显示面板及显示装置制造方法

文档序号:2705078阅读:88来源:国知局
显示面板及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种显示面板,包括:相对设置的第一基板和第二基板,第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,通过在所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间设置第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开,所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层,其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝,本发明的显示面板及显示装置能够提高显示画面质量。
【专利说明】显示面板及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前,平板显示器,如液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)和有机发光显示器(OLED)等,由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
[0003]但是,实际使用中,发现平板显示器存在静电问题,引起显示画面的质量下降,并且平板显示器还存在漏光问题;漏光和静电都影响了显示画面质量。

【发明内容】

[0004]有鉴于此,本发明提供了一种显示面板及显示装置。
[0005]本发明提供一种显示面板,包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述显示面板还包括:相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间包括第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开;所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层;其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝。
[0006]进一步的,本发明还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示面板。
[0007]本发明实施例所提供的技术方案至少具有以下的优点之一:
[0008]本发明实施例所提供的显示面板和显示装置,第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,通过在所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间设置第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开,从而使静电无法从非显示区域的第一黑矩阵进入显示区域的第二黑矩阵,这也就避免了静电对形成于第一黑矩阵上的彩色色阻的影响,使显示画面不会发白或发绿,从而显著的提高了显示画面的质量。同时,所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层,遮光层用于挡住来自第二基板外侧的光,而光吸收层用于吸收来自第一基板外侧的光;其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝,如此,避免了第一狭缝处的漏光问题。因此,本发明实施例所提供的显示面板及显示装置能够提高显示画面质量。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本发明实施例一所提供的显示面板的第一基板和第二基板的剖面图;
[0011]图2为本发明实施例一所提供的显示面板的第一基板的俯视图;
[0012]图3为本发明实施例二所提供的显示面板的第一基板的剖面图;
[0013]图4为本发明实施例二所提供的显示面板的第一基板的俯视图。
【具体实施方式】
[0014]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0015]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0016]其次,本发明结合示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0017]实施例一
[0018]本实施例提供了一种显示面板,如图1和图2所示,包括显示区域和包围显示区域的非显示区域,该显示面板还包括:相对设置的第一基板31和第二基板32。
[0019]其中,第一基板31朝向第二基板32的一面上包括:位于显示区域的第一黑矩阵311 ;位于非显示区域的第二黑矩阵312 ;位于第一黑矩阵311与第二黑矩阵312之间的第一狭缝313,该第一狭缝313使得第一黑矩阵311与第二黑矩阵312断开,即第一狭缝313使得第一黑矩阵311与第二黑矩阵312相互绝缘。
[0020]第二基板32朝向第一基板31的一面上相对第一基板31由远到近,依次包括:遮光层321和光吸收层323,遮光层321和光吸收层323沿垂直于第一基板31的方向在第一基板31上的投影均涵盖第一狭缝313。
[0021]本实施例中,在位于显示区域的第一黑矩阵311与位于非显示区域的第二黑矩阵312之间形成第一狭缝313,其沿垂直于第一基板31的俯视图可如图2所示,结合图1和图2所示,第二黑矩阵312环绕所述第一黑矩阵311,所述第二黑矩阵312覆盖第一基板31的边缘,所述第一狭缝313环绕所述第一黑矩阵311,即第一狭缝313位于第一黑矩阵311与第二黑矩阵312之间,以将第一黑矩阵311与第二黑矩阵312断开,从而第一黑矩阵311与第二黑矩阵312相互绝缘,使得在显示面板生产或使用的过程中产生的静电从面板边缘传导到第二黑矩阵312中后,无法再传导至第一黑矩阵311中;如此,静电就无法对第一黑矩阵311的开口(未标示,通常,第一黑矩阵311包括多个开口,用于暴露出彩色色阻,以进行彩色显示)内填充的彩色色阻(未示出)造成不良影响,也就不会出现由于静电影响彩色色阻而引起的显示画面发绿或发白等的显示质量下降的问题,亦即,本实施例通过通过第一狭缝313将显示区域的第一黑矩阵311与非显示区域的第二黑矩阵312断开,而使得第一黑矩阵311与非显示区域的第二黑矩阵312相互绝缘,可以提高显示面板的显示画面质量。
[0022]其中,显示面板还包括导电金球(未图示),位于所述第一基板31和第二基板32之间,所述导电金球电连接于所述第二黑矩阵312,所述第二黑矩阵312中的静电通过所述导电金球导出到所述第二基板32,以进行静电释放。
[0023]优选的,第一狭缝313可位于显示面板的非显示区域,第一狭缝313范围内可设置绝缘材料314,进一步的,绝缘材料314可为彩色色阻,其中,彩色色阻可为单一颜色的色阻(如:红色色阻、蓝色色阻或绿色色阻),也可为多种颜色的色阻所形成的叠层结构(如:红色色阻、蓝色色阻或绿色色阻中的至少两种形成的叠层结构)。
[0024]另外,也可将间隔物(photo spacer)(未图示)作为绝缘材料314设置于第一狭缝313范围内。
[0025]进一步的,由于第一狭缝314处会引起漏光,因此本实施例中,第二基板32朝向所述第一基板31的一面上相对第一基板31由远到近,依次包括遮光层321和光吸收层323,遮光层321用于挡住来自第二基板32外侧的光,而光吸收层323用于吸收来自第一基板31外侧的光;其中,所述光吸收层323和遮光层321沿垂直于所述第一基板31的方向在所述第一基板31上的投影均涵盖所述第一狭缝313。
[0026]该显示面板还可包括:源极327 ;与像素电极326连接的漏极324 ;覆盖在保护层325、源极327、漏极324和像素电极326上的绝缘层329 ;形成于绝缘层329上的公共电极330。
[0027]优选的,遮光层321和光吸收层323均位于显示面板的非显示区域。
[0028]具体的,遮光层321的材料可为金属,如:铝、钥、铝钕合金或钥钕合金等。更为优选的是,遮光层321可与栅极322或公共电极线(未图示)同一层,或者,遮光层321可与源极327、漏极328和数据线(未图示)位于同一层,或者,若显示面板具有GND线,则遮光层321可与GND线的材料相同且位于同一层;当然,这仅是举例,而非限定,在实际生产中本领域技术人员也可根据实际情况合理适应设置。
[0029]另外,由于从第一基板31外侧的光线中的一部分会穿透光吸收层323,到达遮光层321,而被遮光层321反射(尤其是在遮光层321的材料为高反射率的金属时,反射情况更严重),则此时,光吸收层323还用于吸收从遮光层321处反射的光线。
[0030]光吸收层323的材料可选用为高吸收率的材料,如:非晶硅、黑矩阵材料等。当光吸收层323的材料为非晶硅时,其优选的可与第二基板32上的半导体层324在同一步骤下形成,二者也位于同一层;当然,这仅是出于简化工艺制程的考虑所提出的优选方案,在实际生产中也可根据实际情况,采用其它的高吸收率材料单独形成该光吸收层323。
[0031]光吸收层323与遮光层321之间可包括栅极绝缘层331,光吸收层323与遮光层321也可直接接触。
[0032]需要指出的是,当光吸收层323与半导体层324于同一道步骤中形成后,由于后续步骤会对半导体层324进行刻蚀,以形成沟道,刻蚀过程中可能会对光吸收层323造成损伤(尤其是当光吸收层323采用非晶硅材料时,刻蚀对非晶硅材料的伤害较大),因此,优选的,可在光吸收层323的表面上沉积保护层325,以避免光吸收层323在沟道刻蚀时被损伤或去除。具体的,保护层325可位于光吸收层323朝向第一基板31的一侧,且保护层325可完全覆盖光吸收层323。
[0033]为保证光吸收层323能够发挥其吸收第一基板31反射过来的光线的作用,该保护层325的材料可为透明材料,优选的可选用坚固的、不易被刻蚀的透明材料。由于在半导体层324和光吸收层232形成之后,刻蚀沟道之前,会形成像素电极326,因此基于简化工艺制程的考虑,可在形成像素电极326的同时,在光吸收层323的表面沉积像素电极材料作为保护层325,即保护层325的材料优选的可与像素电极的材料相同,如:可为氧化铟锡、氧化铟锋等。
[0034]本实施例所提供的显示面板,第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,通过在所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间设置第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开,从而使静电无法从非显示区域的第一黑矩阵进入显示区域的第二黑矩阵,这也就避免了静电对形成于第一黑矩阵上的彩色色阻的影响,使显示画面不会发白或发绿,从而显著的提高了显示画面的质量。同时,所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层,遮光层用于挡住来自第二基板外侧的光,而光吸收层用于吸收来自第一基板外侧的光;其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝,如此,避免了第一狭缝处的漏光问题。因此,本实施例所提供的显示面板能够提高显示画面质量。
[0035]实施例二
[0036]本发明还提供另一种实施例,本实施例与实施例一相同的地方不再重述,与实施例一的区别在于,如图3所示,第一基板31朝向第二基板(未图示)的一侧包括第一黑矩阵311和第二黑矩阵312,其中,第一黑矩阵311位于显示区域,第二黑矩阵312位于非显示区域,第二黑矩阵312包括至少两个第三黑矩阵511,相邻两个第三黑矩阵511间包括第二狭缝512,相邻两个第三黑矩阵511通过第二狭缝512彼此绝缘,且第三黑矩阵511均与第一黑矩阵311绝缘。
[0037]如图3所示的第一基板31沿垂直于其自身方向的俯视图可如图4所示,如图3和图4所示,任一第三黑矩阵511环绕所述第一黑矩阵311,最外侧的第三黑矩阵511覆盖第一基板31的边缘,任一第二狭缝512环绕第一黑矩阵311,由于增加了用于绝缘的狭缝的数量,因此这种结构的显示面板,其显示区域的第一黑矩阵311与非显示区域的第三黑矩阵511之间的绝缘效果更好,静电更加不易由非显示区域进入显示区域,从而进一步改善了显示画面。
[0038]进一步的,可在第二狭缝512范围内设置绝缘材料513,绝缘材料513可为彩色色阻,其中,彩色色阻可为红色光阻、蓝色光阻和绿色光阻中的一种或多种所构成的叠层结构,另外,也可将间隔物(photo spacer)作为绝缘材料513设置于第二狭缝512范围内。
[0039]进一步的,本实施例中优选的可在每一第二狭缝512对应在第二基板32上的区域设置光吸收层(未图示),以吸收光线,避免第二狭缝处漏光。这种情况下所设置的光吸收层可为间断的,即光吸收层仅存在于每一第二狭缝512对应在第二基板(未图示)上的区域;光吸收层也可为连续的,即其不仅存在于每一第二狭缝512对应在第二基板上的区域,还存在于相邻两条第二狭缝512之间的第三黑矩阵511对应在第二基板上的区域,总之,光吸收层沿垂直于第一基板31的方向在第一基板31上的投影均涵盖所有第二狭缝512,并且,在每一第二狭缝512对应在第二基板32上的区域还可设置遮光层(未图示),遮光层与光吸收层的位置关系同实施例一,本实施例二在此不再重述。
[0040]需要说明的是,本发明实施例一与实施例二中,显示面板可以为液晶显示面板,则第一基板可以为彩膜基板,第二基板可以为TFT阵列基板,基于本发明的核心思想,本实施例中所提出的技术方案适用于FFS (Fringe Field Switching,边缘场开关)型显示面板、IPS (In-Plane Switching,平面转换)型显不面板、MVA (Mult1-Domain VerticalAlignment,多畴垂直配向)型显示面板、TN (Twisted Nematic,扭曲向列)型显示面板等,在光吸收层位于遮光层朝向第一基板的一侧这一位置关系不变的前提下,遮光层和光吸收层在各层中的具体位置可根据不同的显示面板类型有不同的设计。如:当显示面板为FFS型或IPS型显示面板时,遮光层可与显示面板的栅极线、公共电极线或GND线位于同一层,光吸收层可与显示面板的栅极绝缘层、数据线、平坦层、公共电极、像素电极等结构位于同一层,光吸收层材料选用高吸收率的材料;或者,遮光层可与显示面板的数据线位于同一层,光吸收层可与显示面板的平坦层、公共电极、像素电极等结构位于同一层,光吸收层材料选用高吸收率的材料。
[0041]显示面板还可以为OLED显示面板,则第一基板可以为彩膜基板或封装盖板,第二基板可以为蒸镀有机发光材料的TFT阵列基板。
[0042]实施例三
[0043]基于上述实施例一、二,本发明实施例提供了一种显示装置(未图示),包括显示面板,该显示面板采用实施例一、二中所述的显示面板。
[0044]本实施例所提供的显示装置不限于液晶显示装置,在本发明的核心思想不变的前提下,本发明所提供的技术方案同样适用于0LED(0rganic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置或电子纸等。
[0045]综上,本发明实施例所提供的显示面板和显示装置,第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,通过在所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间设置第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开,从而使静电无法从非显示区域的第一黑矩阵进入显示区域的第二黑矩阵,这也就避免了静电对形成于第一黑矩阵上的彩色色阻的影响,使显示画面不会发白或发绿,从而显著的提高了显示画面的质量。同时,所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层,遮光层用于挡住来自第二基板外侧的光,而光吸收层用于吸收来自第一基板外侧的光;其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝,如此,避免了第一狭缝处的漏光问题。因此,本发明实施例所提供的显示面板及显示装置能够提高显示画面质量。
[0046]虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种显示面板,包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述显示面板还包括: 相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板朝向所述第二基板的一面上包括第一黑矩阵和第二黑矩阵,所述第一黑矩阵位于所述显示区域,所述第二黑矩阵位于所述非显示区域,所述第一黑矩阵与第二黑矩阵之间包括第一狭缝,使得所述第一黑矩阵与第二黑矩阵断开; 所述第二基板朝向所述第一基板的一面上相对第一基板由远到近,依次包括遮光层和光吸收层; 其中,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在所述第一基板上的投影均涵盖所述第一狭缝。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一狭缝位于所述非显示区域。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二黑矩阵环绕所述第一黑矩阵,所述第二黑矩阵覆盖第一基板的边缘,所述第一狭缝环绕所述第一黑矩阵。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光吸收层的材料为非晶硅,所述遮光层的材料为金属。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一狭缝范围内设置绝缘材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘材料为彩色色阻或间隔物。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二黑矩阵包括至少两个第三黑矩阵,相邻两个所述第三黑矩阵间包括第二狭缝,相邻两个所述第三黑矩阵通过所述第二狭缝彼此绝缘,且所述第三黑矩阵均与所述第一黑矩阵绝缘。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述光吸收层和遮光层沿垂直于所述第一基板的方向在第一基板上的投影均涵盖所有所述第二狭缝。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:保护层,位于所述光吸收层朝向所述第一基板的一侧,所述保护层完全覆盖所述光吸收层。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述保护层的材料为透明材料。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括导电金球,位于所述第一基板和第二基板之间,所述导电金球电连接于所述第二黑矩阵,所述第二黑矩阵中的静电通过所述导电金球导出到所述第二基板。
12.—种显示装置,包括权利要求1-11中任意一项所述的显示面板。
【文档编号】G02F1/1335GK103926739SQ201310754050
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】黄贤君, 丁洪 申请人:上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
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