料B-l)15份聚乙烯醇縮丁醛(BX-1，由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.生产)10份2-丁酮280份[491]在商业上可以得到的珠磨机中，放入其中溶解聚乙烯醇縮丁醛的2-丁酮以及钛氧基酞菁颜料(颜料B-l);使用直径为0.5mm的PSZ球，在转子速度为1,200rpm，分散这些成分30分钟，从而制备分散体。这被命名为分散体B-l。(分散体制备实施例B-2)[492]在下述条件下，分散下述组分，制备分散体，用作电荷产生涂布溶液。偶氮颜料，以下述结构式表示5份HNOCOHHOCONHO聚乙烯醇縮丁醛(BX-1，由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.生产)2份环己酮250份2-丁酮100份[493]在珠磨机中，放入其中溶解聚乙烯醇縮丁醛的溶剂(2-丁酮)以及偶氮颜料；使用具有直径10mm的PSZ球，在转子速度为85rpm，分散这些成分7天，从而分散分散体。这被命名为分散体B-2。(分散体制备实施例B-3)[494]以与分散体制备实施例B-2中相同的方式制备分散体(分散体B-3)，只是在分散体制备实施例B-2中所使用的偶氮颜料被变为一种以下述结构式表示的颜料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage102</formula>[495]如上所述制备的分散体中的颜料颗粒的粒度分布，是通过粒度分布分析仪(CAPB-700,由HORIBAInstrumentsInc.生产)测量的。表B-l显示了该结果。表B-l<table>tableseeoriginaldocumentpage102</column></row><table>[496]在外径是60mm的铝转筒(JIS1050)的表面上，顺序施用中间涂布溶液，电荷产生层涂布溶液，以及电荷传输涂布溶液，每一种具有下述组成，所施用的涂布溶液被顺序干燥，以便形成中间层——其具有的厚度是3.5pm，电荷产生层——其具有的厚度是0.5pm,以及电荷传输层——其具有的厚度是17pm，从而制备多层光电导体(光电导体lb)。-中间层涂布溶液-表面未处理金红石型钛白112份(CR-EL,由ISHIHARAINDUSTRYCO.，LTD.生产，平均颗粒直径0.25(am)醇酸树脂33.6份(BECKOLITEM6401-50-S(固体含量50%),由DainipponInkandChemicals,Inc生产)蜜胺树脂18.7份(SUPERBECKAMINEG821-60(固体含量60%),由DainipponInkandChemicals,Inc生产)2-丁酮(2-butanon)115份-电荷产生层涂布溶液-[497]使用如上制备的分散体B-2。-电荷传输层涂布溶液-聚碳酸酯(TS2050,由TeijinChemicals,Ltd.生产)10份电荷传输材料，以下述结构式表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage103</formula>(光电导体制备实施例B-2)[498]以与光电导体制备实施例B-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体2b)，只是在光电导体制备实施例B-l中所形成的电荷传输层的层厚度被改变为27(光电导体制备实施例B-3)[499]以与光电导体制备实施例B-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体3b)，只是电荷传输层的层厚度被改变为37Kim。(光电导体制备实施例B-4)[500]以与光电导体制备实施例B-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体4b)，只是电荷传输层的层厚度被改变为15)Lim，并且，在电荷传输层上，形成具有下述组成的保护层，保护层厚度为1pm。-保护层涂布溶液-聚碳酸酯(TS2050,由TeijinChemicals,Ltd.生产)10份电荷传输材料，以下述结构式表示10份a-氧化铝<formula>formulaseeoriginaldocumentpage103</formula>，平均主要颗粒直径0.4nm，折射率1.28)电阻率降低剂(BYK-P105，由BYKChemieCo.生产)O.l份环己酮160份四氢呋喃570份(光电导体制备实施例B-5)[501]如光电导体制备实施例B-4中相同的方式制备光电导体(光电导体5b)，只是保护层的层厚度被改变为7pm。(光电导体制备实施例B-6)[502]以如同光电导体制备实施例B-l中的相同方式，制备光电导体(光电导体6b)，只是电荷传输层的层厚度被改变为15pm,以及在电荷传输层上形成保护层，保护层具有下述的组成且厚度为1pm。-保护层涂布溶液-，不含电荷传输结构的三个或者更多官能的自由基可聚合单体10份(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，KAYARADTMPTA,由NipponKayakuCo.,Ltd.生产，分子量296，官能团的数目三官能，分子量/官能团的数目=99)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage104</formula>104[503]如下所述，形成保护层。电荷传输层表面被喷涂保护层涂布溶液，所涂敷的保护层涂布溶液被自然干燥20分钟，并且将涂敷层在如下条件下光辐射金属卤化物灯160W/cm，照射强度500mW/cm2，以及照射时间60秒。(光电导体制备实施例B-7)[504]如同光电导体制备实施例B-6中的相同方式，制备光电导体(光电导体7b),只是保护层的层厚度被改变为8pm。(光电导体制备实施例B-8)[505]以在光电导体制备实施例B-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体8b)，只是光电导体制备实施例B-1中形成的中间层被改变，以具有多层结构，该多层结构由电荷阻挡层和防波纹层组成，电荷阻挡层涂布溶液和防波纹层涂布溶液的每一种具有下述组成，被顺序施用到铝鼓的表面，而且该分别被施用的涂布溶液被干燥，以便形成电荷阻挡层——其厚度是l.Opm，和形成防波纹层——其厚度是3.5pm。-电荷阻挡层涂布溶液-N-甲氧基甲基化尼龙(FINERESINFR-101，由NAMARIICHICO.，LTD.制造)4份甲醇70份正丁醇30份-防波纹层涂布溶液-表面未处理金红石型钛白126份(CR-EL,由ISHIHARAINDUSTRYCO.,LTD.生产，平均颗粒直径0.25醇酸树脂25.2份(BECKOLITEM6401-50-S(固体含量50%),由DainipponInkandChemicals,Inc生产)蜜胺树脂14.0份(SUPERBECKAMINEG821-60(固体含量60%),由DainipponInkandChemicals,Inc生产)*2-丁酮150份(光电导体制备实施例B-9)[506]以在光电导体制备实施例B-l中相同的方式，制备光电导体(光电导体9b)，只是使用分散体B-3替换在光电导体制备实施例B-l中的电荷产生涂布溶液。(渡越时间长度的测量)[507]如下所述确定所制备的光电导体lb到9b的渡越时间。[508各个光电导体的曝光区域的电势，在下述条件下，使用在日本专利申请公开(JP-A)第2000-275872号(示于图1中)中描述的设备，进行测定。光电导体的线速度262mm/sec副扫描方向的分辨率400dpi图像表面静态能0.3mW(曝光量0.4|aJ/cm2)写入光波长655nm除电仪开启状态充电条件光电导体表面的充电量被控制，以致在写入之前的表面电势被设定为-800V。[509]在上面提及的条件下，如图3中所示被安置在显影位置的表面静电计沿着光电导体的圆周方向变换位置，并且，在10个点，相对于作为曝光-到-显影时间长度的20ms到155ms，测量充电量。[510]将如此所得到的各个光电导体的曝光区域中的电势值，相对于曝光-到-显影时间长度，分别作图，如图4中所示，确定在临界点(弯曲点)的曲线，从而确定各个光电导体的渡越时间。表B-2显示了该结果。表B-2<table>tableseeoriginaldocumentpage106</column></row><table>(实施例B-1)[511]如上制得的光电导体lb被安装在图16所示的双鼓图像形成装置中(在黑色图像形成区中)。使用电晕充电器(电晕充电系统)作为充电部件，对光电导体表面进行充电。使用波长为655nm的半导体激光器作为图像曝光光源(四通道LDA,其中四个LD被排列成阵列(lx4)——一种具有日本专利(JP-B)第3227226号中描述的结构的半导体激光器，尽管所述排列不同于其中描述的半导体激光器的排列，图像通过使用多棱镜被写入)，以1,200dpi的分辨率写入图像，使用平均颗粒直径为6.8)im的黑色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。在转印单元中，将显影图像直接转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且将保留在光电导体表面上的电荷消除，其中采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源。[512]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(图像被写到光电导体上的中心)到光电导体的核心引出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心引出的另一条直线之间形成的角度是45°。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光-到-显影的时间长度是49ms。[513]不同于上述的光电导体lb的另一光电导体lb被安装在图像形成装置中(在彩色图像形成区中)。使用电晕充电器(电晕充电装置)作为充电部件，对光电导体表面进行充电。使用波长为655nm的半导体激光器作为图像曝光光源(四通道LDA，其中四个LD被排列成阵列(lx4)--种具有日本专利(JP-B)第3227226号中描述的结构的半导体激光器，尽管所述排列不同于该专利中描述的半导体激光器的排列，图像通过使用多棱镜被写入)，以1,200dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.8pm的彩色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。使用初级转印带和次级转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且将保留在光电导体表面上的电荷消除，其中采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源。[514]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(图像被写到光电导体上的中心)到光电导体的核心引出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心引出的另一条直线之间形成的角度是45。，光电导体的线速度是480mm/sec，LD被安排，以至于用写入光(writinglight)照射的光电导体上的任意确定的点到达显影套筒的中心的时间长度(曝光-到-显影的时间长度)是49ms。[515]工艺条件如此设置，以致下述条件可以在初始操作中被获得。光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-120V(在图像的密实部分中使用的电势)<评价项目(单色)>光电导体lb被安装到黑色图像形成区，进行下面的评价。(1)测量表面电势[516]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的黑色图像形成区中的显影单元的位置，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-3-l显示了该结果。(2)评价背景脏污(BackgroundSmear)在22°C和50%的相对湿度条件下，使用图像形成装置输出空白图像打印件，以评价背景脏污。基于在输出的打印件的背景中出现的黑点的数目和黑点的大小，评价背景脏污的水平。背景脏污的情况按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-3-l显示了这些评价结果。(3)评价点再现性[518]使用图像形成装置，输出分离的单点图像，以评价点再现性。利用光学显微镜观察单点图像打印件，点的轮廓的清晰程度按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的点再现性的光电导体被评为A，提供了有利的点再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的点再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的点再现性的光电导体被评为D。表B-3-l显示了这些评价结果。[519]在进行了评价(1)至(3)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张图，纸张上的图像面积为6%(具有相当于A4纸的整个面积的6%的图像面积比的字符被平均地书写)。在连续输出IO，OOO张纸之后，再次进行(1)至(3)项的评价。<评价项目(全色)>[520]不同于上文提到的在黑色图像形成区的评价中使用的光电导体lb的其它光电导体lb被分别安装到黑色图像形成区和彩色图像形成区，并进行下面的评价。(4)测量表面电势[521]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的彩色图像形成区的显影单位的位置，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-3-2显示了该结果。(5)评价图像密度[522]在对每一光电导体充以负电至-800V后，使用该图像形成装置连续打印出总共10,000张的图像。在初始阶段打印出的图像和在输出10,000张后打印出的图像被评价。图像密度的水平按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的图像密度的光电导体被评为A，提供了有利的图像密度的光电导体被评为B，提供了稍微差的图像密度的光电导体被评为C,提供了非常差的图像密度的光电导体被评为D。表B-3-2显示了这些评价结果。(6)评价残留图像[523]使用如图20中所示的A4尺寸的图(前2/5部分为斜线图像，后3/5部分为半色调图像)，图像以单色模式(仅仅用黑色)输出。半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分在半色调部分中浓厚地输出)被评价，并按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-3-2显示了这些评价结果。[524]在进行了评价(4)至(6)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张全色图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的斜线被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(4)至(6)项的评价。(实施例B-2至B-6和比较实施例B-l至B-3)[525]在与实施例B-1相同的条件下，对如上所述制得的光电导体2b至9b进行评价。表B-3-l和B-3-2显示了评价结果。表B-3-l和B-3-2也显示了实施例B-2至B-6和比较实施例B-l至B-3中使用的电子照相光电导体编号。注意，在安装了光电导体7b的图像形成装置中，分辨率被设为600dpi。表B-3-l<table>tableseeoriginaldocumentpage109</column></row><table>实施例B-2实施例B-46b80AA85B到AB到A比较实施例B-37b95CC135C到DC到D实施例B-58b70AA75BB实施例B-69b80AA85BB[526]表B-3-l中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-l至B-6)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-1至B-3)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[527]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-l至B-6)，点的再现性是优异的，并且，甚至在重复使用光电导体后，也形成具有优异的点图像质量的图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-l至B-3)，在重复使用光电导体后，点的再现性下降。[528]而且，从使用空白图像获得的评价结果来看，通过制造具有由电荷阻挡层和防波纹层构成的多层结构的中间层，背景脏污的评价等级可以被提高，并且，甚至在重复使用后，该改善效果也可被保持(实施例B-5)。[529]而且，在实施例B-l和实施例B-6之间的比较中，B-l中使用的光电导体lb中的曝光区域的表面电势比实施例B-6中使用的光电导体9b的低。这说明，在光电导体lb中使用的不对称偶氮颜料导致了高感光性。[530]表B-3-2中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-l至B-6)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-l至B-3)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[531]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-l至B-6)，图像密度高，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-l至B-3)，在重复使用光电导体后，图像密度下降。[532]而且，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-l至B-6)，有利的残像水平被获得，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-l至B-3),在重复使用光电导体后，残像水平下降。(光电导体制备实施例B-10至B-17)[533]按照与光电导体制备实施例B-l至B-8中相同的方式，分别制造光电导体，不同之处是，在光电导体制备实施例B-l至B-8中使用的各电荷产生层涂布溶液被改变为分散体B-l(制得的光电导体按此顺序被命名为光电导体10b到17b)。(渡越时间长度的测量)[534]制得的光电导体10b到17b的渡越时间长度如下所述被确定。[535]各个光电导体的曝光区域的电势通过使用在日本专利申请公开(JP-A)第2000-275872号中描述的设备在下面的条件下被测定(图I中显示)。光电导体的线速度262mm/sec副扫描方向的分辨率400dpi图像表面静态能0.3mW(曝光量0.4pJ/cm2)写入光的波长780nm电荷消除装置被启动充电条件光电导体表面的充电量被控制，以至于在写入之前表面电势被设置为-800V。[536]在上文提到的条件下，如图3所示的被设置在显影位置的表面静电仪，沿着光电导体的圆周方向被重新放置，充电量在10个部位被测量20ms到155ms,其为曝光-到-显影时间长度。[537]如此获得的在各个光电导体的曝光区域的电势值分别就曝光-到-显影时间长度作图，如图4所示，并且，临界点(弯曲点)处的曲线被确定，从而确定各个光电导体的渡越时间。表B-4显示了结果。表B-4<table>tableseeoriginaldocumentpage112</column></row><table>(实施例B-7)[538]制得的电子照相光电导体10b被附着到印刷墨盒(processcartridge),该印刷墨盒被置于图16所示的图像形成装置中(在黑色图像形成区中)。使用电晕充电器(电晕充电装置)作为充电部件，对光电导体进行充电。使用依据日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中描述的面发射激光器阵列(发光点在空间上按8x4排列；激光束的数目32，波长780nm)的光源作为图像曝光光源，以2，400dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.2)am的黑色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。在转印装置中，显影图像被直接转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且采用波长为655nm的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除。[539]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光-到-显影的时间长度是49ms。[540]不同于上述的光电导体10b的另一光电导体10b被附着到印刷墨盒，该印刷墨盒被置于图像形成装置中(在彩色图像形成区中)。使用电晕(scorotoron)充电器(电晕充电装置)作为充电部件，对光电导体进行充电。使用依据日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中描述的表面发射激光器阵列(发光点在空间上按8x4排列；激光束的数目32，波长780nm)的光源作为图像曝光光源，以2,400dpi的分辨率写入图像。使用各自的平均颗粒直径为6.2pm的墨粉(黄色墨粉、洋红色墨粉、青色墨粉和黑色墨粉分别被用于各个位置(station))、采用双组分显影方法，将图像显影。使用初级转印带和次级转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且采用波长为655nm的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除。[541]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光-到-显影的时间长度是49ms。[542]工作条件被设置，以致下述条件可以在初始操作中被获得。光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-150V<评价项目(单色)>光电导体10b被附着到印刷墨盒(processcartridge),该印刷墨盒被安装到到黑色图像形成区中，进行下面的评价。(1)测量表面电势[543]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的黑色图像形成区的显影单元的位置，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用图像曝光光源写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-5-l显示了该结果。(2)评价背景脏污[544]在22°C和50%的相对湿度条件下，使用图像形成装置输出空白图像打印件，以评价背景脏污。基于在输出的打印件的背景中出现的黑点的数目和黑点的大小，对背景脏污的水平进行评价。背景脏污的情况按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-5-l显示了这些评价结果。(3)评价点的再现性[545]使用图像形成装置，输出分离的单点图像，以评价点的再现性。利用光学显微镜观察单点图像打印物，点的轮廓的清晰程度按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的点再现性的光电导体被评为A，提供了有利的点再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的点再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的点再现性的光电导体被评为D。表B-5-l显示了这些评价结果。[546]在进行了评价(1)至(3)后，在上文提到的工作条件下连续打印IO，OOO张图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的字符被平均地书写)。在连续输出IO，OOO张纸之后，再次进行(1)至(3)项的评价。<评价项目(全色)>[547]不同于上文提到的光电导体10b的其它光电导体10b被分别安装到黑色图像形成区和彩色图像形成区，并进行下面的^P价。(4)测量表面电势[548]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的彩色图像形成区的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-5-2显示了该结果。(5)评价图像密度[549]在对每一光电导体充以负电至-800V后，使用该图像形成装置连续打印出总共10,000张的图像。在初始阶段打印出的图像和在输出IO，OOO张后打印出的图像被评价。图像密度的水平按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的图像密度的光电导体被评为A，提供了有利的图像密度的光电导体被评为B，提供了稍微差的图像密度的光电导体被评为C，提供了非常差的图像密度的光电导体被评为D。表B-5-2显示了这些评价结果。(6)评价残留图像[550]使用如图20中所示的A4尺寸的图(前2/5部分为斜线图像，后3/5部分为半色调图像)，图像以单色模式(仅仅用黑色)输出。半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分在半色调部分中浓厚地输出)被评价，并按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-5-2显示了这些评价结果。[551]在进行了评价(4)至(6)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张全色图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的斜线被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(4)至(6)项的评价。(实施例B-8至B-ll和比较实施例B-4至B-6)[552]在与实施例B-7相同的条件下，评价如上所述制得的光电导体llb至17b。表B-5-l和B-5-2显示了结果。表B-5-l和B-5-2也显示了实施例B-8至B-ll和比较实施例B-4至B-6中使用的电子照相光电导体编号。注意，在安装了光电导体16b的图像形成装置中，分辨率被设为600dpi。表B-5-l<table>tableseeoriginaldocumentpage115</column></row><table>表B-5陽2光电导体编号在初始阶段在打印IO，OOO张后表面电势(-v)图像密度残留图像表面电势(陽v)图像密度残留图像实施例B-710b145AA150B到AA实施例B-8lib150AA155BB比较实施例B-412b160CC180CC实施例B-913b145AA150B到AB到A比较实施例B-514b165CC195C到DC到D实施例B-1015b150AA155B到AB到A比较实施例B-616b170CC210C到DC到D实施例B-ll17b145AA150BB[553]表B-5-l中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-7至B-ll)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-4至B-6)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[554]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-7至B-ll),点的再现性是优异的，并且，甚至在重复使用光电导体后，也形成具有优异的点图像质量的图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-4至B-6)，在重复使用光电导体后，点的再现性下降。[555]而且，从使用空白图像获得的评价结果来看，通过制造具有由电荷阻挡层和防波纹层构成的多层结构的中间层，背景脏污的评价等级可以被提高，并且，甚至在重复使用后，该改善效果也可被保持(实施例B-ll)。[556]而且，表B-5-2中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-7至B-ll)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-4至B-6)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-7至B-11)，图像密度高，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-4至B-6)，在重复使用光电导体后，图像密度下降。而且，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-7至B-11)，有利的残像水平被获得，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-4至B-6)，在重复使用光电导体后，残像水平下降。(实施例B-12)[559]如此制备出的光电导体10b被置于图17所示的图像形成装置中。对于充电部件，充电辊以距离光电导体表面50pm的距离被近距离安放，并且光电导体被充电。充电辊的表面缠绕着厚度为50pm的间隙形成带(agap-formingtape),这样，仅仅在光电导体两端的不形成图像的表面区域中，光电导体表面可能与充电辊接触。使用波长为780nm的半导体激光器作为图像曝光光源(四通道LD，其中四个LD被排列成阵列(lx4)——一种具有日本专利(JP-B)第3227226号中描述的结构的半导体激光器，尽管所述排列不同于该专利描述的半导体激光器的排列，图像通过使用多棱镜被写入)，以1,200dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.8)am的黑色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。使用初级转印带和次级转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且将保留在光电导体表面上的电荷消除，其中采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源。[560]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光至显影的时间长度是49ms。[561]不同于上述的光电导体10b的另一光电导体10b被安装在图像形成装置中(在图像形成区S2中)。对于充电部件，充电辊以距离光电导体表面50^im的距离被近距离安放，并且光电导体被充电。充电辊的表面缠绕着厚度为50nm的间隙形成带，这样，仅仅在光电导体两端的不形成图像的表面区域中，光电导体表面能够与充电辊接触。使用波长为780nm的半导体激光器作为图像曝光光源(四通道LD,其中四个LD被排列成阵列(lx4)--种具有日本专利(JP-B)第3227226号中描述的结构的半导体激光器，尽管所述排列不同于该专利描述的半导体激光器的排列，图像通过使用多棱镜被写入)，以1,200dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.8ptm的彩色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。使用初级转印带和次级转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且将保留在光电导体表面上的电荷消除，其中采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源。[562]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光至显影的时间长度是49ms。[563]工作条件被设置，以致下述条件可以在初始操作中被获得。[564]光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-70V(在图像的密实部分的电势)<评价项目(单色)>光电导体10b被安装至图像形成区Sl，下面的评价被进行。(1)测量表面电势[565]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图17所示的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-6-l显示了该结果。(2)评价背景脏污[566]在22。C和50。/。的相对湿度条件下，使用图像形成装置输出空白图像打印，以评价背景脏污。基于在输出的打印物的背景中出现的黑点的数目和黑点的大小，背景脏污的水平被评价。背景脏污的情况按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-6-l显示了这些评价结果。(3)评价点的再现性[567]使用图像形成装置，输出分离的单点图像，以评价点的再现性。利用光学显微镜观察单点图像打印物，点的轮廓的清晰程度按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的点再现性的光电导体被评为A，提供了有利的点再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的点再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的点再现性的光电导体被评为D。表B-6-l显示了这些评价结果。[568]在进行了评价(1)至(3)后，在上文提到的工作条件下连续打印IO，OOO张图表，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的字符被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再进行(1)至(3)项的评价。<评价项目(全色)>[569]不同于上文提到的在图像形成区Sl的评价中使用的光电导体10b的其它光电导体10b被分别安装到图像形成区Sl和图像形成区S2，并进行下面的评价。(4)测量表面电势[570]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图17所示的图像形成区S2的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-6-2显示了该结果。(5)评价图像密度[571]在对每一光电导体充以负电至-800V后，使用该图像形成装置连续打印出总共10,000张的图像。在初始阶段打印出的图像和在输出10,000张后打印出的图像被评价。图像密度的水平按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的图像密度的光电导体被评为A，提供了有利的图像密度的光电导体被评为B，提供了稍微差的图像密度的光电导体被评为C，提供了非常差的图像密度的光电导体被评为D。表B-6-2显示了这些评价结果。(6)评价残留图像[572]使用如图20中所示的A4尺寸的图(前2/5部分为斜线图像，后3/5部分为半色调图像)，图像以单色模式(仅仅黑色)输出。半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分在半色调部分中浓厚地输出)被评价，并按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C,提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-6-2显示了这些评价结果。[573]在进行了评价(4)至(6)后，在上文提到的工作条件下连续打印IO，OOO张全色图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的斜线被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(4)至(6)项的评价。(实施例B-13至B-16和比较实施例B-7至B-9)[574]在与实施例B-12中所使用的相同条件下，被评价上制得的光电导体llb至17b。表B-6-l和B-6-2显示了评价结果。表B-6-l和B-6-2也显示了实施例B-13至B-16和比较实施例B-7至B-9中使用的电子照相光电导体编号。注意，在安装了光电导体16b的图像形成装置中，分辨率被设为600dpi。表B-6-l<table>tableseeoriginaldocumentpage120</column></row><table>表B-6-2<table>tableseeoriginaldocumentpage120</column></row><table>[575]表B-6-l中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-12至B-16)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-7至B-9)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[576]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-12至B-16)，点的再现性是优异的，并且，甚至在重复使用光电导体后，也形成具有优异的点图像质量的图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-7至B-9)，在重复使用光电导体后，点的再现性下降。[577]而且，从使用空白图像获得的评价结果来看，通过制造具有由电荷阻挡层和防波纹层构成的多层结构的中间层，背景脏污的评价等级可以被提高，并且，甚至在重复使用后，该改善效果也可被保持(实施例B-16)。[578]而且，表B-6-2中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-12至B-16)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-7至B-9)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[579]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-12至B-16)，图像密度高，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-7至B-9)，在重复使用光电导体后，图像密度下降。[580]而且，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-12至B-16)，有利的残像水平被获得，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-7至B-9)，在重复使用光电导体后，残像水平下降。(实施例B-17)[581]如此制备出的光电导体10b被附着到印刷墨盒，该印刷墨盒被置于图17所示的图像形成装置中(在图像形成区S1中)。对于充电部件，充电辊以距离光电导体表面50pm的距离被近距离安放，并且光电导体被充电。充电辊的表面缠绕着厚度为50pm的间隙形成带(agap-foraiingtape)，这样，仅仅在光电导体两端的不形成图像的表面区域中，光电导体表面能够与充电辊接触。使用依据日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中描述的面发射激光器阵列(发光点在空间上按8x4排歹!h激光束的数目32，波长780nm)的光源作为图像曝光光源，以2,400dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.2pm的黑色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。使用转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且采用波长为655nm的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除，以及采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除。[582]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光至显影的时间长度是49ms。[583]不同于上述的光电导体10b的另一光电导体10b被安装在图像形成装置中(在图像形成区S2中)。对于充电部件，充电辊以距离光电导体表面50iiim的距离被近距离安放，并且光电导体被充电。充电辊的表面缠绕着厚度为50pm的间隙形成带，这样，仅仅在光电导体两端的不形成图像的表面区域中，光电导体表面能够与充电辊接触。使用依据日本专利申请公开(JP-A)第2004-287085号中描述的面发射激光器阵列(发光点在空间上按8x4排列；激光束的数目32，波长780nm)的光源作为图像曝光光源，以2,400dpi的分辨率写入图像。使用平均颗粒直径为6.2pm的彩色墨粉、采用双组分显影方法，将图像显影。使用转印带作为转印部件，将显影图像转印到转印纸上，光电导体表面采用刮板清洁法进行清洁，并且采用波长为655run的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除，以及采用波长为660nm的LED作为电荷消除光源将保留在光电导体表面上的电荷消除。[584]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光至显影的时间长度是49ms。[585]工作条件被设置，以致下述条件可以在初始操作中被获得。光电导体的充电电势(未曝光区域的电势)-800V显影偏压-550V(负片/正片显影偏压)曝光区域的表面电势-70V(在图像的密实部分的电势)<评价项目(单色)>[586]光电导体10b被附着到印刷墨盒，该印刷墨盒被安装到图像形成区S1中，进行下面的评价。(1)测量表面电势[587]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图17所示的图像形成区S1的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-7-l显示了该结果。(2)测量背景脏污[588]在22。C和50y。的相对湿度条件下，使用图像形成装置输出空白图像打印，以评价背景脏污。基于在输出的打印物的背景中出现的黑点的数目和黑点的大小，评价背景脏污的水平。背景脏污的情况按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-7-l显示了这些评价结果。(3)评价点的再现性[589]使用图像形成装置，输出分离的单点图像，以评价点的再现性。利用光学显微镜观察单点图像打印物，点的轮廓的清晰程度按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的点再现性的光电导体被评为A，提供了有利的点再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的点再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的点再现性的光电导体被评为D。表B-7-l显示了这些评价结果。[590]在进行了评价(1)至(3)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的字符被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(1)至(3)项的评价。<评价项目(全色)〉[591]不同于上文提到的在图像形成区Sl的评价中使用的光电导体10b的其它光电导体10b被分别安装到图像形成区Sl和图像形成区S2，并进行下面的评价。(4)测量表面电势[592]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图17所示的图像形成区S2的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-7-2显示了该结果。(5)评价彩色再现性[593]使用图像形成装置，输出10,000张IS0/JIS-SCID图像N1(肖像图)，打印的图像的彩色再现性通过视觉被检验和评价。彩色再现性的水平按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的彩色再现性的光电导体被评为A，提供了有利的彩色再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的彩色再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的彩色再现性的光电导体被评为D。表B-7-2显示了这些评价结果。(6)评价残留图像[594]使用如图20中所示的A4尺寸的图(前2/5部分为斜线图像，后3/5部分为半色调图像)，图像以单色模式输出。半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分在半色调部分中浓厚地输出)被评价，并按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-7-2显示了这些评价结果。[595]在进行了评价(4)至(6)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张全色图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的斜线被平均地书写)。在连续输出IO，OOO张纸之后，再次进行(4)至(6)项的评价。(实施例B-18至B-21和比较实施例B-10至B-12)[596]在与实施例B-17中所使用的相同条件下，评价如上制得的光电导体llb至17b。表B-7-l和B-7-2显示了评价结果。表B-7-l和B-7-2也显示了实施例B-18至B-21和比较实施例B-10至B-12中使用的电子照相光电导体编号。注意，在安装了光电导体16b的图像形成装置中，分辨率被设为600dpi。<table>tableseeoriginaldocumentpage124</column></row><table>表B-7-2<table>tableseeoriginaldocumentpage125</column></row><table>[597]表B-7-l中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-17至B-21)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-10至B-12),表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[598]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短(实施例B-17至B-21)，点的再现性是优异的，并且，甚至在重复使用光电导体后，也形成具有优异的点图像质量的图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-10至B-12)，在重复使用光电导体后，点的再现性下降。[599]而且，从使用空白图像获得的评价结果来看，通过制造具有由电荷阻挡层和防波纹层构成的多层结构的中间层，背景脏污的评价等级可以被提高，并且，甚至在重复使用后，该改善效果也可被保持(实施例B-21)。[600]而且，表B-7-2中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-17至B-21),在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-10至B-12)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[601]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短(实施例B-17至B-21)，彩色再现性优异，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-10至B-12)，在重复使用光电导体后，彩色再现性下降。[602]而且，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-17至B-21)，有利的残像水平被获得，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-10至B-12)，在重复使用光电导体后，残像水平下降。(实施例B-22)[603]不同于如上制得的光电导体lb的其它光电导体lb被分别安装在如图16所示的双鼓图像形成装置中(在黑色图像形成区和彩色图像形成区中)。[604]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光-到-显影的时间长度是49ms。[605]仍不同于如上提到的光电导体lb的其它光电导体lb被安装在同一图像形成装置中(在彩色图像形成区中)。[606]图像曝光光源被如此放置，使得从图像曝光光源的照射部分(中心，在其中，图像被写到光电导体上)到光电导体的核心作出的直线与从显影套筒的核心到光电导体的核心作出的另一条直线之间形成的角度是45。。光电导体以480mm/sec的线速度被触发，并且，因此，曝光-到-显影的时间长度是49ms。<评价项目(单色)>[607]光电导体lb被安装至黑色图像形成区，下面的评价被进行。(1)测量表面电势[608]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的黑色图像形成区的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-8-l显示了该结果。(2)测量背景脏污[609]在22°<:和50%的相对湿度条件下，使用图像形成装置输出空白图像打印，以评价背景脏污。基于在输出的打印物的背景中出现的黑点的数目和黑点的大小，评价背景脏污的水平。背景脏污的情况按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-8-l显示了这些评价结果。(3)评价点的再现性[610]使用图像形成装置，输出隔离的单点图像，以评价点的再现性。利用光学显微镜观察单点图像打印，点的轮廓的清晰程度按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的点再现性的光电导体被评为A，提供了有利的点再现性的光电导体被评为B，提供了稍微差的点再现性的光电导体被评为C，提供了非常差的点再现性的光电导体被评为D。表B-8-l显示了这些评价结果。[611]在进行了评价(1)至(3)后，在上文提到的工作条件下连续打印10,000张图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的字符被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(1)至(3)项的评价。<评价项目(全色)>[612]不同于上文提到的在黑色图像形成区的评价中使用的光电导体lb的其它光电导体lb被分别安装在黑色图像形成区和彩色图像形成区中，并进行下面的评价。(4)测量表面电势[613]在制得的光电导体中曝光区域的电势按照下面的方法被测量。具体地，表面电势仪被安装到如图16所示的彩色图像形成区的显影部分，并且，光电导体被充以负电至-800V。之后，应用半导体激光器写入图像的密实部分，图像显影部分的曝光区域的电势被测量。表B-8-2显示了该结果。(5)评价图像密度[614]在对每一光电导体充以负电至-800V后，使用该图像形成装置连续打印出总共10,000张的图像。在初始阶段打印出的图像和在输出10,000张后打印出的图像被评价。图像密度的水平按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的图像密度的光电导体被评为A，提供了有利的图像密度的光电导体被评为B，提供了稍微差的图像密度的光电导体被评为C，提供了非常差的图像密度的光电导体被评为D。表B-8-2显示了这些评价结果。(6)评价残留图像[615]使用如图20中所示的A4尺寸的图(前2/5部分为斜线图像，后3/5部分为半色调图像)，图像以单色模式(仅仅用黑色)输出。半色调部分中的负残像水平(有时，斜线部分在半色调部分中浓厚地输出)被评价，并按照下面的四个等级来评级。提供了极为有利的结果的光电导体被评为A，提供了有利的结果的光电导体被评为B，提供了稍微差的结果的光电导体被评为C，提供了非常差的结果的光电导体被评为D。表B-8-2显示了这些评价结果。[616]在进行了评价(4)至(6)后，在上文提到的工作条件下连续打印10，000张全色图，纸张上的图像面积为6%(具有与A4纸的整个面积相比等于6%的图像面积比的斜线被平均地书写)。在连续输出10,000张纸之后，再次进行(4)至(6)项的评价。(实施例B-23至B-24和比较实施例B-13至B-15)[617]在与实施例B-22中所使用的相同条件下，评价如上制得的光电导体2b、3b、9b、10b和llb。表B-8-l和B-8-2显示了评价结果。表B-8-I和B-8-2也显示了实施例B-23至B-24和比较实施例B-13至B-15中使用的电子照相光电导体编号。注意，在安装了光电导体8b的图像形成装置中，分辨率被设为600dpi。表B-8-l<table>tableseeoriginaldocumentpage128</column></row><table>表B-8-2<table>tableseeoriginaldocumentpage129</column></row><table>表B-8-l中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B_22至B-24)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-13至B-15)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[619]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-22至B-24)，点的再现性是优异的，并且，甚至在重复使用光电导体后，也形成具有优异的点图像质量的图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-13至B-15)，在重复使用光电导体后，点的再现性下降。[620]而且，在实施例B-22和实施例B-23之间的比较中，B-22中使用的光电导体lb中的曝光区域的表面电势比实施例B-23中使用的光电导体9b的低。这说明，在光电导体lb中使用的不对称偶氮颜料导致了高感光性。[621]表B-8-2中显示的结果证实，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-22至B-24)，在使用光电导体的初始阶段以及甚至在重复使用光电导体之后，都良好地表现出光衰减特性。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-13至B-15)，表面电势的升高被观察到，并且，在重复使用光电导体后，该现象明显。[622]还发现，渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-22至B-24)，图像密度高，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，发现，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-13至B-15)，在重复使用光电导体后，图像密度下降。[623]而且，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度短时(实施例B-22至B-24)，有利的残像水平被获得，并且，甚至在重复使用光电导体后，也能够形成优异的全色图像。相反，当渡越时间长度比曝光-到-显影时间长度长时(比较实施例B-13至B-15)，在重复使用光电导体后，残像水平下降。权利要求1.图像形成装置，包括光电导体，充电单元，配置用于将所述光电导体充电至期望电势，写入单元，配置用于通过以分辨率l,200dpi或者更高，曝光所述光电导体的表面，形成静电潜像，墨粉图像形成单元，配置用于通过使用墨粉显影所述静电潜像而形成墨粉图像，所述墨粉图像形成单元具有多个显影设备，该显影设备被如此放置以面对所述光电导体，并且该显影设备容纳有针对每一种颜色的多种发色显影剂，转印单元，配置用于将形成于所述光电导体上的所述墨粉图像转印到转印材料上，以及定影单元，配置用于将所述转印的墨粉图像固定在所述转印材料上，其中，所述光电导体上的任意一点，在从正对所述写入单元的位置运动到正对所述显影单元的位置，所花费的时间小于50ms，并且长于所述光电导体的渡越时间。2.图像形成装置，包括光电导体，多个充电单元，配置用于将所述光电导体充电至期望电势，多个写入单元，配置用于通过以分辨率l,200dpi或者更高，曝光所述光电导体的表面，形成静电潜像，墨粉图像形成单元，配置用于通过使用墨粉显影所述静电潜像而形成墨粉图像，所述墨粉图像形成单元包括多个显影设备，所述显影设备被放置以正对所述光电导体，并且容纳有针对每一种颜色的多种发色显影剂，转印单元，配置用于将形成于所述光电导体上的所述墨粉图像转印到转印材料上，以及定影单元，配置用于将所述转印的墨粉图像固定在所述转印材料上，其中，所述光电导体上的任意点，在从正对所述多个写入单元的各个位置运动到正对所述相应的多个显影单元的各个位置，所花费的时间小于50ms，并且长于所述光电导体的渡越时间。3.根据权利要求l所述的图像形成装置，其中使用了多光束曝光系统，在其中，所述写入单元被设置，以便通过使用多个光束，同时曝光多个曝光区域，从而形成所述静电潜像。4.根据权利要求3所述的图像形成装置，其中在所述多光束曝光系统中所使用的光源由三个或者更多个的面发射激光器阵列构成。5.根据权利要求4所述的图像形成装置，其中在所述多光束曝光系统中所使用的光源由三个或者更多个的面发射激光器阵列构成，并且面发射激光器以二维方式布置。6.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中所述光电导体具有光敏层，该光敏层含有偶氮颜料，该偶氮颜料由下述结构式(1)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>结构式(1)其中，CPl和Cp2分别代表偶合剂残基；R2Q1和R2Q2分别代表氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基和氰基之任何一种，并且R2(H和R2Q2可以是相同的或者彼此不同的；CPl和Cp2分别由下述的结构式(2)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>结构式(2)其中，R203代表氢原子、垸基和芳基之任何一种；R204、R205、R206、R207和R208分别代表氢原子、硝基基团、氰基基团、卤素原子、卤代垸基、垸基、烷氧基、二垸基氨基和羟基之任何一种；并且，Z代表形成可以具有取代基的碳环芳基，或者形成可以具有取代基的杂环芳基所必需的原子团。7.根据权利要求6所述的图像形成装置，其中在所述偶氮颜料中的Cp!和Cp2是相互不同的。8.根据权利要求l所述的图像形成装置，其中所述光电导体具有光敏层，该光敏层含有钛氧基酞菁晶体，该钛氧基酞菁晶体在使用CuKaX-射线(1.542A)的X-射线衍射光谱中，在至少27.2°的布拉格角(29±0.2°)处具有最大衍射峰，在9.4°、9.6°和24.0°处具有主峰，在7.3。处具有最小角度衍射峰，在7,3°和9.4。的峰之间没有衍射峰，以及在26.3°处没有衍射峰。9.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中所述光电导体具有位于所述光敏层上的保护层。10.根据权利要求9所述的图像形成装置，其中所述保护层包括无机颜料和金属氧化物中的至少任何一种，所述金属氧化物具有的电阻率是l(Tacm或者更高。11.根据权利要求9所述的图像形成装置，其中保护层是通过以下单体的硬化而形成，这些单体为-不含电荷传输结构的，可自由基聚合的，至少一种三官能的或者更高官能的单体，和具有电荷传输结构的，可自由基聚合的，单官能化合物。12.根据权利要求l所述的图像形成装置，被提供有印刷墨盒，所述印刷墨盒是可拆卸式地可装配到所述图像形成装置主体上，其中该印刷墨盒包括所述光电导体以及一个或者多个单元，所述单元选自充电单元、写入单元、显影单元、转印单元、清洁单元和电荷消除单元，并且所述光电导体和所述一个或者多个单元被集成为一个单元。13.图像形成装置，包括彩色图像形成区，设置为通过多个彩色图像显影单元在第一个光电导体上形成彩色墨粉图像，以及将所述彩色墨粉图像转印到位于第一转印部分中的记录材料上，黑色图像形成区，设置为在第二个光电导体上通过黑色图像显影单元形成黑色墨粉图像，以及将所述黑色墨粉图像转印到处于第二转印部分中的记录材料上，和定影单元，设置用于将所述转印的彩色墨粉图像和所述转印的黑色墨粉图像固定于所述记录材料上，其中，所述彩色图像形成区包括所述第一光电导体，具有l,200dpi或者更高的分辨率的第一写入单元，以及所述多个彩色图像显影单元，所述黑色图像形成区包括所述第二光电导体，具有1,200dpi或者更高的分辨率的第二写入单元，以及所述黑色图像显影单元，并且，所述第一和第二光电导体上的任意点，在从正对相应写入单元的各自位置运动到正对相应显影单元的各自位置，所用的时间小于50ms，并且分别大于所述第一和第二光电导体的渡越时间。全文摘要本发明提供了一种图像形成装置，其包括光电导体，设置用于对所述光电导体充电的充电单元，设置用于形成静电潜像的写入单元，通过显影所述静电潜像而形成墨粉图像的墨粉图像形成单元，所述墨粉图像形成单元具有数个显影器，显影器容纳有针对每一种颜色的数个颜色显示剂，设置用于将形成于所述光电导体上的墨粉图像转印到转印材料上的转印单元，以及设置用于将所述转印的墨粉图像固定到所述转印材料上的定影单元，其中在所述光电导体上的任意一点，在从正对写入单元的位置运动到正对显影单元的位置中，所花费的时间小于50ms，并且长于所述光电导体的渡越时间。文档编号G03G15/00GK101145005SQ20071015333公开日2008年3月19日申请日期2007年9月17日优先权日2006年9月15日发明者新美达也,稻叶佳范申请人:株式会社理光