下衬底、具有该下衬底的显示装置及制造该下衬底的方法

专利名称：下衬底、具有该下衬底的显示装置及制造该下衬底的方法
技术领域：
本发明涉及一种下衬底、具有下衬底的显示装置和制造该下衬底的方 法。更具体而言，本发明涉及一种可提高生产率的下衬底、具有该下衬底 的显示装置和制造该下村底的方法。
背景技术：
通常，传统的液晶显示(LCD)装置包括下衬底，上衬底和介于上、 下衬底之间的液晶层。
下衬底包括显示区域和邻近该显示区域的周围区域。多个像素设置在 显示区域，并且这些像素以矩阵形式排列。每个像素包括栅极线，数据 线，薄膜晶体管(TFT)以及像素电极。TFT电连接到像素电极、栅极线 和数据线上。
将一驱动电压施加到栅极线的栅极驱动集成电路(IC)上形成于周围 区域内。4册才及驱动IC形成在与TFT相同的层上。当栅才及驱动IC与TFT 一起形成在下衬底上时，可以减小LCD装置的体积和大小。
然而，栅极驱动IC在制造工序中会有缺陷，在栅极驱动IC和上衬底 之间可能形成寄生电容，从而使下衬底的生产率降低。

发明内容
本发明提供一种能提高生产率的下衬底。 本发明也提供一种含有上述下衬底的显示装置。 本发明也提供一种制造上述下衬底的方法。依照本发明的 一个特征的下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像 素区域显示。
第一信号电极布置在电路区域。该第一信号电极通过第一绝缘层的开 口露出。第二信号电极布置在电路区域内的第一绝缘层上，并与第一信号 电极间隔开。第二绝缘层布置在第一绝缘层上，并包括接触孔。第一和第 二信号电极通过该接触孔露出。导电层将第 一信号电极电连接到第二信号 电极。
依照本发明的另一特征，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像 素区域显示。
第一信号电极布置在电路区域内。第一信号电极通过第一绝缘层的开 口露出。第二信号电极布置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电 极间隔开。第二绝缘层布置在第一绝缘层上，并包括第一接触孔。第一和 第二信号电极通过该第一接触孔露出。第三绝缘层布置在第二绝缘层上， 并包括第二接触孔。邻近第一接触孔的第二绝缘层以及第一和第二信号电 极通过第二接触孔露出。导电层通过第一和第二接触孔将第一信号电极电 连接到第二信号电极。
依照本发明的一个特征，显示装置包括下衬底和对应于该下衬底的上 衬底。
该下衬底包括布置在电路区域的第一信号电极；具有开口的第一绝 缘层；第二信号电极，该第二信号电极布置在电路区域的第一绝缘层上并 与第一信号电极间隔开；第二绝缘层，该第二绝缘层布置在第一绝缘层上 以包括接触孔；以及导电层，该导电层通过该接触孔将第一信号电极电连 接到第二信号电极。第一信号电极通过第一绝缘层的开口露出。第一和第 二信号电极通过接触孔露出。
依照本发明的另一特征，显示装置包括下衬底和对应于该下衬底的上 衬底。
该下衬底包括布置在电路区域的第一信号电极；第一绝缘层，该第 一绝缘层包括开口；第二信号电极，该第二信号电极布置在电路区域的第 一绝缘层上并与第一信号电极间隔开；第二绝缘层，该第二绝缘层布置在 第一绝缘层上以包括第一接触孔；第三绝缘层，该第三绝缘层布置在第二 绝缘层上以包括第二接触孔；以及导电层，该导、电层通过第一和第二接触孔将第 一信号电极电连接到第二信号电极，第 一信号电极通过第 一绝缘层 的开口露出。该第一和第二信号电极通过第 一 绝缘层上的第 一接触孔露 出。邻近第一接触孔的第二绝缘层以及第一和第二信号电极通过第二接触 孔露出。
根据本发明的一个特征，提供一种制造下衬底的方法如下。下衬底包 括像素区域和电路区域。
第一信号电极形成在电路区域内。第一绝缘层形成在具有第一信号电 极的电路区域。第二信号电极形成在第一绝缘层上。第二信号电极与第一 信号电极间隔开。第二绝缘层形成在具有第 一绝缘层和第二信号电极的电 路区域内。将第一和第二绝缘层构图以形成接触孔。第一和第二信号线通 过该接触孔露出。形成导电层，该导电层将第一信号电极电连接到第二信 号电极。
根据本发明的另一个特征，提供了一种制造下衬底的方法如下。下衬 底包括像素区域和电路区域。
第 一信号电极形成在电路区域内。第 一绝缘层形成在具有第 一信号电 极的电路区域。第二信号电极形成在第一绝缘层上。第二信号电极与第一 信号电极间隔开。第二绝缘层形成在第一绝缘层和第二信号电极上。第三
绝缘层形成在第二绝缘层上。将第三绝缘层构图以形成第一接触孔。对应 于第一和第二信号电极的第二绝缘层通过第一接触孔露出。将第一和第二
绝缘层构图以形成第二接触孔。第一和第二信号线通过该接触孔露出。第 二接触孔比第一接触孔小。形成导电层，该导电层将第一信号电极电连接 到第二信号电极。
因此，绝缘层包括开口，第一和第二信号电极通过该开口露出，并且 第一信号电极通过导电层电连接到第二信号电极，由此防止与接触孔相邻 的区域对应的导电层开路。


通过参照附图详细描述的示范实施例，本发明的上述以及其它优点将
更加明显，其中
图1示出了根据本发明的示范实施例的反射透射LCD装置的横截面
图；图2示出了根据本发明的示范实施例的反射透射LCD装置的平面
图3示出了根据本发明的示范实施例的栅极电路区域的平面图； 图4A是沿着图3的II-II'线的横截面图； 图4B是沿着图3的III-Iir线的横截面截面图6示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截
面图7示出了根据本发明另 一 示范实施例的栅极电路区域的平面图8示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截
面图9示出了根据本发明另 一 示范实施例的栅极电路区域的平面图； 图10A至10D示出了根据本发明另一示范实施例的制造下村底的方 法的横截面图11示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截
面图12示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面图； 图13示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截
面图14示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面图； 图15A是沿着图14的VH1-V11I'线的横截面图； 图15B是沿着图14的IX-IX'线的横截面图；以及 图16A至16D示出了根据本发明的另一示范实施例的制造下衬底的 方法的横截面图。
具体实施例方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明。
图1示出了根据本发明示范实施例的反射透射LCD装置的横截面 图。图2示出了根据本发明一示范实施例的反射透射LCD装置的平面参照图1,反射透射LCD装置400包括下衬底100，对应于该下衬底
参照图2，下衬底100包括含有多个像素的像素区域PP，与像素区域 PP邻近布置以驱动该像素区域PP的栅极电路区域GCP以及数据电路区域 DCP。
像素区域PP包括多个像素部分，该像素部分通过相互邻近的多个栅 极线和数据线GL和DL来定义。栅极线GL基本垂直于数据线DL。在每 个象素部分中设置具有TFT 120的象素、电连接到TFT 120的第一透射电 极151以及第一反射电极161。
栅极电^各区域GCP依次电连接到栅极线GL以提供4册极信号给栅极线 GL。数据IC单元DCP电连接到数据线DL以输出数据信号给数据线 DL。
栅极电路区域GCP形成在与像素区域PP的像素相同的层上。栅极电 路区域GCP和像素通过薄膜沉积工序形成在下衬底100上。
再次参照图1，下衬底100包括第一栅电极121a和第二栅电极 121b。第一栅电极121a形成在第一板110的像素区域PP上，第二栅电极 121b形成在第一板110的栅极电路区域GCP上。
栅极绝缘层122形成在具有第一和第二栅电极121a和121b的第一板 110上。栅4及绝缘层122包括对应于栅极电路区域GCP并将第二栅电极 121b露出的开口。可选择地，第二栅电极121b可通过栅极绝缘层122的 开口部分地露出。
有源层124形成在4册^J^彖层122上以覆盖第一栅电极121a。欧姆接 触层125形成在有源层124上。
第一数据电极123a和与第一数据电极123a间隔开的第二数据电极 123b形成在欧姆接触层125和栅极绝缘层122上。因此，TFT120形成在 像素区域PP上。另外，第三数据电极123c形成在对应于栅极电路区域 GCP的栅极绝缘层122上。该第三数据电极123c与第二栅电极121b间隔 开。
无机绝缘层130形成在像素区域PP和栅极电路区域GCP内，而有机 绝缘层140形成在无机绝缘层130上。无机和有机绝缘层130和140包括 第一接触孔141和第二接触孔142。第二数据电极123b通过第一接触孔141露出。可选择地，第二数据电极123b可通过第一接触孔141部分地露 出。第三数据电极123c和第二栅电极121b通过第二接触孔142露出。可 替代地，第三数据电极123c和第二片册电极121b可通过第二接触孔142部 分地露出。
第一透射电极151通过第一接触孔141电连接到第二数据电极123b。 第二透射电极152通过第二接触孔142电连接到第三数据电极123c和第二 栅电极121b的露出部分。
第一反射电极161布置在第一透射电极151上，并电连接到第二数据 电极123b上。第二反射电极162设置在第二透射电极152上，并电连接 到第三数据电极123c和第二栅电极121b上。
第一反射电极161部分地覆盖第一透射电极151。因此，像素区域PP 包括反射区域RA和透射区域TA。第一反射电极161形成在反射区域RA 内。第一透射电极151通过在透射区域TA内的第一反射电极161露出。 可替代地，第一透射电极151可通过在透射区域TA内的第一反射电极 161部分地露出。由外部提供给LCD装置的第一光束Li在反射区域RA内 由第一反射电极161反射。由背光装置(未示出)产生的第二光束L2透过 在透射区域TA内的第一透射电极151。
4A是沿着图3的n-ii'线的横截面图。图4B是沿着图3的ni-nr线的
横截面图。
参照图1和3,第三数据电极123c和第二栅电极121b通过在栅极电 路区域GCP内的第二接触孔142露出。可替代地，第三数据电极123c和 第二栅电极121b可通过第二接触孔142部分地露出。第二透射电极152 布置在第二接触孔142内从而使第二透射电极152与形成在有机绝缘层 140和第一板110之间的台阶部分独立，从而防止第二透射电极152开 路。
第二电极区域EA2布置在第一电极区域EA,内，该第二电极区域EA2 包括第二反射电极162,而该第一电极区域EA,包括第二透射电极152。
参照图3和4A,第二透射电极152的端部和第二反射电极162的端 部布置在有才几绝缘层140上，对应于邻近第三lt据电极123c和有机绝缘层 140之间的分界的区域。因此，第二透射电极152和第二反射电极162覆盖第三数据电极123c通过第二接触孔142露出的部分。可替代地，第三数 据电极123c可通过第二接触孔142部分地露出。
参照图3和4B,第二透射电极152的端部和第二反射电极162的端 部设置在有机绝缘层140上，对应于邻近第二栅电极121b和有机绝缘层 140之间的分界的区域。因此，第二透射电极152和第二反射电极162覆 盖第二数据电极123b通过第二接触孔142露出的部分。可替代地，第二 数据电极121b可通过第二接触孔142部分地露出。
再次参照图1,上衬底200包括第二板210,滤色片220和公共电极 230。滤色片220布置在第二板210上，并包括红色(R)滤色片，绿色 (G)滤色片和蓝色(B)滤色片。公共电极230包含透明导电材料。
在下衬底100的栅极电路区域GCP内的第二透射电极152和第二反 射电极162布置在第二接触孔142内。因此，栅极电路区域GCP和公共电 极230之间的距离比在第二透射电极152和第二反射电极162布置在有机 绝缘层140上情况中的距离大。当栅极电路区域GCP和公共电极230之间 的距离增大时，栅极电路区域GCP和公共电极23 0之间的寄生电容减少。 因此，当第二透射电极152和第二反射电极162布置在第二接触孔内时， 栅极电路区域GCP和公共电极230之间的距离增大从而使栅极电路区域 GCP和公共电极230之间的寄生电容减少。
图5A至5G示出了根据本发明的示范实施例的制造下衬底的方法的 横截面图。
参照图5A，包括铝(Al),铬(Cr)或者钼鹤(Mo-W)合金的第一 金属层(未示出)通过溅射法沉积在第一板110上，该第一板110具有例 如像玻璃，陶瓷等的绝缘材料。第一金属层(未示出)而后通过光刻法用 第一掩膜171构图。因此，第一和第二栅电极121a和121b分别形成在像 素区域PP和栅极电路区域GCP上。第一栅电极121a形成于与第二栅电 才及121b相同的层上。
参照图5B,氮化硅沉积在第一板110上以形成栅极绝缘层122，该第 一板110包括第一和第二栅电极121a和121b。氮化硅可通过等离子体增 强的化学气相沉积法(PECVD)沉积。
参照图5C，非晶硅层(未示出)和N+掺杂非晶硅层(未示出)形成 在栅极绝缘层122上。非晶硅层(未示出)和N+掺杂非晶硅层(未示出)可通过在处理室内现场(in-situ )PECVD法来沉积。
将非晶硅层(未示出)和N+掺杂非晶硅层(未示出)构图以在对应
于第一栅电极121a的区域内形成有源层124和欧姆接触层125。
第二金属层(未示出)形成在含有欧姆接触层125的第一板110上。
第二金属层(未示出)可包含铬(Cr)。第二金属层(未示出)可通过賊
射法形成。第二金属层(未示出)通过光刻法用第二掩膜172构图以使第
一和第二数据电极123a和123b形成在像素区域PP内以及将第三数据电
极123c形成在栅极电3各区域GCP内。
第一和第二数据电极123a和123b形成在与第三数据电极I23c相同
的层上。第三数据电极123c电连接到第二栅电极121b对应于第二接触孔
142的露出部分。
将布置在第一和第二数据电极123a和123b之间的欧姆接触层125的 露出部分除去，使得布置在第一和第二数据电极123a和123b之间的有源 层124的一部分露出。露出的欧姆接触层125可通过反应性离子蚀刻 (RIE)法来除去。露出的有源层124起TFT的沟道层的作用。因此， TFT 120形成在像素区域PP内。
参照图5D,含有氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)的无机绝缘层 130而后形成在像素区域PP和栅极电路区域GCP之上。
参照图5E，包括光敏丙稀树脂的有机绝缘层140形成在无机绝缘层 130上。无机绝缘层130和有机绝缘层140用第三掩膜构图以形成第一接 触孔141和第二接触孔142。第二数据电极123b通过第一接触孔141露 出，第三数据电极123c和第二栅电极121b通过第二接触孔142露出。可 替代地，第二数据电极123b通过第一接触孔141可部分地露出，第三数 据电极123c和第二栅电极121b可通过第二接触孔142部分地露出。
参照图5F，第一导电层(未示出)而后形成在下衬底100之上，该第 一导电层包括诸如氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)或者氧化锌(ZO) 之类的透明导电材料。而后，第一导电层(未示出)用第四掩膜174构图 以形成第一和第二透射电极151和152。第一和第二透射电极151和152 分别设置在像素区域PP和栅极电路区域GCP内。
第一透射电才及151电连接到通过第一接触孔141露出的第二数据电极 123b的露出部分。可替代地，第二数据电极123b可通过第一接触孔141部分地露出。第二透射电极152电连接到第三数据电极123c和第二栅电极 121b的露出部分，而第三数据电极123c和第二栅电极121b的露出部分通 过第二接触孔142露出。可替代地，第三数据电极123c和第二栅电极 121b可通过第二接触孔142部分地露出。因此，第三数据电极123c通过 第二透射电极152电连接到第二栅电极121b。
第一电极区域EA,布置在第二接触孔142内。第二透射电极152布置 在第一电极区域EA,内从而使第二透射电极152的电特性与形成在有机绝 缘层140和第一板110之间的台阶部分的电特性独立，从而防止第二透射 电极152开路。
参照图5G,包括铝钕合金(Al-Nd)的第二导电层(未示出)形成在 下衬底100之上。第二导电层(未示出)用第五掩膜175构图以形成第一 和第二反射电极161和162。第一反射电极161布置在像素区域PP内，第 二反射电极162布置在栅极电路区域GCP内。
第一反射电极161通过第一透射电极151电连接到第二数据电极 123b。第二反射电极162通过第二透射电极152电连接到第三数据电极 123c和第二栅电极121b。
第二反射电极162对于第二透射电极152来说是一个冗余电极。因 此，第二反射电极161在第三数据电极123c和第二栅电极121b之间保持 电连接，尽管第二透射电极152在生产过程中是开路的。
在第二反射电极162的构图期间，电化腐蚀可形成在铝钕(A1-Nd) 合金和第二透明电极152之间。特别是当第二透明电极152包含IZO时， 由于铝钕合金和锌之间的离子化趋势的差异，电化腐蚀大大增强。
因此，第二反射电极162设置在第二透射电极152所设置的第一电极 区域EA,内。如此，将Al-Nd和IZO接触的面积减小，从而防止电化腐 蚀。
图6示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截 面图。图7示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面图。 除了下衬底之外，图6和7的反射透射LCD装置与图1至3中的相同。如 此，相同的附图标记将用于参照与图1至3中描述过的相同或者相似部 件，并省略任何更多的说明。
参照图6和7,下衬底100包括第二板110、无机绝缘层130和有机绝缘层140。无机绝缘层130和有机绝缘层140连续地形成在第二板110 上。无机绝缘层130和有机绝缘层140包括第二接触孔142。第三数据电 极123c和第二栅电极121b在栅极电路区域GCP内通过第二接触孔142露 出。可替代地，第三数据电极123c和第二栅电极121b可在栅才及电路区域 GCP内通过第二接触孔142部分地露出。
第三透射电极153通过第二4妄触孔142电连接到第三数据电极123c 和第二栅电极121b。第二接触孔142设置在形成有第三透射电极153的第 一电极区域EA,内。即第三透射电极153的端部设置在对应于邻近第二接 触孔142的区域的有机绝缘层140上。
第三反射电极163设置在第三透射电极153上，从而第三反射电极 163电连接到第三数据电极123c和第二栅电极121b。形成有第三反射电极 163的第二电极区域EA2布置在第一电极区域EA,内，从而防止第三反射 电极163和第三透射电极153之间的电化腐蚀。
图8示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截 面图。图9示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面图。 除了下衬底，图8和9的反射透射LCD装置与图1至3中的相同。如此， 相同的附图标记将用于参照与图1至3中描述过的相同或者相似部件，并 省略任何更多的说明。
参照图8，无机绝缘层130和有机绝缘层180形成在下衬底100的像 素区域PP和栅极电路区域GCP上。无机绝缘层130和有机绝缘层180包 括第三接触孔181和第四接触孔182。 TFT 120的第二数据电极123b通过 第三接触孔181露出。可替代地，TFT 120的第二数据电极123b可通过第 三接触孔181部分地露出。第三数据电极123c和第二4册电极121b通过第 四接触孔182露出。可替代地，第三数据电极123c和第二栅电极121b可 通过第四接触孔182部分地露出。
第一接触区域CTA1设置在第三接触孔181内。第二接触区域CTA2 布置在第四接触孔182内。有机绝缘层180包括邻近第一接触区域CTA1 的第一侧壁区域SWA1和邻近第二接触区域CTA2的第二侧壁区域 SWA2。对应于第一和第二侧壁区域SWA1和SWA2的有机绝缘层180的 横截面具有弯曲形状。
参照图8和9,第四透射电极154设置在对应于像素区域PP以及通过第三接触孔181露出的第二数据电极123b的露出部分的有机绝缘层180 上。第五透射电极155通过在栅极电路区域GCP内的第四接触孔182电连 接到第三数据电极123c和第二栅电极121b。
第五透射电极155的一部分设置在邻近第四接触孔182的有机绝缘层 180上。因此，对应于第四接触孔182的第二接触区域CTA2设置在第一 电极区域EAi内。第五透射电极155形成在第一电极区域EA！内。
对应于第二侧壁区域SWA2的有机绝缘层180的冲黄截面具有弯曲形 状，从而邻近有机绝缘层180和第一板110的之间的分界的有机绝缘层 180的横截面逐渐倾斜。因此，尽管第五透射电极155的一部分设置在有 机绝缘层180上，也可防止在第二侧壁区域SWA2内的第五透射电极155 的开路。
第四反射电极164设置在像素区域PP内的第四透射电极154上，从 而使第四反射电极164电连接到第二数据电极123b。第五反射电极165设 置在栅极电路区域GCP内的第五透射电极155上，从而使第五反射电极 165电连接到第三数据电极123c和第二栅电极121b。对应于第五反射电极 165的第二电极区域EA2设置在对应于第五透射电极155的第一电极区域 EA内。
图10A至10D示出了根据本发明另一示范实施例的制造下衬底的方 法的横截面图。
参照图10A,包括光敏丙稀树脂的有机绝缘层180形成在无机绝缘层 130上。有机绝缘层180用设置在有机绝缘层180上的第六掩膜176构 图，以形成第五接触孔183和第六接触孔184。对应于第二数据电极123b 的无机绝缘层130通过第五接触孔183部分地露出。可替代地，对应于第 二凄t据电极123b的无机绝纟彖层130可通过第五接触孔183部分地露出。 对应于第三数据电极123c和第二栅电极121b的无机绝缘层130通过第六 接触孔184露出。可替代地，对应于第三数据电极123c和第二栅电极 121b的无^L绝纟彖层130可通过第六4妄触孔184部分地露出。
参照图10B,含有第一透明部分177a和第二透明部分177b的第七掩 膜177设置在有机绝缘层180之上，从而使邻近第五接触孔183的有机绝 缘层180和邻近第六接触孔184的有机绝缘层180分别通过第一和第二透 明部分177a和177b露出。可替代地，邻近第五接触孔183的有机绝缘层
14180和邻近第六接触孔184的有机绝缘层180可分别通过第一和第二透明 部分177a和177b部分地露出。第一和第二透明部分177a和177b分别比 第五和第六接触孔183和184更大。有机绝缘层180用第七掩膜177构图。如此，邻近第五接触孔183的 有机绝缘层180,邻近第四接触孔184的有机绝缘层180，对应于第五接 触孑L 183的无机绝缘层130以及对应于第六接触孔184的无机绝缘层130 被除去。因此，对应于第五接触孔183的第三接触孔181和对应于第六接触孔 184的第四接触孔182形成在有机绝缘层180和无机绝纟彖层130内。对应 于第一和第二侧壁区域SWA1和SWA2的有^L绝缘层180的横截面具有弯 曲形状，从而邻近有机绝缘层180和第一板110之间的分界的有机绝缘层 180的横截面逐渐倾斜。第一和第二侧壁区域SWA1和SWA2各自邻近第 一和第二接触区域CTA1和CTA2。参照图10C,包括ITO， IZO或ZO的第一导电层(未示出)形成在 下衬底100之上。第一导电层(未示出)用第八掩膜178构图，以形成第 四和第五透射电极154和155。第四和第五透射电极154和155分别设置 在像素区域PP和栅极电路区域GCP内。第五透射电极155的端部设置在邻近第二接触孔182的有机绝缘层 180上。第四接触孔182设置在对应于第五透射电极155的第一电极区域 EA,内。对应于第一和第二侧壁区域SWA1和SWA2的有机绝缘层180的横截 面具有弯曲形状，从而邻近有机绝缘层180和第一板110之间的分界的有 机绝缘层180的横截面逐渐倾斜，因此可防止第二透射电极152开路。参照图IOD，包括Al-Nd合金的第二导电层(未示出)形成在下衬底 100之上。第二导电层(未示出)用第九掩膜179构图以形成第四和第五 反射电极163和165。第四反射电极164布置在像素区域PP内。第五反射 电极165布置在栅极电路区域GCP内。第五反射电极165通过第五透射电极155电连接到第三数据电极123c 和第二栅电极121b。对应于第五反射电极165的第二电极区域EA2布置在 对应于第五透射电极155的第一电极区域EA,内。因此，第五反射电极 165与第五透射电极155接触的面积减小，从而防止电化腐蚀。图11示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截 面图。图12示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面 图。除了下衬底100之外，图11和12的反射透射LCD装置与图l至3中 的相同。如此，相同的附图标记将用于参照与图1至3中描述过的相同或 者相似部件，并省略任何更多的说明。参照图11和12,第六透射电极156设置在栅极电路区域GCP的第二 接触区域CTA2内。第四接触孔182形成在第二接触区域CTA2内。对应 于第二电极区域EA2的第六反射电极166设置在对应于第六透射电极156 的第一电极区域EA,内。第六透射电极156的一部分和第六反射电极166的一部分布置在邻近 第三数据电极123c和第二栅电极121b的有机绝缘层180上。如此，第六 透射电极156和第六反射电极166覆盖对应于第四接触孔182的第三数据 电极123c和对应于第四接触孔182的第二栅电极121b。第二侧壁区域SWA2内邻近第二接触区域CTA2的有机绝缘层180的 横截面具有曲面形状，从而防止在第二侧壁区域SWA2内的第六透射电极 156和第六反射电极166开路。图13示出了根据本发明另一示范实施例的反射透射LCD装置的横截 面图。图14示出了根据本发明另一示范实施例的栅极电路区域的平面 图。除了下衬底之外，图13和14的反射透射LCD装置与图1至3中的相 同。如此，相同的附图标记将用于参照与图1至3中描述过的相同或者相 似部件，并省略任何更多的说明。参照图13和14，无机绝缘层130和有机绝缘层140形成在下衬底 100的像素区域PP和栅极电路区域GCP内。无机绝缘层130包括第七接触孔131。第三数据电4及123c，第二栅电 极121b和第一板110通过第七接触孔131露出。可替代地，第三数据电 极123c，第二栅电极121b和第一板110可通过第七接触孔131部分地露 出。有机绝纟彖层140包括第八接触孔143，该第八接触孔143比第七接触 孔131大。因此，第三数据电极123c,第二栅电极121b,第一板110以及 无机绝缘层130通过第八接触孔143露出。可替代地，第三数据电极 123c，第二栅电极121b,第一板110以及无机绝缘层130可通过第八接触 孔143部分地露出。无机绝缘层130的露出部分邻近第七接触孔131。第七透射电极157布置在第三数据电极123c,第二栅电极121b和无 机绝缘层130的露出部分，从而使第三数据电极123c电连接到第二栅电极 121b。第七反射电极167布置在第七透射电极157上，从而使第七反射电极 167通过第七透射电极157电连接到第三数据电极123c和第二栅电极 121b。对应于第七反射电极167的第二电极区域EA2设置在对应于第七透 射电极157的第一电极区域EA,内。图15A是沿着图14的vni-vnr线的横截面图。图15B是沿着图14的IX-IX'线的^f黄截面图。参照图15A和15B，第七透射电极157的端部布置在无机绝缘层130 上，以覆盖第三数据电极123c和第二栅电极121b的露出部分。第七反射电极167设置在第七透射电极157上，而第七反射电极167 的一部分对应到含有无机绝缘层130上的第七透射电极157的端部的无机 绝缘层130的一部分。对应于第七反射电极167的第二电极区域EA2比对 应于第七透射电极157的第一电极区域EA,更小。图16A至16D示出了根据本发明另一示范实施例的制造下衬底的方 法的横截面图。参照图16A，包括光敏丙稀树脂的有机绝缘层140形成在无机绝缘层 130上。有机绝缘层140而后用含有第一透明部分的第十掩膜191构图， 以形成第八接触孔143。对应于第三数据电极123c和第二栅电极121b的 无机绝缘层130通过第八接触孔143露出。可替代地，对应于第三数据电 极123c和第二斥册电极121b的无机绝缘层130可通过第八4妻触孔143部分 地露出。参照图16B，具有第二透明部分的第十一掩膜192设置在无机绝缘层 130的露出部分和-故构图的有机绝缘层140上，该第二透明部分比第一透 明部分小。对应于第二透明部分的无机绝缘层130用第十一掩膜192除 去，从而将对应于第二透明部分的第三数据电极123c和第二栅电极121b 露出，而对应于第八接触孔143的无机绝缘层130的露出部分将保留。可 替代地，对应于第二透明部分的第三数据电极123c和第二栅电极121b可 部分地露出。参照图16C，包括ITO、 IZO或者ZO的第一导电层(未示出)形成在下衬底100之上。第一导电层(未示出)用第十二掩膜193构图，使得 在栅极电路区域GCP内形成第七透射电极157。第七透射电极157通过第八接触孔143电连接到第三数据电极123c 和第二栅电极121b。第八接触孔143设置在形成有第七透射电极157的第 一电极区域EA，内，从而防止第七透射电极157开3各。另外，第七透射电极157的端部设置在无机绝缘层130的露出部分， 该无机绝缘层130通过第八接触孔143露出。因此，第七透射电极157覆 盖第三数据电极123c和第二栅电极121b的露出部分，第三数据电极123c 和第二栅电极121b的露出部分通过第八接触孔143露出，而第七透射电 极157并非设置在有机绝缘层140上。参照图16D,包括Al-Nd合金的第二导电层(未示出)形成在下衬底 100之上。第二导电层(未示出)而后用第十三掩膜194构图以在栅极电 路区域GCP内形成第七反射电极167。第七反射电极167通过第七透射电极157电连接到第三数据电极123c 和第二栅电极121b。对应于第七反射电极167的第二电极区域EA2设置在 对应于第七透射电4及157的第一电极区域EA,内，因此可防止第七透射电 极157和第七反射电极167之间的电化腐蚀。根据本发明，下衬底的有机绝缘层和无机绝缘层包括开口，第二栅电 极和第三数据电极通过该开口露出，第二透射电极通过第二反射电极电连 接到第二栅电极和第三数据电极。因此，可通过防止由有机绝缘层和第 一 板之间的台阶部分形成的导电 层的开路，从而提高下衬底和含有该下衬底的显示装置的生产率。目前要求的本发明已经参照示范实施例进行了描述。然而，显然按照 前面的描述本领域的普通技术人员很明显能够对本发明进行多种可供选择 的修改和变型。因此，本发明包含所有落在附加权利要求的精神和范围内 的可选择的修改和变型。
权利要求
1. 一种液晶显示装置，包括下衬底，该下衬底包括设置在电路区域内的第一信号电极；第一绝 缘层，该第一绝缘层具有开口，第一信号电极通过该开口露出；第二信号 电极，该第二信号电极设置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电 极间隔开；第二绝缘层，该第二绝缘层设置在第一绝缘层上，以包括第一 接触孔，第一和第二信号电极通过该第一接触孔露出；第三绝缘层，该第 三绝缘层设置在第二绝缘层上，以包括第二接触孔，邻近第一接触孔的第 二绝缘层以及第一和第二信号电极通过该第二接触孔露出；和导电层，该 导电层将第一信号电极通过第一和第二接触孔电连接到第二信号电极；以 及上衬底，该上衬底对应于该下衬底。
2. —种制造用于液晶显示装置的下衬底的方法，包括 在电路区域内形成第一信号电极；在形成有第 一信号电极的电路区域内形成第 一绝缘层； 在第一绝缘层上形成第二信号电极，该第二信号电极与第一信号电极 间隔开；在第一绝缘层和第二信号电极上形成第二绝缘层； 在第二绝缘层上形成第三绝缘层；构图第三绝缘层以形成第 一接触孔，对应于第 一和第二信号电极的第 二绝缘层通过该第一接触孔露出；构图第 一和第二绝缘层以形成第二接触孔，第 一和第二信号电极通过 该第二接触孔露出，第二接触孔比第一接触孔小；以及形成导电层，该导电层将第一信号电极电连接到第二信号电极。
3. 根据权利要求2的方法，其中邻近第二接触孔的第二绝缘层通过第 一接触孔露出，并且导电层的端部布置在第二绝缘层的露出部分上。
4. 根据权利要求2的方法，其中第二绝缘层包括无机绝缘层，第三绝 缘层包括有机绝缘层。
5. —种制造用于液晶显示装置的下衬底的方法，包括 在电路区域内形成第一信号电极；在形成有第 一信号电极的电路区域内形成第 一绝缘层； 在第一绝缘层上形成第二信号电极，该第二信号电极与第一信号电极 间隔开；在第一绝缘层和第二信号电极上形成第二绝缘层； 在第二绝缘层上形成第三绝缘层；构图第三绝缘层以形成第一接触孔，对应于第一和第二信号电极的第 二绝缘层通过该第一接触孔露出；除去邻近第一接触孔的第三绝缘层、第二绝缘层的露出部分、以及对 应于第二绝缘层的露出部分的第一绝缘层，以形成第二接触孔，第一和第二信号电极通过该第二接触孔露出；以及形成导电层，该导电层将第一信号电极电连接到第二信号电极。
6. 根据权利要求5的方法，其中第二绝缘层包括无机绝缘层，第三绝 缘层包括有机绝缘层。
7. —种液晶显示装置，包括下衬底，该下衬底包括设置在电路区域内的第一信号电极；第一绝 缘层，该第一绝缘层包括开口，第一信号电极通过该开口露出；第二信号 电极，该第二信号电极设置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电 极间隔开；第二绝缘层，该第二绝缘层设置在第一绝缘层上并包括无机绝 缘层和有机绝缘层，并且所述无机绝缘层和有机绝缘层分别包括接触孔， 第一和第二信号电极通过该接触孔露出；和导电层，该导电层通过该接触 孔将第一信号电极电连接到第二信号电极；以及上衬底，该上4十底对应于该下衬底。
全文摘要
本发明公开了一种用于液晶显示装置的下衬底，一种具有该下衬底的显示装置以及一种制造该下衬底的方法，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像素区域显示。第一信号电极设置在电路区域。第一绝缘层包括开口，第一信号电极通过该开口露出。第二信号电极设置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电极间隔开。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并包括接触孔，第一和第二信号电极通过该接触孔露出。导电层将第一信号电极电连接到第二信号电极并且包括透射电极和设置在该透射电极上的反射电极。因此，制造工序得以简化，从而使下衬底的生产率提高。
文档编号G02F1/136GK101311806SQ20081012727
公开日2008年11月26日 申请日期2004年10月20日 优先权日2003年10月20日
发明者太胜奎, 尹柱善, 金奉柱, 金炫荣 申请人:三星电子株式会社