专利名称：一种阵列基板、液晶面板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示领域，特别是指一种阵列基板、液晶面板及显示装置。
背景技术：
LCD (Liquid Crystal Display,液晶显示器)为现阶段显示器的主流,其具有能耗低，制作成本低，无辐射等特点，其原理是利用液晶的光学与电学各向异性，在外加电场的作用下改变液晶分子的状态，从而改变液晶显示器的显示状态。IXD面板包括阵列基板，以往的像素由阵列基板上的I个TFT (Thin Fi Im Transistor，薄膜晶体管)控制开启或关闭，同时控制像素电压的大小。一个像素由一个TFT控制，由数据线输入的电压从TFT输入到ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)像素电极，ITO像素电极和阵列基板上的公共电极形成的电势场，控制液晶的旋转。现有的公共金属线和数据线交叉设计，像素电压在(T12V中变化，公共金属线提供的公共Vcom信号大约在6V，电压差值在6v左右。由此可见现有技术中存在，公共金属线和数据线存在耦合的问题。
实用新型内容本实用新型的目的是针对现有技术中存在的，公共金属线和数据线存在耦合的问题。提供一种阵列基板，在阵列基板上与子像素对应的各区域分别设置有，两个像素电极和两个薄膜晶体管，两个像素电极分别与两个薄膜晶体管连接，两个薄膜晶体管分别连接一对栅极线和数据线。进一步，一列子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条数据线，与相邻列子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条数据线不同。进一步，一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条栅极线不同。进一步，一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的一条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的一条栅极线相同。进一步，与子像素对应的各区域中的两个像素电极呈两个梳子梳齿交叉对接的形状。进一步，数据线和栅极线，分别和薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接。本实用新型实施例还提供一种液晶面板，液晶面板的本体上设置有前述的阵列基板。本实用新型实施例还提供一种显示装置，显示装置包括上述的任一阵列基板。由于一个子像素由两个TFT控制，此结构只需栅极线和数据线无需公共金属线，因此避免了公共金属线和数据线的耦合。
图I表示本实用新型提供的第一实施例阵列基板结构图。
具体实施方式
为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本实用新型第一实施例提供的阵列基板，如图1，在阵列基板上与子像素对应的各区域I分别设置有，两个像素电极2和两个薄膜晶体管3，两个像素电极分别与两个薄膜晶体管连接，两个薄膜晶体管3分别连接一对栅极线4和数据线5。这样由于一个像素中包含两个TFT器件，两个TFT器件均开启，信号源不相同，就可以产生两个电压，像素ITO形成电场，液晶因电场而翻转。也就是由其中一条数据线输入的电压经其中一条栅极线控制信号 控制，从其中一个TFT输入到其中一个ITO像素电极，另一条数据线输入的电压经另一条栅极线控制信号控制，从另一个TFT输入到另一个ITO像素电极，两个ITO像素电极相互之间形成的电势场，不需Vcom信号控制液晶的旋转。实现时为了避免造成像素电压混乱，具体实现时第一列子像素对应的各区域中薄膜晶体管3连接的两条数据线，分别是第一列、第二列数据线，相邻的第二列子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条数据线，分别是第三列、第四列数据线，以此类推，第三列子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条数据线，分别是第五列、第六列数据线，总之一列子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条数据线，与相邻列子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条数据线不同，这样可以避免造成像素电压混乱。为了避免造成像素电压混乱优选的，第一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第一行、第二行栅极线，第二行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第三行、第四行栅极线，第三行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第五行、第六行栅极线，总之一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条栅极线不同。为了减少工艺复杂度优选的，第一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第一行、第二行栅极线，第二行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第二行、第三行栅极线，第三行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，分别是第三行、第四行栅极线，总之一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的一条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的一条栅极线相同。优选的与子像素对应的各区域中的两个像素电极呈两个梳子梳齿交叉对接的形状，呈两个梳子梳齿交叉对接的形状只是本发明实施例的优选方案，也可以是分别设置在不同层的两个像素电极，分别为条状和板状电极。本实施例中数据线和栅极线，分别和薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接。本实用新型第二实施例还提供一种液晶面板，液晶面板的本体上设置有前述的阵列基板，液晶面板为边缘场转换模式液晶面板或平面转换型模式液晶面板。本实用新型第三实施例还提供一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板，所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替 换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
权利要求1.一种阵列基板，其特征在于，在阵列基板上与子像素对应的各区域分别包括两个像素电极和两个薄膜晶体管，两个像素电极分别与两个薄膜晶体管连接，两个薄膜晶体管分别连接一对栅极线和数据线。
2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，一列子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条数据线，与相邻列子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条数据线不同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的两条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的两条栅极线不同。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，一行子像素对应的各区域中薄膜晶体管连接的一条栅极线，与相邻行子像素对应的各区域薄膜晶体管连接的一条栅极线相同。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，与子像素对应的各区域中的两个像素电极呈两个梳子梳齿交叉对接的形状。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，数据线和栅极线，分别和薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接。
7.—种液晶面板,其特征在于,所述液晶面板包括如权利要求1-6任一权利要求所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的液晶面板，其特征在于，液晶面板为边缘场转换模式液晶面板。
9.根据权利要求7所述的液晶面板，其特征在于，液晶面板为平面转换型模式液晶面板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-6任一权利要求所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置，为解决现有技术中存在的，公共金属线和数据线存在耦合的问题，在阵列基板上与子像素对应的各区域分别设置有，两个像素电极和两个薄膜晶体管，两个像素电极分别与两个薄膜晶体管连接，两个薄膜晶体管分别连接一对栅极线和数据线，由于一个子像素由两个TFT控制，此结构只需栅极线和数据线无需公共电极，因此避免了公共金属线和数据线存在耦合。
文档编号G02F1/1362GK202758157SQ20122046509
公开日2013年2月27日 申请日期2012年9月12日 优先权日2012年9月12日
发明者马禹 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司