专利名称：液晶性涂布液的制造方法以及光学各向异性薄膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及成为光学各向异性薄膜的形成材料的液晶性涂布液的制造方法。
技术背景
包含溶致液晶性化合物的液晶性涂布液可用于例如光学各向异性薄膜的制造。以下，有时将“液晶性涂布液”仅记作“涂布液”。
具体而言，溶致液晶性化合物在涂布液中形成超分子缔合体，通过该缔合体，涂布液显示出液晶相。一边对该涂布液施加剪切力一边将其流延在基材上而形成涂膜时，该涂膜中的超分子缔合体的长轴沿流延方向取向。像这样将涂布液流延而形成涂膜的方法通常称为“溶液流延法”。此后，通过干燥前述涂膜，可得到由前述取向了的溶致液晶性化合物构成的薄膜。该薄膜能够作为光学各向异性薄膜利用。
在上述光学各向异性薄膜的制造中，优选使用显示出稳定的液晶相的涂布液。
专利文献1中公开了在液体中溶致液晶性化合物不溶解、其形成晶体，由此阻碍了液晶相的显现的内容。为了使该溶致液晶性化合物不形成晶体，在专利文献1中公开了包括以下工序的液晶涂布液的制造方法准备包含溶剂和溶致液晶性化合物的晶体的前处理液的工序；和将前处理液加热处理至前述晶体的熔点以上而得到各向同性溶液的工序； 和将各向同性溶液冷却处理至显现出液晶相的温度以下的工序。
根据上述专利文献1中公开的方法，能够得到显示出稳定的液晶相的涂布液，因此，通过利用溶液流延法进行制膜，能够制造出光学各向异性薄膜。
然而，即使在溶致液晶性化合物不形成晶体的情况下，涂布液中有时也会包含微晶。由包含前述微晶的涂布液形成的光学各向异性薄膜存在光散射大且透明性低的问题。
现有技术文献
专利文献1 日本特开2009-139806号公报发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，提供实质上不包含微晶的液晶性涂布液的制造方法。
用于解决问题的方案
对于在涂布液中包含微晶的原因，本发明人等进行了深入的研究。
涂布液是通过使溶致液晶性化合物在溶剂中分散等而得到的。然而，使用100%纯度的溶致液晶性化合物实际上是困难的。因此，所使用的溶致液晶性化合物中含若干的杂质。本发明人等查明该杂质就是微晶的成因物质，从而完成了本发明。
本发明的液晶性涂布液的制造方法包括以下工序加热工序，将包含含杂质的溶致液晶性化合物与溶剂的处理液加热；和析出工序，将前述加热工序后的处理液冷却至不足40°C的温度使析出物析出；和除去工序，将前述析出物从处理液中除去。
上述液晶性涂布液的制造方法使溶致液晶性化合物所含的杂质的大部分以析出物的形式析出，将其从处理液中除去。因此，能够抑制在所得到的液晶性涂布液中包含起因于杂质的微晶。
关于本发明的优选的涂布液的制造方法，前述杂质在前述溶剂在中是难溶的，前述溶致液晶性化合物在前述溶剂在中是可溶的。
关于本发明的其他优选的涂布液的制造方法，前述析出工序中析出物以前述杂质的微晶作为核而析出。
关于本发明的其他优选的涂布液的制造方法，前述溶剂为水性溶剂，前述溶致液晶性化合物为下述式(1)所示的芳香族双偶氮系化合物。
[化学式1]
权利要求
1.一种液晶性涂布液的制造方法，其包括以下工序加热工序，将包含含杂质的溶致液晶性化合物与溶剂的处理液加热；和析出工序，将所述加热工序后的处理液冷却至不足40°c的温度使析出物析出；和除去工序，将所述析出物从处理液中除去。
2.根据权利要求1所述的液晶性涂布液的制造方法，其中，所述杂质在所述溶剂中是难溶的，所述溶致液晶性化合物在所述溶剂中是可溶的。
3.根据权利要求1或2所述的液晶性涂布液的制造方法，其中，在所述析出工序中，析出物以所述杂质的微晶作为核而析出。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的涂布液的制造方法，其中，所述溶剂为水性溶剂，所述溶致液晶性化合物为下述式(1)所示的芳香族双偶氮系化合物，Q1表示取代或无取代的芳基；Q2表示取代或无取代的亚芳基；R1独立地表示氢原子、取代或无取代的烷基、取代或无取代的乙酰基、取代或无取代的苯甲酰基、取代或无取代的苯基；M表示抗衡离子；m表示0 2的整数；η表示0 6的整数；m和η中至少有一个不为 0且1彡m+n彡6。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的液晶性涂布液的制造方法，其中，所述除去工序包括使用孔径ι μ m以下的过滤器过滤所述处理液的工序。
6.根据权利要求1 4中的任一项所述的液晶性涂布液的制造方法，其中，所述除去工序包括对所述处理液进行离心分离的工序。
7.一种光学各向异性薄膜，其为将通过权利要求1 6中的任一项所述的制造方法得到的液晶性涂布液涂覆在展开面而形成涂膜，通过使该涂膜固化而得到的。
全文摘要
本发明提供一种实质上不包含微晶的液晶性涂布液的制造方法。本发明的液晶性涂布液的制造方法具有以下工序加热工序，将包含含杂质的溶致液晶性化合物与溶剂的处理液加热；和析出工序，将所述加热工序后的处理液冷却至不足40℃的温度使析出物析出；和除去工序，将所述析出物从处理液中除去。
文档编号G02F1/13363GK102523755SQ201180003771
公开日2012年6月27日 申请日期2011年5月19日 优先权日2010年9月3日
发明者松田祥一, 梅本彻, 龟山忠幸 申请人:日东电工株式会社