一种用于制造光掩模的方法

专利名称：：一种用于制造光掩模的方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于改善在用于半导体制造的光学掩模上印刷的临界特征的分辨率的方法与装置，并且具体而言，涉及一种用于蚀刻在光学掩模上的铬膜的方法和装置以提高跨掩模图像尺寸均匀性和线性度并减小在光学掩模上的标称图像尺寸的误差。
背景技术：
：在制造电子元件上的电路图形中，例如在半导体衬底上制造集成电路，光掩模用于将希望的电路图形转移到衬底工件上。典型地多次使用光掩模用于制造众多的电子器件。由于光掩模中的任何瑕疵或缺陷在工件中被复制，其直接影响了产生的工件的可操作性，因此对光掩模的质量提出了严格的要求。在光掩模制造中最大的技术挑战之一为构建满足半导体工业所要求的严格的跨掩模临界尺寸均匀性(CDU)规格的高精度光掩模。典型地通过使用扫描电子显微镜(SEM)在掩模上的跨掩模的许多位置处测量临界特征的线宽来获得跨掩模CDU，并且表示为纳米的3sigma值。对于用于构建90irni技术结点的半导体器件的光掩模，掩模CDU规格典型地〈7nm(3sigma)。对于65nm器件，掩模CDU规格典型地〈5nm(3sigma)以及对于45nm器件，掩模CDU规格〈3.5nm(3sigma)。本发明旨在能够达到这些严格的跨掩才莫CD均匀性规格。常规光掩模包括淀积到透明基底的表面上的构图的金属膜，例如铬。为了制造光掩模，在透明基底上匀厚淀积金属膜并用光致抗蚀剂覆盖。在光致抗蚀剂上曝光并显影希望的图形，然后从显影区域去除部分下面暴露的金属膜。随后去除任何剩余的光致抗蚀剂，在村底工件上留下构图的金属膜。在制造铬膜光掩模的典型方法中，可以使用其中采用硝酸铈(IV)铵和高氯酸的湿法蚀刻方法。然而，在4^模的制造中湿法蚀刻方法的4吏用使得难以制造具有高精度的掩^=莫，湿法蚀刻方法会导致侧向蚀刻效应/偏离(biase)。然而为了便利，下列描述将针对玻璃上铬(COG)掩模，使用本发明的方法可以制造在玻璃表面上具有例如MoSi的相移层的其它掩才莫例如相移掩模(PSM)。通常，在透明衬底之上形成硅化物层以提供硅化物的掩模材料与村底之间的良好的接合性。然后，如上所述在MoSi上形成铬层和光致抗蚀剂层。为了铬光掩模的形成，优选地使用干法蚀刻方法。4^蔽的典型干法蚀刻方法典型地采用氯的混合气体，例如Ch和氧气(02)。发现干法蚀刻方法有利于用于制造高精度的掩模，然而，使用常规干法蚀刻方法的铬的蚀刻速率是低的并且是非选择性的。另外，这样的常规干法蚀刻方法在用于光掩模的图形中典型地造成许多缺陷，例如不透明缺陷、透明缺陷和差的分辨率特征，其依次被转移到工件致使其不可操作。作为在抗蚀剂与铬膜之间蚀刻选择性的差异的结果，在干法蚀刻工艺例如，改善在产生的掩模上的分辨率特征的现有技术为减小淀积在铬膜之上的光致抗蚀剂膜的厚度。然而，在铬蚀刻期间在将构图的图像完全转移到铬层中之前，抗蚀剂膜的减薄可以导致抗蚀剂膜^f皮完全去除。改变抗蚀剂以在干法蚀刻工艺期间相对于下面的铬膜改善它们的蚀刻抵抗力和选择性的其它技术已经更改了抗蚀剂化学。然而，已发现增加材料的蚀刻抵抗力还可以劣化重要的抗蚀剂性能，例如敏感度、图^f象质量和抗蚀剂的稳定性。因此，在本
技术领域：
中持续存在这样的需要，提供改善的方法以使用有效、容易和相对廉价的方法制造光掩模，所述光掩模允许在光掩模上获得希望的标称(nominal)图像尺寸和图像尺寸均匀性。谨记现有技术的问题与不足，因此本发明的目的为提供一种用于制造光掩模例如COG掩模和PSM掩模的改进的方法，其可以在光掩模上获得希望的最小特征尺寸分辨率。本发明的又一目的为提供一种制造光掩模例如COG掩模和PSM掩模的方法，其将具有光掩模的改善的跨掩模临界尺寸均匀性和线性度。通过说明书，本发明的其它目的和优点将部分地明显和将部分地显而易见。
发明内容在本发明中获得了对于本领域技术人员将是显而易见的以上和其它的目标和优点，本发明旨在制造光掩模的方法，其包括提供透明衬底；在所述透明衬底上淀积不透明层；在所述不透明层上淀积抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层中成像并显影抗蚀剂层掩模图形，其暴露了部分所述不透明层；在蚀刻所述不透明层和所述抗蚀剂层的主蚀刻步骤中使用第一蚀刻剂蚀刻所述不透明层的所述暴露的部分，从而形成构图的不透明层；在过蚀刻步骤中使用第二蚀刻剂来蚀刻剩余的不透明层，所述第二蚀刻剂与所述第一蚀刻剂相比选择地蚀刻所述抗蚀剂层超过所述不透明层；以及去除所述抗蚀剂层从而形成光掩才莫。所述透明衬底典型地包括石英、玻璃、硅石玻璃、聚珪酸盐玻璃、钠玻璃，或者由硅、SiN、SiC或金刚石制造的薄膜材料。所述不透明层通常具有从约500A至约1200A的范围的厚度，并且优选地包含基于铬的材料，所述基于铬的材料包括铬或Cr:O:N。所述抗蚀剂层典型地具有约2000A至5000A的厚度。根据本发明的方法在所述不透明层中形成的所述光掩模形成了光刻光掩模，所述光刻光掩模包括光学光掩模、EUV光掩模、X射线光掩模、SCALPEL光掩模以及在典型地使用铬作为图形阻挡层和/或透明膜例如MoSi以形成相移光掩模(PSM)的技术中的光掩才莫。在所述PSM中，由随后被构图的铬层所覆盖的MoSi层覆盖石英衬底。如本领域所公知，然后构图所述MoSi层以形成所述PSM。在所附权利要求中具体地阐述了相信是新颖的本发明的特征和本发明的部件的特性。附图只是用于示例的目的并没有按比例绘制。然而，通过参考下列详细说明并结合附图可以最好地理解关于操作的组织和方法的本发明本身，其中图1A-1D为示出了用于制造光掩模的本发明的方法步骤的截面视图；图2A-2E为示出了用于制造相移光掩模的本发明的方法步骤的截面视图3A和3B示出了基于蚀刻剂工艺条件的电极电压和RF功率占空比的不透明层和抗蚀剂层蚀刻选择性的差异；图4A-4C是示出了使用本发明的方法(图4C)中的第一蚀刻剂和过蚀刻剂对比使用图4A和4B的不同蚀刻剂所获得的掩模图形的改善的线性度的图5是用于蚀刻光掩模的反应器腔的示意图6A-6B是分别地示出了在完成主蚀刻步骤之后即刻和在完成最终的过蚀刻步骤之后的蚀刻的铬侧壁轮廓的截面视图；以及图7A和7B是分别地示出了在光掩模上蚀刻出方形特征中的主蚀刻步骤和过蚀刻步骤的作用的局部自顶向下视图。具体实施例方式在本发明的优选的实施例的描述中，在此将参考附图的图1A-7B，其中相同的数字表示本发明的相同特征。本发明的特征不必在附图中按比例示出。本发明涉及一种用于使用主蚀刻和过蚀刻步骤蚀刻不透明层从而在掩模的不透明层中形成所希望的图形来制造光掩模的方法。本发明改善了在光掩模上可以获得的最小分辨率特征，还改善了在当前工艺流程和制造中在光掩模上可以获得的后(post)蚀刻特征尺寸线性度和临界尺寸均匀性。通过有利地调整主蚀刻和过蚀刻步骤的铬(不透明层)对抗蚀剂的选择性，本发明克服了这样的光掩模制造问题。参考附图，图1A-C示出了铬光掩模工艺和产生的掩模。如在图1A中所示例的，提供硅石玻璃衬底10具有在其上淀积至约500A至约1000A的典型厚度的铬膜12。然后直接在铬膜12之上淀积抗蚀剂膜16至约2000A至5000A的典型厚度。对于光学掩才莫制造，如图1B和1C所示使用抗蚀膜作为用于将图形转移到铬膜中的成#层和掩蔽层。图1B示出了显影的抗蚀剂层16以形成具有开口16a的希望的图形18。图1C示出了使用本发明的主蚀刻步骤蚀刻的铬层12。在铬层中形成对应抗蚀剂开口16a的构图的开口12a。图1D示出了包括具有在不透明层12中的开口12a的希望图形22的最终的光掩模。构图的开口12a比使用下面所讨论的现有技术工艺获得的那些开口在尺寸上更均匀。下列描述是在用于形成光掩模的不透明层优选铬膜的干法蚀刻方法中的本发明的应用。虽然根据形成光掩模的铬膜的干法蚀刻方法描述了本发明的优选的实施例，但是本领域的技术人员将理解和认识到本发明包括用于形成各种掩^=莫的其它的膜的蚀刻方法，并且本发明通常可应用于电子器件和结构的制造工艺。重新参考图1A-D，衬底10包括由石英、玻璃、珪石玻璃、聚硅酸盐玻璃、钠玻璃的材料、由硅、SiN、SiC和金刚石制造的薄膜材料等等制造的透明衬底。在衬底10之上淀积优选地包括金属层的不透明第一层12至约500A至约IOOO人的典型厚度。第一层12包括铬层或Cr.O:N层的基于铬的层。通过公知的技术例如蒸发、溅射等等，将铬层12保形淀积到石英衬底10上。然后在不透明层之上淀积抗蚀剂层16。可以通过包括例如旋涂等等的公知技术淀积抗蚀剂层16。抗蚀剂层16包括正或负抗蚀剂层并且典型地厚度为约2000人至5000A。图1B示例了在淀积抗蚀剂层16之后，可以由通过膝光到光或者电子束成像抗蚀剂然后显影抗蚀剂层来构图抗蚀剂层以在抗蚀剂层16中形成抗蚀剂掩4莫图形18。如在图1B中所示，具有开口16a的抗蚀剂掩才莫图形18暴露了下方的部分不透明层12。如在图1C中所示，然后使用以大约相同的速率蚀刻铬层和抗蚀剂层的蚀刻剂，将在抗蚀剂层中的图像18转移到铬层12中。形成具有不透明开口12a和相应的抗蚀剂开口16a的图形20。如图6A-6B中所示，通常不透明开口是成角度的，但是为了简洁在此未示出。蚀刻剂典型地为ci2/o2、或包含混合物例如包含He的其它Cl2/02。通过调整工艺条件例如电压和占空比，控制蚀刻剂混合物、或其组合，可以控制蚀刻的选择性，其将在以下更为全面地讨论。例如，在此优选通过将例如C02的材料增加到蚀刻剂混合物以降低蚀刻剂的侵蚀性(aggressiveness)并且提供约0.45至1的主蚀刻选择性。在此所使用的蚀刻选择性比率涉及每单位时间去除的铬的量比去除的抗蚀剂的量并且表示为铬/抗蚀剂的比率。因此，0.45的选择性意味在单位时间内相对地去除0.45的铬和1的抗蚀剂。1的选择性意味每单位时间以相同的速率去除(蚀刻)铬和抗蚀剂。现在使用<:12/02混合物执行同样在图1D中所示的过蚀刻步骤，但是控制蚀刻剂条件和/或蚀刻剂成分以蚀刻抗蚀剂快于铬层(相对抗蚀剂的低选择性一较低的蚀刻选择性比率)。在优选的实施例中使用与主蚀刻中相同的蚀刻剂而没有co2。表1比较了用于使用不同的过蚀刻条件处理的两个栅极层掩模的跨掩模CD均匀性(表示为纳米尺寸的3sigma值)。在该情况下，用于两掩模的主蚀刻是相同的(仅仅过蚀刻条件不同)。掩才莫A具有与主蚀刻选择性比率相同的过蚀刻蚀刻选择性比率。使用本发明的方法的掩模B具有比主蚀刻选择性比率更具侵蚀性(对抗蚀剂的低选择性-较低的蚀刻选择性比率)的过蚀刻蚀刻选择性比率。在用于掩才莫B的特定实施例中，通过将下(lower)电极RF功率占空比设定增加20%，使过蚀刻条件去除抗蚀剂比去除铬更具侵蚀性(相对抗蚀剂的较低的选择性)。如表所清楚地示例的，归因于蚀刻工艺，在跨掩模CD均匀性的改变/恶化的数量上，掩模B清楚地具有基本的减少(61%)。表2还比较了用于不同衬底的主蚀刻和过蚀刻(OE)步骤的选择性以及全局CD均匀性。POR是现有技术且NEW为本发明。表3对于尺寸从200nm至1000nm的范围的透光度(dear)测量指派的特征尺寸比较了线性度的范围，本发明具有线性度的最低范围。表I:掩模CD均匀性<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表m:线性度数据范围比较<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>在图1D中示出了具有包括开口12a的希望的图形22的最终掩—莫。然后，典型地通过在工件之上设置光掩模并且辐照工件上的辐射敏感抗蚀剂材料，将光掩模中包含的图形复制到工件的表面上。各种辐照源包括可见光、紫外光、X射线辐射、电子、离子和EUV(深紫外线)。当通过辐照照射时，在光掩模上的不透明层用于选择性地阻挡部分辐射束而允许其它部分透射通过不透明层中的开口。以该种方式，可以复制具有非常窄的线宽的复杂的几何形状，允许经济地制造超大规才莫集成电路和其它器件。通常在注入气体典型地为氯气和氧气的真空腔中进行干法蚀刻工艺。在真空室中的阳极与阴极之间产生电场，由此形成反应气体等离子体。反应气体等离子体的正离子被加速朝向光掩模，其中定向所述光掩模以便石英衬底的表面区域垂直于电场。定向的离子轰击提高了沿垂直方向的而不是沿水平方向的铬不透明材料的蚀刻速率。在反应气体等离子体与Cr不透明材料之间的反应是多个步骤的过程。首选，在氯气体与暴露的Cr不透明材料之间的反应形成铬自由基(radical)种(species)。然后，氧气与铬自由基种反应产生可以"蒸发(boiloff)"的挥发物，由此去除暴露的Cr不透明材料。如图1D所示，在完成主蚀刻和过蚀刻工艺之后，剥离掉光掩才莫16中的光敏抗蚀剂材料。然后，测量在完成的光掩模上的Cr不透明材料的尺寸以确定是否临界尺寸在特定的公差内。可以在完成的光掩模上的许多位置处测量临界尺寸，求和，然后除以测量的数目以获得临界尺寸的数值平均值。然后，比较该获得的平均值与特定的目标数值(targetnumber)(即均值对目标比较(ameantotargetcomparison))以确保依从预定的临界尺寸规格。典型地测量的临界尺寸还必须符合特定的均勻性要求。均匀性典型地被定义为范围(最大减最小)或全体测量的标准偏差。常规等离子体蚀刻系统例如AppliedMaterials,Inc.TETRADPS的蚀刻系统(可以从SantaClara,CA的AppliedMaterials,Inc.获得)或从UnaxisInc(St.Petersburg,FL)获得的Generation4光掩模蚀刻机可以用于提供优异的结果。允许分离用于等离子体产生的功率应用和用于衬底偏置的功率应用的等离子体处理系统是优选的并且通常称为解耦合等离子体源(DPS)。衬底偏置用于从等离子体朝向衬底表面吸引离子和其它高能种，使得能够各向异性蚀刻。用于等离子体产生和用于衬底偏置的功率的分离应用允许分开地控制等离子体密度与在衬底的表面上产生的吸引力(DC电压)。优选使用由氯-氧_氦-co2气体混合物产生的等离子体进行主铬掩模层蚀刻。C02用于控制蚀刻剂的选择性，其中在蚀刻剂中增加C02以降低蚀刻剂对抗蚀剂层的侵蚀性(较高的Cr/抗蚀剂比率)。氯:氧:氦:C02的气体混合物的分子比率可以宽泛地变化例如75:5:5:0至150:10:10:0，并且典型地为105:7:7:0。当使用C02时，该比率典型地为105:2:5:7至150:2:5:14。总气体流动速率同样也可以在约85至170sccm宽泛地变化并且通常为约119sccm。将ICP线圏加功率以产生具有希望的Cr:抗蚀剂选择性的高密度等离子体。为下电极加功率以产生适宜的偏置电压。衬底的温度典型地为约25。C，而工艺腔的壁温度典型地为约25-50。C。腔中的压力通常为2-5mT，例如2.5mT。可以通过本领域所公知的光学发射光镨探测蚀刻端点，例如在此引入作为参考的美国专利No.5，871,658中所讨论的。然后，过蚀刻铬层超过端点以从开口区域去除残留的铬并且留下垂直的侧壁。通常过蚀刻步骤为上述的铬蚀刻工艺的延伸，但在本发明的方法中基于形成与主蚀刻步骤相比抗蚀剂比铬的更具侵蚀性的蚀刻的不同的蚀刻剂条件和/或不同的蚀刻剂化学进行过蚀刻步骤。在优选的方法中，条件与主蚀刻相同，但是从蚀刻剂混合物中去除了co2。图6A示出了在完成主蚀刻步骤之后典型的铬蚀刻侧壁轮廓。图6B示出了在完成过蚀刻之后典型的铬蚀刻侧壁。附图清楚地示例了为获得接近垂直的铬蚀刻侧壁需要过蚀刻步骤。对于满足CD均匀性和在光掩模上的均值对目标规格，具有垂直的铬侧壁是重要的。在图7A-7B中示出了示例了主蚀刻步骤和过蚀刻步骤的重要功能的另一方式。这些图为光掩模上将被去除掉的方形的局部自上向下视图。该图的区域1示出了在产生棵露石英衬底的主蚀刻步骤期间从方形去除的铬，该图的区域2示出了在铬蚀刻工艺的过蚀刻期间去除的附加的铬材料。如图所示例，对于限定在光掩才莫上的方形的最终尺寸，过蚀刻是关键。以下详细地讨论图6A-6B和7A-7B。在完成主蚀刻和过蚀刻铬层蚀刻之后，典型地进行剥离和清洗工艺以从铬层的表面去除任何的剩余的玷污物。所使用的剥离化学典型地为加热的硫酸过氧化物(sulfuricperoxide)并且其被施加在衬底板的表面之上。在使用硫酸过氧化物处理之后，使用C02重新离子化(C02-reionized)的或C02鼓泡(C02-sparged)的去离子水清洗衬底板。在剥离之后，典型地使衬底板经受使用工业标准70:30H2S(VH202溶液的酸清洗，随后通过其它的去离子水冲洗清洗。现在参考图5，示出了典型地根据本发明所使用的高密度等离子体(HDP)(RIE)等离子体反应腔的示意性截面图。在图5中示出的为具有在其上设置了村底50的台板26的反应器腔。衬底50在其上形成了均厚铬层(未示出)，希望通过上述的构图的光致抗蚀剂层来蚀刻铬，从而将该铬层构图为4^才莫。反应器腔20具有入口部分22,当通过HDPRIE等离子体蚀刻方法蚀刻时通过该入口部分22将蚀刻剂气体组合物引入到反应器腔室中。依靠泵(未示出)通过出口部分24将反应的和未反应的蚀刻气体以及反应副产物从反应腔室排出。在图5中还示出了射频电极30，通过射频电极30将射频功率引入到反应器腔20中形成反应器腔室内的蚀刻剂等离子体42。使用光学发射光谱(OES)探测器34监视蚀刻。将来自OES探测器的输出供给到控制等离子体与蚀刻的等离子体控制器36。才艮据本发明的方法，通过控制蚀刻剂气体化学的选择性以及通过在蚀刻过程期间调整射频功率(RFP)或偏置功率(BP)条件或者其两者来在主蚀刻和过蚀刻步骤中控制铬层的蚀刻。本发明的重要特征在于基于蚀刻剂条件和/或蚀刻剂组合物进行主蚀刻，其中蚀刻剂具有约0.4至1或者更高的去除的铬的量对去除的抗蚀剂的量(Cr:抗蚀剂)的选择性，优选0.45至1并且最优选0.75至1，并且过蚀刻步骤与主蚀刻相比对光致抗蚀剂的蚀刻比铬层更具^:蚀性。因此用于过蚀刻的Cr:抗蚀剂选择性比率比主蚀刻比率低并且典型地为约0.3至0.75，优选0.45至0.6。本发明的重要特征在于用于主蚀刻剂的蚀刻选择性比率比用于过蚀刻剂的选择性比率高。已发现使用结合过蚀刻步骤的用于铬的主蚀刻的这样的选择性可以提供用于制造具有改善的CD均匀性的光掩模的增强的工艺。主蚀刻和过蚀刻选择性的组合提供了形成具有优异的CDU特性的本发明的方法。本发明的重要特征在于可以调整蚀刻剂条件以提供具有比过蚀刻比率大的Cr:抗蚀剂比率的主蚀刻，例如对于0.8的主蚀刻比率，过蚀刻比率小于0.8。优选的主蚀刻选择性比率为0.9和过蚀刻选择性比率为0.7。为了形成这样的选择性的蚀刻等离子体，优选在蚀刻剂工艺期间调整反应器电压和占空比。图3A和3B示出了基于电压和占空比的蚀刻选择性比率和对应的选择性比率。还可以调整蚀刻剂组合物以改变选择性。例如，优选将例如C02的气体增加到Cl2/02(通常还包含He)混合物以弱化蚀刻剂对抗蚀剂的侵蚀性。现在参考图2A-2E，示出了制造相移掩模的本发明的方法。将被蚀刻的衬底被示出为标号100并且包括在其上依次具有MoSi相移层104、铬层106和光致抗蚀剂层108的透明村底102。图2B示出了构图光致抗蚀剂层108形成具有开口108a的图形110。在图2C中示出了蚀刻铬层106以形成对应抗蚀剂开口108a的开口106a，形成图形112。在图2D中，然后去除蚀剂108并且蚀刻掉MoSi膜104以形成对应铬开口106a的开口104a，形成图形114。接下来，去除铬106，提供包括透明衬底102和具有开口104a的构图的(116)MoSi层104的相移掩模，如在图2E中所示。现在参考图4A-4C,对比使用不同蚀刻选择性工艺的比较工艺示范本发明的优点。图4A示出了使用具有约0.61的主蚀刻选择性的主蚀刻和约0.61的过蚀刻选择性的铬的线性度。在图4B中，使用具有O.卯的选择性比率的主蚀刻和约O.卯的过蚀刻比率进行主蚀刻。在图4C中，其为本发明的方法，使用具有对于抗蚀剂与对于铬约相同的选择性(Cr:抗蚀剂比率约0.90)的蚀刻进行主蚀刻，并且与铬相比过蚀刻对于抗蚀剂更具侵蚀性(蚀刻选择性比率约0.60)。线A(X-线)、B(Y-线)、C(X-间隔)和D(Y-间隔)代表在蚀刻的衬底上的线和间隔的测量的特征尺寸，并且很清楚图4C的图形具有最好的线性度。图6A和6B为示出了铬侧壁轮廓的截面视图，其中在图6A中为主蚀刻步骤之后即刻的铬侧壁轮廓和图6B中为在完成的最终的过蚀刻步骤之后的铬侧壁轮廓。在主蚀刻步骤之后，其上具有石英衬底51和铬层52a以及抗蚀剂层54的掩模50具有倾斜的侧壁53a。在图6B中，已完成了本发明的过蚀刻步骤，现在示出了具有垂直的侧壁53b的铬层52a。因此，当使用本发明的方法时，使用具有如上所述的选择性的蚀刻剂的蚀刻步骤和过蚀刻步骤的组合，提供了具有增强的掩模图像尺寸均匀性和线性度的垂直侧壁铬层。图7为示出了用于蚀刻出光掩模的方形特征的主蚀刻步骤和过蚀刻步骤的组合的图6A和6B的顶视图。通常该光掩才莫示为标号50并如图7A中所示，已蚀刻铬至石英留下开口51并且在主蚀刻步骤之后留下了铬侧壁53a。在图7B中，在过蚀刻之后，通过过蚀刻步骤去除了铬侧壁53a从而留下了直侧壁53b与到石英衬底51的开口。虽然结合特定的优选实施例已经具体地描述了本发明，但是根据前面的描述许多替换、修改和变化对于本领域的技术人员将是显而易见的。所以，旨在所附权利要求将涵盖落入本发明的真实精神和范围内的任何这样的替换、修改和变化。权利要求1.一种制造光掩模的方法，包括以下步骤提供透明衬底；在所述透明衬底上淀积不透明层；在所述不透明层上淀积抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层中成像并显影抗蚀剂掩模图形，其暴露部分所述不透明层；在蚀刻所述不透明层和所述抗蚀剂层的主蚀刻步骤中使用第一蚀刻剂蚀刻所述不透明层的所述暴露的部分，从而形成构图的不透明层；在过蚀刻步骤中使用第二蚀刻剂来蚀刻剩余的不透明层，所述第二蚀刻剂与所述第一蚀刻剂相比选择地蚀刻所述抗蚀剂层超过所述不透明层；以及去除所述抗蚀剂层从而形成光掩模。2.根据权利要求l的方法，其中所述第一蚀刻剂具有约0.4至1的去除的不透明层的量对去除的抗蚀剂层的量的选择性，以及所述第二蚀刻剂具有约0.3至0.75的所述去除的不透明层的量对所述去除的抗蚀剂层的量的选择性。3.根据权利要求2的方法，其中所述第一蚀刻剂选择性为约0.75至1以及所述过蚀刻选择性为约0.45至0.6。4.根据权利要求2的方法，其中所述不透明层为铬。5.根据权利要求2的方法，其中所述第一蚀刻剂和笫二蚀刻剂包括Cl2和02。6.根据权利要求5的方法，其中两种蚀刻剂都包含He。7.根据权利要求6的方法，其中所述笫一蚀刻剂包含C02。8.—种制造相移光掩模的方法，其包括提供透明衬底；在所述透明村底上淀积相移层；在所述相移层上淀积不透明层；在所述不透明层上淀积抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层中成像并显影抗蚀剂掩模图形，其暴露了部分所述不透明层；在蚀刻所述不透明层和所述抗蚀剂层的主蚀刻步骤中使用第一蚀刻剂蚀刻所述不透明层的所述暴露的部分，从而形成构图的不透明层；在过蚀刻步骤中使用第二蚀刻剂来蚀刻剩余的不透明层，所述第二蚀刻剂与所述第一蚀刻剂相比选择地蚀刻所述抗蚀剂层超过所述不透明层；蚀刻所述相移层；以及去除所述不透明层和所述抗蚀剂层从而形成所述相移光掩模。9.根据权利要求8的方法，其中所述第一蚀刻剂具有约0.4至1的去除的不透明层的量对去除的抗蚀剂层的量的选择性，以及所述第二蚀刻剂具有约0.3至0.75的所述去除的不透明层的量对所述去除的抗蚀剂层的量的选择性。10.根据权利要求9的方法，其中所述第一蚀刻剂选择性为约0.75至1以及所述过蚀刻选择性为约0.45至0.6。11.根据权利要求9的方法，其中所述不透明层为铬；12.根据权利要求9的方法，其中所述第一蚀刻剂和第二蚀刻剂包括Cl2和02。13.根据权利要求12的方法，其中两种蚀刻剂都包含He。14.根据权利要求13的方法，其中所述第一蚀刻剂包含C02。全文摘要提供了用于制造光掩模例如玻璃上铬光掩模和相移光掩模的方法。在制造方法中的选择性的主铬蚀刻和选择性的铬过蚀刻提供了具有改善的图像质量的光掩模，并且在当前的工艺流程和制造步骤内提供了跨光掩模的标称图像尺寸控制和图像尺寸均匀性。选择性的蚀刻方法利用主蚀刻工艺，其中抗蚀剂蚀刻选择性(去除的铬对去除的抗蚀剂的量)比在过蚀刻步骤中高，在所述过蚀刻步骤中蚀刻选择性地去除所述抗蚀剂层超过所述铬层。为了控制蚀刻选择性，可以调整蚀刻剂化学的成分和/或蚀刻剂反应器硬件设定(功率、电压等等)。文档编号G03F1/00GK101183211SQ20071016925公开日2008年5月21日申请日期2007年11月7日优先权日2006年11月14日发明者C·K·黄,J·P·莱文,S·B·克劳福德,T·B·福尔申请人:国际商业机器公司