形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置的制作方法

专利名称：形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于显示装置(例如，液晶显示装置)的反射电极的形成方法，并且涉及包括该反射电极的驱动基板和显示装置。
背景技术：
当前，与包括所谓背光的透射式液晶装置不同，在用于移动设备等的反射式液晶 装置中，采用从周围环境入射的光来进行显示。从而，必须将从周围环境入射的光反射到观 看者侧，并尽可能地减少光的损耗。作为反射式液晶装置中采用的反射层，例如，已经采用了 LCC(LiqUidCryStal Cell 液晶单元)内漫射反射板法，LCC外反射板法和前散射反射板法，并且在上述的方法 当中，LCC内漫射反射板法因其明显优良的显示特性而被频繁采用。当用作像素电极的铝(Al)、银(Ag)等金属薄膜形成为具有凹凸表面时，可以获得 LCC内漫射反射板法中采用的反射电极。具体地，会涉及下面的方法。就是说，例如，在薄 膜晶体管(TFT)形成在基板上后，层间绝缘膜形成在TFT上，并且在该层间绝缘膜的表面通 光刻法被图案化后，通过进行热处理而形成凹凸形状。随后，要形成反射电极的金属薄膜通 过真空薄膜形成方法形成在基板的整个表面上，然后通过光刻法被图案化(见日本专利第 3895059和3866522号)。另外，还可以采用下面的方法。在该方法中，在TFT形成在基板 上后，将树脂膜形成在TFT上并在它们之间插设层间绝缘膜，由此形成的树脂膜通过光刻 法图案化为条形形状，并且进行热处理而使这样图案化的树脂膜变形。随后，在将树脂进一 步涂覆在变形的树脂膜上以形成光滑的凹凸表面后，要形成反射电极的金属薄膜通过真空 沉积形成在基板的整个表面上，并且该金属薄膜通过光刻法图案化(日本专利申请公开第 2002-229060 号)。与通过喷砂法等直接使电极表面粗糙化的方法以及在锥度蚀刻(taper-etch) 二 氧化硅(SiO2)等后形成金属薄膜的方法相比，上述各方法都具有对元件不造成工艺损伤的 优点。另外，因为可以容易地控制光滑的凹凸形状，所以上述方法被一直广泛采用。

发明内容
然而，根据上述方法，必须采用利用抗蚀剂(光致抗蚀剂树脂)材料的光刻法，以 控制层间绝缘膜的形状并在金属膜形成后对其图案化，结果，不利地增加了上述方法中的 步骤数。本发明考虑到上述的问题并且希望提供通过简单的工艺形成反射电极的方法，并 希望提供采用上述反射电极的驱动基板和显示装置。根据本发明的实施例，所提供的形成反射电极的方法包括下面的步骤(Al)至 (Dl)。就是说，该方法包括步骤(Al)，在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化 层；步骤(Bi)，通过进行第一无电镀敷处理，在第一催化层上形成第一镀敷层；步骤(Cl)， 至少在电极形成区域的第一区域之外的区域(第二区域)中形成第二催化层；以及步骤(Dl)，通过进行第二无电镀敷处理，在第二催化层上形成第二镀敷层，从而反射电极形成为 具有凹凸表面。根据本发明的实施例，所提供的驱动基板包括基板，包括在电极形成区域中的具 有凹凸表面的反射电极。反射电极具有第一催化层(A2)，提供在电极形成区域的第一区 域中；第一镀敷层(B2)，提供在第一催化层上；第二催化层(C2)，至少提供在电极形成区域 的第一区域之外的区域(第二区域)中；以及第二镀敷层(D2)，提供在第二催化层上。根据本发明的实施例，所提供的显示装置包括驱动基板，具有提供在电极形成区域中的反射电极；以及显示部分，采用反射电极反射的入射光进行显示。在上述显示装置中，从外部入射的光被每个都由第一和第二镀敷层形成的反射电 极的凹凸部分有效地反射，然后传播到显示部分侧(例如液晶层)；因此而进行显示。在根据本发明实施例的形成反射电极的方法中，在基板上的电极形成区域的第一 区域上选择性地进行第一无电镀敷处理而形成第一镀敷层之后，在余下的第二区域上进行 第二无电镀敷处理；因此，可以在所希望的区域中形成具有凹凸形状的反射电极。从而，与 采用光刻法的相关情况相比，可以通过简单的步骤形成反射电极。另外，可以减少光敏树脂 的使用量，因此可以降低成本。结果，通过采用上述方法，可以制作出便宜的驱动基板和便 宜的显示装置。


图1是示出根据本发明第一实施例的显示装置的结构的截面图；图2A至2E是示出形成图1所示的反射电极的工序步骤的截面图；图3A至3D是示出图2E所示步骤的后续步骤的截面图；图4A和4B是示出图3D所示步骤的后续步骤的截面图；图5是示出形成根据本发明第二实施例的反射电极的步骤的截面图；图6A和6B是示出形成根据本发明第三实施例的反射电极的步骤的截面图；图7A和7B是示出形成根据本发明第四实施例的反射电极的步骤的截面图；图8A至8C的每一个都是示出催化层形成区域的示例的示意图；图9是示出通过图案化形成的金属图案的一个示例的示意图；图IOA是示出通过根据本发明实施例的形成反射电极的方法而形成的台阶结构 (A)的示意图；图IOB是示出采用光刻法而形成的相关台阶结构⑶的示意图；图IlA至IlD是示出根据比较示例1形成反射电极的工序步骤的截面图；以及图12A至12C是示出根据比较示例2形成反射电极的工序步骤的截面图。
具体实施例方式在下文，将参考附图详细描述本发明的实施例。根据下面的顺序进行描述。1.第一实施例(1)液晶显示装置的整体结构。(2)反射电极的形成方法1 (在第一镀敷层和第二镀敷层之间提供第二催化层的 示例)
2.第二实施例(在第一镀敷层和第二镀敷层之间不提供第二催化层的示例)3.第三实施例(提供第三镀敷层(Ag层)的示例)4.第四实施例(与第三实施例相同)[第一实施例]图1是根据本发明第一实施例的LCC内漫射反射板法的液晶显示装置的截面结 构。在该液晶显示装置中，液晶层3提供在驱动基板1和对向基板2之间。驱动基板1包 括基板10、每一个都包括反交叠(inversely-staggered)结构的a-Si TFT的有源矩阵元件 4、和反射电极5，有源矩阵元件4和反射电极5设置在基板10上。
更具体地讲，栅极电极11、栅极绝缘膜12、半导体层(沟道)13、源极/漏极电极14 依次形成在基板10上，并且保护膜15和层间绝缘膜16形成在源极/漏极电极14上。接 触孔16A形成在层间绝缘膜16中，并且每个反射电极5都形成在接触孔16A(的底部和侧 壁)中并在层间绝缘膜16上，在反射电极5和层间绝缘膜16之间插设有粘合层17。在该 实施例中，反射电极5采用如下所述的无电镀敷法形成，并且包括第一催化层18、第一镀敷 层19、第二催化层20，和第二镀敷层21。例如，基板10由硅、合成石英、玻璃、金属、树脂或树脂膜形成。栅极电极11由铬 (Cr)、钼(Mo)等形成，并且栅极绝缘膜12由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等形成。半导体 层13由诸如非晶硅(a-Si)的半导体材料形成，并且源极/漏极电极14由诸如铝(Al)的 金属材料形成。保护膜15由诸如氮化硅(SiNx)的绝缘材料形成。尽管与栅极绝缘膜12 的情况一样，层间绝缘膜16由SiNx等形成，但是也可以采用任何其他材料，只要该材料例 如具有低介电常数、耐热性、机械强度和防止配线金属扩散的作用。粘合层17是增强第一催化层18和第二催化层20到层间绝缘膜16的粘合性的 层。作为形成该粘合层17的材料，例如，可以有硅烷偶联剂(silanecoupling agent)，且该 硅烷偶联剂包含选自氨基硅烷化合物、氢硫基硅烷化合物、苯基硅烷化合物和烃基硅烷化 合物等的至少一种。作为粘合层17，可以根据形成第一催化层18、第二催化层20和层间绝 缘膜16的材料来选择适当的化合物。另外，作为硅烷偶联剂，具体地讲，例如，可以采用由 Shin-EtsuChemical Co. ,Ltd.制造的KBM-603 (商标名)(N_2 (氨乙基)-3-氨丙基三甲氧 基娃烧)(N-2 (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane)。在该实施例中，层间绝缘膜16的表面和接触孔16A的内部区域用作电极形成区 域，并且在该电极形成区域中，形成具有凹凸表面的反射电极5。反射电极5的第一催化层 18提供在层间绝缘膜16上，以形成预定的图案。尽管该第一催化层18的截面形状分成多 个部分，但是平面形状例如具有如图8A所示的网状图案。该图案形状可以任意选择，例如， 也可以采用条形图案或分散的岛状图案。另外，在电极形成区域中，形成第一催化层18的 图案的区域称为第一区域，并且第一区域之外的区域称为第二区域。例如，第一催化层18的厚度约为几纳米至十纳米。当考虑图案化的精度、与粘合 层17的粘合性以及材料的使用量时，优选减少第一催化层18的厚度，只要它起到无电镀敷 催化剂的作用。在除第一催化层18的第一区域之外的区域(第二区域)中，第二催化层 20与第一催化层18的情况一样地形成在提供于层间绝缘膜16上的第一镀敷层19上并且 在粘合层17上。第一催化层18和第二催化层20的每一个都包括选自钯(Pd)、金(Au)、钼 (Pt)和银(Ag)等的至少一种催化材料，用于稍后描述的无电镀敷处理。
第一镀敷层19是生长在图案化的第一催化层18上的层，并且具有例如约几十至几百纳米的厚度。第二镀敷层21形成为覆盖形成在第一催化层18上的第一镀敷层19和 第二催化层20，并且具有例如几百纳米的厚度。第一镀敷层19和第二镀敷层21的每一个 为通过稍后将要描述的无电镀敷处理沉积的镀敷层。作为形成上述第一镀敷层19和第二镀敷层21的无电镀敷材料，例如可以采用诸 如镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、钴(Co)、钼(Pt)、铟(In)、锡(Sn)或铑(Rd) 的单种金属。另外，还可以采用与上述金属能产生共晶形式的金属，诸如磷(P)、硼(B)、铬 (Cr)、镁(Mg)、铁(Fe)、锌(Zn)、钼(Mo)、镉(Cd)、钨(W)、铼(Re)、钛(Ti)、硫(S)或钒(V)。然而，可以与形成第一催化层18和第二催化层20的材料相关联地来适当选择形 成第一镀敷层19和第二镀敷层21的材料，第一催化层18和第二催化层20每一个用作无 电镀敷处理的催化剂。另外，可以通过下面的方法⑴至(5)中的一种来容易地识别如上所述的反射电 极5的结构。(1)例如，通过扫描电子显微镜(SEM)观察反射电极5的截面形状。(2)例如，通过透射电子显微镜(TEM)观察反射电极5的截面，以检测无电镀敷处 理的催化材料(第一催化层18和第二催化层20)。(3)例如，通过二次离子微探针质谱分析法(SIMS)或χ射线光电子能谱(XPS)来 检测是否在反射电极5中包括能够产生共晶形式的金属。例如，当第一镀敷层19和第二镀 敷层21形成为包括镍时，也检测是否包含硼和/或磷。(4)例如，通过SIMS来检测在反射电极5中是否包括用于无电镀敷处理的诸如有 机化合物的添加剂。(5)例如，通过原子力显微镜(AFM)或探针(stylus meter)来观察表面的粗糙度。 然而，当在无电镀敷处理之后进行任何类型的表面处理时，难于进行评估。例如，图9示出了该实施例反射电极5的金属图案的一个示例的模拟。另外，图 IOA是示出根据该实施例通过两个阶段的镀敷法而形成的台阶结构的SEM图片，而图IOB是 示出通过形成镀敷层并通过随后采用光刻和蚀刻的图案化而获得的台阶结构的SEM图片。 在图IOA中，尽管台阶的侧表面由从上部延伸的连续膜形成，但是在图IOB中发现蚀刻的侧 表面从上部的表面是不连续的。例如，对向基板2包括在玻璃基板22上的偏光片23、延迟膜24、彩色滤色器25和 透明电极(公共电极)26。[制造方法]接下来，将参考图2A至图5描述包括反射电极5的驱动基板1的制造方法。(1. TFT 的形成)首先，如图2A所示，通过溅射法等在由上述材料制作的基板10上形成诸如Cr或 Mo的金属膜，并且通过光刻法图案化该金属膜，从而形成栅极电极11。随后，如图2B至2E所示，在形成SiNx等的栅极绝缘膜12后，要形成沟道的a_Si 层和要形成与源极/漏极电极14接触的接触层(未示出)的n+a-Si层连续形成为半导体 层13。接下来，通过采用抗蚀剂掩模的蚀刻来图案化该半导体层13，以形成岛状。此外，在 要形成源极/漏极电极14的诸如Al的金属膜通过真空工艺形成后，通过采用抗蚀剂掩模的蚀刻，将该金属膜图案化为所希望的形状，从而形成TFT的源极/漏极电极14。(2.层间绝缘膜16和粘合层17的形成)接下来，如图3A和3B所示，在蚀刻了半导体层13的n+a-Si层(未示出)并且形 成由SiNx等制作的保护膜15后，形成由SiNx等制作的层间绝缘膜16。随后，如图3C所示， 通过光刻法图案化层间绝缘膜16，从而形成接触孔16A。接下来，如图3D所示，采用前述 材料的硅烷偶联剂，通过气相法或旋涂法，在层间绝缘膜16的表面上进行表面处理，从而 形成粘合层17。另外，在旋涂法的情况下，在将溶剂稀释的硅烷偶联剂用于进行处理后，例 如，可以在空气中在120°C下加热5分钟或更长时间。此外，在气相法的情况下，硅烷偶联 剂和其上形成有TFT的基板10被放置在由Teflon(注册商标)制造的腔室中，随后例如在 120°C下对整个腔室处理大约12小时。在通过气相法将硅烷化合物层形成在基板上后，为 了去除多余的硅烷化合物，可以采用诸如乙醇或异丙醇(IPA)的溶剂进行超声波清洗，并 随后烘干。(3.反射电极5的形成)接下来，如图4A所示，通过采用反转胶印法(inversion offset method)等的图 案化来形成厚度约为几十纳米的第一催化层18，然后浸渍在无电镀敷溶液中，从而形成第 一镀敷层19。然而，图案化方法不限于如上所述的方法，而是可以采用诸如凸版印刷法的 各种印刷法和图案化方法，只要能在要形成第一镀敷层19的位置处形成图案。作为镀敷溶 液，当镍(Ni)沉积为镀敷层时，例如，可以采用由C. Uyemura Co.，Ltd.制造的Ni-B膜形成 镀敷溶液BEL-801 (商标)。例如，镀敷槽的温度设定到60°C，并且浸渍时间根据所希望的 厚度适当地确定。另外，例如，膜形成速率设定到lOOnm/min。最后，如图4B所示，形成第二镀敷层21。就是说，首先，与上述的第一催化层18的 情况一样，例如通过反转胶印法，在基板10的整个表面上(在第一镀敷层19和粘合层17 上)形成第二催化层20。接下来，通过在无电镀敷溶液中的浸渍，在第二催化层20上形成 第二镀敷层21。从而，形成具有凹凸表面的反射电极5。在该阶段上，优选在用热水加热到 大约等于镀敷槽的温度后，将基板10浸渍在镀敷槽中。结果，防止镀敷层由于如此形成的 镀敷层的应力而剥离。附带地，第二催化层20在此情况下的图案例如如图8C所示。在将包括反射电极5的驱动基板1设置为面对并密封到另外形成的对向基板2 后，通过在驱动基板1和对向基板2之间注入液晶而形成液晶层3。结果，获得如图1所示 的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，通过第一镀敷层19和第二镀敷层21形成的反射电极5的 凹凸部分，从外部(周围环境)入射的光被有效地反射(漫反射)到液晶层3侧，结果，可 以进行显示。[第二实施例](反射电极5的另一个结构示例)在上述的第一实施例中，因为第二催化层20形成在第一镀敷层19上，所以取决于 据第二催化层20的厚度、所采用的无电镀敷溶液的类型和工艺条件，第一镀敷层19和第二 镀敷层21之间的粘合力在某些情况下会下降。在该实施例中，努力改善第一镀敷层19和第二镀敷层21之间的粘合力。因为第 一实施例的图2A至4A所示步骤与该第二实施例的类似，所以省略其描述。在该实施例中，在如图4A所示第一镀敷层19形成在第一催化层18上之后，第二催化层20形成在除第一 催化层18的第一区域之外的区域(第二区域)中的粘合层17上，如图5所示。就是说，第 二催化层20没有形成在第一镀敷层19上，而是仅形成在第一镀敷层19的区域之外的第二 区域中。从而，第一催化层18和第二催化层20 二者都与粘合层17接触，另外，第二催化层 20没有提供在第一镀敷层19和第二镀敷层21之间。结果，改善了第一镀敷层19和第二镀 敷层21之间的粘合力。 当控制第一催化层18的图案形状和第二催化层20的图案形状，并且还控制第一 镀敷层19的膜形成时间和第二镀敷层21的膜形成时间时，反射电极5的截面可以形成为 具有所希望的形状。另外，例如，在形成第二镀敷层21后在200°C下的真空气氛中进行热 处理时，其电阻降低，并且因此可以用作电极。此外，第二镀敷层21是所谓的自动催化镀敷 层，其采用第一镀敷层19作为催化剂而被沉积。接下来，将参考比较示例1和2描述反射电极5的操作和效果及其形成方法。图IlA至IlD是图解根据比较示例1的反射电极100的形成方法的截面图。因为 与上述实施例相同的构成元件由相同的参考标号指代，并且上述实施例从栅极电极11的 形成步骤到层间绝缘膜16的形成步骤(图2A至3B)与比较示例1类似，所以省略其描述。在比较示例1中，如图IlA所示，光致抗蚀剂膜(未示出)通过涂覆而形成在层间 绝缘膜16上，层间绝缘膜16在图3B所示的步骤中形成，然后被选择性蚀刻而图案化。接 下来，如图IlB所示，在通过热处理熔化图案后，第二层间绝缘膜101进一步形成为如图IlC 所示，然后形成接触孔101A。随后，如图IlD所示，通过真空沉积法或溅射法，在第二层间绝 缘膜101上形成金属膜，然后图案化以形成反射电极100。在比较示例2中，如图12A至12C所示，通过采用半色调掩模(或者两级曝光)的 光刻法进行层间绝缘膜16的图案化。就是说，在层间绝缘膜16中，形成接触孔16A以及与 接触孔16A具有不同深度的凹凸部分201。其后要进行的步骤类似于比较示例1。在根据比较示例1和2的反射电极100的形成方法中，诸如采用光致抗蚀剂的蚀 刻的步骤必须进行两次到三次，因此不利地增加了步骤数。另外，因为在每个光刻步骤中都 消耗光致抗蚀剂，所以不利地增加了成本。另一方面，在该实施例中，第一催化层18首先形成在驱动基板1上的预定区域 (第一区域)中，并且在该第一催化层18上进行第一无电镀敷处理，从而形成第一镀敷层 19。随后，第二催化层20至少形成在第一催化层18的第一区域之外的区域(第二区域) 中，并且在第二催化层20上进行第二无电镀敷处理，从而形成第二镀敷层21。结果，具有凹 凸表面的反射电极5可以形成在所希望的区域中。就是说，在该实施例中，通过两阶段无电镀敷处理，形成反射电极5的凹凸形状， 而不采用蚀刻等步骤。因此，与比较示例1和2采用光刻法的情况相比，膜形成后进行的图 案化步骤是不必要的，并且通过简单的步骤可以形成具有凹凸形状的反射电极。另外，因为 可以减少光敏树脂(抗蚀剂)的使用量，所以可以降低成本，另外，因为不采用蚀刻溶液或 蚀刻气体，所以可以减轻环境荷载。另外，在该实施例中，例如，在适当选择第一催化层18、第二催化层20、第一镀敷 层19和第二镀敷层21的厚度时，反射电极5可以容易地形成为所希望的凹凸形状。在该实施例中，尽管Ni-B层形成为第一镀敷层19和第二镀敷层21，但是当光学反射率较高的诸如Ag层的金属层形成在M-B层的表面上时，可以改善反射电极5的反射率。 在下文，将描述以上情况的示例。[第三实施例]在该实施例中，如图6B所示，第三镀敷层27 (Ag层)通过无电镀敷Ag而形成在图 6A所示(也就是说，如第一实施例的图4B所示)的反射电极5的第二镀敷层21 (Ni-B层) 上。Ag镀敷可以采用World Metals Corporation制造的“Silver 7(银7)”进行。[第四实施例]在该实施例中，如图7B所示，通过无电镀敷Ag在图7A所示(也就是说，如第二实 施例的图5所示)的反射电极5的第二镀敷层21 (Ni-B层)上形成第三镀敷层28 (Ag层)。 以这样的方式形成第三镀敷层28 形成第二镀敷层21后用水进行清洗并且将基板浸渍在 加热到95°C的银-7镀敷溶液中。另外，在形成第三镀敷层28时，作为形成第二镀敷层21 的镀敷溶液，例如，也可采用“Niboron MF”，为World Metals Corporation制造的Ni-B镀 敷溶液。(示例)在下文，将描述具体示例。首先，用于形成栅极电极11的金属(Cr)膜通过溅射法形成在基板10上，并且 通过采用光刻法的图案化形成栅极电极11。接下来，形成用于形成栅极绝缘膜12的材料 (SiNx)膜，并且作为半导体层13，依次形成用于形成与源极/漏极电极14接触的接触层 (未示出)的a-Si层(沟道)和n+a-Si层。接下来，通过采用抗蚀剂掩模的蚀刻，将如此 形成的半导体层13图案化，以具有岛状。随后，通过真空工艺形成用于形成源极/漏极电 极14的金属(如Al)膜，然后通过采用抗蚀剂掩模的蚀刻，将其图案化为所希望的形状，从 而形成源极/漏极电极14。接下来，在蚀刻形成在a-Si层上的n+a-Si层(未示出)后，形 成保护膜15 (SiNx),然后在其上形成层间绝缘膜16。接下来，在通过光刻法图案化层间绝缘膜16以在要形成TFT的接触孔16A的地方 形成凹入部分后，采用前述材料的硅烷偶联剂，通过旋涂法在层间绝缘膜16的表面上进行 表面处理，从而形成粘合层17。在该步骤中，采用由溶剂 稀释的硅烷偶联剂，并且在进行处 理后，在120°C下加热5分钟或更长时间。作为要形成粘合层17的氨基硅烷偶联剂，采用由 Shin-EtsuChemical Co. ,Ltd.制造的KBM-603 (商标)。另外，在通过气相法在基板上形成 硅烷化合物层后，为了去除多余的硅烷化合物，采用诸如乙醇或异丙醇(IPA)的溶剂进行 超声波清洗，并随后干燥。接下来，第一催化层18通过采用反转胶印法的图案化而由用作催化剂的钯精细 颗粒形成，然后将基板浸渍在无电镀敷溶液中，从而形成第一镀敷层19。作为镀敷溶液，采 用由C. Uyemura Co.，Ltd.制造的Ni-B膜形成镀敷溶液BEL-801 (商标)。当镀敷槽的温 度设定到60°C，并且浸渍进行3分钟时，形成厚度约为450nm的Ni-B镀敷层。随后，形成 第二镀敷层21。首先，与上述第一催化层18的情况一样，通过反转胶印法在第一镀敷层19 和粘合层17上首先形成第二催化层20，然后将基板浸渍在无电镀敷溶液中2分钟，从而在 必要的区域中形成厚度约为200nm的第二镀敷层21。通过该工艺，反射电极5形成为在凹 入和凸起部分之间具有约450nm的台阶。另外，在形成第一镀敷层19后，在200°C的真空气 氛中进行热处理，从而降低了第一镀敷层19的电阻。
至此，尽管本发明已经参考第一至第四实施例和示例进行了描述，但是本发明不 限于这些实施例，而是也可以进行各种修改。例如，当与源极/漏极电极14的接触特性可 能引起问题而不形成粘合层17时，镀敷层可以直接形成在层间绝缘膜16上。另外，在该实施例中，尽管第一镀敷层19和第二镀敷层21由相同类型的金属(如 Ni-B)形成，但是它们可以由彼此不同的金属材料形成。例如，第二镀敷层21可以由Ag形 成，而第一镀敷层19可以由另一种金属(如Ni)形成。另外，在上面的实施例等中，尽管以示例的方式描述了反射式液晶显示装置，其采 用反射电极反射的光进行显示，而不是采用从背光发射的照明光，但是根据本发明实施例 的显示装置不限于此。例如，本发明也可以应用于所谓的半透射式液晶显示装置，其采用外 部光的反射光和从背光发射的照明光二者进行显示，背光提供在液晶面板的背侧，而反射 电极仅提供在有效显示区域的部分区域中。此外，上面实施例等中描述的每个构成元件的材料和厚度及其膜形成方法和条件 不作具体限定；因此也可以选择另一种材料和另一个厚度，并且也可以采用另一种膜形成 方法和其它膜形成条件。本申请包含2009年2月27日提交至日本专利局的日本优先权专利申请JP 2009-046626中公开的相关主题事项，其全部内容通过弓I用结合于此。本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求及其等同方案的范围内，根据设计 需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
权利要求
一种形成反射电极的方法，包括如下步骤在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化层；通过进行第一无电镀敷处理，在所述第一催化层上形成第一镀敷层；至少在所述电极形成区域的除所述第一区域之外的第二区域中形成第二催化层；以及通过进行第二无电镀敷处理，在所述第二催化层上形成第二镀敷层，从而所述反射电极形成为具有凹凸表面。
2.根据权利要求1所述的形成反射电极的方法，还包括如下步骤 在所述基板上依次形成驱动元件和层间绝缘膜，以及在所述层间绝缘膜中形成延伸到所述驱动元件的接触孔，其中所述反射电极形成在包括所述接触孔的内部和所述层间绝缘膜的上表面的区域中。
3.根据权利要求1所述的形成反射电极的方法，其中在所述第一镀敷层形成在所述第一催化层上之后，所述第二催化层形成在所述电 极形成区域的整个表面上，然后进行所述第二无电镀敷处理。
4.根据权利要求1所述的形成反射电极的方法，其中在所述第一镀敷层形成在所述第一催化层上之后，所述第二催化层仅形成在所述 第二区域中，然后进行所述第二无电镀敷处理。
5.一种驱动基板，包括基板，包括在电极形成区域中的具有凹凸表面的反射电极， 其中所述反射电极包括第一催化层，设置在所述电极形成区域的第一区域中； 第一镀敷层，设置在所述第一催化层上；第二催化层，至少设置在所述电极形成区域的除所述第一区域之外的第二区域中；以及第二镀敷层，设置在所述第二催化层上。
6.根据权利要求5所述的驱动基板，还包括 驱动元件，设置在所述基板上；以及 层间绝缘膜，设置在所述驱动元件上，其中所述层间绝缘膜具有延伸到所述驱动元件的接触孔，并且所述反射电极设置在包括所述接触孔的内部和所述层间绝缘膜的上表面的区域中。
7.一种显示装置，包括驱动基板，包括在电极形成区域中的反射电极，所述反射电极每一个都具有凹凸表 面；以及显示部分，采用由所述反射电极反射的入射光来进行显示， 其中所述反射电极的每一个包括 第一催化层，设置在所述电极形成区域的第一区域中； 第一镀敷层，设置在所述第一催化层上；第二催化层，至少设置在所述电极形成区域的除所述第一区域之外 的第二区域中；以及第二镀敷层，设置在所述第二催化层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置， 其中所述显示部分包括对向基板，设置为面对所述驱动基板，并且具有透明电极；以及液晶层，设置在所述驱动基板和所述对向基板之间。
全文摘要
本发明提供形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置。形成反射电极的方法包括如下步骤在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化层；通过进行第一无电镀敷处理，在第一催化层上形成第一镀敷层；至少在电极形成区域的第一区域之外的区域(第二区域)中形成第二催化层；以及通过进行第二无电镀敷处理，在第二催化层上形成第二镀敷层，从而反射电极形成为具有凹凸表面。
文档编号G02F1/1343GK101819359SQ20101012615
公开日2010年9月1日 申请日期2010年2月25日 优先权日2009年2月27日
发明者岛村敏规, 田中正信, 石原弘嗣, 龟井隆广 申请人:索尼公司