光刻装置和器件制造方法

专利名称：光刻装置和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。
背景技术：
光刻装置是将所需图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种 装置。光刻装置是可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况 下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在 IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅 晶片)的靶部上(例如包括一部分， 一个或者多个管芯)。通常这种 图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 一般地，单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的整个网格。已知的 光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而 辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射 光束下沿给定的方向("扫描"方向)扫描所述图案，并同时沿与该 方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通 过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。
已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射 率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的 空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而使得能够对更 小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA (数值孔径)和增加了焦深。)也有人提议其它浸液，包括其中悬浮 有固体微粒(如石英)的水。
但是,将基底或者基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见US4， 509， 853,在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过 程中必须加速大量的液体。这需要附加的或者功率更大的电机，并且 液体中的紊流可能导致不期望的和不可预料的结果。
提出的 一种用于液体供给系统的技术方案是仅在基底的局部区 域上以及投影系统的最后一个元件和基底(通常该基底具有比投影系 统的最后一个元件更大的表面区域)之间提供液体。在PCT专利申请 W099/49504中公开了 一种已经提出的用于该方案的方式在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，通过至少一个入口 IN将液体 提供到基底上，优选地沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供， 以及在经过投影系统下方之后通过至少一个出口 OUT去除液体。也就 是说，沿-X方向在该元件下方扫描基底时，在元件的+X—侧提供液 体，-X—侧接收。图2示出了示意性的布置，其中通过入口 IN提供液 体，和通过与低压源相连接的出口 OUT在元件的另一侧接收。在图2 的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，尽管可 以不必这样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量 都是可能的，图3示出了一个实例，其中在围绕最后一个元件的规则 图案中提供了四组位于任一侧的入口以及出口 。
在湿浸式光刻技术中，投影系统和基底之间的空间填充有液体(如 水)。在基底的曝光过程中，基底构成限制液体边界的一部分.在移 去基底并用另一个基底更换的过程中，例如，液体可以从所述空间排 出，以便允许更换基底。 一种该方法的可能不利方面是可能在与液体 接触的投影系统的一个元件上形成干燥点。附加地或者可替换地，在 液体和去除液体的真空流中的变化可能需要时间进行处理，这可能导
致生产量的下降。

发明内容
因此，有利的是，例如在移动基底的过程中，通过用封闭板替换 基底而不扰钩存在于基底和光学元件之间的液体使浸没光刻投影装置 的元件浸润。通过使用另一个具有提供限制液体边界的功能的本体(如 封闭板)，可以不必在移动基底(和提供新的基底)的过程中从基底 和投影系统之间去除液体。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻投影装置，包括
配置成保持基底的基底台；
配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；
液体限制结构，其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空
间中，基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分； 以及
封闭板，封闭板配置成当基本上没有扰动液体、液体限制结构或 上迷两者而移动时，该替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界 的一部分。根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步 将液体提供给带图案的光束穿过的空间，基底、基底台或上述两
者构成所述空间的边界的一部分；
将液体密封在空间中，所述密封在基底、基底台或上述两者和另
一个结构之间作用；
用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为所述空间边界的一部
分，而不破坏所述密封；以及
使带图案的辐射光束穿过液体投影到基底上。 根据本发明的另一个方面，提供一种光刻投影装置，包括 配置成保持基底的基底台；
配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；
液体限制结构，其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空
间中，基底、基底台或上迷两者配置成构成所述空间的边界的一部分；
以及
在水平面中替换基底台的封闭板，该封闭板配置成替代基底、基
底台或上述两者构成空间的边界的一部分；以及 配置成在水平面中移动所述封闭板的致动装置。


现在仅仅通过实例的方式，.参考随附的示意图描述本发明的各个 实施方案，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中 图l示出了根据本发明的一个实施方案的光刻装置； 图2和3示出了一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统； 图4示出了另 一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统； 图5示出了根据本发明的一个实施方案的另一种液体供给系统的 封闭视图6a和6b示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第一
步；
图7a和7b示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的笫二
步；
图8a和8b示出了在才艮据本发明的一个实施方案的方法中的笫三
步；
7图9a和9b示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第四步。
具体实施例方式
图1示意性地表示了根据本发明的一个实施方案的光刻装置。该 装置包括
-照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束PB (例如UV辐 射或DUV辐射)。
-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模) MA，并与配置成依照某些参数将该构图部件精确定位的第一定位装置 PM连接；
-基底台(例如晶片台)WT,其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂 的晶片)W，并与配置成依照某些参数将基底精确定位的笫二定位装置 PW连接；以及
-投影系统(例如折射投影透镜系统)PL，其配置成将通过构图部 件MA赋予给辐射光束PB的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个 或多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整 形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电 磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意組合。
支撑结构以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定
向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环 境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构 图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可 以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于 投影系统位于所需的位置。这里任何术语"中间掩模版"或者"掩模" 的使用可以认为与更普通的术语"构图部件"同义。
这里使用的术语"构图部件"应广义地解释为能够给辐射光束在 其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注 意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的所需图案精确一 致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。 一般地，赋予 给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件(如集成电路)的特殊功能 层相对应。构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，
可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它 包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种 混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用微小反射镜的矩阵 排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐 射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予图 案。
这里所用的术语"投影系统"应广义地解释为包含各种类型的投 影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性 光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于 所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用的浸液或使用的真空。 这里任何术语"投影透镜"的使用可以认为与更普通的术语"投影系 统"同义。
如这里指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者， 该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采 用反射掩模)。
光刻装置可以具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者 多个掩模台)。在这种"多台式，，装置中，可以并行使用这些附加台， 或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台 用于曝光。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源S0的辐射光束。辐射源和光 刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时.在 这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助 于光束输送系统BD从源S0传输到照射器IL,所述输送系统包括例如 合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装 置的组成部分，例如当源是汞灯时.源SO和照射器IL，如果需要连同 光束输送系统BD —起可以称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射光束的角强度分 布。 一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内 径向范围(通常分别称为a-外和cj-内).此外，照射器IL可以包括 各种其它部件，如积分器IN和聚光器C0。照射器可以用于调节辐射光 束，从而该光束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。辐射光束PB入射到保持在支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件 (如掩模MA)上，并由构图部件进行构图。横向穿过掩模MA后，辐射 光束PB通过投影系统PL,该投影系统将光束聚焦在基底W的乾部C 上。在笫二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编 码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如 在辐射光束PB的光路中定位不同的靶部C.类似地，例如在从掩模库 中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另 一个位置传感器(图1中未明确示出)来使掩模MA相对于辐射光束PB 的光路精确定位。 一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程 模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，其中长行程模块和短 行程模块构成第一定位装置PW的一部分。在步进器(与扫描装置相对) 的情况下，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接，或者固定。可以 使用掩模对准标记M1、 M2和基底对准标记P1、 P2对准掩模MA与基底 W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的乾部，它们可以设置在 各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地， 在其中在掩膜MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之 间设置掩膜对准标记。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用
1. 在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐 射光束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后 沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以膝光不同的耙部C。在步进 模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态膝光中成像的耙部C的 尺寸。
2. 在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步 扫描掩模台MT和基底台WT (即单次动态膝光)。基底台WT相对于掩 模台MT的速度和方向通过投影系统PL的放大(缩小)和图像反转特 性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态啄光
中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了靶部的高 度(沿扫描方向)。
3. 在其他模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C上时，掩 模台MT基本保持不动，支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台 WT。在该模式中， 一般采用脉沖辐射源，并且在每次移动基底台WT之
10后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构 图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩 模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列 型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的 使用模式。
图4示出了另一种使用局部液体供给系统的浸没光刻技术方案。 通过位于投影系统PL的任何一侧上两个凹槽入口 IN提供液体，然后 从入口 IN径向向外布置的多个分立出口 0UT去除液体。入口 IN和OUT 可以布置在一个板中，板的中心有一个孔，通过该孔可以投射投影光 束。可以通过位于投影系统PL的一側上的一个凹槽入口 IN提供液体， 然后从位于投影系统PL的另一侧上的多个分立出口 OUT去除液体，从 而在投影系统PL和基底W之间形成液体薄膜的流动。所用入口 IN和 出口 OUT的组合的逸摔取决于基底W的移动方向(其它入口 IN和出口 OUT的组合是不起作用的)。
已经提出的另一种使用局部液体供给系统的湿浸式光刻技术方案 是提供具有液体限制结构的液体供给系统，该液体限制结构沿着投影 系统的最后一个元件和基底台之间的空间的至少一部分边界延伸.图5 示出了这种技术方案，液体限制结构相对于投影系统在XY平面基本上 是静止的，但是在Z方向(光轴方向)可以有一些相对移动。从而在 该液体限制结构和基底的表面之间形成密封。在一个实施方案中，密 封是非接触式密封，例如气封。在美国专利申请案No.US10/705,783 中公开了使用气封的这种系统，在此将其全文引入作为参考.
参考图5，容器IO给基底在投影系统的成像区域周围形成非接触 的密封，使得液体被限定成填充基底表面和投影系统的最后一个元件 之间的空间。容器由定位在投影系统PL的最后一个元件的下方并围绕 其的液体限制结构12形成。使液体流入投影系统下面的空间并进入到 液体限制结构12中。液体限制结构12稍微延伸到投影系统的最后一 个元件上方一点，液面高度升高到该最后一个元件上方，从而提供了 一个液体緩冲器。液体限制结构12具有一内圆周，其在上端部优选非 常接近投影系统或其最后一个元件的形状，例如可以是圆形。在底部， 该内圆周非常符合成像区域的形状，例如是矩形，当然也可以不必是
ii这种形状。
液体由液体限制结构12的底部和基底W的表面之间的密封16如 气封限定在容器中。该气封可由气体形成，所述气体例如是空气、人 造气体、N2或惰性气体，其可通过入口 15在压力下提供到液体限制结 构U和基底之间的间隙，然后从第一出口 14抽出。如此希置作用在 气体入口 15上的过压力、作用在第一出口 14上的真空水平以及间隙 的几何尺寸，使得存在向内限定液体的高速气流。本领域技术人员可 以理解，可以使用其它类型的密封来限制液体。
根据本发明的一个实施方案，提供致动的封闭板20，它水平地移 动到投影系统下方的位置替换基底台，该基底台水平地远离投影系统 下方的位置移动，致动的封闭板20的顶面大体上与基底台处于相同的 高度，使得当基底台远离投影系统下方的位置移动时，可以进行连续 的、没有干扰的移动，同时保持使液体包含在液体限制结构中的密封。 部分用来移动基底台的一个或多个长行程致动装置可以用于水平地致 动封闭板。如下文更加详细描述的，当把与液体限制结构12相关的力 从基底台转移到封闭板上时，也可以采用作用于基底台上的垂直负荷 变化的有源补偿。如此定位和/或成形致动的封闭板20,使得它在用干 涉计光束测量的过程中不会挡住这些光束。
提供致动的封闭板的一个或多个优点包括更快的基底更换、在液 体限制结构中和其周围的气体、液体以及真空流大体上保持恒定的水 平(这样能够减少处理时间和减小污染的可能性)、减小了对投影系 统和/或基底台的机械干扰、改进了在基底台上的空间利用(因为不必 在基底台上提供单独的封闭板)以及消除了投影系统中的干燥点。附 加地或者可替换地，根据本发明的一个实施方案的封闭板可以不必去 除(然后替换)液体或者把基底垂直地移动到其它位置，从而可以把 封闭板放置在其适当的位置。液体、气体和真空流中的变化需要时间 进行处理，并且垂直的移动可能导致对投影系统和基底台的千扰。转 到图6至9，图6a、 7a、 8a和9a示出了基底台WT和致动的封闭板20 相对投影系统PL的平面图。图6b、 7b、 8b和9b示出了基底台WT和 致动的封闭板20相对投影系统PL的侧视图。
图6a和6b示出了例如在基底W的啄光期间基底台FT和致动的封 闭板20的相对位置。该封闭板不会遮住投影系统PL，而基底W与投影系统PL排成直线。
图7a和7b示出了例如当基底W的曝光充分或几乎充分时基底台WT和致动的封闭板20的相对位置。把该致动的封闭板20移动到一个位置，使得其水平地与基底台WT对准和垂直地与投影系统PL对准。
图8a和8b示出了例如当基底W的曝光充分时替换基底台WT的致动的封闭板20。该致动的封闭板20和基底台FT沿同一方向移动，并
处于相同的高度。
图9a和9b示出了处于投影系统PL下方位置处的致动的封闭板20，此时该封闭板20用作限制液体11的边界的一个侧面。此时基底W例如能够与基底台WT上的另一个基底W进行交換，而不会扰动液体11。
该系统的一个优点是在整个基底文换过程中都不会干扰液体限制结构12、投影系统PL、基底W和/或致动的封闭板20。此外，基底台WT和/或致动的封闭板20不会垂直地移动，从而减小了气体被引入到液体供给系统中的危险。
此外，基底台WT可以包括主动补偿器25,其配置成当由液体限制结构施加的力从基底台上去除时补偿该作用力的变化。该补偿器可以包括基底台上的垂直运动传感器和/或压力传感器以及配置成把补偿信号发送给如基底台定位装置PW的控制系统，该基底台定位装置PW配置成响应于所述信号移动基底台WT，从而补偿作用力的变化。附加地或者可替换地，致动的封闭板20还可以包括主动补偿器27，以便减小对液体限制结构的干扰，例如当从封闭板上移除液体限制结构时导致的干扰。该补偿器可以包括致动的封闭板20上的垂直运动传感器和/或压力传感器以及配置成把补偿信号发送给如液体限制系统定位装置29的控制系统，该液体限制系统定位装置29配置成响应于所述信号移动液体限制结构12，从而补偿作用力的变化。
基底台WT和致动的封闭板20能够可释放地耦合。这意味着当致动的封闭板20替换基底台WT时它们可以连接在一起，反之亦然；但是当替换完成时它们可以拔此分开。致动的封闭板20和基底台WT可以同样由同一个系统25或27或者由单独的系统25和27控制。可以使用如附固中所示的羊独的长行程致动装置22a和"b;但是该单独的致动装置可以由同一控制系统25或27或者不同的控制系统25和27控制。
在一个实施方案中，可以测量作用在致动的封闭板20上的力，例 如通过致动的封闭板主动补偿器27并向前馈送给基底台WT的控制系 统(例如有源补偿器25)，使得可以补偿该作用在致动的封闭板20 上的力，从而不会影响基底台WT。通过这种方式致动的封闭板20可以 用作基底台WT的力测量系统。
尽管已经就从基底台移动基底并将另一个基底放置在基底台上论 述了一个或多个实施方案，也可以在其它应用中使用上述一个或多个 实施方案。例如，基底可以保持在基底台上，而封闭板仅用于封闭液 体限制结构。此外，尽管已经就用作投影系统和基底之间的空间边界 的基底论述了一个或多个实施方案，但是基底台也可以与基底分开或 联合构成该空间边界的一部分。例如，基底台的一部分(例如对准标 记)可以位于液体限制结构下方，并构成空间边界的一部分。因此， 封闭板可以替换基底台作为空间边界的一部分，或者反之亦然。
在欧洲专利申请案No. 03257072. 3中，公开了一种双或二台湿浸 式光刻装置的思想。这种装置具有两个支撑基底的台。在没有浸液的 第一位置用一个台进行高度测量，而在其中提供了浸液的第二位置使 用一个台进行曝光。或者，该装置仅有一个台。
尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造ic,但是应该 理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集 成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶 显示器(LCD)、薄膜磁头等等，本领域的技术人员将理解，在这种可 替换的用途范围中，这里任何术语"晶片"或者"管芯，，的使用应认 为分别可以与更普通的术语"基底，，或"靶部"同义。在曝光之前或 之后，可以在例如轨迹器(通常将抗蚀剂层作用于基底并将已曝光的 抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具对这里提到的基底 进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处 理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因 此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理的层的基 底。
这里使用的术语"辐射"和"光束"包含所有类型的电磁辐射， 包括紫外(UV)辐射(例如具有大约"5， 248， 1"， 157或者126訓的波长)。
该申请使用的术语"透镜"可以表示任何一个各种类型的光学部 件或其组合，包括折射和反射光学部件，
尽管上面已经描述了本发明的具体实施方案，但是应该理解可以 不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形 式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的 机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质 (例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
本发明的一个或多个实施方案可以应用于任何湿浸式光刻装置， 特别地但不唯一的，可以应用于上面提到的那些类型的光刻装置。这 里设想的液体供给系统应该广义地进行解释。在一些实施方案中，它 可以是一种将液体提供到投影系统和基底和/或基底台之间的空间的 机构或其组合。它可以包括一个或多个结构的组合、 一个或多个液体 入口、 一个或多个气体入口、 一个或多个气体出口和/或一个或多个把 液体提供到空间的液体出口。在一个实施方案中，空间的表面可以是 基底和/或基底台的一部分，或者空间的表面可以完全覆盖基底和/或 基底台的表面，或者该空间可以遮住基底和/或基底台。视需要地液体 供给系统还包括一个或多个元件，以便控制液体的位置、数量、质*、 形状、流速或任何其它特征。
上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员 来说显而易见的是在不脱离下面描述的权利要求书的范围的条件下， 可以对所描述的发明进行各种修改.
1权利要求
1. 一种光刻投影装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构，所述液体限制结构被配置成把液体限制在空间中，所述空间为投影系统与基底、基底台或上述两者之间的空间，基底、基底台或上述两者配置成形成所述空间的边界的一部分；以及封闭板，该封闭板配置成当未扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，替代基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分，其中，所述封闭板被构造并设置成用于基底台的力测量系统。
2. 如权利要求l所述的装置，其中，作用在所述封闭板上的所述力能 够被前馈送给基底台的控制系统，从而，作用在致动的封闭板上的所述力 将被补偿并且不影响所述基底台。
3. 如权利要求1或者2所述的装置，其中，所述封闭板包括主动补偿 器，所述主动补偿器用于测量作用在所述封闭板上的力。
4. 如权利要求3所述的装置，其中，所述主动补偿器被配置成补偿由 于用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为空间边界的 一 部分而沿与基 底台移动方向垂直的方向作用在基底台上的负荷变化。
5. 如权利要求1, 2或者3所述的装置，其中，所述基底台和所述封 闭板可释放地耦合。
6. 如权利要求1, 2或者3所述的装置，包括配置成移动封闭板的第 一致动装置和配置成移动基底台的分立的第二致动装置。
7. 如权利要求1, 2或者3所述的装置，其中，所述封闭板与基底台 处于相同的垂直高度，封闭板和基底台都不移动出该垂直高度，以便用封 闭板替换基底、基底台或上述两者作为空间边界的一部分，或者用基底、 基底台或上述两者替换封闭板作为空间边界的一部分，或兼顾上述两种情 形。
8. —种光刻投影装置，包括 配置成保持基底的基底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构，所述液体限制结构被配置成把液体限制在空间中，所 述空间为投影系统与基底、基底台或上述两者之间的空间，所述空间的边界的一部分被设置为由基底、基底台或上述两者限定；以及致动的封闭板，该封闭板配置成当未扰动液体、液体限制结构或上述 两者而移动时，替代基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部 分；其中，所述致动的封闭板和所述基底台设置为当所述致动的封闭板形 成所述空间的所述边界的部分时彼此相对地水平移动。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，所述致动的封闭板(20)配置为 水平地移动到投影系统下方的位置从而替换所述基底台，所述基底台被构 造并且设置为水平地移动离开投影系统下方的位置。
10. 如权利要求9所述的装置，其中，所述致动的封闭板被配置为当 其代替所述基底台时定位在所述基底台旁边。
11. 如权利要求8， 9,或者10所述的装置，其中，当所述封闭板形成 所述空间的边界的部分时，所述基底台和/或所述致动的封闭板没有垂直运 动。
12. —种光刻投影装置，包括配置成保持基底并且能够在定位装置和干涉计装置的辅助下移动的基 底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统； 液体限制结构，所述液体限制结构被配置成把液体限制在空间中，所述空间为投影系统与基底、基底台或上述两者之间的空间，基底、基底台或上述两者配置成形成所述空间的边界的一部分；以及封闭板，该封闭板配置成当未扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，替代基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分，其中，所述封闭板被定位或成形以使得其在测量干涉计光束的过程中不挡住干涉计装置的任何干涉计光束。
13. 如权利要求12所述的装置，包括致动装置，所述致动装置配置成 在水平面移动所述封闭板。
14. 如权利要求13所述的装置，其中所述致动装置配置成在与基底、基底台或上述两者相同的平面中移动所述封闭板，以便所述封闭板跟随基 底、基底台或上述两者越过所述液体限制结构。
15. 如权利要求12， 13或者14所述的装置，其中，所述基底台包括 主动补偿器，所述主动补偿器被配置成补偿由于用封闭板替换基底、基底 台或上述两者作为空间边界的一部分而沿与基底台移动方向垂直的方向作 用在基底台上的负荷变化。
16. 如权利要求12， 13或者14所述的装置，其中基底台和封闭板可 释放地耦合。
全文摘要
例如为了在不同基底的曝光之间方便地移动基底，使用致动的封闭板提供基底、基底台或上述两者作为限制液体的光刻装置中的空间边界的一部分，而不会例如破坏限制液体的密封。
文档编号G03F7/20GK101487980SQ20091000587
公开日2009年7月22日 申请日期2005年10月18日 优先权日2004年10月18日
发明者C·A·胡根达姆, J·-G·C·范德托尔恩 申请人:Asml荷兰有限公司