专利名称：闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法
技术领域：
本发明涉及光谱技术领域，具体涉及一种闪耀凹面全息光栅的分区反应离子束刻蚀方法。
背景技术：
凹面光栅具有色散功能的同时，由于其凹面面形又具备聚焦功能，所以其应用于光谱分析仪器领域相比于平面光栅，能够省略聚焦镜，减小光机结构，利于仪器的小型化。凹面光栅的衍射效率作为重要的技术指标直接影响光谱分析仪器的分辨率及信噪比，因此闪耀凹面全息光栅这种能够实现高衍射效率的凹面光栅是光谱分析仪器行业追求的目标。目前凹面光栅使用平行离子束刻蚀设备刻蚀凹面光栅时，由于凹面基底存在曲率半径R，平行的离子束流对于基底上不同位置的入射角不同，致使在凹面基底上各处获得的
闪耀角不同，两端闪耀角差值为
权利要求
1.闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，其特征是，该方法由以下步骤实现:步骤一、对凹面光栅掩模基片(3)分区，沿所述凹面光栅掩模基片(3)过顶点并垂直于光栅刻线(2)方向的平面与凹面光栅掩模基片(3)表面的交线分N个区域，每个区域对应的圆心角(8)为
2.根据权利要求1所述的闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，其特征在于，在步骤一之前，还包括对凹面光栅掩模基片(3)放置的步骤，所述凹面光栅掩模基片(3)放置在回转工作台上，所述回转工作台的回转中心为O，凹面光栅掩模基片(3)绕回转轴Y轴回转，回转中心O在回转轴Y上，凹面光栅掩模基片(3 )的顶点(A )处的光栅刻线(2 )所在平面经过回转轴Y。
3.根据权利要求1所述的闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，其特征在于，所述反应离子束的方向与凹面光栅掩模基片(3)顶点(A)处的光栅刻线(2)所在平面成90° -Θ角，反应离子束的入射角(7)为Θ。刻蚀凹面光栅的闪耀角Θ的范围为:.W
4.根据权利要求1所述的闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，其特征在于，所述狭缝(4)的顶点(B)到凹面光栅掩模基片(3)的顶点A的距离(5)小于等于3mm，大于
全文摘要
闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，涉及光谱技术领域解决采用现有方法刻蚀凹面光栅获得的闪耀角不同，同时由于闪耀角差异影响闪耀凹面光栅的衍射效率的问题，本发明的刻蚀步骤为凹面光栅掩模基片的放置；选取离子束入射角；凹面光栅基底分区；制作刻蚀狭缝；狭缝的放置；刻蚀凹面光栅。本发明对槽形为正弦型或类矩形的凹面光栅掩模基片进行分区反应离子束刻蚀，使得刻蚀后的闪耀凹面全息光栅的闪耀角一致性高，对制作出高衍射效率的闪耀凹面全息光栅有直接的重要意义。
文档编号G02B5/18GK103105638SQ20131001177
公开日2013年5月15日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者谭鑫, 吴娜, 巴音贺希格, 齐向东, 李文昊, 孔鹏 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所