液晶显示器及其制造方法

专利名称：液晶显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器及制造该液晶显示器的方法。更具体地，本发明涉及 一种具有单一单元间隙的透反型液晶显示器及制造该液晶显示器的方法。
背景技术：
液晶显示器(LCD)通常包括设置在两个透明基板之间的液晶层。为了显示期望的 图像，LCD驱动液晶层以控制每个像素的透光率。一般地，IXD分为透射型IXD或反射型IXD，其中透射型IXD利用背光单元作为其 光源来显示图像，反射型LCD利用自然光作为其光源来显示图像而不需要例如背光单元。与反射型IXD相比，需要背光单元的透射型IXD具有高的功耗。尽管反射型IXD 不需要背光并由此消耗低的功率，但是如果环境光不充足，反射型LCD不能显示图像。为了试图克服透射型IXD和反射型IXD的上述问题，最近已经提出了既具有反射 区又具有透射区的透反型LCD。由于透反型LCD根据LCD的外界或环境以反射模式和透射 模式两者操作，所以透反型LCD具有相对低的能耗，并且还能在具有低环境光的地方使用。然而，透反型IXD通常具有单一单元间隙结构，因此，由于其中的相位延迟差而在 反射区和透射区中发生灰度级差，从而导致LCD的显示品质的退化。相反，当透反型LCD具 有透射区的单元间隙大于反射区的单元间隙的双单元间隙结构时，反射区与透射区之间存 在台阶差。结果，由于台阶差而难以控制液晶指向矢，并在制造工艺中产生构图中的缺陷， 从而导致IXD的显示品质和制造效率两者的退化。因此，期望发展至少能克服以上所讨论问题的透反型IXD。

发明内容
本发明的示范性实施例提供了一种具有单一单元间隙结构并具有显著改善的显 示品质的透反型液晶显示器(LCD)。本发明的另一示范性实施例提供了制造该透反型LCD的方法。在本发明的示范性实施例中，液晶显示器包括第一基板，包括多个像素，每个像 素具有透射区和反射区；第二基板，与第一基板相对；以及液晶层，设置在第一基板与第二 基板之间。每个像素包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、透射像素电极、反射像素电极 和电压控制器。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管响应第一栅极信号输出数据信号。透射 像素电极设置在透射区中并电连接到第一薄膜晶体管以基于数据信号充上第一像素电压。 反射像素电极设置在反射区中并电连接到第二薄膜晶体管以基于数据信号充上第二像素 电压。电压控制器响应在第一栅极信号之后产生的第二栅极信号来控制第一像素电压和第 二像素电压。透射区的单元间隙等于或大于反射区的单元间隙。根据示范性实施例，每个像素还包括第一栅极线，接收第一栅极信号；第二栅极线，接收第二栅极信号；以及数据线，接收数据信号。电压控制器包括第三薄膜晶体管、电荷划分电极(charge dividing electrode) 和存储线。第三薄膜晶体管包括连接到第二薄膜晶体管的漏极电极的源极电极，并响应第 二栅极信号输出电压控制信号。电荷划分电极连接到第三薄膜晶体管的漏极电极并充有电 压控制信号。存储线与电荷划分电极的至少一部分重叠以形成控制第一像素电压和第二像 素电压的第一电容器。第一栅极线连接到像素中的第一像素，第二栅极线连接到像素中邻近第一像素的 第二像素，电压控制器通过第二栅极线接收第二栅极信号。电压控制器可以包括第三薄膜晶体管，包括连接到反射像素电极的源极电极，并 响应第二栅极信号输出电压控制信号；电荷划分电极，连接到第三薄膜晶体管的漏极电极 并充有电压控制信号；以及存储线，与电荷划分电极的至少一部分重叠以形成控制第一像 素电压和第二像素电压的第一电容器。第二基板可以包括滤色器层；以及透明有机层，设置在滤色器层的第一区域中 使得第一区域的厚度小于滤色器层的不同于第一区域的第二区域的厚度。第二基板可以包括滤色器层，该滤色器层可以包括穿透像素中相应像素的对应于 反射区的区域而形成的至少一个穿透孔。形成穿透孔的区域的单元间隙大于滤色器层的另外的区域的单元间隙。第二基板可以包括公共电极，该公共电极与透射像素电极和反射像素电极形成电 场。至少一个划分图案设置在透射像素电极、反射像素电极和公共电极的至少之一上。至 少一个划分图案将液晶层划分为多个域。 反射像素电极可以包括凹凸部分。该多个域具有不同的面积。液晶显示器还可以包括第一偏振器，设置在第一基板的外表面上；第二偏振器， 设置在第二基板的外表面上；以及至少一个相位延迟膜，设置在第一基板与第一偏振器之 间以及第二基板与第二偏振器之间的至少之一处。第一偏振器、第二偏振器和至少一个相位延迟膜中的至少之一包括设置在其上的 抗炫光部分。在另一示范性实施例中，提供了一种制造液晶显示器的方法，该方法包括形成包 括多个像素的第一基板，每个像素包括透射区和反射区；形成与第一基板相对的第二基板； 以及在第一基板与第二基板之间形成液晶层。形成第一基板包括在设置于第一基板上的第一绝缘基板上形成第一薄膜晶体 管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；在透射区中形成连接到第一薄膜晶体管的透射像 素电极；在反射区中形成连接到第二薄膜晶体管的反射像素电极；以及形成与透射像素电 极的至少一部分重叠的电压控制器。透射区的单元间隙大于或等于反射区的单元间隙。形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管可以包括在第一基板 上形成第一栅极线和第二栅极线；在第一基板上形成数据线，该数据线与第一栅极线和第 二栅极线交叉；将栅极绝缘层插设在数据线与第一栅极线和第二栅极线的每个之间；形成 分别连接到第一栅极线和数据线的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；以及形成连接到第二栅极线和第二薄膜晶体管的漏极电极的第三薄膜晶体管。形成电压控制器包括在第一基板上形成存储线，该存储线与第一栅极线和第二 栅极线间隔开并与第一栅极线和第二栅极线绝缘；在第一基板上形成电荷划分电极，该电 荷划分电极连接到第三薄膜晶体管并与存储线的至少一部分重叠；以及将栅极绝缘层插设 在电荷划分电极与存储线之间。电荷划分电极与透射像素电极的至少一部分重叠，保护层插设在透射像素电极的 所述至少一部分与电荷划分电极之间。制备第二基板可以包括在第二绝缘基板上形成公共电极，该公共电极构造为与 透射像素电极和反射像素电极形成电场；以及在公共电极中形成至少一个划分图案。形成 第一基板还可以包括在透射像素电极和反射像素电极的至少之一中形成至少一个划分图案。形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管可以包括在第一基板 上形成第一栅极线和第二栅极线；在第一基板上形成数据线，该数据线与第一栅极线和第 二栅极线交叉；将栅极绝缘层插设在数据线与第一栅极线和第二栅极线二者之间；将第一 薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别连接到第一栅极线和数据线；以及将第三薄膜晶体管连 接到透射像素电极和第二栅极线。形成电压控制器包括在第一基板上形成存储线，该存储线与第一栅极线和第二 栅极线间隔开并与第一栅极线和第二栅极线绝缘；在第一基板上形成电荷划分电极，该电 荷划分电极连接到第三薄膜晶体管并与存储线的至少一部分重叠；以及将栅极绝缘层插设 在电荷划分电极与存储线之间。电荷划分电极与透射像素电极的至少一部分重叠，保护层插设在透射像素电极的 所述至少一部分与电荷划分电极之间。形成第二基板包括在第二绝缘基板上形成公共电极，该公共电极构造为与透射 像素电极和反射像素电极形成电场；以及在公共电极中形成至少一个划分图案。形成第一 基板还可以包括在透射像素电极和反射像素电极的至少之一中形成至少一个划分图案。在另一示范性实施例中，一种液晶显示器包括第一基板，包括多个像素，每个像 素包括透射区和反射区；第二基板，面对第一基板；以及液晶层，设置在第一基板与第二基 板之间。每个像素包括第一薄膜晶体管，响应栅极信号输出第一数据信号；第二薄膜晶 体管，响应栅极信号输出第二数据信号；透射像素电极，设置在透射区中且连接到第一薄膜 晶体管，并响应第一数据信号充上第一像素电压；以及反射像素电极，设置在反射区中且连 接到第二薄膜晶体管，并响应第二数据信号充上第二像素电压。第二基板包括公共电极，该公共电极与透射像素电极和反射像素电极形成电场。 至少一个划分图案设置在透射像素电极、反射像素电极和公共电极的至少之一上以将液晶 层划分为多个域。透射区的单元间隙大于或等于反射区的单元间隙。液晶显示器还可以包括第一子薄膜晶体管，响应栅极信号输出第一子数据信号； 以及电压控制器，连接到第一子薄膜晶体管。透射像素电极包括第一透射像素电极，连接到第一薄膜晶体管的漏极电极，以充
7上第一透射像素电压；以及第二透射像素电极，与第一透射像素电极间隔开并连接到第一 子薄膜晶体管以充上第二透射像素电压。电压控制器响应下一个像素在栅极信号之后产生 的下一个栅极信号来控制第一透射像素电压和第二透射像素电压。因而，根据这里所述的示范性实施例，驱动对应于透射区的液晶层的电压不同于 用于驱动对应于反射区的液晶层的电压，反射区的相位延迟值与透射区的相位延迟值匹 配。因而，透射区与反射区之间的灰度级差被显著减小，并有效地防止了液晶层的光电特性 的退化，从而极大地改善了液晶显示器的显示品质。此外，根据示范性实施例的液晶显示 器具有单一单元间隙，因而不需要与用于制造具有双单元间隙的液晶显示器相同的构图工 艺。因此，简化了液晶显示器的制造工艺，并显著减少和/或有效防止了制造工艺缺陷。


通过参照附图更详细地描述本发明的示范性实施例，本发明的以上和其它的方面 以及特征将变得更加明显，附图中图1是根据本发明的液晶显示器(LCD)的示范性实施例的平面图；图2是沿图1的线A-A’剖取的局部截面图；图3是图1的液晶显示器的像素的等效电路图；图4是当栅极信号施加到图3的像素的第η条栅极线时第η个像素的等效电路 图；图5是反射和透射随施加电压变化的曲线图，示出了控制图1的液晶显示器中的 光透射量和光反射量的方法的示范性实施例；图6是根据本发明的液晶显示器的另一示范性实施例的局部截面图；图7Α至图7Ε是根据本发明的液晶显示器的另外的示范性实施例的平面图；图8Α是根据本发明的LCD的一个示范性实施例的平面图；图8B是沿图8A的线B_B’剖取的局部截面图；图8C是沿图8A的线C-C’剖取的局部截面图；图9A是示出当突起以不同的节距设置时反射像素电极的反射亮度随太阳高度角 (solar altitude)变化的曲线图；图9B是示出当突起以不同的接触角设置时反射像素电极的反射亮度随太阳高度 角变化的曲线图；图10是根据本发明另一示范性实施例的沿图8A的线B-B’剖取的局部截面图；图11是示出当突起以不同的节距设置时反射像素电极的反射亮度随太阳高度角 变化的曲线图；图12是根据本发明的液晶显示器的另一示范性实施例的平面图；图13是图12的液晶显示器的像素的等效电路图；图14是根据本发明的液晶显示器的另一示范性实施例的平面图；以及图15是根据本发明的液晶显示器的另一示范性实施例的平面图。
具体实施例方式在下文将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了各个实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施 例使得本公开透彻和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。相同的附图标 记始终指代相同的元件。应当理解，当称一元件或层在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者可 以存在插入的元件。相反，当称一元件“直接在”另一元件“上”时，不存在插入的元件。如 这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任何及所有组合。应当理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、区域、 层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用 于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一 元件、组件、区域、层或部分可以在不背离本发明教导的前提下称为第二元件、组件、区域、 层或部分。这里所用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并不旨在进行限制。如此处所 用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式均同时旨在包括复数形式。还应当理解，术 语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、区域、整体、步骤、操作、 元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组 件和/或其组合的存在或增加。此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对性术语以描述如附图 所示的一个元件与另一元件的关系。应当理解，相对性术语旨在涵盖除附图所示取向之外 的器件的不同取向。例如，如果附图之一中的器件翻转过来，被描述为“在”其它元件“下” 侧的元件将会位于其它元件的“上”侧。因此，根据附图的特定取向，示范性术语“下”就能 够涵盖“下”和“上”两种取向。类似地，如果附图之一中的器件翻转过来，被描述为在其它 元件“之下”或“下面”的元件将会位于其它元件“之上”。因此，示范性术语“之下”或“下 面”能够涵盖之上和之下两种取向。除非另行定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本发明 所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。还应当理解，诸如通用词典中所定 义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的 含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。这里参照截面图描述了示范性实施例，这些图为理想化实施例的示意图。因而，举 例来说，由制造技术和/或公差引起的插图形状的变化是可能发生的。因此，这里描述的实 施例不应被解释为限于此处示出的区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差 在内。例如，示出或描述为平坦的区域可以通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出 的尖角可以是倒圆的。因此，附图所示的区域实质上是示意性的，它们的形状并非要示出区 域的精确形状，也并非要限制本权利要求书的范围。在下文，将参照附图更详细地描述本发明的示范性实施例。图1是根据本发明的液晶显示器(LCD)的示范性实施例的平面图，图2是沿图1 的线A-A’剖取的局部截面图。参照图1和图2，液晶显示器包括第一基板100 ；第二基板200，设置为与第一基 板100相对，例如面对第一基板100 ；以及液晶层300，设置在第一基板100与第二基板200 之间。
第一基板100包括第一绝缘基板101，第一绝缘基板101包括像素，每个像素具有
反射区RA和透射区TA。第一绝缘基板101包括N条栅极线GL1........GLn、GLn+1........
GLn,基本平行于N条栅极线并对应于该N条栅极线的N条子栅极线GL/........GLn'、
GLn+1，........GL/，以及M条数据线DL1........DLm、DLm+1........DLm ；每个像素包括N条
栅极线GL1........GLn、GLn+1........GLn中的一条栅极线GL，N条子栅极线GL1'........
GLn’、GLn+1 ’........GL/中的一条子栅极线GL’，以及M条数据线DL1........DLm,
DLm+1........DLm中的一条数据线DL。在下文中，为了解释的目的，如图1所示，将结合第
(m+1)条数据线DLm+1更详细地描述具有第η条栅极线GLn、第η条子栅极线GLn’和第m条 数据线DLm的一个像素，但是应注意，备选的示范性实施例不限于此。在示范性实施例中， 每个像素具有与LCD中的其它像素基本相同的结构和功能。参照图1和图2，在第一基板100上，像素包括设置在第一绝缘基板101上的第η 条栅极线GLn、第η条子栅极线GLn’、第η条栅极线GLn的第一栅极电极GEl和存储线CST。第一绝缘基板101例如由诸如玻璃的透明材料形成。第η条栅极线GLn设置在第 一绝缘基板101上并沿第一方向(例如，沿水平或行方向，如图1所示)延伸。第η条子栅 极线GLn’基本平行于第η条栅极线GLn设置并与第η条栅极线GLn间隔开。第一栅极电极 GEl可以从第η条栅极线GLn沿第二方向(例如，基本垂直于第一方向的垂直或列方向(如 图1所示))分出。然而，在示范性实施例中，第一栅极电极GEl设置在第η条栅极线GLnW 至少一部分上。存储线CST与第η条栅极线GLn和第η条子栅极线GLn’间隔开，并基本平 行于第η条栅极线GLn和第η条子栅极线GLn’设置。此外，存储线CST的一部分(未示出) 可以沿不同的方向延伸以与相应像素的数据线DL的至少一部分重叠。存储线CST可以设 置在透射区TA和反射区RA的每一个中。第m条数据线DLm、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二 源极电极SE2、第二漏极电极DE2、第三源极电极SE3、第三漏极电极DE3以及电荷划分电极 (charge dividing electrode)CDE设置在设置有第η条栅极线GLn的第一绝缘基板101上。第m条数据线DLm与第η条栅极线GLn交叉并沿第二方向(基本垂直于第一方向) 延伸。如图2所示，绝缘层110插设在第m条数据线DLm与第η条栅极线GLn之间。第一源 极电极SEl和第二源极电极SE2从第m条数据线DLm分出以与第η条栅极线GLn部分重叠。 第一漏极电极DEl和第二漏极电极DE2分别与第一源极电极SEl和第二源极电极SE2间隔 开，以与第η条栅极线GLn部分重叠。第三源极电极SE3从第二漏极电极DE2分出以与第η 条子栅极线GLn’部分重叠。第三漏极电极DE3与第三源极电极SE3间隔开以与第η条子 栅极线GLn’部分重叠。电荷划分电极⑶E与透射区TA的存储线CST的至少一部分重叠。透射像素电极TE和反射像素电极RE分别设置在第一至第三源极电极SE1、SE2和 SE3上，并且分别设置在第一至第三漏极电极DEI、DE2和DE3上，保护层120插设在其间。 透射像素电极TE(包括透明导电材料)设置在透射区TA中并通过穿过保护层120形成的 接触孔连接到第一漏极电极DE1。反射像素电极RE(包括非透明导电材料)设置在反射区 RA中并通过穿过保护层120形成的接触孔连接到第二漏极电极DE2。在示范性实施例中， 反射像素电极RE可以仅设置有非透明导电材料层。此外，反射像素电极RE可以如下形成 通过在形成透射像素电极TE的透明导电材料层上和/或下形成非透明导电材料层然后构 图该非透明导电材料层而形成多层结构。反射像素电极RE可以形成为在其表面上具有凹
10凸部分(如图2所示)，使得反射像素电极RE具有高反射系数。凹凸部分可以与反射像素 电极RE —体地形成，或者备选地，凹凸部分可以通过构图在反射像素电极RE下面的保护层 120而形成。当凹凸部分的一个凹凸图案的宽度被定义为其节距(pitch)时，该节距可以为 约4微米(μπι)至约5μπι，最凹陷部分与最突出部分之间的距离(相对于由保护层120或 反射像素电极RE的外表面所定义的平面，如沿图2中的垂直方向所示)可以为约0.5μπι 至约2. 5 μ m。如上所述，第η条栅极线GLn的一部分(例如第一栅极电极GEl)、第一源极电极 SEl和第一漏极电极DEl形成第一薄膜晶体管Tl。类似地，第η条栅极线GLnW—部分(例 如第二栅极电极(未示出))、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2形成第二薄膜晶体管 Τ2，第η条子栅极线GLn’的一部分(例如第三栅极电极(未示出))、第三源极电极SE3和第 三漏电极电极DE3形成第三薄膜晶体管Τ3。第三薄膜晶体管Τ3、电荷划分电极CDE和存储 线CST形成电荷控制器，电荷划分电极CDE连接到第三薄膜晶体管Τ3的第三漏极电极DE3。仍参照图1和图2，第二基板200包括第二绝缘基板201。此外，透明有机层220、 遮光层211、滤色器层210和公共电极CE设置在第二绝缘基板201上。透明有机层220在靠近第二绝缘基板201的一个区域中具有预定的厚度。遮光层 211防止光泄露并因而包括吸收光的非透明材料。滤色器层210覆盖设置有透明有机层220 的区域以及没有设置透明有机层220的剩余区域。下面将更详细地描述透明有机层220和 滤色器层210。公共电极CE设置在滤色器层210上，而绝缘层213设置在公共电极CE与滤色器层 210之间，公共电极CE与透射像素电极TE和反射像素电极RE形成电场以驱动液晶层300。第一偏振器153和第二偏振器253分别设置在第一绝缘基板101和第二绝缘基板 201的外表面上，其中第二偏振器253的偏振轴基本垂直于第一偏振器153的偏振轴。相 位延迟膜可以设置在第一绝缘基板101与第一偏振器153之间和/或第二绝缘基板201与 第二偏振器253之间。例如，在图2所示的示范性实施例中，相位延迟膜151和相位延迟膜 251分别设置在第一绝缘基板101和第二绝缘基板201的表面上，但是备选的示范性实施例 不限于此。例如，在其它示范性实施例中，诸如当通过例如施加具有不同电压电平的电压到 透射区TA和反射区RA来补偿相位延迟值时，相位延迟膜151和/或251可以不分别形成 在第一绝缘基板101和/或第二绝缘基板201上。诸如当反射电极RE的凹凸部分设置在反射像素电极RE自身上时，因为彩虹缺陷 (rainbow defect)会由于来自凹凸部分的反射光(其会彼此干涉)而产生，所以抗炫光部 件(未示出)可以设置在第一偏振器153、第二偏振器253以及相位延迟膜151和251的每 一个的至少一个表面上以防止彩虹缺陷。在抗炫光部件中，例如，像硅石(silica) —样的非导电精细颗粒或像金一样的导 电精细颗粒不均勻地散布以显著减少反射光之间的干涉。非导电精细颗粒或导电精细颗粒 可以具有等于或小于约40 μ m的直径。抗炫光部件可以具有约5 %至约70 %的霾度值(haze value)，其中霾度值定义为散射光相对于总透射光的百分比。在示范性实施例中，透射区TA中第一基板100与第二基板200之间的距离基本等 于反射区RA中第一基板100与第二基板200之间的距离。换句话说，透射区TA和反射区 RA可以具有单一单元间隙。更具体地，当在进行构图工艺以形成凹凸部分之后该凹凸部分设置在反射像素电极RE上(如图2所示)时，形成有反射像素电极RE的反射区RA的单元 间隙dK会变得略大于形成有透射像素电极TE的透射区TA的单元间隙dT。然而，由于单元 间隙dE与dT之间的差别较小(例如相对于单元间隙dE和dT自身的值)，所以透射区TA和 反射区RA实际上具有单一单元间隙。图3是示出图1的液晶显示器的像素的等效电路图，图4是示出当栅极信号施加 到图3中像素的第η条栅极线GLn时第η个像素的等效电路图。在下文中，将参照图1至图4更详细地描述驱动液晶显示器的方法的示范性实施 例。第一液晶电容器T-Clc、第二液晶电容器R-Clc、第一存储电容器T-Cst和第二存 储电容器R-Cst分别设置在具有第一薄膜晶体管Tl和第二薄膜晶体管T2的像素中。更具体地，第一薄膜晶体管Tl包括第一栅极电极GE1，连接到第η条栅极线GLn ； 第一源极电极SE1，连接到第m条数据线DLm;以及第一漏极电极DE1，连接到第一液晶电容 器T-Clc。第一液晶电容器T-Clc通过连接到第一漏极电极DEl的透射像素电极TE、面对 透射像素电极TE并接收公共电压Vcom的公共电极CE以及设置在透射像素电极TE与公共 电极CE之间的液晶层300形成。第一存储电容器T-Cst通过透射像素电极TE、公共电压 Vcom施加到其上的存储线CST以及插设在透射像素电极TE与存储线CST之间的绝缘层110 和保护层120形成。第二薄膜晶体管T2包括第二栅极电极，连接到第η条栅极线GLn ；第二源极电极 SE2，连接到第m条数据线DLm;以及第二漏极电极DE2，连接到第二液晶电容器R-Clc。第二 液晶电容器R-Clc通过连接到第二漏极电极DE2的反射像素电极RE、面对反射像素电极RE 并接收公共电压Vcom的公共电极CE以及设置在反射像素电极RE与公共电极CE之间的液 晶层300形成。第二存储电容器R-Cst通过反射像素电极RE、公共电压Vcom施加到其上的 存储线CST以及插设在反射像素电极RE与存储线CST之间的绝缘层110和保护层120形 成。栅极信号施加到第η条栅极线GLn，数据信号施加到第m条数据线DLm。当第一薄 膜晶体管Tl和第二薄膜晶体管T2分别响应通过第η条栅极线GLn施加的栅极信号而开启 时，数据信号通过第一薄膜晶体管Tl和第二薄膜晶体管Τ2施加到透射像素电极TE和反射 像素电极RE。参照图3和图4，当栅极信号施加到第η条栅极线GLn时，第一薄膜晶体管Tl和第 二薄膜晶体管Τ2开启。因而，施加到第m条数据线DLm的数据信号被分别通过第一薄膜晶 体管Tl和第二薄膜晶体管T2提供给第一液晶电容器T-Clc的透射像素电极TE和第二液 晶电容器R-Clc的反射像素电极RE。在该情形下，由于施加到第一液晶电容器T-Clc的透 射像素电极TE和第二液晶电容器R-Clc的反射像素电极RE的信号相同，所以第一液晶电 容器T-Clc和第二液晶电容器R-Clc被分别充上具有相同的电压电平的第一像素电压和第 二像素电压。像素还包括第η条子栅极线GLn’和第三薄膜晶体管T3，第三薄膜晶体管T3控制 分别在透射像素电极TE中充上的第一像素电压和在反射像素电极RE中充上第二像素电压 的电压电平。第三薄膜晶体管T3包括第三栅极电极，连接到第η条子栅极线GLn’ ；第三源极
12电极SE3，连接到反射像素电极RE;以及第三漏极电极DE3，连接到下电容器Cdown和上电 容器Cup。如图2所示，下电容器Cdown由存储线CST、电荷划分电极CDE以及插设在电荷划 分电极CDE与存储线CST之间的绝缘层110形成，该电荷划分电极CDE连接到第三漏极电 极DE3并与存储线CST部分重叠。上电容器Cup由透射像素电极TE、与透射像素电极TE部 分重叠的电荷划分电极CDE以及插设在电荷划分电极CDE与透射像素电极TE之间的保护 层120形成。第三薄膜晶体管T3响应施加到第η条子栅极线GLn’的栅极信号开启，以在栅极 信号施加到第η条栅极线GLn之后输出电压控制信号。从而，反射像素电极RE通过第三薄 膜晶体管Τ3电连接到电荷划分电极⑶Ε。因此，在第一液晶电容器T-Clc中充上的第一像 素电压的电压电平和在第二液晶电容器R-Clc中充上的第二像素电压的电压电平由上电 容器Cup和下电容器Cdown来控制。具体地，由于上电容器Cup和下电容器Cdown，第一像 素电压的电压电平增大，第二像素电压的电压电平减小。第一像素电压的增大量和第二像 素电压的减小量分别取决于上电容器Cup和下电容器Cdown的电容。因而，如上所述，不同的电压可以通过形成电压控制器而被施加到透射像素电极 TE和反射像素电极RE。图5是反射和透射的相对值随电压(单位是伏特(V))变化的曲线图，示出了根据 对于图1的液晶显示器中单一单元间隙所施加的电压控制光透射量和光反射量的方法的 示范性实施例。在图5中，将描述相位延迟膜151和251分别插设在第一绝缘基板101与 第一偏振器153之间以及第二绝缘基板201与第二偏振器253之间的结构，但是应注意，另 外的示范性实施例不限于此。在示范性实施例中，相位延迟膜151和251的每一个都用作 补偿膜，该补偿膜具有约550纳米(nm)的波长λ以及λ /4或备选地λ /4+ λ /2的延迟值 Ro。参照图5，在示范性实施例中，反射区RA和透射区TA以常黑模式驱动，反射区RA 的光反射量和透射区TA的光透射量根据施加到反射像素电极RE和透射像素电极TE的电 压而具有不同的值。因此，反射曲线R与透射曲线T不匹配。例如，光反射量最大时的第一 施加电压值(a)小于光透射量最大时的施加电压值(b)。因此，当相同的电压施加到反射像 素电极RE和透射像素电极TE时，难以使反射区RA中的灰度级与透射区TA中的灰度级匹 配。因而，在示范性实施例中，如以上更详细描述地，分别施加到透射像素电极TE和 反射像素电极RE的第一像素电压和第二像素电压由电压控制器来控制，使得反射曲线R与 透射曲线T基本一致地匹配，如图5中向右偏移的反射曲线R所示。具体地，当电压控制器 降低第二像素电压的电压电平时，施加到与反射区RA相对应的液晶层300的电压的电压电 平降低，反射曲线R向右移动，如图5所示。因此，反射曲线R可以与透射曲线T基本一致 地匹配，例如，可以与透射曲线T基本相同。因此，通过施加具有相同电压电平的电压，反射 区RA的灰度级与透射区RA的灰度级基本一致地匹配。应注意，其它的示范性实施例不限 于如图5所示的调整反射曲线R的方法。具体地，例如，透射曲线T可以通过降低第二像素 电压的电压电平或者备选地通过增大第一像素电压(未示出)的电压电平来调整。当不包括相位延迟膜时，通过控制第一像素电压和第二像素电压，透射区TA的灰度级可以与反射区RA的灰度级匹配。具体地，例如，当不包括相位延迟膜时，反射区RA可 以以常白模式被驱动，透射区TA可以以常黑模式被驱动。然而，通过控制分别施加到透射 区TA和反射区RA的第一像素电压和第二像素电压，透射区TA的灰度级与反射区RA的灰 度级匹配。基于反射区RA与透射区TA之间的单元间隙差(以上所述)，第一像素电压和第二 像素电压可以具有不同的值。例如，当第一像素电压为约1伏特(V)并且反射区RA的单元 间隙dK(图2)小于透射区TA的单元间隙dT时，第二像素电压可以为约0.4V至约IV。当反 射区RA的单元间隙dK与透射区TA的单元间隙dT相同时，第二像素电压可以为约0. 3V至 约0. 8V。此外，当反射区RA的单元间隙dK大于透射区TA的单元间隙dT时，第二像素电压 可以为约0. 2V至约0. 7V。也就是，根据施加到透射区TA和反射区RA的电压来控制液晶层300中的液晶分 子的配向方向。因此，穿过对应于透射区TA和反射区RA的液晶层300的光的相位延迟值 被有效地控制以具有相同的值，从而使在具有单一单元间隙的LCD中透射区TA中的灰度 级与反射区RA中的灰度级匹配。此外，由于提供到反射区RA的光依次经过第二绝缘基板 201、滤色器层210、绝缘层213、公共电极CE、液晶层300、反射像素电极RE、液晶层300、公 共电极CE、绝缘层213、滤色器层210和第二绝缘基板201，所以光经过液晶层300和滤色器 层210两次。相反，提供到透射区TA的光依次经过第一绝缘基板101、绝缘层110、保护层 120、透射像素电极TE、液晶层300、公共电极CE、绝缘层213、滤色器层210和第二绝缘基板 201，因而光仅经过液晶层300和滤色器层210 —次。因此，当光经过液晶层300和滤色器 层210两次时，其中液晶层300和滤色器层210的光吸收率与其它材料相比相对较高，提供 到反射区RA的部分光被液晶层300和滤色器层210吸收，使得经过反射区RA出射的光的 量会减少。因此，在经过反射区RA与透射区TA的光之间会出现光量差，反射区RA和透射 区TA的灰度级彼此不匹配。因而，在示范性实施例中，透明有机层220设置在滤色器层210的与反射区RA相 对应的区域中，使得穿过反射区RA的光量会增加，反射区RA与透射区TA之间的光量差可 以被最小化。透明有机层220在靠近第二绝缘基板201的区域处具有预定的厚度。透明有机层 220包括光吸收率比滤色器层210的光吸收率小的有机材料。透明有机层220设置在第二 绝缘基板201上以对应于第一基板100的反射区RA。滤色器层210覆盖设置有透明有机层220的区域以及没有设置透明有机层220的 剩余区域。滤色器层210设置在第二绝缘基板201上并包括产生例如红色、蓝色、绿色和白 色的材料，以在光从其经过期间显示颜色。在示范性实施例中，由于透明有机层220形成为 在设置滤色器层210的区域具有预定的厚度，所以在形成滤色器层210之后，在设置有透明 有机层220的区域中的滤色器层210的厚度变得薄于没有设置透明有机层220的剩余区域 中的滤色器层210的厚度。滤色器层210具有相对薄的厚度的区域的光吸收率小于滤色器 层210具有相对厚的厚度的区域的光吸收率。因而，穿过设置有透明有机层220的区域的 光与穿过剩余区域的光相比具有较高的光量，从而补偿经过透射区TA的光量(其具有相对 高的光量)与经过反射区RA的光量(其具有相对低的光量)之间的差别。因此，反射区RA 和透射区TA中的光量是均勻的。
在示范性实施例中，透明有机层220设置在滤色器层210上以改善反射区RA的光 量，然而，备选的示范性实施例不限于此。例如，替代形成如上所述的透明有机层220，光易 于经过的穿透孔220’可以形成在滤色器层210中，如图6所示，现在将对其进行更详细地 描述。图6是根据本发明的液晶显示器的示范性实施例的局部截面图。更具体地，图6 示出了形成有穿透孔220’的滤色器层210。在图6中，相同的附图标记指代如以上参照图 1至图5更详细描述的相同或相似部件；因此，在下文将简化或省略对其的任何重复的详细 描述。在示范性实施例中，穿透孔220’ (其暴露第二绝缘基板201的至少一部分)形成 在与反射区RA相对应的滤色器层210中，以改善经过反射区RA的光的光量。在一个或多 个示范性实施例中，可以形成多个穿透孔220’。由于滤色器层210没有设置在穿透孔220’ 穿过其形成的区域中，所以光直接经过穿透孔220’，而不经过滤色器层210。因此，没有光 被滤色器层210吸收，光的光量增加。除了滤色器层210的形成有穿透孔220’的区域之外， 穿透孔220’没有设置在滤色器层210的剩余区域中，光经过滤色器层210的剩余区域，从 而显示颜色。因此，可以改善光的光量而不降低颜色再现性。绝缘层213设置在形成有穿透孔220’的滤色器层210上，滤色器层210没有设置 在形成穿透孔220’的区域中。因而，绝缘层213的上表面在形成穿透孔220’的区域中具 有基本凹形的形状。当穿透孔220’形成在滤色器层210中时，由于形成穿透孔220’的区 域的单元间隙变得大于剩余区域的单元间隙，所以反射区RA的单元间隙dK变得大于或等 于透射区TA的单元间隙dT。在示范性实施例中，平坦化层122设置在反射像素电极RE上。透射像素电极TE 设置在平坦化层122上。设置平坦化层122以减少由反射像素电极RE的凹凸部分所导致的点缺陷。平坦 化层平坦化第一基板100的表面，因而有效防止了包括于液晶层300中的液晶分子由于凹 凸部分中的高度差而变得未对准。图7A至图7E是根据本发明的液晶显示器的另外的示范性实施例的平面图。在图 7A至图7E中，相同的附图标记指代以上参照之前的附图更详细地描述的相同或相似部件； 因此，在下文将简化或省略对其的任何重复的详细描述。现在参照图7A至图7E，将更详细 地描述透射像素电极TE、反射像素电极RE和公共电极CE。在图7A至图7E中，透射像素电极TE和反射像素电极RE具有预定的面积，但示范 性实施例不限于此。例如，透射像素电极TE和反射像素电极RE还可以以不同的面积比提 供。透射像素电极TE和反射像素电极RE的面积比可以在每个像素的除了遮光层211的区 域之外的有效开口区域中为7 3。优选地，假设每个像素的除了遮光层211之外的有效 开口区域为100%的像素区域，则反射像素电极RE可以具有像素区域的约30 %的面积或更 多。这是因为，如果反射像素电极具有像素区域的30%以下的面积，即使来自太阳的直射光 增加，但是反射型LCD的亮度很少会增大。在根据一个或多个示范性实施例的LCD中，至少 一个划分图案形成在透射像素电极TE、反射像素电极RE和公共电极CE上以将液晶层300 划分为多个域，从而显著改善LCD的视角。该域可以具有相同的面积或可选地具有不同的 面积。
划分图案形成在透射像素电极TE、反射像素电极RE和公共电极CE的至少一个上， 划分图案可以具有当从LCD的平面图上方观察时的狭缝形状(在下文，称为狭缝部分)、 浮凸形状(在下文，称为浮凸部分)和/或孔形状(在下文，称为孔部分)以控制液晶层 的指向矢，但是示范性实施例不限于此。在另一示范性实施例中，浮凸部分El形成锥形 (pyramidal)图案或半球形(hemispheric)图案。现在参照图7A，在示范性实施例中，狭缝部分Sl和S2作为划分图案形成在透射像 素电极TE和第二基板200的对应于透射像素电极TE的公共电极CE中。浮凸部分El形成 在反射像素电极RE中。在示范性实施例中，浮凸部分El形成密堆积六边形图案，如图7A 所示。在备选的示范性实施例中，浮凸部分El以及狭缝部分Sl和S2可以与如图7A所示 不同地布置，例如浮凸部分El以及狭缝Sl和S2可以彼此替代(例如，交换)和/或设置 在相同的区域中。此外，狭缝部分Sl和S2或浮凸部分El可以通过构图透射像素电极TE、 反射像素电极RE和公共电极CE的至少一个而形成。如图7B所示，在另一示范性实施例中，狭缝部分Sl和S2或浮凸部分El形成在透 射像素电极TE、对应于透射像素电极TE的公共电极CE以及反射像素电极RE中。如图7C所示，在另一示范性实施例中，狭缝部分Sl和S2或浮凸部分El形成在透 射像素电极TE、反射像素电极RE以及与透射像素电极TE和反射像素电极RE相对应的公共 电极CE中。如图7D所示，在另一示范性实施例中，狭缝部分Sl和S2或浮凸部分El形成在透 射像素电极TE以及与透射像素电极TE和反射像素电极RE相对应的公共电极CE中。如图7E所示，在另一示范性实施例中，狭缝部分Sl和S2或浮凸部分El穿过透射 像素电极TE形成，孔部分H形成在对应于透射像素电极TE的公共电极CE中，狭缝部分Sl 和S2或浮凸部分El穿过对应于反射像素电极RE的公共电极CE形成。现在参照图7A至图7E，形成在透射像素电极TE和反射像素电极RE中的划分图案 可以是狭缝部分Sl和S2的形式。此外，形成在公共电极CE中的划分图案可以如图7A至 图7D所示以狭缝部分Sl和S2的形式制备，或者如图7E所示以孔部分H的形式制备。在 另一示范性实施例中，穿过透射像素电极TE和反射像素电极RE形成的划分图案可以是浮 凸部分El的形式，而不是狭缝部分Sl和S2或孔部分H。当划分图案在透射像素电极TE、反射像素电极RE和公共电极CE中是狭缝部分Sl 和S2的形式时，形成在公共电极CE中的狭缝部分S2基本平行于透射像素电极或反射像素 电极RE的狭缝部分Sl设置，并位于对应于透射像素电极TE或反射像素电极RE的狭缝部 分Sl之间的区域处。透射像素电极TE和公共电极CE的狭缝部分Sl相对于第η条栅极线 GLn或第m条数据线DLm倾斜并关于平行于第η条栅极线GLn的假想线彼此对称，透射像素 电极TE和公共电极CE的狭缝部分S2形成为相对于第η条栅极线GLn或第m条数据线DLm 倾斜并关于平行于第η条栅极线GLn的假想线彼此对称。如图7Ε所示，当狭缝部分Sl设 置在透射像素电极TE中并且孔部分H设置在公共电极CE中时，透射像素电极TE的狭缝部 分Sl可以基本平行于第η条栅极线GLn和第m条数据线DLm设置以形成多个域，孔部分H 可以形成在对应于每个域的中心部分的位置处。在另一示范性实施例中，形成在每个域的 中心部分处的孔部分H可以用浮凸部分El替换。
凹凸部分设置在反射像素电极RE上，液晶层的液晶分子的预倾斜角由凹凸部分 控制，使得根据示范性实施例的LCD的反射像素电极RE不需要狭缝部分Sl和S2。液晶层300 (图2)的邻近狭缝部分Sl和S2的液晶分子(未示出)可以被透射像 素电极TE和公共电极CE的倾斜部分Sl和S2倾斜预定角度，从而显著改善根据示范性实 施例的LCD的视角。图8A是根据本发明的LCD的一个示范性实施例的平面图，图8B是沿图8A的线 B-B'剖取的局部截面图，图8C是沿图8A的线C-C’剖取的局部截面图。参照图8A至图8C，凹凸部分包括基表面(base surface)BS以及从基表面BS突出 的多个突起PR。基表面BS基本上平行于第一绝缘基板的表面。突起ra可以规则地布置在 基表面BS上。每个突起ra可以设置为在平面图中的蜂窝状结构，但备选的示范性不限于此。每 个突起ra具有平面图中的各种形状，诸如圆形、椭圆形或多边形的形状。当在平面图中沿不同的方向观看时，突起ra可以具有相同或不同的宽度。当突 起ra在一个方向上以规则的宽度布置时，在一个方向上的宽度被称作节距。节距可以为约 10 μ m或更大。在每个突起I3R具有小于10 μ m的节距的情况下(例如约4 μ m至约6 μ m)， 反射像素电极RE的反射亮度不够明亮。反射亮度通常随节距的增大而增大。参照图8B和图8C，当在平面图中沿不同的方向观看时，突起I3R具有不同的节距。 突起I3R在第一方向Dl上具有第一节距P1，并在基本垂直于第一方向Dl的第二方向D2上 具有第二节距P2。第一节距Pl可以不同于第二节距P2。当第一绝缘基板提供为矩形并且 第一方向Dl基本平行于该矩形的较长边时，第一节距Pl可以为第二节距P2的1. 1倍或更 大。第一节距Pl和第二节距P2之间的差异用于补偿反射型IXD的第一方向Dl和第二方 向D2之间的可见度差异。 每个突起ra具有每个突起ra的表面与基表面BS所成的接触角Θ。每个突起ra 具有约10°至约40°的接触角θ。如果接触角θ小于10°，则反射亮度差异相对于液晶 面板与外部光源(例如太阳)之间的角度变大。如果接触角θ大于40°，则难于制作突起 PR。图9A是示出当突起I3R设置有在一个方向上的10 μ m、15 μ m或20 μ m的节距时反 射像素电极RE的反射亮度随太阳高度角变化的曲线图。反射亮度采用光谱方法(Specular method)测量。根据图9A，当太阳高度角在约30°至约40°的范围内时反射亮度随着节距 的增大而增大。图9B是示出当光照强度设定为约80000流明时反射像素电极RE的反射亮度随太 阳高度角和突起I3R的接触角θ变化的曲线图。在图9Β中，曲线P、曲线Q、曲线R和曲线 S分别对应于10°、11°、12°和14.5°的接触角Θ。参照图9Β，随着接触角θ变小，反射亮度随太阳高度角增大的减小通常变得更 大。因此，优选地，突起ra具有10°或更大的接触角Θ，更优选地具有14°或更大的接触 角，以表现出相对均勻的反射亮度而与太阳高度角无关。图10是根据本发明另一示范性实施例的沿图8Α的线Β-Β’剖取的局部截面图。参照图10，每个突起ra的最高点在平面图中不与其中心重合。在此情况下，当每 个突起I3R沿包括其上的中心且基本垂直于第一绝缘基板的表面的平面剖取时，每个突起
17PR的截面设置为相对于中心不对称。当每个突起ra沿包括其上的中心且基本垂直于第一绝缘基板的表面的平面剖取 以使得每个突起I3R具有最大的节距时，截面具有从基表面BS上与每个突起ra的最高点相 对应的点到每个突起ra的一端的距离dl以及从基表面BS上与最高点相对应的点到每个 突起I3R的另一端的距离d2。距离dl不同于距离d2。由于每个突起ra设置为关于中心不对称，所以突起ra根据外部光源的位置(例 如太阳高度角)而在不同的方向上反射不同强度的外部光。因此，通过相对于外部光源位 置来调整不对称突起的表面，反射亮度能够被最大化。图11是示出当突起I3R设置有在一个方向上的1(^111、1511111或2(^111的节距、(12/ dl为1. 2并且相对略微倾斜的平面面对外部光行进的方向时反射像素电极RE的反射亮度 随太阳高度角变化的曲线图。参照图11，当每个突起是非对称时的反射亮度大于当每个突 起是对称时(例如图9A)的反射亮度。 如上所述，通过根据外部光源的高度角来调节突起ra的接触角θ和形状，具有突 起I3R的反射像素电极RE给出高的可见度。图12是根据本发明的IXD的另一示范性实施例的平面图，图13是图12的IXD的 像素的等效电路图。在图12和图13中，电压控制器构造为具有不同于以上更详细描述的 电压控制器的另外示范性实施例的电路构造。此外，在整个附图中，相同的附图标记用于指 代相同或相似的部件，因此在下文将简化或省略任何重复的详细描述。参照图2、图12和图13，根据示范性实施例的电压控制器包括第三薄膜晶体管Τ3， 第三薄膜晶体管Τ3具有连接到反射像素电极RE的源极电极SE3。如图12 所示，η+ρ 条栅极线 GL1........GLn、GLn+1........GL(n+p)^,GLntp 以及 m+q
条数据线DL1........DLm、DLm+1........DL(m+q)^,DLmtq设置在第一绝缘基板101上(图2)，
每个像素包括η+ρ条栅极线GL1........GLn, GLn+1........GL—h、GLn+p中的一条栅极线
GL以及m+q条数据线DL1........DLm、DLm+1........DL(m+q)^,DLmtq中的一条数据线DL。在
图12中，为了描述的目的，示出了包括第η条栅极线GLn、第(η+1)条栅极线GLn+1和第m条 数据线DLm的像素并将对其进行更详细地描述，但是示范性实施例不限于此。在示范性实 施例中，每个像素具有基本相同的结构和功能。在第一基板100中，包括第η条栅极线GLn、第η条栅极线GLn的栅极电极(在图 12中未具体地标记)和存储线CST的像素设置在第一绝缘基板101上(图2)。第η条栅极线61^在第一绝缘基板101上沿第一方向延伸。第(η+1)条栅极线GLn+1 与第η条栅极线GLn间隔开并基本平行于第η条栅极线GLn设置以施加栅极信号到下一个 像素，例如第(η+1)个像素。栅极电极可以从第η条栅极线GLn或第(η+1)条栅极线GLn+1 分出，或者可以设置在第η条栅极线GLn或第(η+1)条栅极线GLn+1的至少一部分上。存储 线CST设置在第η条栅极线GLn与第(η+1)条栅极线GLn+1之间并基本平行于第η条栅极线 GLn和第(η+1)条栅极线GLn+1。存储线CST与第η条栅极线GLn和第(η+1)条栅极线GLn+1 间隔开。存储线CST可以沿与第一方向不同的方向延伸，例如沿基本垂直于第一方向的第 二方向延伸。存储线CST设置在透射区TA和反射区RA的区域的一部分中。第m条数据线DLm、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二 漏极电极DE2、第三源极电极SE3、第三漏极电极DE3和电荷划分电极CDE布置在形成有第η条栅极线GLn的第一绝缘基板101上。第一源极电极SEl和第二源极电极SE2连接到第 m条数据线DLm。第m条数据线DLm与第η条栅极线GLn或第(η+1)条栅极线GLn+1交叉且包括设置 在其间的绝缘层110，并沿第二方向延伸。第一源极电极SEl和第二源极电极SE2从第m条 数据线DLm分出以与第η条栅极线GLn部分重叠。第一漏极电极DEl和第二漏极电极DE2 分别与第一源极电极SEl和第二源极电极SE2间隔开，以与第η条栅极线GLn部分重叠。第 三源极电极SE3与第(η+1)条数据线GLn+1部分重叠并连接到将在随后描述的反射像素电 极RE。第三漏极电极DE3与第三源极电极SE3间隔开以与第(η+1)条栅极线GLn+1部分重 叠。电荷划分电极⑶E与透射区TA的存储线CST重叠。透射像素电极TE和反射像素电极RE分别设置在第一至第三源极电极SE1、SE2和 SE3上，以及分别设置在第一至第三漏极电极DE1、DE2和DE3上，而保护层120设置在其间。 透射像素电极TE设置在透射区TA中，并通过形成在保护层120中的接触孔连接到第一漏 极电极DE1。反射像素电极RE设置在反射区RA中并通过形成在保护层120中的接触孔连 接到第二漏极电极DE2和第三源极电极SE3。第一薄膜晶体管Tl由第η条栅极线GLn的一 部分、第一源极电极SEl和第一漏极电极DEl形成，第二薄膜晶体管Τ2由第η条栅极线GLn 的一部分、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2形成，而第三薄膜晶体管Τ3由第η+1条 栅极线GLn+1的一部分、第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3形成。第三薄膜晶体管T3、 连接到第三薄膜晶体管T3的漏极电极DE3的电荷划分电极CDE和存储线CST形成电荷控 制器。现在参照图13，当栅极信号施加到第η条栅极线GLn时，第一薄膜晶体管Tl和第 二薄膜晶体管Τ2开启。从而，施加到第m条数据线DLm的数据信号通过第一薄膜晶体管Tl 和第二薄膜晶体管T2被提供到第一液晶电容器T-Clc的透射像素电极TE和第二液晶电容 器R-Clc的反射像素电极RE。由于施加到第一液晶电容器T-Clc的透射像素电极TE的信 号与施加到第二液晶电容器R-Clc的反射像素电极RE的信号相同，所以第一液晶电容器 T-Clc和第二液晶电容器R-Clc分别被充上具有相同电压电平的第一像素电压和第二像素 电压。第三薄膜晶体管T3控制分别在透射像素电极TE和反射像素电极RE中充上的第 一像素电压和第二像素电压的电压电平。第三薄膜晶体管T3包括连接到第η+1条栅极线 GLn+1的第三栅极电极、连接到反射像素电极RE的第三源极电极SE3以及连接到下电容器 Cdown和上电容器Cup的第三漏极电极DE3。下电容器Cdown由存储线CST、与存储线CST部分重叠并连接到第三漏极电极DE3 的电荷划分电极CDE以及插设在电荷划分电极CDE与存储线CST之间的绝缘层110形成。 上电容器Cup由透射像素电极TE、与透射像素电极TE部分重叠的电荷划分电极⑶E以及插 设在电荷划分电极⑶E与透射像素电极TE之间的保护层120形成。第三薄膜晶体管T3响应施加到第η+1条栅极线GLn+1的栅极信号开启，以在栅极 信号被施加到第η条栅极线GLn之后输出电压控制信号。然后，反射像素电极RE通过第三 薄膜晶体管Τ3电连接到电荷划分电极⑶Ε。因此，在第一液晶电容器T-Clc中充上的第一 像素电压的电压电平和在第二液晶电容器R-Clc中充上的第二像素电压的电压电平由上 电容器Cup和下电容器Cdown来控制。更具体地，通过上电容器Cup和下电容器Cdown，第
19一像素电压的电压电平增大，而第二像素电压的电压电平减小。第一像素电压的增大和第 二像素电压的减小分别取决于上电容器Cup和下电容器Cdown的电容。图14是根据本发明的LCD的另一示范性实施例的平面图。在图14所示的示范性 实施例中，不同的数据信号施加到透射像素电极TE和反射像素电极PE的每一个，使得不同 的电压施加到透射像素电极TE和反射像素电极PE。此外，在示范性实施例中，插设在第一 基板100与第二基板200之间的液晶层300 (图2)被分为多个区域。在下文中，将参照图1和图14仅描述与以上更详细描述的另外的示范性实施例不 同的元件。此外，图14中相同的附图标记表示与之前描述的示范性实施例中相同或相似的 元件，因而将省略任何重复的详细描述。第一基板100包括设置有像素的第一绝缘基板101，每个像素都具有反射区RA
和透射区TA。在示范性实施例中，n+p条栅极线GL1........GLn, GLn+1........GL—^、
GLn+p，m+q 条数据线 DL1........DLm、DLm+1........DLim^、DLm+q 以及 m+q 条子数据线
DL/........DLm，、DLm+1，........DLinrtl)-/、DLm+/ 设置在第一绝缘基板 101 上，其中 m+q
条子数据线DL1'........DLm，、DLm+1，........DL^h，、DLm+/基本平行于m+q条数据
线 DL1........DLm, DLm+1........DL0^m DLm+q 设置并与该 m+q 条数据线 DL1........
DLm, DLm+1........DL0^m DLm+q间隔开。每个像素包括n+p条栅极线GL1........GLn,
GLn+1........GLfe^GL-中的一条栅极线 GL，m+q 条数据线 DL1........DLm、DLm+1........
DL0l^fDLm+,中的一条数据线DL以及子数据线DL/........DLm'、DLm+1，........DL^^',
DLm+/中的一条子数据线DL’。在图14和图15中，为了描述的目的，这里示出了包括第η 条栅极线GLn、第m条数据线DLm以及第m条子数据线DLm’的像素并将对其进行更详细的描 述，但是备选的示范性实施例不限于此。在示范性实施例中，每个像素具有基本相同的结构 和功能。第η条栅极线GLn在第一绝缘基板101上沿第一方向延伸。第m条数据线DLm、第 m条子数据线DLm’、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二漏极电极 DE2和存储线CST设置在设置有第η条栅极线GLn的第一绝缘基板101上。第m条数据线DLm和第m条子数据线DLm’沿基本垂直于第一方向的第二方向延 伸，以与第η条栅极线GLn交叉并具有设置在其间的绝缘层110。第一源极电极SEl和第二源极电极SE2分别从第m条数据线DLm和第m条子数据 线DLm’分出以与第η条栅极线GLn部分重叠。第一漏极电极DEl和第二漏极电极DE2分别 与第一源极电极SEl和第二源极电极SE2间隔开，以与第η条栅极线GLn部分重叠。透射像素电极TE和反射像素电极RE设置在第一源极电极SEl和第二源极电极 SE2以及第一漏极电极DEl和第二漏极电极DE2上，而保护层120设置在其间。透射像素电 极TE设置在透射区TA中，具有透明导电材料，并通过穿透保护层120形成的接触孔连接到 第一漏极电极DEl。反射像素电极RE设置在反射区RA中，具有非透明导电材料，并通过穿 透保护层120形成的接触孔连接到第二漏极电极DE2。反射像素电极RE可以具有设置在其表面上的凹凸部分以提高其反射系数。凹凸 部分可以与反射像素电极RE —体地形成和/或凹凸部分可以通过对设置在反射像素电极 RE下面的保护层120构图而形成。第二基板200包括第二绝缘基板201，透明有机层220、遮光层211、滤色器层210和公共电极CE设置在第二绝缘基板201上。至少一个划分图案形成在透射像素电极TE、反射像素电极RE和公共电极CE之一 中以将液晶层300划分为多个域。每个域可以具有相同的面积或不同的面积。划分图案形 成为具有狭缝形状(在下文，称为狭缝部分Sl和S2)以控制液晶层300的配向方向。在示 范性实施例中，狭缝部分Sl和S2形成在透射像素电极TE和公共电极CE中；然而，应注意， 备选的示范性实施例不限于此或与此相关的。例如，狭缝部分Sl和S2可以设置在反射像 素电极RE中。此外，划分图案可以具有浮凸形状和/或孔形状。因而，在示范性实施例中，第η条栅极线GLn的一部分、第一源极电极SEl和第一 漏极电极DEl形成第一薄膜晶体管Tl，第η条栅极线GLn的一部分、第二源极电极SE2和第 二漏极电极DE2形成第二薄膜晶体管Τ2。参照图14，当栅极信号施加到第η条栅极线GLn时，第一薄膜晶体管Tl和第二薄 膜晶体管Τ2响应栅极信号而开启，以分别输出第一数据信号和第二数据信号。因而，施加 到第m条数据线DLm的第一数据信号通过第一薄膜晶体管Tl施加到透射像素电极TE以对 透射像素电极TE充电，施加到第m条子数据线DLm’的第二数据信号通过第二薄膜晶体管 T2施加到反射像素电极RE以对反射像素电极RE充电。在该情形下，由于第m条数据线DLm 和第m条子数据线DLm’可以施加彼此不同的数据信号，所以具有不同电压电平的第一像素 电压和第二像素电压可以被分别施加到透射像素电极TE和反射像素电极RE。如上所述，由于不同的电压被施加到透射像素电极TE和反射像素电极RE，所以包 括于液晶层300中且与透射区TA和反射区RA相对应的液晶分子的配向角度被彼此不同地 控制。因此，经过透射像素电极TE的液晶层300的光的相位延迟值可以与经过反射像素电 极RE的液晶层300的光的相位延迟值基本相同。因此，在具有单一单元间隙的IXD中，透 射区TA的灰度级与反射区RA的灰度级匹配。此外，划分图案设置在透射像素电极TE和反 射像素电极RE中以形成域，从而显著改善IXD的侧可见度(side visibility)并极大地加 宽IXD的视角。图15是根据本发明的LCD的另一示范性实施例的平面图。在示范性实施例中，不 同的数据信号被施加到透射像素电极TE和反射像素电极RE以提供不同的电压到透射像素 电极TE和反射像素电极RE，从而提供具有单一单元间隙的透反型LCD。此外，在示范性实 施例中，透射像素电极TE可以被分为两个区域(其中施加不同的像素电压)，插设在第一基 板100与第二基板200之间的液晶层300被分为多个域。在下文中，将参照图1和图15更详细地描述仅与前述另外的示范性实施例不同的 元件。此外，在图15中相同的附图标记表示之前的附图中相同或相似的元件，因而将省略 对其的任何重复的详细描述。第一基板100包括形成有像素的第一绝缘基板101，每个像素都具有反射区
RA 和透射区 ΤΑ。n+p 条栅极线 GL”.......GLn, GLn+1、.......GL^^, GLn+p，m+q 条数
据线 DL1........DLm, DLm+1........DL^h、DLm+q 以及 m+q 条子数据线 DL/........
DLm，、DLm+1，........DL011+/、DLm+/设置在第一绝缘基板101上，其中m+q条子数据线
DL/........DLm'、DLm+1，........DL0^h，、DLm+/ 基本平行于 m+q 条数据线 DL1........
DLm、DLm+i、......、DL(m+q)—ι、 DLm+a并与该m+q条数据线DL1..... ·、DLm、DLm+i、......、DL(m+q)—ι、
DLm+q间隔开。每个像素包括n+p条栅极线GL1........GLn, GLn+1........GL—h、GLn+p中的一条栅极线GL，m+q条数据线DL1........DLm、DLm+1........DL^^.DL^中的一条数据
线DL以及m+q条子数据线DL/........DLm'、DLm+1，........DLim++/、DLm+/中的一条子
数据线DL’。在图15中，为了描述目的，示出包括第η条栅极线GLn、第m条数据线DLm以及 第m条子数据线DLm’的像素以及邻近该像素的下一个像素的第(n+1)条栅极线GLn+1，但是 备选的示范性实施例不限于此。在示范性实施例中，每个像素具有基本相同的结构和功能。第η条栅极线GLn在第一绝缘基板101上沿第一方向延伸。第m条数据线DLm、第 m条子数据线DLm’、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第一子源极电极SE1’、第一子漏 极电极DE1，、第二子源极电极SE1”、第二子漏极电极DE1”、第二源极电极SE2、第二漏极电 极DE2以及电荷划分电极⑶E设置在设置有第η条栅极线GLn的第一绝缘基板101上。存储线CST基本平行于第η条栅极线GLn与第(n+1)条栅极线GLn+1布置且位于第 η条栅极线GLn与第(n+1)条栅极线GLn+1之间，并与第η条栅极线GLn和第(n+1)条栅极线 GLn+1间隔开。存储线CST的一部分可以沿基本垂直于第一方向的第二方向从存储线CST分 出。存储线CST可以设置在透射区TA和反射区RA这两个区域中。 第一源极电极SEl和第一子源极电极SE1’从第m条数据线DLm分出以与第η条栅 极线GLn部分重叠。第二源极电极SE2从第m条子数据线DLm’分出以与第η条栅极线GLn 部分重叠。第一漏极电极DEl和第一子漏极电极DE1’分别与第一源极电极SEl和第一子源 极电极SE1’间隔开，以与第η条栅极线GLn部分重叠。第二漏极电极DE2与第二源极电极 SE2间隔开以与第η条栅极线GLn部分重叠。透射像素电极TE和反射像素电极RE设置在第一源极电极SEl、第一子源极电极 SEl'和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1、第一子漏极电极DE1，和第二漏极电极 DE2上，保护层120设置在其间。透射像素电极TE设在透射区TA中，包括透明导电材料， 透射像素电极TE还包括第一透射像素电极TEl和第二透射像素电极ΤΕ2，该第二透射像素 电极ΤΕ2与第一透射像素电极TEl间隔开并与第一透射像素电极TEl绝缘。第一透射像素 电极TEl通过穿透保护层120形成的接触孔连接到第一漏极电极DE1。第二透射像素电极 ΤΕ2通过形成在保护层120中的接触孔连接到第一子漏极电极DE1’。第二子源极电极SEl ”通过接触孔连接到第二透射像素电极ΤΕ2并与第n+1条栅 极线GLn+1部分重叠。第二子漏极电极DE1”与第二子源极电极SE1”间隔开以与第(n+1)条 栅极线GLn+1部分重叠。电荷划分电极⑶E连接到第二子漏极电极DEl ”并与第一透射像素电极TEl和存 储线CST部分重叠。电荷划分电极⑶E与存储线CST—起形成下电容器Cdown，绝缘层110 设置在电荷划分电极⑶E与存储线CST之间；电荷划分电极⑶E与第一透射像素电极TEl 一起形成上电容器Cup，绝缘层110设置在电荷划分电极⑶E与第一透射像素电极TEl之 间。第二基板200包括第二绝缘基板201，透明有机层220、遮光层211、滤色器层210 和公共电极CE设置在第二绝缘基板201上。至少一个划分图案形成在第一透射像素电极TE1、第二透射像素电极TE2、反射像 素电极RE和公共电极CE的至少之一中以将液晶层300划分为多个域。每个域可以被分 为相同的面积或不同的面积。划分图案形成在第一透射像素电极TE1、第二透射像素电极
22TE2、反射像素电极RE和公共电极CE的至少之一中，划分图案可以具有狭缝形状(在下文， 称为狭缝部分)、浮凸形状(在下文，称为浮凸部分)和/或孔形状(在下文，称为孔部分)。 在示范性实施例中，已经示出了狭缝部分形成在透射像素电极TE中的结构，该结构将被更 详细地描述；然而，应注意，备选的示范性实施例不限于此或相关的。例如，狭缝部分可以形 成在反射像素电极RE或公共电极中，划分图案可以被浮凸部分或孔部分替代。在示范性实施例中，第η条栅极线GLn的一部分、第一源极电极SEl和第一漏极电 极DEl形成第一薄膜晶体管Tl。第η条栅极线GLn的一部分、第一子源极电极SE1’和第一 子漏极电极DE1’形成第一子薄膜晶体管Tl’。第(η+1)条栅极线GLn+1的一部分、第二子源 极电极SE1”和第二子漏极电极DE1”形成第二子薄膜晶体管Tl”。第η条栅极线GLn的一 部分、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2形成第二薄膜晶体管Τ2。参照图15，当栅极信号施加到第η条栅极线GLn时，第一薄膜晶体管Tl和第二薄 膜晶体管Τ2响应栅极信号开启以分别输出第一数据信号和第二数据信号。然后，施加到第 m条数据线DLm的第一数据信号通过第一薄膜晶体管Tl被提供到透射像素电极TE并充入 透射像素电极TE，施加到第m条子数据线DLm’的第二数据信号通过第二薄膜晶体管T2被 提供到反射像素电极RE并充入反射像素电极RE。由于第m条数据线DLm和第m条子数据 线DLm’可以传输不同的数据信号，所以具有不同电压电平的第一像素电压和第二像素电压 可以被分别施加到透射像素电极TE和反射像素电极RE。当施加栅极信号时，第一薄膜晶体管Tl和第一子薄膜晶体管Tl’响应栅极信号开 启，以分别输出第一数据信号和第一子数据信号。因此，第一数据信号和第一子数据信号被 分别施加到第一透射像素电极TEl和第二透射像素电极TE2，之后被分别充入第一透射像 素电极TEl和第二透射像素电极TE2中。施加到第一透射像素电极TEl和第二透射像素电 极TE2的信号基本相同，因而，分别对应于第一透射像素电极TEl和第二透射像素电极TE2 的第一液晶电容器和第二液晶电容器被充上具有相同电压电平的第一透射像素电压和第 二透射像素电压。第二子薄膜晶体管Tl”响应施加到第(η+1)条栅极线GLn+1的栅极信号开启以在 栅极信号施加到第η条栅极线GLn之后输出电压控制信号。因而，第二透射像素电极ΤΕ2通 过第二子薄膜晶体管Tl”电连接到电荷划分电极CDE。然后，充入第一液晶电容器中的第一 透射像素电压的电压电平和充入第二液晶电容器中的第二透射像素电压的电压电平可以 通过上电容器Cup和下电容器Cdown控制。更具体地，第一透射像素电压的电压电平通过 上电容器Cup增大，第二透射像素电压的电压电平通过下电容器Cdown减小。第一透射像素电压的增大和第二透射像素电压的减小取决于上电容器Cup和下 电容器Cdown的电容。因此，不同的电压可以通过形成电压控制器而被施加到第一透射像 素电极TEl和第二透射像素电极ΤΕ2。如这里所述，单一单元间隙的IXD通过将透射像素电极TE分别划分为第一透射像 素电极TEl和第二透射像素电极ΤΕ2以及将不同的像素电压施加到第一透射像素电极TEl 和第二透射像素电极ΤΕ2来实现。此外，液晶分子可以以彼此不同的角度配向，从而显著改 善侧可见度并提供宽的视角。因而，由于不同的像素电压施加到透射像素电极TE和反射像素电极RE，所以包括 在与透射区TA和反射区RA相对应的液晶层300中的液晶分子被控制为具有彼此不同的配
23向角度。因此，穿过对应于透射像素电极TE的液晶层300的光的相位延迟值与穿过对应于 反射像素电极RE的液晶层300的光的相位延迟值基本相同，从而在具有单一单元间隙的 LCD中透射区TA的灰度级与反射区RA的灰度级匹配。在一个或多个示范性实施例中，可以 使用下一像素的下一条栅极线而不形成相应像素的子栅极线。本发明不应被解释为限于这里所述的示范性实施例。而是，提供这些示范性实施 例使得本公开透彻和完整，将将本发明构思充分传达给本领域技术人员。尽管已经参照本发明的示范性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域技术 人员应当理解，这里可以在形式和细节上做出各种变化而不脱离本发明的由权利要求书限 定的精神或范围。本申请要求于2009年6月30日提交的韩国专利申请No. 2009-59233以及于2010 年3月30日提交的韩国专利申请No. 2010-28236的优先权，其全部内容通过引用结合于 此。
权利要求
一种液晶显示器，包括第一基板，包括多个像素，每个像素包括透射区和反射区；第二基板，与所述第一基板相对设置；以及液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中每个像素包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，两者均响应第一栅极信号输出数据信号；透射像素电极，设置在所述透射区中并电连接到所述第一薄膜晶体管以基于所述数据信号充上第一像素电压；反射像素电极，设置在所述反射区中并电连接到所述第二薄膜晶体管以基于所述数据信号充上第二像素电压；电压控制器，响应第二栅极信号控制所述第一像素电压和所述第二像素电压，其中所述第二栅极信号在所述第一栅极信号之后产生。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述透射区的单元间隙大于或等于所述反 射区的单元间隙。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括 第一栅极线，接收所述第一栅极信号；第二栅极线，接收所述第二栅极信号；以及 数据线，接收所述数据信号。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述电压控制器包括第三薄膜晶体管，包括连接到所述第二薄膜晶体管的漏极电极的源极电极，并响应所 述第二栅极信号输出电压控制信号；电荷划分电极，连接到所述第三薄膜晶体管的漏极电极并充上所述电压控制信号；以及存储线，与所述电荷划分电极的至少一部分重叠以形成控制所述第一像素电压和所述 第二像素电压的第一电容器。
5.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中 所述第一栅极线连接到所述像素中的第一像素，所述第二栅极线连接到所述像素中邻近所述第一像素的第二像素，以及 所述电压控制器通过所述第二栅极线接收所述第二栅极信号。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述电压控制器包括第三薄膜晶体管，包括连接到所述反射像素电极的源极电极，并响应所述第二栅极信 号输出电压控制信号；电荷划分电极，连接到所述第三薄膜晶体管的漏极电极并充上所述电压控制信号；以及存储线，与所述电荷划分电极的至少一部分重叠以形成控制所述第一像素电压和所述 第二像素电压的第一电容器。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述第二基板包括 滤色器层；以及透明有机层，设置在所述滤色器层的第一区域中，使得所述第一区域的厚度小于所述滤色器层的第二区域的厚度，该第二区域不同于所述第一区域。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中 所述第二基板包括滤色器层，以及所述滤色器层包括穿透所述像素中的相应像素的与所述反射区相对应的区域而形成 的至少一个穿透孔。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其中形成有所述穿透孔的区域的单元间隙大于 所述滤色器层的另外的区域的单元间隙。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述第二基板包括公共电极，所述公共电 极与所述透射像素电极和所述反射像素电极形成电场；以及其中至少一个划分图案设置在所述透射像素电极、所述反射像素电极和所述公共电极 的至少之一上，所述至少一个划分图案将所述液晶层划分为多个域。
11.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括形成包括多个像素的第一基板，每个像素包括透射区和反射区； 形成与所述第一基板相对的第二基板；以及在所述第一基板与所述第二基板之间形成液晶层，其中形成所述第一基板包括 在设置于所述第一基板上的第一绝缘基板上形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和 第三薄膜晶体管；在所述透射区中形成连接到所述第一薄膜晶体管的透射像素电极； 在所述反射区中形成连接到所述第二薄膜晶体管的反射像素电极；以及 形成与所述透射像素电极的至少一部分重叠的电压控制器。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述透射区的单元间隙大于或等于所述反射区 的单元间隙。
13.根据权利要求11所述的方法，其中制备所述第二基板包括在第二绝缘基板上形成公共电极，该公共电极构造为与所述透射像素电极和所述反射 像素电极形成电场；以及在所述公共电极中形成至少一个划分图案，其中形成所述第一基板还包括在所述透射像素电极和所述反射像素电极的至少之一 中形成至少一个划分图案。
14.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和 所述第三薄膜晶体管包括在所述第一基板上形成第一栅极线和第二栅极线；在所述第一基板上形成数据线，该数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线交叉； 将栅极绝缘层插设在所述数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线二者之间；以及 将所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别连接到所述第一栅极线和所述数 据线；以及将所述第三薄膜晶体管连接到所述透射像素电极和所述第二栅极线。
15.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第二基板包括在第二绝缘基板上形成公共电极，该公共电极构造为与所述透射像素电极和所述反射 像素电极形成电场；以及在所述公共电极中形成至少一个划分图案，其中形成所述第一基板还包括在所述透射像素电极和所述反射像素电极的至少之一 中形成至少一个划分图案。
全文摘要
本发明提供一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器包括第一基板，包括多个像素，每个像素具有透射区和反射区；第二基板；以及液晶层，插设在第一基板与第二基板之间。每个像素包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，响应第一栅极信号输出数据信号；透射像素电极，设置在透射区中并电连接到第一薄膜晶体管以基于数据信号充上第一像素电压；反射像素电极，设置在反射区中并电连接到第二薄膜晶体管以基于数据信号充上第二像素电压；以及电压控制器，响应在第一栅极信号之后产生的第二栅极信号控制第一像素电压和第二像素电压。
文档编号G02F1/133GK101937156SQ20101022220
公开日2011年1月5日 申请日期2010年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者严允成, 吴根灿, 廉周锡, 朴明在, 李熙焕, 柳在镇, 柳圭完, 郑然鹤 申请人:三星电子株式会社