液晶显示设备的制作方法

专利名称：液晶显示设备的制作方法
技术领域：
于此描述的实施例总体涉及液晶显示设备。
背景技术：
近些年，平板显示器蓬勃发展，并且特别是由于诸如重量轻、形状薄并且功耗低的优点，液晶显示设备得到了许多关注。特别是，在每个像素中配备有开关元件的有源矩阵型液晶显示设备中，使用诸如IPS(面内开关)模式和FFS(边缘场开关)模式的横电场的结构引起了关注。使用横电场模式的液晶显示设备配备有分别形成在阵列基底中的像素电极和公共电极。液晶分子由与阵列基底的主表面基本平行的横电场切換。另ー方面，也提出了另ー技术，其中，使用横电场或形成在阵列基底中的像素电极与形成在对基底中的公共电极之间的倾斜电场来切换液晶分子。附图解释并入并构成说明书一部分的附图与上面给出的总体描述以及下面给出的实施例的详细描述一起示例了本发明的实施例，用于解释本发明的原理。图I是示意性地示出根据ー个实施例的液晶显示设备的结构的图；图2是示意性地示出图I中所示的液晶显示面板的结构和等效电路的图；图3是示意性地示出包括开关元件等的液晶显示面板的横截面视图；图4是示意性地示出根据第一实施例的对基底中的一个像素的结构的平面视图；图5是示意性地示出根据第一实施例的从对基底侧观看液晶显示面板中的像素时，该像素的阵列基底的结构；图6是示出液晶显示面板的像素的操作的平面视图；图7是示意性地示出沿图6中的线A-A取得的液晶面板的横截面结构和开通时液晶分子的配向状态的视图；图8是示意性地示出沿图6中的线B-B取得的液晶面板的横截面结构和开通时液晶分子的配向状态的视图；图9是示意性地示出根据第二实施例的从对基底侧观看时像素的阵列基底的结构的平面视图；

图10是示意性地示出根据第三实施例的从对基底侧观看时像素的阵列基底的结构的平面视图。
具体实施例方式现在将參照附图描述根据本发明的范例实施例的液晶显示设备，其中，遍及数个视图，相同或类似的參考数字标明相同或对应部分。根据ー个实施例,液晶显示设备包括ー种液晶显示设备,包括第一基底，包括第一栅极线和第二栅极线，分别沿第一方向延伸；主像素电极，布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，并且沿与所述第一方向正交交叉的第二方向延伸；以及ー对子公共电极，隔着绝缘层分别与所述第一栅极线和所述第二栅极线面对，并且沿所述第一方向延伸；第二基底，包括与所述子公共电极电连接并布置在夹置所述主像素电极的两侧上的主公共电极；以及液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。根据另ー实施例，具有多个像素的液晶显示设备包括第一基底，包括第一栅极线和第二栅极线，分别沿第一方向延伸；辅助电容线，布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间并且沿所述第一方向延伸；第一绝缘层，覆盖所述第一栅极线、所述第二栅极线、和所述辅助电容线；第一源极线和第二源极线，在所述第一绝缘层上沿与所述第一方向正交交叉的第二方向延伸；第二绝缘层，覆盖所述第一源极线和所述第二源极线；主像素电极，布置在所述第二绝缘层上并且沿所述第二方向延伸，所述主像素电极布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，并且在所述第一源极线与所述第二源极线之间；ー对子公共电极，隔着所述第二绝缘层分别与所述第一栅极线和所述第二栅极线面对，并且沿所述第一方向延伸；以及第一主公共电极，隔着所述第二绝缘层与所述第一源极线和所述第二源极线面对，并且沿所述第二方向延伸，所述第一主公共电极在所述辅助电容线上被切断并且与所述子公共电极电连接；第二基底，包括与所述子公共电极和所述第一主公共电极电连接并布置在夹置所述主像素电极的两侧上的ー对第二主公共电极，所述第二主公共电极沿所述第二方向延伸；以及液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。根据另ー实施例，具有多个像素的液晶显示设备包括第一基底，包括第一辅助电容线和第二辅助电容线，分别沿第一方向延伸；栅极线，布置在分别沿所述第一方向延伸的所述第一辅助电容线与所述第二辅助电容线之间；主像素电极，沿与所述第一基底正交相交的第二方向延伸；子像素电极，隔着绝缘层与所述栅极线面对并且沿所述第一方向延伸，所述子像素电极与所述主像素电极电连接；第二基底，包括布置在夹置所述主像素电极的两侧上并且沿所述第二方向延伸的ー对主公共电极；以及液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。图I是示意性地示出根据第一实施例的液晶显示设备I的结构的图。液晶显示设备I包括有源矩阵型液晶显示面板LPN、连接至液晶显示面板LPN的驱动器IC芯片2、柔性布线基底3、用于照明液晶显示面板LPN的背光灯4等。液晶显示面板LPN配备有作为第一基底的阵列基底AR、作为布置为与阵列基底AR相対的第二基底的对基底CT、以及容纳在阵列基底AR与对基底CT之间的液晶层(未示出)。液晶显示面板LPN包括显示图像的有源区ACT。有源区ACT由以(mXn)矩阵的形状布置的多个像素PX构成(这里，“m”和“n”为正整数)。在示例的范例中，背光灯4布置在阵列基底AR的背侧。各种类型的背光灯能够用作背光灯4。例如，发光二极管(LED)或冷阴极荧光灯(CCFL)等能够用作背光灯4的光源，并且省略关于其详细结构的解释。图2是示意性地示出图I中所示的液晶显示面板LPN的结构和等效电路的图。液晶显示面板LPN在有源区ACT中配备有“n”条栅极线G(Gl-Gn)、“n”条辅助电容线C(Cl-Cn)、“m”条源极线S (Sl-Sm)等。栅极线G和辅助电容线C分别轮流沿第一方向X延伸。此外，栅极线G和辅助电容线C沿与第一方向X垂直相交的第二方向Y彼此平行地布置。然而，它们不必直线延伸。源极线S沿与平行的栅极线G和辅助电容线C相交的第二方向Y延伸。虽然源极线S分别沿第二方向Y延伸，但是它们不必直线延伸。分别的栅极线G、辅助电容线C和源极线S的部分可以部分地弯曲。每个栅极线G伸出有源区ACT外部，并且连接至栅极驱动器⑶。每个源极线S伸出有源区ACT外部，并且连接至源极驱动器SD。栅极驱动器⑶和源极驱动器SD的至少部分形成在例如阵列基底AR中，并且栅极驱动器GD和源极驱动器SD与设置在阵列基底AR中并具有实施的控制器的驱动器IC芯片2连接。每个像素PX包括开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE等。在例如辅助电容线C与像素电极PE之间形成保持电容Cs。另外，在根据此实施例的液晶显示面板LPN中，虽然像素电极PE形成在阵列基底AR中，但是公共电极CE形成在阵列基底AR和对基底CT中。主要使用形成在像素电极PE与公共电极CE之间的电场来切换液晶层LQ的液晶分子。形成在像素电极PE与公共电极CE之间的电场是与阵列基底AR的主表面(principal surface)或对基底CT的主表面基本平行的横电场或，相对于基底的主表面稍微倾斜的倾斜电场。开关元件SW由例如n沟道型薄膜晶体管(TFT)构成。开关元件SW与栅极线G和源极线S电连接。(mXn)开关元件SW形成在有源区ACT中。像素电极PE与开关元件SW电连接。(mXn)像素电极PE形成在有源区ACT中。公共电极CE设定为例如公共电位。公共电极CE布置为隔着液晶层LQ共用于多个像素电极 PE。辅助电容线C与电压施加部分VCS电连接，辅助电容电压施加至该电压施加部分VCS。阵列基底AR包括形成在有源区ACT外部的电源(electric power supply)部分VS。形成在阵列基底AR上的公共电极CE的部分与电源部分VS在有源区ACT的外部连接。此外，形成在对基底CT上的公共电极CE的部分通过未示例的导电部件与形成在阵列基底AR中的电源部分VS电连接。图3是示意性地示出包含开关元件SW的液晶显示面板LPN的横截面视图。这里省略了公共电极的示例，并且仅示例解释需要的部分。背光灯4布置在构成液晶显示面板LPN的阵列基底AR的背侧。使用诸如玻璃基底和塑料基底的具有透光特性的绝缘基底10来形成阵列基底AR。在第一绝缘基底10的面对对基底CT的侧上，此阵列基底AR包括开关元件SW、第一配向膜AL1、像素电极PE等。在这里示出的范例中，开关元件SW可以是顶栅型开关元件或底栅型开关元件，并包括由多晶硅或非晶硅形成的半导体层，然而未对其进行详细描述。半导体层SC在横跨沟道区域SCC面对的两侧上分別具有源极区域SCS和漏极区 域SCD。另外，为绝缘膜的内涂层可以布置在第一绝缘基底10与半导体层SC之间。半导体层SC覆盖有栅极绝缘膜11。此外，栅极绝缘膜11也布置在第一绝缘基底10上。栅极电极WG形成在栅极绝缘膜11上，并且位于半导体层SC的沟道区域SCC上。栅极线G和辅助电容线C也形成在栅极绝缘膜11上。可以使用相同材料和相同エ艺来形成栅极电极WG、栅极线G和辅助电容线C。栅极电极WG与栅极线G电连接。栅极线G、辅助电容线C和开关元件SW的栅极电极WG覆盖有第一隔层绝缘膜12。此外，第一隔层绝缘膜12也布置在栅极绝缘膜11上。栅极绝缘层11和第一隔层绝缘膜12由诸如氧化硅和氮化硅的无机体系材料形成。开关元件SW的源极电极WS和漏极电极WD形成在第一隔层绝缘膜12上。源极线(未示出)也形成在第一隔层绝缘膜12上。可以使用相同エ艺和相同材料来形成源极电极WS、漏极电极WD和源极线。源极电极WS与源极线电连接。源极电极WS通过穿透栅极绝缘膜11和第一隔层绝缘膜12的接触孔与半导体层SC的源极区域SCS接触。漏极电极WD通过穿透栅极绝缘膜11和第一隔层绝缘膜12的接触孔与半导体层SC的漏极区域SCD接触。栅极电极WG、源极电极WS、和漏极电极WD由诸如例如钥、铝、钨和钛的导电材料形成。如上所述的开关元件SW覆盖有第二隔层绝缘膜13。即，源极电极WS、漏极电极WD、和源极线覆盖有第二隔层绝缘膜13。此外，第二隔层绝缘膜13也布置在第一隔层绝缘膜12上。此第二隔层绝缘膜13由诸如例如紫外固化型树脂和热固化型树脂的各种有机材料形成。像素电极PE形成于第二隔层绝缘膜13上。像素电极PE通过穿透第二隔层绝缘膜13的接触孔与漏极电极WD连接。虽然像素电极PE由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透光导电材料形成，但是也可以使用诸如铝的其它材料。另外，阵列基底AR还配备有作为下面将提到的公共电极的部分的子公共电极。此夕卜，可以配备主公共电极。第一配向膜ALl布置在阵列基底AR的面对对基底CT的表面上，并近似在有源区ACT的整个区域上延伸。第一配向膜ALl覆盖像素电极PE，并且也形成在第二隔层绝缘膜13上。第一配向膜ALl由显示横向配向特性的材料形成。另ー方面，使用诸如玻璃基底和塑料基底的第二透射绝缘基底20来形成对基底CT。对基底CT包括在第二绝缘基底20的面对阵列基底AR的表面上的第二配向膜AL2和公共电极的第二主公共电极。黑矩阵可以形成在对基底CT上，黑矩阵布置为面对诸如源极线S、栅极线G、辅助电容线C和开关元件SW的布线部分以限定分别的像素PX、对应于像素PX布置的滤色层、以及平滑黑矩阵和滤色层的表面的凹坑和凹陷的外涂层。公共电极由诸如例如ITO和IZO的具有透光特性的导电材料形成。第二配向膜AL2布置在对基底CT的与阵列基底AR的表面相対的表面上，并且近似在整个有源区ACT上延伸。第二配向膜AL2覆盖公共电极的第二主公共电极(未示出)等。第二配向膜AL2由具有横向配向特性的材料形成。执行配向处理(例如，摩擦处理和光配向处理)，以使第一和第二配向膜ALl和AL2处于初始配向状态。其中第一配向ALl实现液晶分子的初始配向的第一配向处理的方向和其中第二配向AL2实现液晶分子的初始配向的第二配向处理的方向分别是平行于第二方向Y的方向。第一和第二配向方向平行并且沿彼此相同或相反的方向。 阵列基底AR和如上所述的对基底CT布置为使得第一配向膜ALl和第二配向膜AL2面对彼此。在此情况下，柱形间隔物通过阵列基底AR上的第一配向膜ALl和对基底CT上的第二配向膜AL2之间的树脂材料与基底之一形成整体。由此，例如形成例如3-7iim单元间隙的预定间隙。阵列基底AR和对基底CT通过未示例的密封材料粘贴到一起，其中形成预定单元间隙。液晶层LQ容纳在形成于阵列基底AR与对基底CT之间的单元间隙处，并且布置在第一配向膜ALl与第二配向膜AL2之间。液晶层LQ包含未示例的液晶分子。液晶层LQ由正型液晶材料构成。第一光学元件ODl通过粘合剂等联接至阵列基底AR的外表面，即构成阵列基底AR的第一绝缘基底10的外表面。第一光学元件ODl包含具有第一偏振轴的第一偏振板PLl。此外，第二光学元件0D2通过粘合剂等联接至对基底CT的外表面，即构成对基底CT的第二绝缘基底20的外表面。第二光学兀件0D2包含具有第二偏振轴的第二偏振板PL2。第一偏振板PLl的第一偏振轴和第二偏振板PL2的第二偏振轴具有例如两个轴垂直相交的关系。布置一个偏振板，例如，使得其偏振方向为液晶分子的长轴的方向，即第一配向处理方向或与第二配向处理方向平行的方向(或平行于第二方向Y)，或正交方向(或平行于第一方向X)。由此，获得了常黑模式。以下，更实质地解释实施例的结构的ー个范例。[第一实施例]图4是示意性地示出根据第一实施例的构成液晶显示面板LPN的对基底中的ー个像素的结构的平面视图。公共电极CE具有沿第一方向X延伸的子公共电极和沿第二方向Y延伸的主公共电极。在此实施例中，对基底CT配备有作为公共电极CE的第二主公共电极CA2和后面作为子公共电极提到的阵列基底上的子公共电极CB1。即，示例的基底CT配备有沿第二方向Y直线延伸的带状第二主公共电极CA2。在示例的范例中，公共电极CE以沿第二方向Y延伸的条纹的形状形成在对基底CT中。此外，示例的第二主公共电极CA2位于沿第一方向X平行的两条线2中。以下，为了区别第二主公共电极CA2，图中的左手侧的第二主公共电极CA2称作CAL2，并且图中的右手侧的第二主公共电极CAL2称作CAR2。另外，对基底CT可以配备有子公共电极。有源区中的公共电极CE的第二主公共电极CA2伸出有源区外部，并且分别通过导电元件与形成在阵列基底AR上的电源部分电连接。由此，公共电位的电功率供应至第二主公共电极CA2。图5是示意性地示出从对基底CT侧观看根据第一实施例的液晶面板LPN的ー个像素PX时，阵列基底AR的结构的平面视图。另外，仅示例ー个PX中的解释所需的结构，并且省略开关元件等的示例。阵列基底AR包括沿第一方向X延伸的栅极线Gl和G2、沿第一方向X延伸的辅助电容线Cl、沿第二方向Y延伸的源极线SI和源极线S2、像素电极PE、以及沿第一方向X直线延伸的作为公共电极CE的部分的帯状子公共电极CB1。辅助电容线Cl、栅极线G1、和栅极线G2形成在栅极绝缘膜11上，并且覆盖有第一隔层绝缘膜12。源极线SI和源极线S2形成在第一隔层绝缘膜12上，并且覆盖有第二隔层绝缘膜13。像素电极PE形成在第二隔 层绝缘膜13上。子公共电极CBl形成在第二隔层绝缘膜13上，例如如像素电极PE那样。在示例的范例中，像素电极PX对应于图中的虚线中示出的区域，并且具有矩形形状，其中矩形沿第二方向Y的长度大于沿第一方向X的长度。此外，在示例的范例中，源极线SI布置在像素PX中的左手侧末端。精确地，源极线SI布置为越过在示例的像素与在示例的像素PX的左手侧末端毗邻示例的像素PX的像素之间的边界。源极线S2布置在右手侧末端。精确地，源极线S2也布置为越过示例的像素与在示例的像素PX的右手侧末端毗邻示例的像素PX的像素之间的边界。辅助电容线Cl布置为近似在像素PX的中心部分中。另外，栅极线Gl布置为越过示例的像素PX与上侧的相邻像素PX之间的边界。类似地，栅极线G2布置为越过示例的像素PX与底侧的相邻像素之间的边界。在公共电极CE中，当子公共电极CBl形成在具有像素电极PE的第二隔层绝缘膜13上时，能够使用与像素电极PE相同的エ艺和相同的材料(例如ITO等)来形成子公共电极CB1。在此情况下，子公共电极CBl与像素电极PE电绝缘并且与像素电极PE分开。通过在子公共电极CBl与像素电极PE之间插入其它隔层绝缘层，子公共电极CBl和像素电极PE可以形成在彼此不同的层中。在此情况下，子公共电极CBl可以由与像素电极PE不同的材料或与像素电极PE相同的材料形成。子公共电极CBl在每个有源区中直线延伸并且伸出有源区外部，并且还分别与形成在阵列基底AR上的电供应部分电连接。由此，公共电位的电功率供应至子公共电极CBl。即，子公共电极CBl和第二主公共电极CA2彼此电连接。在示例的范例中，子公共电极CBl对彼此平行地沿第一方向X布置。以下，为了区别子公共电极CBl，上侧的子公共电极CBl称作子公共电极CBUl，且下侧的子公共电极CBl称作子公共电极CBB1。子公共电极CBUl布置在面对栅极线Gl的上側。即，子公共电极CBUl布置为越过示例的像素和上侧的毗邻像素之间的边界。子公共电极CBBl布置在面对栅极线G2的下側。即，子公共电极CBBl布置为越过示例的像素与下侧的毗邻像素之间的边界。第一隔层绝缘膜12和第二隔层绝缘膜13分别插入在子公共电极CBUl与栅极线Gl之间，以及子公共电极CBBl与栅极线G2之间。在分别的子公共电极CBUl和CBBl覆盖有源区中的栅极线Gl和栅极线G2的情况下，即子公共电极CBUl布置在栅极线Gl上且子公共电极CBBl布置在栅极线G2上，沿第二方向Y的分别的子公共电极CBUl和CBU2的宽度基本等于或大于栅极线Gl和栅极线G2的览度。此外，在示例的范例中，如虚线中所示，形成在对基底CT中并构成公共电极CE的第二主公共电极CAL2布置在像素PX的左手侧末端，并且面对源极线SI。即，第二主公共电极CAL2布置为越过示例的像素与示例的像素的左手侧的毗邻像素之间的边界。类似地，第ニ主公共电极CAR2布置在像素PX的左手侧末端，并且面对源极线S2。即，第二主公共电极CAR2布置为越过示例的像素与示例的像素的右手侧的毗邻像素之间的边界。像素电极PE布置在源极线SI与源极线S2之间。另外，像素电极PE布置在栅极线Gl与栅极线G2之间，即在子公共电极CBUl与子公共电极CBBl之间。像素电极PE与未示例的开关元件电连接。像素电极PE具有沿第二方向Y直线延伸的帯状主像素电极PA，和沿第一方向X直线延伸的带状电容部分PC。主像素电极PA和电容部分PC电连接。在示例的范例中，主像素电极PA和电容部分PC整体或连续地形成。即，在阵列基底AR中，像素电 极PE以近似十字的形状形成。主像素电极PA布置在像素PX的内部位置中，而不是正好在毗邻源极线SI和源极线S2上的位置，并且布置在源极线SI与源极线S2之间。更具体地，主像素电极PA布置在源极线SI与源极线S2之间的近似中心位置。主像素电极PA从上端附近至像素PX的底端附近延伸。在示例的范例中，电容部分PC布置在辅助电容线Cl上。在电容部分PC与辅助电容线Cl之间，第一隔层绝缘膜12和第二隔层绝缘膜13作为绝缘膜插入。即，电容部分PC布置在像素PX的内部位置，而不是正好在毗邻栅极线Gl和栅极线G2上的位置，并且布置在栅极线Gl与栅极线G2之间，或在子公共电极CBUl与子公共电极CBBl之间。更具体地，电容部分PC近似布置在栅极线Gl与栅极线G2之间的像素的中心。电容部分PC与主像素电极PA相交，并且从主像素电极PA朝向其两侧直线延伸，即分别朝向主像素电极PA的左手侧的源极线SI和右手侧源极线S2延伸。根据此实施例，第二主公共电极CAL2布置在夹置主像素电极PA的两侧处。换句话说，主像素电极PA和第二主公共电极CAL2依次沿第一方向X布置。主像素电极PA和第ニ主公共电极CA2彼此近似平行地布置。在此情况下，在X-Y平面中，第二主公共电极CA2中的任何电极都不与主像素电极PA交叠。S卩，一个主像素电极PA位于毗邻的第二主公共电极CAL2与毗邻的第二主公共电极CAR2之间。第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2布置在跨主像素电极PA以上的位置面对的两侧处。S卩，主像素电极PA布置在第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2之间。因此，第二主公共电极CAL2、主像素电极PA、以及第二主公共电极CAR2按此顺序沿第一方向X布置。沿第一方向X，第二主公共电极CAL2与主像素电极PA之间的距离和第二主公共电极CAR2与主像素电极PA之间距离近似相同。子公共电极CBl布置在夹置电容部分PC的两侧上。S卩，子公共电极CBl和电容部分PC沿第二方向Y交替布置。子公共电极CBl和电容部分PC彼此近似平行地布置。在此情况下，在X-Y平面中，子公共电极CBl中的任何电极都不交叠电容部分。S卩，一个电容部分PC位于子公共电极CBUl与子公共电极CBBl之间。子公共电极CBUl和子公共电极CBBl布置在夹置电容部分PC的两侧上，即电容部分PC布置在子公共电极CBUl与子公共电极CBBl之间。子公共电极CBUl、电容部分PC、以及子公共电极CBBl按
此顺序沿第二方向Y布置。图6是示出液晶显示面板的操作的一个像素的平面视图。在无电场状态时，即当在像素电极PE与对电极CE之间未形成电位差(即电场)时，液晶层LQ的液晶分子配向为使得它们的长轴在与第一配向膜ALl的第一配向处理方向和第二配向膜AL2的第二配向处理方向平行的方向上配向。在此状态下，在关断时，配向状态对应于初始配向状态，并且液晶分子的配向方向对应于初始配向方向。另外，精确地，液晶分子LM不排它地与X-Y平面平行地配向，但是在许多情况下被预傾斜。为此原因，初始配向的精确方向是其中关断时液晶分子LM的配向方向的正交投影实现至X-Y平面的方向。然而，为了以下解释简単，液晶分子LM假定为，液晶分子LM与X-Y
平面平行地配向，并且解释为在平行于X-Y平面的场中旋转。这里，第一配向膜ALl的第一配向处理方向和第二配向膜AL2的第二配向处理方向是分别平行于第二方向Y的方向。在关断时，液晶分子LM的长轴如图中的虚线所示地与第二方向Y基本平行地配向。即，液晶分子LM的初始配向的方向平行于第二方向Y。另外，当第一配向膜ALl的第一配向处理方向和第二配向膜AL2的第二配向处理方向平行，并且彼此方向相反吋，液晶分子LM配向为使得液晶分子LM在第一和第二配向膜AU和AL2附近以及在液晶层LQ的横截面中在液晶层LQ的中间部分中具有近似一致的预倾角(均一配向)。另外，当用于第一配向膜ALl和第二配向膜AL2的配向处理的分别的方向平行并且为彼此相同的方向吋，液晶分子LM配向为具有近似水平的方向(即预倾角近似为零)。液晶分子LM配向为具有预倾角，使得第一配向膜ALl和第二配向膜AL2附近的液晶分子LM的配向变得相对于液晶层LQ的中间部分对称(外张配向)。在穿透第一偏振板PLl之后，来自背光灯4的ー些背光进入液晶显示面板LPN。进入液晶显示面板LPN的光的偏振状态根据光通过液晶层LQ时液晶分子LM的配向状态而改变。在关断时，通过液晶层LQ的光被第二偏振板PL2吸收(黑色显示)。另ー方面，在像素电极PE与公共电极CE之间形成电位差的情况下(开通时)，在像素电极PE与公共电极CE之间形成平行于基底的横向电场(或倾斜电场)。由此，液晶分子LM在与基底表面平行的平面中旋转，使得长轴变得如图中的实线所示地与电场的方向平行。在图中所示的范例中，像素由主像素电极PA和电容部分PC分成四个范围(孔ロ)。即，由主像素电极PA、子公共电极CBUl和第二主公共电极CAL2围绕的液晶分子LM与横向电场一起相对于第二方向Y逆时针旋转,并且基本配向为使得液晶分子LM可以转至图中的左上方向。由主像素电极PA、子公共电极CBUl和第二主公共电极CAR2围绕的液晶分子LM与横向电场一起相对于第二方向Y顺时针旋转,并且基本配向为使得液晶分子LM可以转至图中的右上方向。由主像素电极PA、子公共电极CBBl和第二主公共电极CAL2围绕的液晶分子LM与横向电场一起相对于第二方向Y顺时针旋转,并且基本配向为使得液晶分子LM可以转至图中的左下方向。由主像素电极PA、子公共电极CBBl和第二主公共电极CAR2围绕的液晶分子LM与横向电场一起相对于第二方向Y逆时针旋转,并且基本配向为使得液晶分子LM可以转至图中的右下方向。从而，在每个像素PX中，在像素电极PE与公共电极CE之间形成水平电场的状态下，液晶分子LM的配向方向分为至少四组方向，并且对应于分别的配向方向形成四个范围。即，在每个像素PX中形成至少四个范围。在开通时，从背光灯4进入液晶面板LPN的光进入液晶层LQ。当进入液晶层LQ的背光通过分别由像素电极PE和公共电极CE划分的四个范围(孔ロ)时，偏振态改变。在开通吋，至少部分通过液晶层LQ的光穿透第二偏振板PL2 (白色显示)。图7是示意性地示出沿图6中所示的线A-A取得的像素的横截面结构和开通时液晶分子的配向状态。在此实施例中，液晶分子LM的配向受到主要由主像素电极PA与第二 主公共电极CA2之间的电位差形成的电场的控制。在主像素电极PA的两侧上，左手侧范围上的液晶分子LM由主像素电极PA与第二主公共电极CAL2之间的电场配向，使得分子LM可以近似地导通图中的左手侧。右手侧范围中的液晶分子LM由主像素电极PA与第二主公共电极CAR2之间的电场配向，使得分子LM可以近似导通图中的右手侧。图8是示意性地示出沿图6中所示的线B-B取得的像素的横截面结构和开通时液晶分子的配向状态的视图。在此实施例中，液晶分子LM由主要在电容部分PC与子公共电极CBl之间的电场配向。然而，液晶分子LM的配向受到形成在主像素电极PA与子公共电极CBl之间以及在电容部分PC与第二主公共电极CA2之间而不是主像素电极PA与第二主公共电极CA2之间的相互影响的电场控制。在由电容部分C分成上部和下部的像素中，上部中的液晶分子LM配向为通过电容部分PC与子公共电极CBUl之间的电场基本在上侧定向。下侧部分中的液晶分子LM配向为使得通过电容部分PC与子公共电极CBBl之间的电场基本在图中的下侧上定向。根据此实施例，在一个像素中形成至少四个范围变得可能。因此，能够光学补偿至少四个方向上的视角，并且获得了宽视角。因此，提供高质量显示设备变得可能。此外，通过将由像素电极PE和公共电极CE分成的至少四个孔ロ的面积设定为在一个像素中基本相等，每个范围的透射率变得相等。因此，通过彼此补偿通过分别的孔ロ的光，以宽视角实现一致的显示变得可能。此外，因为子公共电极CBl布置为使得子公共电极CBl与栅极线成对向，所以屏蔽来自栅极线的不期望的电场变得可能。为此原因，抑制不期望的偏置从栅极线施加至液晶层LQ、抑制产生诸如印刷图像的显示缺陷、并且还抑制由于液晶分子的配向的无序而产生光泄漏变得可能。因此，能够提供高质量液晶显示设备。因为主像素电极PA与子公共电极CBl之间的以及电容部分PC与第二主公共电极CA2之间的区域变为对显示做贡献的孔ロ，所以该区域对透射率做贡献。増加子公共电极CBl的宽度改善了对来自栅极线的电场的屏蔽性能。然而，因为对显示做贡献的孔ロ也形成在子公共电极CBl与主像素电极PE之间，所以如果子公共电极CBl的宽度太宽，则孔ロ的面积变小，并且引起了透射率的减小。因此，在子公共电极CBUl和子公共电极CBBl分别布置在栅极线Gl和栅极线G2上，并且具有与栅极线Gl和栅极线G2基本相同的宽度的情况下，提高对来自栅极线的电场的电场屏蔽性能，同时维持高透射率变得可能。在此实施例中，第二主公共电极CAL2和第二公共电极CAR2分别与源极线SI和源极线S2成对向。当第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2特别地分别布置在源极线SI和源极线S2以上时，与第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2布置在主像素电极PA侧而不是源极线SI和源极线S2上的情况相比，对显示做贡献的孔ロ能够扩大，并且提高像素PX的透射率变得可能。此外，通过将第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2中的每ー个分别布置在源极线SI和源极线S2以上，扩大主像素电极PA与第二主公共电极CAL2之间以及主像素电极PA与第二主公共电极CAR2之间的距离变得可能，并且形成更靠近水平方向的更水平的电场也变得可能。为此原因，也维持宽视角变得可能，宽视角是通常的IPS模式的优点。此外，在开通时，因为难以形成水平电场(或未形成驱动液晶分子LM的足够的电场)，所以液晶分子LM难以从如关断时的初始配向方向移动。为此原因，如上所述，即使像素电极PE和公共电极CE在这些范围中由具有透光特性的导电材料形成，背光也难以穿透，并且难以在开通时对显示做贡献。因此，像素电极PE和公共电极CE不必然需要由透明导 电材料形成，并且可以使用诸如铝和银的导电材料来形成。此外，当在阵列基底AR与对基底CT之间发生装配移位时，可以引起在两侧的分别的公共电极CE与像素电极PE之间的距离的差异。然而，产生的配向移位是所有像素PX共用的，在像素PX之间的电场分布不存在差异，并且对图像的显示的影响可以忽略。[第二实施例]图9是示意性地示出从对基底CT侧观看时，根据第二实施例的一个像素的阵列基底的结构的平面视图。另外，仅示例解释所需的一个像素PX的结构，并且省略开关元件等的示例。此外,虚线示出图中未示例的对基底的第二主公共电极CA2。在此第二实施例中，可应用图4中所示的第一实施例的对基底CT。公共电极CE包括形成在阵列基底AR上的第一主公共电极CAl和形成在对基底CT上的第二主公共电极CA2作为主公共电极；以及形成在阵列基底AR上的子公共电极CBl。阵列基底AR包括栅极线Gl和栅极线G2、辅助电容线Cl、源极线SI和源极线S2、以及如同第一实施例中的像素电极PE。此外，阵列基底AR包括作为带状形状的公共电极CE的沿第一方向X直线延伸的子公共电极CBl和帯状形状的沿第二方向Y直线延伸的第一主公共电极CA1。子公共电极CBl和第一主公共电极CAl形成在第二隔层绝缘膜13上，例如如像素电极那样。在公共电极CE中，当子公共电极CBl和第一主公共电极CAl形成在具有像素电极PE的第二隔层绝缘膜13上吋，能够使用与像素电极PE相同的材料(例如ITO等)通过相同的エ艺来形成子公共电极CBl和第一主公共电极CA1。在此情况下，子公共电极CBl和第一主公共电极CAl与像素电极PE电绝缘，并且分别与像素电极PE分开。另外，其它隔层绝缘膜可以插入子公共电极CBl与第一主公共电极CA1，以及像素电极层PE之间。由此，子公共电极CBl和第一主公共电极CAl可以形成在与像素电极PE不同的层中。在此情况下，子公共电极CBl和第一主公共电极CAl由与像素电极PE不同的材料形成，或可以由与像素电极PE相同的材料形成。子公共电极CBl (示例的子公共电极CBUl和子公共电极CBB1)分别直线延伸面对有源区中的栅极线，如第一实施例中那样。此外，子公共电极CBl伸出有源区外部，并且与形成在阵列基底AR中的电源部分电连接，并且公共电位的电功率供应至子公共电极CB1。即，子公共电极CBl和第二主公共电极CA2电连接。此外，第一主公共电极CAl直线延伸，分别面对有源区中的源极线。然而，第一主公共电极CAl在辅助电容线Cl上被切断。第一主公共电极CAl与子公共电极CBl电连接。在示例的范例中,第一主公共电极CAl和子公共电极CBl整体或连续形成。此外，在示例的范例中，第一主公共电极CAl位于沿第一方向X彼此平行的两条线中。以下，为区别第一主公共电极CAl，图中的左手侧的第一主公共电极CAl称作CALl，并且图中的右手侧的第一主公共电极称作CARl。第一主公共电极CALl布置在像素PX的左手侧末端，并且面对源极线SI。即，第一主公共电极CALl布置为越过示例的像素与在示例的像素的左手侧毗邻示例的像素PX的像素之间的边界。然而，第一主公共电极CALl未布置在具有与辅助电容线Cl相交的源极线SI的相交部分上。第一主公共电极CARl布置在像素PX的右手侧末端，并且面对源极线S2。即第一主公共电极CARl布置为越过示例的像素与在示例的像素的右手侧的毗邻像素之间的边 界。然而，第一主公共电极CARl未布置在具有与辅助电容线Cl相交的源极线S2的相交部分上。第二隔层绝缘膜13分别插入第一主公共电极CALl与源极线SI之间以及第一主公共电极CARl与源极线S2之间。在第一主公共电极CALl和第一主公共电极CARl分别覆盖有源区中的源极线SI和源极线S2的情况下，即第一主公共电极CALl布置在源极线SI上，并且类似地在第一主公共电极CARl布置在源极线S2上时,第一主公共电极CALl和CARl在第一方向X上的分别的宽度等于或大于源极线SI和源极线S2在第一方向X上的宽度。在示例的范例中，形成在对基底CT上并构成公共电极CE的第二主公共电极CAL2布置在像素PX的左手侧末端，并且面对第一主公共电极CALl。类似地，形成在对基底CT上并构成公共电极CE的第二主公共电极CAR2布置在像素PX的右手侧末端，并且面对第一主公共电极CARl。当然，第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2沿第二方向上延伸，而没有在辅助电容线Cl以上被切断。根据第二实施例，获得了与第一实施例相同的效果。因为公共电极CE的第一主公共电极CAl布置为面对源极线，所以通过屏蔽来自源极线的不期望的电场，抑制将来自源极线的不期望的偏置施加至液晶层LQ是可能的。由此，控制了诸如串扰的缺陷显示的产生。即，在像素PX设定为显示黑图像的电位的状态下，在显示白色的像素电位供应至连接至像素PX的源极线时，抑制了源自像素的光泄漏的发光度的上升的现象。由此，控制差的显示的产生变得可能。因此，能够提供较高质量的液晶显示设备。増大第一主公共电极CAl的宽度改善了对来自源极线的电场的屏蔽性能。然而，因为主要对显示做贡献的孔ロ形成在第一主公共电极CAl与主像素电极PA之间，所以如果第一主公共电极CAl的宽度太宽，则孔ロ的面积变小并且引起了透射率的减小。因此，在第一主公共电极CALl和第一主公共电极CARl分别布置在源极线SI和源极线S2上，并具有与源极线SI和源极线S2的宽度基本相同的宽度的情况下，改善对来自源极线的电场的屏蔽性能，同时维持高的透射率变得可能。此外，在此第二实施例中，即使第一主公共电极CAl形成在与像素电极PE相同的层上，控制像素电极PE与公共电极CE的短路也变得可能，因为面对辅助电容线Cl的电容部分PC与在辅助电容线Cl上被切断的第一主公共电极CAl分开。另外，在第一和第二实施例中，辅助电容线布置在中心部分中。实施例特别适合于电容耦合点反转驱动(CCDI驱动)，其中，使用点反转驱动来执行电容耦合驱动。S卩，通过经由电容耦合驱动(CC驱动)中的每个像素的保持电容Cs将辅助电容信号叠加在像素电极PE上，像素电压达到预定电压。由此，如果保持电容Cs和像素电容设定为相等，则能够近似减小信号电压幅度一半。在CXDI驱动中，相邻像素PX的保持电容Cs分别耦合至相互不同的辅助电容线C，并且使得供应至相邻像素PX的保持电容Cs的辅助电容电压的极性相互不同。包括栅极驱动器GD、源极驱动器SD、以及控制器的驱动IC芯片2用作用于执行CXDI驱动的驱动构件，并且配备在阵列基底AR中。根据使用CCDI驱动、同时能够减小功耗的结构，控制显示优美性的退化变得可倉^:。

[第三实施例]图10是示意性地示出当从对基底CT侧观看时，根据第三实施例的ー个像素的阵列基底的结构的平面视图。另外，仅示例解释所需的一个像素PX的结构，并且省略开关元件等的示例。此外，虚线示出了图中未示例的对基底的第二主公共电极CA2。在第三实施例中，可应用图4中所示的第一实施例的对基底CT。公共电极CE包括作为主公共电极的形成在对基底CT上的第二主公共电极CA2。阵列基底AR包括沿第一方向X延伸的辅助电容线Cl和辅助电容线C2、布置在辅助电容线Cl与辅助电容线C2之间并且沿第一方向X延伸的栅极线G1、沿第二方向Y延伸的源极线SI和源极线S2、以及沿第一方向X延伸的像素电极PE。在示例的范例中，源极线SI布置在像素PX中的左手侧末端。精确地，源极线SI布置为越过示例的像素与在示例的像素的左手侧毗邻示例的像素PX的像素之间的边界。源极线S2布置在像素PX中的右手侧末端。精确地，源极线S2布置为越过示例的像素与在示例的像素的右手侧毗邻示例的像素PX的像素之间的边界。此外，在像素PX中，辅助电容线Cl布置在上端部分，并且栅极线Gl布置为近似在像素PX的中心部分中。像素电极PE布置在源极线SI与源极线S2之间。像素电极PE与未示出的开关元件电连接。像素电极PE具有沿第二方向Y直线延伸的带形状的主像素电极PA、沿第一方向X直线延伸的带形状的自像素电极PB、以及沿第一方向X直线延伸的带形状的电容部分PC0主像素电极PA、子像素电极PB、以及电容部分PC彼此电连接。在示例的范例中，主像素电极PA、子像素电极PB、以及电容部分PC整体或连续地形成。即，主像素电极PA、子像素电极PB、以及电容部分PC使用相同エ艺和相同材料形成在第二隔层绝缘膜13上。主像素电极PA布置在像素PX的内部位置中而不是毗邻源极线SI和源极线S2上的位置，并且布置在源极线SI与源极线S2之间。更具体地，主像素电极PA布置在源极线SI与源极线S2之间的近似中心位置中。主像素电极PA从上端附近延伸至像素PX底端附近。子像素电极PB面对栅极线Gl。第一隔层绝缘膜12和第二隔层绝缘膜13插入子像素电极PB与栅极线Gl之间作为绝缘膜。即，子像素电极PB位于像素PX内部而不是在毗邻辅助电容线Cl和辅助电容线C2上的位置上，并且布置在辅助电容线Cl与辅助电容线C2之间。子像素电极PB布置在像素的近似中心部分中，并且更具体地，近似布置在辅助电容线Cl与辅助电容线C2之间的中心部分中。子像素电极PB与主像素电极PA相交，并且从主像素电极PA直线朝向两侧上，即分别在主像素电极PA的左手侧上和在主像素电极PA的右手侧上的源极线SI和源极线S2延伸。在子像素电极PB覆盖每个像素PX中的栅极线Gl的情况下，即，子像素电极PB布置在栅极线Gl上，在第二方向Y上，子像素电极PB的宽度基本等于或大于栅极线Gl的宽度。电容部分PC布置在辅助电容线Cl上。第一隔层绝缘膜12和第二隔层绝缘膜13插入电容部分PC与辅助电容线Cl之间作为绝缘膜。更具体地，电容部分PC布置在像素PX的上端部分。电容部分PC与主像素电极PA的一端连接，并且从主像素电极PA分别朝向两侦牝即主像素电极PA的左手侧和主像素电极PA的右手侧的源极线SI和源极线S2直线延 伸。在此实施例中，第二主公共电极CA2布置在夹置主像素电极PA的两侧。即，主像素电极PA和主像素电极CA2沿第一方向X交替布置。主像素电极PA和第二主公共电极CA2布置为近似平行。此时，第二主像素电极CA2中的任何电极都不与主像素电极PA在X-Y平面中交叠。S卩，一个主像素电极PA位于毗邻的第二主公共电极CAL2与第二主公共电极CAR2之间。即，第二主公共电极CAL2和第二主公共电极CAR2布置在夹置主像素电极PA以上的位置的两侧上。为此原因，第二主公共电极CAL2、主像素电极PA、以及第二主公共电极CAR2以此顺序沿第一方向X布置。第二主公共电极CAL2与主像素电极PA之间在第一方向上的距离基本等于第二主公共电极CAR2与主像素电极PA之间的距离。根据第三实施例，获得了与第一实施例相同的效果。通过屏蔽来自栅极线的不期望的偏置，抑制从栅极线施加至液晶层LQ的不期望的偏置是可能的，因为像素电极PE的子像素电极PB布置为面对栅极线。因此，抑制从栅极线施加至液晶层LQ的不期望的偏置变得可能。抑制了诸如印刷图画和由于液晶分子的配向无序的光泄漏的缺陷显示。因此，能够提供较高质量的液晶显示设备。増大子公共电极PB的宽度改善了对来自栅极线的电场的屏蔽性能。然而，如果子像素电极PB的宽度太宽，则孔ロ的面积变小，并且引起了透光率的减小。因此，在子像素电极PB布置在栅极线Gl上并且与栅极线Gl基本具有相同宽度的情况下，提高了对来自栅极线Gl的电场的电场屏蔽性能，同时维持高透射率。此外，没有需要与像素电极电绝缘的公共电极布置在阵列基底AR中。为此原因，根据各种目的，提高像素电极PE的布局的灵活性变得可能，各种目的诸如是形成保持电容、以及屏蔽来自栅极线的电场。另外，在第三实施例中，辅助电容线布置在上端部分和下端部分，并且栅极布置在像素PX的中心部分中。此实施例特别适合于电容耦合驱动(CC驱动)。S卩，通过经由每个像素的保持电容Cs在像素电极PE上叠加辅助电容信号，像素电压达到预定电压。由此，如果保持电容Cs和像素电容设定为相等，则信号电压幅度能够近似减小一半。配备有栅极驱动器GD、源极驱动器SD、和控制器的驱动器IC芯片2用作用于执行CC驱动的构件，并且配备在阵列基底AR中。
根据使用CC驱动、同时能够减小功耗的实施例，控制显示优美性的退化变得可倉泛。接下来，验证 根据此实施例的效果。制备分别对应于图4至图8中所示的第一实施例和图10中所示的第三实施例的液晶显示面板LPN，并且测量每一个像素的透射率。另外，在第一实施例和第三实施例中，电极宽度、电极之间的距离、像素间距、单元间隙、液晶材料、配向膜材料、配向方向等一起构成相同条件，除像素电极PE和公共电极CE的形式彼此不同。当对应于第三实施例的液晶显示面板的透射率设定为I. 0时，根据第一实施例的液晶显示面板的透射率为I. I。如以上解释的，根据实施例，提供高质量液晶显示设备变得可能。虽然液晶描述了某些实施例，但是仅通过范例方式介绍这些实施例，并且这些实施例不是意在限制本发明的范围。实际上，于此描述的新颖的实施例可以以各种其它形式具体化；此外，可以不脱离本发明的精神进行于此描述的实施例的形式的各种省略、替代、和改变。所附权利要求和它们的等同物意在覆盖将落入本发明的范围和精神内的该形式或更改。
权利要求
1.ー种液晶显示设备,包括 第一基底，包括 第一栅极线和第二栅极线，分别沿第一方向延伸； 主像素电极，布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，并且沿与所述第一方向正交交叉的第二方向延伸；以及 ー对子公共电极，隔着绝缘层分别与所述第一栅极线和所述第二栅极线面对，并且沿所述第一方向延伸； 第二基底，包括与所述子公共电极电连接并布置在夹置所述主像素电极的两侧上的一对主公共电极；以及 液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。
2.根据权利要求I所述的液晶显示设备，其中，所述ー对子公共电极中的每ー个布置在所述第一栅极线和所述第二栅极线上，基本具有与所述第一栅极线和所述第二栅极线的览度相问的览度。
3.根据权利要求I所述的液晶显示设备，其中，所述主像素电极形成在所述绝缘层上并且由与分别的子公共电极的材料相同的材料形成。
4.根据权利要求I所述的液晶显示设备，其中，所述液晶分子的初始配向方向是与所述第二方向基本平行的方向。
5.根据权利要求I所述的液晶显示设备，其中，所述液晶显示设备通过电容耦合点反转驱动(CXDI)来驱动。
6.ー种具有多个像素的液晶显示设备，包括 第一基底，包括 第一栅极线和第二栅极线，分别沿第一方向延伸； 辅助电容线，布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间并且沿所述第一方向延伸； 第一绝缘层，覆盖所述第一栅极线、所述第二栅极线、和所述辅助电容线； 第一源极线和第二源极线，在所述第一绝缘层上沿与所述第一方向正交交叉的第二方向延伸； 第二绝缘层，覆盖所述第一源极线和所述第二源极线； 主像素电极，布置在所述第二绝缘层上并且沿所述第二方向延伸，所述主像素电极布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，并且在所述第一源极线与所述第二源极线之间； ー对子公共电极，隔着所述第二绝缘层分别与所述第一栅极线和所述第二栅极线面对，并且沿所述第一方向延伸；以及 第一主公共电极，隔着所述第二绝缘层与所述第一源极线和所述第二源极线面对，并且沿所述第二方向延伸，所述第一主公共电极在所述辅助电容线上被切断并且与所述子公共电极电连接； 第二基底，包括与所述子公共电极和所述第一主公共电极电连接并布置在夹置所述主像素电极的两侧上的ー对第二主公共电极，所述第二主公共电极沿所述第二方向延伸；以及液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。
7.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，所述第一基底还包括隔着所述第二绝缘层面对所述辅助电容线并且沿所述第一方向延伸的电容部分，所述电容部分与所述第一主公共电极分开并且与所述主像素电极电连接。
8.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，所述电容部分近似位于所述像素的中心部分中。
9.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中， 分别的子公共电极布置在所述第一栅极线和所述第二栅极线上并且基本具有与所述第一栅极线和所述第二栅极线的宽度相同的宽度；以及 所述第一主公共电极布置在所述第一源极线和所述第二源极线上并且基本具有与所述第一源极线和所述第二源极线的宽度相同的宽度。
10.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，所述主像素电极由与所述子公共电极和所述第一主公共电极的材料相同的材料形成。
11.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，分别的第二主公共电极面对所述第一主公共电极并且沿所述第二方向延伸，而没有在所述辅助电容线上被切断。
12.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，所述液晶分子的初始配向方向是与所述第二方向基本平行的方向。
13.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中，所述液晶显示设备通过电容耦合点反转驱动(CXDI)来驱动。
14.ー种具有多个像素的液晶显示设备，包括 第一基底，包括 第一辅助电容线和第二辅助电容线，分别沿第一方向延伸； 栅极线，布置在分别沿所述第一方向延伸的所述第一辅助电容线与所述第二辅助电容线之间； 主像素电极，沿与所述第一基底正交相交的第二方向延伸； 子像素电极，隔着绝缘层与所述栅极线面对并且沿所述第一方向延伸，所述子像素电极与所述主像素电极电连接； 第二基底，包括布置在夹置所述主像素电极的两侧上并且沿所述第二方向延伸的ー对主公共电极；以及 液晶层，包含液晶分子并容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。
15.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中，所述子像素电极布置在所述栅极线上并且基本具有与所述栅极线的宽度相同的宽度。
16.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中， 所述主像素电极使用与所述子像素电极的材料相同的材料来形成在所述绝缘层上。
17.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中， 所述液晶分子的初始配向方向是与所述第二方向基本平行的方向。
18.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中，所述主像素电极包括电容部分，所述电容部分布置为面对所述辅助电容线中的ー个以形成保持电容。
19.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中，所述栅极线近似布置在所述像素的中心部分中。
20.根据权利要求14所述的液晶显示设备，其中，所述液晶显示设备通过电容耦合驱动(CC驱动)来驱动。
全文摘要
在一个实施例中，液晶显示设备包括第一基底和第二基底。所述第一基底包括分别沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线。主像素电极布置在所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，并且沿与所述第一方向正交交叉的第二方向延伸。一对子公共电极隔着绝缘层分别与所述第一栅极线和所述第二栅极线面对，并且沿所述第一方向延伸。第二基底包括与所述子公共电极电连接并布置在夹置所述主像素电极的两侧上的主公共电极。液晶层容纳于所述第一基底与所述第二基底之间。
文档编号G02F1/133GK102778790SQ201210115229
公开日2012年11月14日 申请日期2012年4月18日 优先权日2011年4月19日
发明者广泽仁, 船越浩史 申请人:株式会社日本显示器中部