液晶装置及电子设备的制作方法

专利名称：液晶装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如具有触摸面板功能的液晶装置、以及具备这样的液晶 装置的电子设备的技术领域。
背景技术：
在这种液晶装置中公开了具有所谓触摸面板功能的液晶装置，其中， 按多个像素部的每一个、或按将任意个数的像素部作为一组的每一组来配 置光传感器，能利用透过像素部的透过光进行图像显示，以及通过指示机 构向该液晶装置输入信息。在这样的液晶装置中，光传感器能检测出手指 或指示部件等指示机构接触到液晶装置的显示面上、或者在显示面上进行 了移动，并能向该液晶装置输入信息。另外，在这种液晶装置中，采用横向电场方式作为液晶的驱动方式，该横向电场方式中，利用在形成了作为像素开关用元件的TFT的TFT阵 列基板上相互不同每一层中形成的像素电极与公共电极之间产生的横向 电场，来驱动液晶(例如，参照专利文献1至3以及非专利文献1)。专利文献1特开2006-209065号公报专利文献2特开2006-3857号公报专利文献3特开平6-276352号公报非专利文献1ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES 2006 Digest p. 61 (东芝松下科技)但是，在这种液晶装置中，因为TFT阵列基板上形成的复杂的层叠结 构，到达光传感器的光不能充分确保，存在提高光传感器检测指示机构的 检测灵敏度困难这一问题。另外，为了进行液晶装置的本来的功能的图像 显示，与从数据线驱动电路等的电路部供给各信号的数据线等独立地形成 了光传感器的电极时，存在液晶装置的制造工艺变得繁杂，液晶装置的制造成本增大的问题。另外，与数据线等独立地形成了光传感器电极的情况 下，存在像素的开口区域狭窄，使通过液晶装置显示的图像的显示品质降 低的问题。发明内容本发明是鉴于上述问题等完成的，例如，作为课题例如提供一种能够 在不使液晶装置显示图像的显示性能降低的情况下提高光传感器检测指 示机构的检测灵敏度的液晶装置、以及具备这样的液晶装置的电子设备。有关本发明的液晶装置为了解决上述课题，具备一种液晶装置，具备 第1基板；第2基板，其在所述第1基板上，被配置为与所述第1基板对 置；透明的像素电极，其设置于构成所述第1基板上的显示区域的每个像 素部；透明的公共电极，其形成在所述第l基板上；液晶层，其被夹持在 所述第1基板与所述第2基板之间，包含由根据所述像素电极与所述公共 电极各自的电位之差而产生的横向电场驱动的液晶分子；和受光元件，其 在所述第1基板上形成于所述显示区域，具有与所述像素电极和所述公共 电极中的一方形成在同一层的上电极。根据有关本发明的液晶装置，该液晶装置工作时，例如由根据形成于 第l基板上的像素电极和公共电极各自的电位之差而生成的横向电场来控 制液晶层的取向，由此光源光被调制，利用该调制光在显示区域显示所期 望的图像。另外，所谓公共电极也称为供给固定电位的电极，所谓像素电 极也称被维持在与从数据线驱动电路等电路部通过数据线等各种布线部 供给的图像信号相对应的电位的电极。受光元件在第l基板上形成于显示区域中，具有与像素电极和公共电 极中的一个形成于同一层的上电极。受光元件检测由在显示区域中指示该 液晶装置的显示面的手指等指示机构反射的反射光、或未被指示机构遮住 的外光等，基于由受光元件检测出的光来检测指示机构。受光元件例如是由在第1基板上顺次形成的N型半导体层、低电阻 层和p型半导体层组成的元件主体、和电连接在该元件主体上的一对电极 构成的光电二极管等光传感器。这样的一对电极中在元件主体的上侧配置 的电极是上电极。上电极例如形成为与位于元件主体的最上层的P型半导体层接触。
像素电极和公共电极是形成于第1基板上的ITO (Indium Tin Oxide) 等透明电极，在第l基板上形成于相互不同的层。上电极与像素电极以及 公共电极中的一个形成在同一层，所以通过和形成这个电极的工序共同的 工序形成。因此，与利用各自独立的工序形成像素电极、公共电极和上电 极的情况相比，可以简化制造液晶装置的制造工艺。
而且，像素电极和像素电极都是ITO等透明电极，所以上电极也是透 明的。因此，通过像素电极和公共电极各像素部的开口区域不变窄，并且 受光元件的入射光在不被上电极遮住的情况下到达作为受光部起作用的 元件主体。因此，通过提高受光元件检测指示机构的检测灵敏度，而不会 使液晶装置的显示性能下降。
另外，所谓"开口区域"是指由第1基板上设置的不透明膜或布线等规 定、有助于图像显示的光能透过的像素内的区域或者在利用了外光的反射 模式下的显示区域。相反，因像素内形成的不透明的膜或布线而光不透过 的区域，换言之在像素内无助于显示的区域则被称为"非开口区域"。
因此，根据有关本发明的液晶装置，能简化液晶装置的制造工艺并且 不会使开口区域变窄，能提高受光元件检测未被指示显示面的指示机构遮 住的外光或者指示机构反射的光的检测灵敏度。
在有关本发明的液晶装置的一个方式中，与所述上电极形成于同一层 的也可以是所述公共电极。
根据该方式，与和像素电极在同一层上形成上电极的情况相比，容易 形成上电极。
在有关本发明的液晶装置的其他方式中，所述受光元件也可以具有与 和所述像素开关用元件电连接的导电层形成在同一层的下电极。
根据该方式，利用形成导电层的工序可以形成下电极，可以更进一步 简化制造液晶装置的制造工艺。
在有关本发明的液晶装置的其他方式中，所述下电极也可以兼用作遮 挡从配置在所述受光元件下侧的光源射出的光源光的遮光膜。
根据该方式，在显示区域显示图像时可以降低从光源射出的光源光照 射受光元件，从而能根据受光元件正确的检测指示机构。
5有关本发明的电子设备为了解决上述课题，具备上述的本发明的液晶 装置。根据有关本发明的电子设备，具备上述的有关本发明的液晶装置，所 以能实现高质量的显示，并且能实现具有触摸面板的移动电话、电子记事 本、文字处理器、取景型或监视器直视型录像机、工作站、可视电话、POS 终端等各种电子设备。另外，作为本发明有关的电子设备，例如还能实现 电子纸等电泳装置。本发明这样的作用和其他优点从下面说明的实施方式可以明确。


图1是有关本发明的液晶装置的第1实施方式的液晶装置的俯视图。图2是图i的n-ir剖视图。图3是有关第i实施方式的液晶装置的图像显示区域中的等效电路。 图4是形成了有关第i实施方式的液晶装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的俯视图。 图5是图4的V-V'剖视图。 图6是图4的VI-VI'剖视图。图7是形成了有关本发明的液晶装置的第2实施方式的液晶装置中的 数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的俯视 图。图8是图7的vm-vin'剖视图。图9是图7的IX-IX'剖视图。图10是有关本发明的液晶装置的第3实施方式涉及的液晶装置的图像显示区域中的等效电路。图11是形成了有关本发明的液晶装置的第3实施方式的液晶装置中的 数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的俯视图。图12是图11的XII-XII'剖视图。图13是表示有关本实施方式的电子设备的一个例子的立体图。 图14是表示有关本实施方式的电子设备的其它例子的立体图。符号说明
l...液晶装置，IO...TFT阵列基板，20...对置基板，9a、 9b、 9c…像素 电极，19、 19b、 19c…公共电极，212...PIN二极管，212a...下电极，212e… 上电极。
具体实施例方式
下面，参照附图，说明有关本发明的液晶装置和电子设备的各实施方 式。有关本实施方式的液晶装置，通过检测指示显示图像的显示面的手指 等指示机构，具有可以通过该指示机构输入各种信息的触摸面板功能。
<1:第1实施方式〉
<1-1:液晶装置的整体构成>
图1和图2中，在液晶装置1中，对置配置了作为本发明的"第1基板"
的一例的TFT阵列基板10和作为本发明的"第2基板"的一例的对置基板 20。液晶层50被封入TFT阵列基板10和对置基板20之间，TFT阵列基 板10和对置基板20，通过位于作为设置多个像素部的显示区域的图像显 示区域10a的周边的密封区域中设置的密封件52而相互粘接。
密封件52用于粘合两基板，由例如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等 构成，在制造工艺中，涂敷到TFT阵列基板10上之后，通过紫外线照射、 加热等使其硬化。密封件52中，散布着用于将TFT阵列基板10和对置基 板20的间隔(基板间间隙)置为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隙材料。
对图像显示区域10a的框区域进行规定的遮光性的框遮光膜53，与配 置了密封件52的密封区域的内侧并行地设置在对置基板20侧。但是，这 样的框遮光膜53的一部分或全部也可以作为内置遮光膜而设置在TFT阵 列基板1(H则。另外，存在位于图像显示区域10a的四周的周边区域。换 言之，在本实施方式中，特别是从TFT阵列基板10的中心看，该框遮光 膜53以外被规定为周边区域。
周边区域中位于配置了密封件52的密封区域外侧的区域中，沿着TFT 阵列基板10的一边设置着数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。 扫描线驱动电路104沿着与该一边邻接的两条边设置，并且设置为被框遮 光膜53覆盖。此外，为了连接这样设置在图像显示区域10a的两侧的2个扫描线驱动电路104之间，沿着TFT阵列基板10的剩下的一边，并且 按照被框遮光膜53覆盖的方式设置了多条布线105。
在TFT阵列基板10上的周边区域，形成着用于控制包含后述的PIN 二极管的光传感器部的传感器控制电路部201。外部电路连接端子102连 接在作为使外部电路和液晶装置l电连接的连接机构的一例的挠性基板 200上设置的连接端子上。液晶装置1所具有的背光灯，通过FPC200上 搭载的由IC电路等构成的背光灯控制电路202来控制。另外，传感器控 制电路部201和背光灯控制电路202分别既可以内置于液晶装置1，也可 以形成于液晶装置1的外部。
在图2中，TFT阵列基板10上，设置了形成有像素开关用TFT和扫 描线、数据线等布线后的像素电极9a。另一方面，对置基板201上，形成 了包含有格子状或条状的遮光膜23等遮光机构的层叠结构。
另外，液晶装置1采用横向电场驱动方式，即通过TFT阵列基板10 上形成的像素电极9a和公共电极间产生的横向电场来控制液晶层50的取 向状态。液晶层50，由例如一种或混合了数种向列相(nematic)液晶的 液晶构成，被像素电极9a和公共电极间产生的横向电场驱动。由液晶装 置1显示的图像，在对置基板20的两面中不面向液晶层50—侧的显示面 20s上显示。另外，在本实施方式中，为了说明方便，省略了偏光板和滤 色器的图示，但是，当对置基板20上配置了偏光板和滤色器时，图中， 液晶装置1的最上面就成为显示面。
液晶装置1具备在图中TFT阵列基板10的下侧配置的背光灯206。 背光灯206配置在显示面20s背面一侧。背光灯206由以发光二极管为一 例的点状光源的半导体发光元件按平面方式排列构成。背光灯206也可以 包含有机EL元件等发光二极管而构成。另外，通过导光体使来自配置在 侧面的光源的光成面状发光的侧光方式的背光灯也可以采用。
另外，图1和图2所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动 电路IOI、扫描线驱动电路104等驱动电路之外，还可以形成对图像信号 线上的图像信号进行采样后提供给数据线的采样电路、在图像信号之前将 规定电压电平的预充电信号分别提供给多条数据线的预充电电路、用于检 查制造过程中或出厂时该电光学装置的品质和缺陷等的检查电路等。<1-2:液晶装置的主要电路构成>接着，参照图3说明液晶装置1的主要电路构成。图3是构成液晶装置1的图像显示区域10a的以矩阵状形成的多个像素中各种元件、布线等的等效电路。图3中，构成液晶装置1的图像显示区域10a的以矩阵状形成的多个 像素部72分别包含显示红色的子像素部72R、显示绿色的子像素部72G 以及显示蓝色的子像素部72B而构成。因此，液晶装置l是可以显示彩色 图像的显示装置。子像素部72R、 72G以及72B分别具备像素电极9a、 TFT30和液晶元 件50a。 TFT30电连接着像素电极9a，液晶装置1动作时对像素电极9a 进行开关控制，将图像信号提供给像素电极9a。在各子像素部72R、 72G 和72B中，由被供给了图像信号的像素电极9a的像素电位和与固定电位 线300电连接的公共电极的电位之差产生的横向电场来驱动液晶元件50a。被供给图像信号的数据线6a电连接在TFT30的源极上。写入数据线6a的图像信号Sl、 S2.....Sn可以以该顺序按线依次供给，也可以对相邻接的多个数据线6a彼此按组供给。TFT30的栅极上电连接着扫描线3a，液晶装置1构成为以规定的定时按脉冲方式将扫描信号Gl、 G2.....Gm以该顺序按线依次提供给扫描线3a。像素电极9a电连接在TFT30的漏极上，只在一定期间对作为开关 元件的TFT30闭合其开关，由此，从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、 Sn以规定的定时被写入。通过像素电极9a写入到液晶的规定电平的图像信号S1、 S2.....Sn在和对置基板上形成的对置电极之间被保持一定期间。液晶层50中包含的液晶其分子集合的取向和秩序根据施加的电压电 平而变化，由此对光进行调制，可以进行灰度级显示。如果是正常白模式， 则根据在各子像素部的单位被施加的电压而针对入射光的透过率降低，如 果是正常黑模式，则根据在各子像素部的单位被施加的电压而针对入射光 的透过率增加，作为整体从液晶装置1射出具有与图像信号对应的对比度 的光。为了防止图像信号泄漏，和像素电极9a与公共电极之间形成的液 晶元件50a并联地添加了存储电容70。液晶装置1具备按每个像素部72设置的传感器部250。传感器部250 具备作为本发明的"受光元件"的一例的PIN二极管212、 TFT211和213， 而构成。而且，传感器部250电连接在传感器控制电路部201上。根据该 结构，通过传感器预充电控制线26，用于控制传感器部250的动作的控制 信号被提供给传感器部250，并且包含由传感器部250检测出的指示机构 的位置信息的输出信号，通过传感器输出控制线27被输出到传感器控制 电路部201。
TFT211的栅极电连接在扫描线3a上，其源极电连接在传感器预充电 控制线26上。TFT211的漏极电连接在PIN 二极管212和TFT213的栅极 上。TFT211根据通过TFT扫描线3a供给的控制信号切换其导通截止。PIN 二极管212根据通过传感器预充电控制线26和TFT211供给的预充电电压 而被预充电。
TFT213的栅极电连接在PIN 二极管212上，根据PIN 二极管212中 存储的电荷量的变化所产生的电压而被切换导通截止。更具体的，PIN二 极管212中产生的电荷量变化因PIN 二极管212检测出的光而产生，所以 通过PIN 二极管212检测出指示机构时，TFT213的驱动状态被切换为导 通状态。包含指示机构的位置信息等的输出信号，作为信号线301的电位 被放大后的放大信号，通过TFT213输出到传感器输出控制线27。
<1-3:像素部的构成>
接着，参考图4至图6，详细说明子像素部72B和传感器部250的构 成。图4是子像素部72B和传感器部250的俯视图。图5是图4的V-V ' 剖视图，图6是图4的VI-VI'剖视图。另外，在图4至图6中，将各层、 各部件置为在图上可以识别程度大小，所以对该各层、各部件使用不同比 例尺。
图4中，在液晶装置1的TFT阵列基板10上，子像素部72B具有相 对X方向和Y方向成矩阵状设置的像素电极9a (用虚线部表示着轮廓)。 这样的像素电极9a是用ITO等导电性透明材料构成的透明电极，不仅形 成在子像素部72B,还形成在子像素部72R和72G。数据线6a和扫描线 3a分别沿着像素电极9a的横竖边界设置，在图像显示区域10a中，俯视 观察下相互交叉。传感器预充电控制线26和传感器输出控制线27分别沿着图中数据线6a延伸的方向即Y方向延伸。公共电极19是与像素电极9a同样由ITO等导电性透明材料构成的导 电性透明电极。公共电极19的平面形状是沿着图中Y方向延伸的梳子形 状，在形成子像素部72的子像素区域与像素电极9a重叠。TFT30其源极通过接触孔81电连接在数据线6a上，漏极通过接触孔 82和85电连接在像素电极9a上。因此，由数据线驱动电路部101通过数 据线6a供给的图像信号，在TFT30的驱动状态被切换为导通状态的情况 下能够提供给像素电极9a。公共电极19的电位被维持在固定电位线300 的固定电位。TFT211其源极通过接触孔83电连接在传感器预充电控制线26上， 漏极通过接触孔84电连接在PIN 二极管212的下电极212a上。TFT211 的栅极电极3a2是扫描线3a沿着Y方向延展的部分。TFT211的驱动状态 能根据通过栅极电极3a2施加到沟道区域的栅极电压而切换。包含上电极212e作为其一部分的导电膜214沿Y方向延展，通过接 触孔90、中继层216和接触孔91连接在布线305上。布线305通过未图 示的电源被维持在固定电位，上电极212e也被维持在固定电位。TFT213其源极通过接触孔89、中继层215和接触孔88电连接在信号 线301上，漏极通过接触孔87电连接在传感器输出控制线27上。TFT213 的栅极电极213g通过接触孔86电连接在下电极212a上。PIN二极管212如后面详细说明那样具有分别与元件主体的上下面接 触的下电极212a和上电极212e。下电极212a通过接触孔84电连接在 TFT211的漏极上。因此，当TFT211和213动作时光照射到PIN 二极管 212的时候，基于PIN二极管212中根据该光而产生的光电流，输出信号 被输出到传感器信号控制线27。在图5和图6中，液晶装置1具有层叠在TFT阵列基板10上的绝缘 膜41、 42、 43、 44、 45、 46和47，在由这些绝缘膜构成的层叠结构中形 成着TFT30和211。图5中，TFT30具有LDD结构，该结构具备在多晶硅层等半导体层 la形成的沟道区域la '、源极区域ld和漏极区域le，以及与源极区域ld 和漏极区域le相比相对电阻低的LDD区域lb和lc。TFT30因为具有LDD结构，所以在TFT30不动作时，流入LDD区域lb和LDD区域lc的截止 电流降低，并且能抑制TFT30动作时流动的导通电流降低。因此根据液晶 装置1，利用LDD结构的优点和光泄露电流几乎不流动，可以高品质显示图像。源极区域ld通过接触孔81电连接在数据线6a上，漏极区域le通过 接触孔82电连接在延展于接触孔85上，并且与形成于绝缘膜47的下层 侧的像素电极9a电连接。栅极电极3al形成为隔着绝缘膜43重叠于沟道 区域la'。公共电极19形成于绝缘膜47上。因此，在液晶装置l中，隔 着绝缘膜47像素电极9a和公共电极19形成于相互不同的层。图6中，TFT211也和TFT30 —样具有在半导体层211a中形成了沟道 区域211a'、源极区域211d、漏极区域211e、以及LDD区域21 lb和21 lc 的LDD结构。PIN 二极管212具备顺次层叠于绝缘膜44上的下电极212a、 N型半 导体层212b、由多晶硅层组成的受光层212c、 P型半导体层212d和上电 极212e而构成。因此，PIN二极管212在像素显示区域10a中，能检测由 指示显示面20s的手指等指示机构反射的反射光或未被指示机构遮住的外 光等。下电极212a通过接触孔84电连接在TFT211上。上电极212e构成绝 缘膜47上形成的导电膜214的一部分。即，在液晶装置1中，PIN 二极 管212的上电极212e在TFT阵列基板10上，和公共电极19形成于同一 层。因此，根据液晶装置l，上电极212e可以通过与形成公共电极19的 工序公共的工序形成，与由独立的工序形成公共电极19和上电极212e的 情况相比，可以简化制造液晶装置1的制造工艺。而且，像素电极9a和公共电极19都是透明电极，所以上电极212e 也是透明的。因此，利用像素电极9a和公共电极19在TFT阵列基板10 上，用于显示图像的显示用光实际上透过的开口区域不会变窄，并且从显 示面20s入射到PIN 二极管212的光不被上电极212e遮住地到达受光层 212c。因此，根据液晶装置l，不会使液晶装置1显示图像的显示性能降 低，能提高PIN 二极管212检测指示机构的检测灵敏度。另夕卜，如图5和图6所示那样，在液晶装置l中，下电极212a和形成 于绝缘膜44上的导电膜217形成于同一层。因此，根据液晶装置l，利用 形成导电层217的工序可以形成下电极212a，可以更进一步简化制造液晶 装置1的制造工艺。另外，下电极212a和上电极212e不同，使用不透明的导电材料形成。 即，下电极212a可以兼用作遮挡从背光灯206射出的光源光的遮光膜， 图像显示区域10a中显示图像时，可以减少从背光灯206射出的光源光照 射到pin 二极管212，利用pin 二极管212能正确地检测指示机构。这样，根据有关本实施方式的液晶装置1，液晶装置1的制造工艺可 以简化，并且开口区域不变窄，能提高由pin二极管212检测未被指示显 示面20s的指示机构遮住的外光、或被指示机构反射的光的检测灵敏度。<2:第2实施方式〉接着，参照图7至图9，说明有关本发明的液晶装置的第2实施方式。 图7是有关本实施方式的液晶装置中子像素部和传感器部的俯视图。图8是图7的vni-vin'剖视图，图9是图7的ix-ix '剖视图。另外在下面，和有关上述第1实施方式的液晶装置1公共的部分标记公共的参照符号， 省略详细说明。在图7中，子像素部72B-1具备通过接触孔81和85a电连接在TFT30 上的像素电极％。像素电极9b俯视观察下具有沿着Y方向延伸的梳子形 状。有关本实施方式的液晶装置，通过后述那样在TFT阵列基板10上形 成于相互不同的层的像素电极9b和公共电极19b之间生成的横向电场来 驱动液晶层，由此在图像显示区域10a显示所希望的图像。在图8中，像素电极9b和公共电极19b隔着绝缘膜47形成于相互不 同的层。像素电极9b沿着接触孔85a的侧面延展，通过接触孔81电连接 在和TFT30电连接的导电膜219上。图9中，导电膜214a形成于绝缘膜47a的下层侧，其一部分构成上电 极212e。因此，根据有关本实施方式的液晶装置，利用形成公共电极19b的工 序可以形成上电极212e，所以和有关第1实施方式的液晶装置1同样，可以更进一步简化制造液晶装置1的制造工艺。 <3:第3实施方式〉接着，参照图10至图12，说明有关本发明的液晶装置的第3实施方 式。图10是构成有关本实施方式的液晶装置的图像显示区域10a的以矩 阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路。图11是有关本 实施方式的液晶装置中的子像素部和传感器部的俯视图。图12是图11的 XII-XII'剖视图。图10中，有关本实施方式的液晶装置，在PIN二极管212的一个电 极与固定电位线300电连接这一点上与第1和第2实施方式有关的液晶装 置不同。图11中，子像素部72B-2具备公共电极19c和像素电极9c。 一部分 中包含上电极212e的导电膜214b，与沿图中X方向延伸的固定电位线300 电连接。公共电极19c也电连接在固定电位线300上。像素电极9c通过 接触孔82、 85和TFT30电连接在数据线6a上，根据TFT30的开关动作， 供给与图像信号对应的电位。图12中，导电膜214b和绝缘膜47上形成的公共电极19c形成于同一 层。上电极212e的电位被维持在和固定电位线300的电位相等的固定电 位，像素电极(图12中未图示)形成于绝缘膜47的下层侧。因此，根据有关本实施方式的液晶装置，和有关第1实施方式和第2 实施方式的液晶装置一样，利用形成公共电极的工序，可以形成PIN二极 管的上电极，所以可以简化液晶装置的制造工艺。另外，在有关上述第1至第3实施方式的液晶装置中，以上电极和公 共电极形成于同一层的情况为例，但根据有关本发明的液晶装置，也可将 PIN 二极管的上电极和像素电极形成于同一层。<4:电子设备>接着，参照图13和图14说明具备上述的液晶装置的电子设备的实施方式。图13是应用了上述液晶装置的便携式个人计算机的立体图。图13中，主体部1204和包含上述液晶装置的液晶 显示单元1206构成。液晶显示单元1206，通过在液晶面板1005的背面添 加背光灯而构成，能通过简便的制造工艺实现即使外光的光强度变化也能 准确地输入信息的触摸面板功能。接着，关于在移动电话中应用了上述的液晶装置的例子进行说明。图 14是作为本实施方式的电子设备的一个例子的移动电话的立体图。图14 中，移动电话1300具备多个操作按钮1302，并且具备采用反射型显示方 式且和上述的液晶装置具有相同结构的液晶装置1005。根据移动电话 1300，利用手指等指示机构通过显示面能正确的输入信息，能以简便的制 造工艺实现触摸面板功能。
权利要求
1、一种液晶装置，具备第1基板；第2基板，其在所述第1基板上，被配置为与所述第1基板对置；透明的像素电极，其设置于构成所述第1基板上的显示区域的每个像素部；透明的公共电极，其形成在所述第1基板上；液晶层，其被夹持在所述第1基板与所述第2基板之间，包含由根据所述像素电极与所述公共电极各自的电位之差而产生的横向电场驱动的液晶分子；和受光元件，其在所述第1基板上形成于所述显示区域，具有与所述像素电极和所述公共电极中的一方形成在同一层的上电极。
2、 根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于 与所述上电极形成在同一层的是所述公共电极。
3、 根据权利要求1或2所述的液晶装置，其特征在于 所述受光元件具有下电极，该下电极和与所述像素开关用元件电连接的导电层形成在同一层。
4、 根据权利要求1 3中任一项所述的液晶装置，其特征在于 所述下电极兼用作遮挡从配置在所述受光元件下侧的光源射出的光源光的遮光膜。
5、 一种电子设备，其特征在于 具备权利要求1 4中任一项所述的液晶装置。
全文摘要
本发明提供一种液晶装置，其中，PIN二极管(212)具备顺次层叠于绝缘膜(44)上的下电极(211a)、N半导体层(212b)、由多晶硅层构成的受光层(212c)、P型半导体层(212d)和上电极(212e)而构成。上电极(212e)构成形成在绝缘膜(47)上的导电膜(214)的一部分。即，PIN二极管(212)的上电极(212e)在TFT阵列基板(10)上，和绝缘膜(47)上形成的公共电极形成于同一层。因此，上电极(212e)可利用与形成公共电极的工序公共的工序形成，与利用分别独立的工序形成公共电极和上电极(212e)的情况相比，可以简化制造液晶装置的制造工艺。由此，例如，利用简便的制造工艺制造具有触摸面板功能的液晶装置。
文档编号G02F1/1362GK101315476SQ20081010856
公开日2008年12月3日 申请日期2008年5月27日 优先权日2007年5月29日
发明者江口司 申请人:精工爱普生株式会社