连接配线的制作方法

本发明涉及连接配线，尤其涉及用于在从母玻璃基板切出液晶面板之前从外部输入液晶面板的检查信号等的连接配线。

背景技术：

以往，在横向电场方式的液晶显示装置的液晶面板中，为了防止对显示区域的扫描信号线和数据信号线施加的信号因寄生电容而变钝，在扫描信号线和数据信号线上形成厚的有机绝缘膜，在其上形成共用电极。由此，扫描信号线以及数据信号线与共用电极之间的寄生电容减小，因此，信号的变钝降低。

但是，当在形成于有机绝缘膜上的导电膜上形成抗蚀剂图案，并以此为掩模进行蚀刻来形成配线层时，有机绝缘膜的膜厚较厚，因此，沿着有机绝缘膜的边缘线，抗蚀剂的膜厚变厚，本来应该在显影时被除去的抗蚀剂容易连接着残留。该沿着边缘线残留的抗蚀剂，在对导电膜进行蚀刻时成为将导电膜的一部分覆盖的掩模，因此，导电膜将沿着边缘线连接着残留。相邻的连接配线会经由该残留的导电膜电连接，存在在连接配线间产生漏电的问题。

因此，专利文献1中公开了：在构成液晶面板的阵列基板上，在对在具有厚的膜厚的层间绝缘膜上形成的像素电极材料进行图案化来形成配线之前，为了使层间绝缘膜的端部的倾斜缓和，在层间绝缘膜的端部中的由相邻的安装端子夹着的区域的端部设置凸部。由此，层间绝缘膜的倾斜变得平缓。其结果，在层间绝缘膜的凸部上形成的抗蚀剂的膜厚变薄，抗蚀剂不会在显影后以连接的状态残留。因此，相邻的安装端子不再会被电连接，安装端子间不再会发生漏电。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-24101号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

但是，在专利文献1公开的阵列基板上，作为层间绝缘膜使用的有机绝缘膜的边缘部没有被无机绝缘膜覆盖。因此，空气中的水分会经由有机绝缘膜侵入到配线内部，使构成配线的金属膜腐蚀，或使无机绝缘膜容易剥离。由此，产生配线的可靠性降低的问题。另外，若水分侵入到液晶面板的内部，则扫描信号线驱动电路的配线会受到腐蚀，成为显示不均匀的原因。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够通过防止连接配线间的漏电并且防止水分的侵入来确保可靠性的连接配线。

用于解决技术问题的手段

本发明的第一方面是一种用于在形成有多个单元的透明基板中，将在上述多个单元分别设置的配线与在上述透明基板的没有形成上述单元的区域形成的共用配线连接的多根连接配线，其中，上述多个单元在分割后成为基于从外部提供的图像数据在显示部显示图像的显示装置，上述连接配线的特征在于：

上述连接配线以在上述单元中横穿台阶部的方式形成，上述台阶部包括：配置在上述显示部的外侧的导电层；形成在上述导电层上的第一无机绝缘膜；形成在上述第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜；和形成在上述有机绝缘膜上的第二无机绝缘膜，

由相邻的上述多根连接配线夹着的区域中的上述有机绝缘膜的斜面的倾斜，比上述连接配线中的斜面的倾斜平缓。

本发明的第二方面的特征在于，在本发明的第一发面中，

从由相邻的上述连接配线夹着的区域的上述有机绝缘膜的斜面向上述第二无机绝缘膜的边缘部去，形成有至少1个突起部，上述突起部为随着向前端去而宽度变窄并且厚度变薄的形状，包括上述突起部的上述有机绝缘膜由上述第二无机绝缘膜覆盖。

本发明的第三方面的特征在于，在本发明的第一方面中，

上述有机绝缘膜由感光性树脂构成，上述突起部通过使用具有突起图案的掩模进行比恰当时间长的时间的曝光而形成。

本发明的第四方面的特征在于，在本发明的第一方面中，

上述连接配线包括由透明导电膜构成的第一连接配线。

本发明的第五方面的特征在于，在本发明的第四方面中，

上述连接配线还包括在上述第一连接配线与上述有机绝缘膜之间形成的由透明导电膜构成的第二连接配线，上述第二连接配线的宽度比上述第一连接配线的宽度窄，上述第一连接配线和上述第二连接配线在设置于上述台阶部的接触区域电连接。

本发明的第六方面的特征在于，在本发明的第五方面中，

沿着上述第二连接配线的长度方向，在上述第二连接配线的上表面和下表面中的任一个上，形成有由电阻率比上述第二连接配线的电阻率小的金属构成的第三连接配线。

本发明的第七方面的特征在于，在本发明的第六方面中，

构成上述第三连接配线的金属膜是铜、钼、铝、它们的合金以及铝与钼的层叠膜中的任一种。

本发明的第八方面的特征在于，在本发明的第一方面中，

在由相邻的连接配线夹着的区域的上述有机绝缘膜，在比上述台阶部的上表面低的位置的斜面，形成有具有与上述透明基板的表面大致平行的平面的中间区域。

本发明的第九方面的特征在于，在本发明的第八方面中，

上述中间区域通过使用具有半色调部的掩模进行曝光和显影而形成，其中，上述半色调部的膜厚被调整为使得透射率处于不使光透射的遮光部与使光直接透射的开口部之间。

本发明的第十方面的特征在于，在本发明的第八方面中，

上述中间区域通过使用具有灰色调部(gray tone portion)的掩模进行曝光和显影而形成，其中，上述灰色调部是在遮光膜上设置多个狭缝而得到的。

本发明的第十一方面的特征在于，在本发明的第二或第八方面中，

在上述由相邻的连接配线夹着的区域形成的上述突起部或上述中间区域，还形成在没有形成上述单元的区域。

本发明的第十二方面的特征在于，在本发明的第一方面中，

上述连接配线，为了检查在上述显示部形成的扫描信号线或数据信号线的断线和短路中的至少任一个，对在上述透明基板上形成的多个单元的与上述扫描信号线和上述数据信号线连接的检查用配线，提供从上述共用配线输入的检查信号。

本发明的第十三方面的特征在于，在本发明的第一方面中，

上述显示装置是通过对在上述显示部由像素电极和共用电极夹持的液晶层施加电压来控制光的透射率从而显示图像的液晶显示装置，

在上述透明基板上形成的上述多个单元的上述连接配线，在使预先混合在上述液晶层中的光聚合性单体或低聚物聚合而形成对没有施加电压时的上述液晶层中包含的液晶分子的取向方向进行控制的取向维持层时，经由与上述像素电极连接的数据信号线对上述像素电极输入用于形成上述取向维持层所需要的信号，在上述像素电极与上述共用电极之间对上述液晶层施加电压。

本发明的第十四方面的特征在于，在本发明的第十三方面中，

上述液晶显示装置还包括辅助电容配线，在该辅助电容配线与上述像素电极之间形成辅助电容，

在上述透明基板上形成的上述多个单元的上述连接配线，在使预先混合在上述液晶层中的光聚合性单体或低聚物聚合而形成上述取向维持层时，经由上述辅助电容配线对上述像素电极输入用于形成上述取向维持层所需要的信号，在上述像素电极与上述共用电极之间对上述液晶层施加电压。

发明效果

根据上述第一方面，由相邻的多根连接配线夹着的区域中的有机绝缘膜的斜面的倾斜，比连接配线中的有机绝缘膜的斜面的倾斜平缓。由此，为了对连接配线进行图案化而涂敷的抗蚀剂的膜厚不会沿着连接配线间的区域的有机绝缘膜的边缘线变厚，因此，抗蚀剂难以在相邻的连接配线间以连接着的状态残留。因此，难以发生由相邻的连接配线被电连接而引起的漏电。另外，有机绝缘膜的端部被第二无机绝缘膜覆盖，因此，不再会出现空气中的水分从有机绝缘膜的端部侵入，使配线的可靠性降低的情况。

根据上述第二方面，在由相邻的多根连接配线夹着的区域，从有机绝缘膜的斜面向第二绝缘膜的边缘部去，形成有至少1个突起部。由此，在连接配线间的区域中，有机绝缘膜的斜面的倾斜与连接配线中的有机绝缘膜的斜面的倾斜相比，因突起部的形成而相应地变得平缓。因此，难以发生由相邻的连接配线被电连接而引起的短路。另外，有机绝缘膜的端部，包括突起部的前端在内，被第二无机绝缘膜覆盖，因此，不再会出现空气中的水分从有机绝缘膜的端部侵入，使配线的可靠性降低的情况。

根据上述第三方面，有机绝缘膜由感光性树脂构成，因此，通过使用具有突起图案的掩模并调整曝光时间，能够容易地使有机绝缘膜的斜面成为平缓的形状。

根据上述第四方面，连接配线为由第一连接配线构成的简单的结构，因此，能够容易地防止连接配线间的短路。

根据上述第五方面，在第一连接配线与有机绝缘膜之间，形成有在接触区域与第一连接配线电连接的第二连接配线。由此，能够实现连接配线的低电阻化，并且能够实现冗余化，即，只要仅任一方断线而另一方没有断线就能够作为连接配线发挥作用。另外，通过使第二连接配线的宽度比第一连接配线的宽度窄，在第二连接配线间发生短路的可能性降低，作为包括第一连接配线和第二连接配线的连接配线，发生短路的可能性也降低。

根据上述第六方面，通过进一步设置由电阻率比第二连接配线的电阻率低的金属构成的第三连接配线，能够使连接配线的电阻值减小。另外，也能够使连接配线的宽度变窄。在使连接配线的宽度变窄的情况下，由连接配线夹着的区域的宽度变宽，因此，能够形成更多的突起部，能够更加可靠地防止连接配线间的短路。

根据上述第七方面，当第三连接配线由铜、钼、铝、它们的合金以及铝与钼的层叠膜中的任一种构成时，能够使连接配线的电阻值减小。

根据上述第八方面，在由相邻的连接配线夹着的区域的有机绝缘膜的斜面上，形成具有与透明基板的表面大致平行的平面的中间区域。由此，在连接配线间的区域中，有机绝缘膜的斜面的倾斜与连接配线中的有机绝缘膜的斜面的倾斜相比，因中间区域的形成而相应地变得平缓。因此，难以发生由相邻的连接配线被电连接而引起的短路。另外，有机绝缘膜的端部被第二无机绝缘膜覆盖，因此，不再会出现空气中的水分从有机绝缘膜的端部侵入，使配线的可靠性降低的情况。

根据上述第九方面，通过使用具有半色调部的掩模进行曝光和显影，能够容易地在有机绝缘膜上形成中间区域。

根据上述第十方面，通过使用具有灰色调部的掩模进行曝光和显影，能够容易地在有机绝缘膜上形成中间区域。

根据上述第十一方面，在相邻的连接配线间的区域形成的突起部或中间区域，也形成在透明基板的没有形成单元的区域。由此，更加难以发生由相邻的连接配线被电连接而引起的短路。另外，有机绝缘膜的端部被第二无机绝缘膜覆盖，因此，空气中的水分从有机绝缘膜的端部侵入，使配线的可靠性降低的情况变得更少。

根据上述第十二方面，经由在透明基板的没有形成单元的区域形成的共用配线，对检查用配线提供检查信号。由此，能够同时在多个单元中检查扫描信号线、数据信号线是否发生了断线和/或短路，能够短时间内确认断线和/或短路的有无。

根据上述第十三方面，在使预先混合在液晶层中的光聚合性单体或低聚物聚合而形成对没有施加电压时的液晶层中包含的液晶分子的取向方向进行控制的取向维持层时，在与像素电极连接的数据信号线与共用电极之间对液晶层进行电压。此时，将对像素电极和共用电极施加的电压，从共用配线经由连接配线同时提供给多个单元，因此，能够在短时间内形成取向维持层。

根据上述第十四方面，在形成取向维持层时，经由辅助电容配线在像素电极与共用电极之间对液晶层施加电压。此时，将对辅助电容配线和共用电极施加的电压，从共用配线经由连接配线同时提供给多个单元，因此，能够在短时间内形成取向维持层。

附图说明

图1是表示液晶显示装置的结构的框图。

图2是表示从母玻璃基板分割而被切出前的单元的结构的图。

图3是表示在图2所示的单元的阵列基板上形成的经由检查用端子将检查用配线与共用检查配线连接的连接配线的配置的平面图。

图4是将图3中由虚线包围的区域放大的平面图。

图5是表示图4中由连接配线夹着的区域和连接配线的截面的形状的截面图，更详细而言，(A)是表示由连接配线夹着的区域的沿着箭线A1-A1的截面的形状的截面图，(B)是表示连接配线的端部的长度方向的沿着箭线A2-A2的截面的形状的截面图，(C)是表示连接配线的中央部的长度方向的沿着箭线A3-A3的截面的形状的截面图。

图6是用于说明在图4中相邻的连接配线被电连接而产生漏电的原因的图，更详细而言，(A)是表示在连接配线间的区域为了将ITO膜图案化来形成上层连接配线而涂敷抗蚀剂后的状态的截面图，(B)是表示进行图案化时沿着有机绝缘膜的边缘线产生了抗蚀剂残留的截面图，(C)是表示在连接配线间产生了ITO膜的蚀刻残留的截面图。

图7是表示第一实施方式的连接配线的结构的平面图。

图8是表示图7中由连接配线夹着的区域和连接配线上的截面的形状的截面图，更详细而言，(A)是表示由连接配线夹着的区域的沿着箭线B1-B1的截面的形状的截面图，(B)是表示连接配线的端部的长度方向的沿着箭线B2-B2的截面的形状的截面图，(C)是表示连接配线的中央部的长度方向的沿着箭线B3-B3的截面的形状的截面图。

图9是表示第一实施方式中用于在母玻璃基板上形成阵列基板的工序的图。

图10是表示第一实施方式中在图9所示的工序之后用于在母玻璃基板上形成阵列基板的工序的图。

图11是将图7所示的连接配线间的区域放大的平面图，更详细而言，(A)是表示形成第二无机绝缘膜前的有机绝缘膜的形状的图，(B)是表示形成第二无机绝缘膜后的有机绝缘膜的形状的图。

图12是表示第一实施方式中使用的形成有呈三角形形状的突起图案的掩模的一部分的图。

图13是表示第一实施方式中能够使用的形成有呈五边形形状的突起图案的掩模的一部分的图。

图14是表示在连接配线间的区域为了将ITO膜图案化来形成上层连接配线而涂敷抗蚀剂后的状态的截面图。

图15是表示在第一实施方式中由相邻的连接配线夹着的区域中的突起部附近的有机绝缘膜的形状的立体图。

图16是表示第一实施方式中突起部的形状的平面图。

图17是表示图16所示的突起部的截面的形状的截面图，更详细而言，(A)是表示沿图16所示的箭线W1-W1的突起部的横截面的形状的截面图，(B)是表示沿图16所示的箭线W2-W2的突起部的横截面的形状的截面图，(C)是表示沿图16所示的箭线W3-W3的突起部的横截面的形状的截面图，(D)是表示沿图16所示的箭线L-L的纵截面的形状的截面图。

图18是表示作为第一实施方式的变形例的连接配线的中央部的截面的图。

图19是表示第二实施方式的连接配线的结构的平面图。

图20是表示图19所示的相邻的连接配线间的区域的沿箭线C1-C1线的截面形状的截面图。

图21是表示在第二实施方式中形成的具有中间区域的有机绝缘膜上涂敷了抗蚀剂时的状态的截面图。

图22是将图19所示的连接配线间的区域放大的平面图，(A)是表示在有机绝缘膜的斜面上形成的中间区域的平面图，(B)是表示形成第二无机绝缘膜后的中间区域的平面图。

图23是表示在第二实施方式中使用半色调掩模进行了图案化的有机绝缘膜的截面的截面图。

图24是表示第二实施方式中能够使用的灰色调部的结构的一个例子的图。

图25是表示在图2所示的单元的阵列基板上形成的经由检查用端子将检查用配线与共用检查配线连接的连接配线的配置的平面图。

图26是表示母玻璃基板的废料基板区域的连接配线附近的图案配置的平面图。

图27是CPA模式的液晶面板的截面图，更详细而言，图27(A)是进行光聚合前的CPA模式的液晶面板的截面图，图27(B)是进行光聚合后的CPA模式的液晶面板的截面图。

图28是表示具有辅助电容配线的液晶显示装置的结构的框图。

具体实施方式

在对本发明的各实施方式进行说明之前，首先对各实施方式中共用的作为基本的结构(以下称为“基本结构”)进行说明。

＜0.基本结构＞

＜0.1整体结构＞

图1是表示液晶显示装置1的结构的框图。图1所示的液晶显示装置1是包括显示部3、显示控制电路8、扫描信号线驱动电路4和数据信号线驱动电路5的有源矩阵型的显示装置。

显示部3包括n根扫描信号线G1～Gn、m根数据信号线S1～Sm和(n×m)个像素形成部21。扫描信号线G1～Gn彼此平行地配置，数据信号线S1～Sm以与扫描信号线G1～Gn正交的方式彼此平行地配置。像素形成部21配置在扫描信号线Gi与数据信号线Sj的交点附近。这样，(n×m)个像素形成部21以行方向上m个、列方向上n个的方式配置为二维状。

显示控制电路8基于从外部供给的控制信号和图像数据，对扫描信号线驱动电路4输出控制信号C1，并对数据信号线驱动电路5输出控制信号C2和图像数据DT。扫描信号线驱动电路4基于控制信号C1对扫描信号线G1～Gn一根一根地依次进行选择。数据信号线驱动电路5基于控制信号C2和图像数据DT，对数据信号线S1～Sm施加与图像数据DT相应的电压。由此，与图像数据DT相应的电压被写入所选择的1行的像素形成部21中。这样，液晶显示装置1显示图像。

各像素形成部21包括：作为开关元件发挥作用的薄膜晶体管22(Thin Film Transistor：“TFT 22”)；与TFT 22的漏极电极连接的像素电极23；和与像素电极23一起形成液晶电容25，且在各像素形成部21共用地设置的共用电极24。各液晶电容25在像素电极23和共用电极24之间夹持有液晶层(未图示)。

图2是表示从母玻璃基板10分割而被切出前的单元2的结构的图。母玻璃基板10上形成有多个单元2，图2着眼于其中的1个单元2表示出了其结构。在本说明书中，单元2是指，在母玻璃基板10上形成的阵列基板和对置基板被贴合的状态的、从母玻璃基板10被切出前的液晶面板。在单元2的中央部设置有用于显示图像和文字等的显示部3。在显示部3形成有：在水平方向上形成的多根扫描信号线32；在垂直方向上形成的多根数据信号线33；和在它们的交叉点形成的像素形成部(未图示)。

在显示部3的周边区域设置有用于驱动扫描信号线32的扫描信号线驱动电路4和用于驱动数据信号线33的数据信号线驱动电路5。扫描信号线驱动电路4和数据信号线驱动电路5可以与显示部3形成为单片，或者也可以将具有它们的功能的半导体芯片安装在母玻璃基板10上。在图2中，与显示部3形成为单片的2个扫描信号线驱动电路4配置在显示部3的左右的周边区域，分别使第奇数个和第偶数个扫描信号线32依次有效。另外，数据信号线驱动电路5作为半导体芯片被安装在母玻璃基板10上，对各数据信号线33施加与图像数据DT相应的电压。在单元2的阵列基板上设置有FPC(Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路板)部36，经由在该FPC部36设置的各FPC端子37，从外部对扫描信号线驱动电路4和数据信号线驱动电路5提供图像数据DT和控制信号C1、C2。另外，在数据信号线驱动电路5和数据信号线33之间配置有形成有数据信号线33的检查电路(未图示)的数据信号线检查区域34，但是与本发明无直接关系，因此省略其说明。

在数据信号线驱动电路5的左右的附近，以夹着数据信号线驱动电路5的方式分别设置有各自由多个检查用端子40构成的检查用端子部35。各检查用端子40连接有与扫描信号线32和数据信号线33连接的检查用配线42、与在后述的废料基板区域(waste substrate region)31形成的共用检查配线46连接的连接配线50、和用于从各FPC端子37输入信号的输入用配线43。另外，有时将共用检查配线46称为“共用配线”。

在母玻璃基板上的相邻的单元2之间，设置有在沿着分割线30分割成各个单元2时切断的废料基板区域31。在该废料基板区域31形成有多根共用检查配线46，从外部对共用检查配线46提供检查信号。因此，通过经由连接配线50将共用检查配线46与各阵列基板内的想要检查的配线连接，能够在母玻璃基板的状态下或在从母玻璃基板分割成各液晶面板之前的中途的状态下，对多个单元2的配线同时进行检查。另外，在各单元2的检查结束进行分割时，沿着分割线30在母玻璃基板10的废料基板区域31切断，因此，废料基板区域31和共用检查配线46不会残留在分割后的液晶面板上。

此外，以将显示部3覆盖的方式形成有共用电极24，从FPC端子37沿着各单元2的左右的端部延伸的共用信号配线44与共用电极24的左右的上端连接。因此，只要从外部经由FPC端子37提供共用电压，共用电压就被施加于共用电极24。

图3是表示在单元2的阵列基板上形成的经由检查用端子40将检查用配线42与共用检查配线46连接的连接配线50的配置的平面图。如图3所示，5个检查用端子40在水平方向上排列。这5个检查用端子40之中，左侧的3个检查用端子40是与用于检查数据信号线33的检查用配线42连接的端子，经由检查用配线42以及形成于数据信号线检查区域34的检查用的电路与数据信号线33连接，并且经由连接配线50与共用检查配线46连接。右侧的2个检查用端子40是用于检查扫描信号线32的端子，经由检查用配线42与扫描信号线驱动电路4连接，并且经由连接配线50与和用于检查数据信号线33的配线不同的共用检查配线46连接。此外，各检查用端子40也经由输入用配线43与FPC端子37连接。因此，扫描信号线32和数据信号线33被提供用于驱动液晶面板的控制信号和用于检查的检查信号中的任一个。此外，还配置有上述以外的检查用端子40，但是省略它们的图示和说明。

另外，与从各检查用端子40的下端向FPC端子37延伸的输入用配线43相邻地形成有宽度宽的共用信号配线44。该共用信号配线44是用于对形成于像素形成部的共用电极24施加共用电压的配线。连接配线50横穿该输入用配线43和共用信号配线44的上方，将各阵列基板的检查用端子40与配置于废料基板区域31的共用检查配线46连接。

＜0.2连接配线的结构＞

对在说明连接配线50的结构时使用的各层的名称进行说明。构成连接配线50的各层使用在形成像素形成部21的TFT 22时成膜的绝缘膜和导电膜。因此，在以下的关于连接配线50的结构的说明中，将与TFT 22的栅极电极和扫描信号线32同时形成的导电层称为“栅极金属层61”，将与TFT 22的栅极绝缘膜同时形成的绝缘层称为“栅极绝缘层62”，将与TFT 22的沟道蚀刻阻挡层同时形成的绝缘层称为“沟道蚀刻阻挡层63”，将与TFT 22的源极电极/漏极电极和数据信号线33同时形成的导电层称为“源极金属层64”，将连接配线50中由与共用电极24相同的氧化铟锡膜(Indium Tin Oxide：以下称为“ITO膜”)等透明导电膜构成、且与共用电极24同时形成的配线称为下层连接配线52，将连接配线50中由与像素电极23相同的ITO膜等透明导电膜构成、且与像素电极23同时形成的配线称为上层连接配线51。另外，有时也将上层连接配线51称为“第一连接配线”，将下层连接配线52称为“第二连接配线”。

图4是将图3中由虚线包围的区域放大的平面图。如图4所示，在水平方向上形成有将栅极金属层61和源极金属层64层叠而得到的2层结构的共用信号配线44。在共用信号配线44上，以隔开规定距离与共用信号配线44正交的方式，形成有在宽度窄的下层连接配线52上层叠宽度宽的上层连接配线51而得到的2层结构的连接配线50。此外，共用信号配线44的栅极金属层61与源极金属层64电连接。由此，共用信号配线44的电阻值降低。另外，即使栅极金属层61和源极金属层64中的任一方发生断线，只要另一方不发生断线，就能够避免共用信号配线44的断线。这样，通过将栅极金属层61和源极金属层64层叠，能够实现共用信号配线44的低电阻化和冗余化。另外，共用信号配线44由将大量的导电层和绝缘层层叠而得到的层叠膜构成，因此，在本说明书中有时称作“台阶部”。

此外，优选栅极金属层61和源极金属层64均为在钛(Ti)膜上层叠铜(Cu)膜而得到的2层结构的配线。通过层叠铜膜，能够使栅极金属层61和源极金属层64低电阻化。另外，将栅极金属层61和源极金属层64分离的栅极绝缘层62、沟道蚀刻阻挡层63、以及第一无机绝缘膜65和第二无机绝缘膜71均由例如硅氧化膜(SiO₂)或硅氮化膜(SiNx)等无机绝缘膜构成。

有机绝缘膜70从图4的上端起覆盖共用信号配线44，进一步形成至有机绝缘膜70的边缘线的位置。第二无机绝缘膜71从图4的上端起超过有机绝缘膜70的边缘线形成至第二无机绝缘膜71的边缘线。因此，有机绝缘膜70的边缘部被第二无机绝缘膜71覆盖。

对在这样的平面图中由相邻的连接配线50夹着的区域的截面进行说明。图5是表示由连接配线50夹着的区域和连接配线50的截面的形状的截面图，更详细而言，图5(A)是表示由连接配线50夹着的区域的沿着箭线A1-A1的截面的形状的截面图，图5(B)是表示连接配线50的端部的长度方向的沿着箭线A2-A2的截面的形状的截面图，图5(C)是表示连接配线50的中央部的长度方向的沿着箭线A3-A3的截面的形状的截面图。

如图5(A)所示，在由连接配线50夹着的区域中，层叠有构成共用信号配线44的栅极金属层61、栅极绝缘层62、沟道蚀刻阻挡层63和源极金属层64。另外，以覆盖共用信号配线44的方式依次层叠有第一无机绝缘膜65、有机绝缘膜70和第二无机绝缘膜71。此时，有机绝缘膜70的边缘部被第二无机绝缘膜71覆盖，因此，空气中的水分不会侵入到有机绝缘膜内。但是，有机绝缘膜70的斜面的倾斜角变大。

如图5(B)所示，在连接配线50的端部，共用信号配线44的结构也与图5(A)的情况相同，因此，省略其说明。以覆盖共用信号配线44的方式形成有有机绝缘膜70、第二无机绝缘膜71和上层连接配线51。这样，作为连接配线50，除了在第二无机绝缘膜71上形成有上层连接配线51以外，与图5(A)所示的连接配线50的结构相同。

有机绝缘膜70的端部被第二无机绝缘膜71覆盖，因此，空气中的水分不会侵入到有机绝缘膜内。另外，有机绝缘膜70的斜面的倾斜角与图5(A)所示的情况同样地变大。

如图5(C)所示，在连接配线50的中央部，共用信号配线44的结构也与图5(A)的情况相同，因此，省略其说明。以覆盖共用信号配线44的方式形成有有机绝缘膜70，但是与图5(A)所示的情况不同，在有机绝缘膜70上形成有下层连接配线52。进而，在有机绝缘膜70的斜面上形成的下层连接配线52上形成有第二无机绝缘膜71。上层连接配线51以将该下层连接配线52和第二无机绝缘膜71覆盖的方式形成。这样，在连接配线50的中央部，连接配线50为在下层连接配线52上层叠上层连接配线51而得到的2层结构的配线。

在连接配线50的中央部，有机绝缘膜70的斜面的倾斜角也与图5(A)所示的情况同样地变大。有机绝缘膜70的端部被第二无机绝缘膜71覆盖，因此，空气中的水分不会侵入到有机绝缘膜内。另外，在共用信号配线44的上方的接触区域54，上层连接配线51与下层连接配线52电连接。因此，与共用信号配线44的栅极金属层61和源极金属层64的情况同样，连接配线50也实现了低电阻化和冗余化。

＜0.3比较例＞

对在被相邻的连接配线50夹着的区域中有机绝缘膜70的斜面的倾斜角变大的情况下的问题点进行说明。图6是用于对相邻的连接配线50被电连接而产生漏电的原因进行说明的图，更详细而言，图6(A)是表示在连接配线50间的区域为了将ITO膜51A图案化来形成上层连接配线51而涂敷抗蚀剂后的状态的截面图，图6(B)是表示进行图案化时沿着有机绝缘膜70的边缘线产生了抗蚀剂残留的截面图，图6(C)是表示在连接配线间产生了ITO膜的蚀刻残留的截面图。

如图6(A)所示，在连接配线50间的区域，在第二无机绝缘膜71和母玻璃基板10上形成有成为上层连接配线51的ITO膜51A，进一步在ITO膜51A上涂敷有抗蚀剂75。在该情况下，在有机绝缘膜70的斜面，倾斜角变大，因此，沿着有机绝缘膜70的边缘线，抗蚀剂的膜厚T1变厚。在该状态下，在为了将ITO膜51A图案化而使用光刻法对抗蚀剂75进行图案化时，如图6(B)所示，本来应该通过显影被除去的抗蚀剂75a会沿着有机绝缘膜70的边缘线残留。

接着，如图6(C)所示，在以抗蚀剂图案(未图示)作为掩模对ITO膜51A进行蚀刻来形成上层连接配线51的图案时，沿着边缘线残留的抗蚀剂75a也成为掩模，ITO膜51a会沿着产生了抗蚀剂残留的边缘线而连接着残留。该连接着残留的ITO膜51a使相邻的连接配线50电连接，产生在连接配线50间发生漏电的问题。

此外，在图6(C)中，对在将ITO膜51A图案化来形成上层连接配线51时，因在上层连接配线51间以连接着的状态残留的抗蚀剂75a而导致在上层连接配线51间发生的漏电进行了说明。但是，在形成共用电极24时对ITO膜进行图案化来形成下层连接配线52时，也存在下层连接配线52间残留的抗蚀剂成为掩模，将相邻的下层连接配线52间电连接的ITO膜残留的情况。但是，下层连接配线52的宽度与上层连接配线51的宽度相比狭窄，因此，下层连接配线52间的间隔变宽相应的量。因此，虽然与上层连接配线51相比可能性低，但是在下层连接配线52间也存在发生漏电的可能性。

＜1.第一实施方式＞

应用本发明的第一实施方式的液晶显示装置和在母玻璃基板上形成的单元的结构，与图1所示的液晶显示装置1和图2所示的单元2的基本结构相同，因此省略其说明。

＜1.1连接配线的结构＞

如上所述，图6(A)所示的有机绝缘膜70的斜面的倾斜角大，因此，在有机绝缘膜70上形成的ITO膜51A的斜面的倾斜角也变大，沿着有机绝缘膜70的边缘线的抗蚀剂75的膜厚T1变厚，可认为是原因。因此，可以认为，如果使有机绝缘膜70的斜面的倾斜减缓，使在涂敷抗蚀剂75时沿着边缘线的抗蚀剂75的膜厚T1变薄，则能够防止因残留的抗蚀剂75a连接而发生的漏电。因此，在第一实施方式中，使连接配线50的结构如以下那样。

图7是表示本实施方式的连接配线50的结构的平面图。对图7所示的平面图中与图4所示的平面图不同的部分进行说明。在本实施方式中，如图7所示，在有机绝缘膜70的边缘部中由相邻的上层连接配线51夹着的区域形成有突起部55。另外，如图7所示，为了在该情况下也防止水分侵入到有机绝缘膜70内，有机绝缘膜70的边缘部，包括突起部55在内，形成为比第二无机绝缘膜71的边缘部更靠内侧。因此，有机绝缘膜70的边缘部被第二无机绝缘膜71的边缘部覆盖，因此，不会因空气中的水分而导致连接配线50的可靠性出现问题。

图8是表示图7中由连接配线50夹着的区域和连接配线50上的截面的形状的截面图，更详细而言，图8(A)是表示由连接配线50夹着的区域的沿着箭线B1-B1的截面的形状的截面图，图8(B)是表示连接配线50的端部的长度方向的沿着箭线B2-B2的截面的形状的截面图，图8(C)是表示连接配线50的中央部的长度方向的沿着箭线B3-B3的截面的形状的截面图。

在相邻的连接配线50间的区域，如图8(A)所示，除了有机绝缘膜70和第二无机绝缘膜71的斜面的倾斜角以外，与图6(A)所示的截面图为相同结构。但是，由于在有机绝缘膜70的边缘线设置有突起部55，与图6(A)所示的情况相比，有机绝缘膜70的斜面的倾斜变得平缓。另一方面，第二无机绝缘膜71的边缘部的位置与图6(A)所示的位置大致相同，因此，有机绝缘膜70的突起部55的前端与第二无机绝缘膜71的边缘部间的距离，即覆盖突起部55的前端的第二无机绝缘膜71的长度缩短为3μm左右。但是，在该情况下也是，有机绝缘膜70的边缘部，包括突起部55在内，被第二无机绝缘膜71覆盖。

另外，如图8(B)和图8(C)所示，连接配线50的端部和中央部的有机绝缘膜70的斜面的倾斜，与图6(B)和图6(C)所示的情况同样地变大。因此，在任一情况下，沿着有机绝缘膜70的边缘线，抗蚀剂的膜厚均变厚，但是，因为是在形成上层连接配线51时抗蚀剂作为图案在ITO膜上残留的区域，因此，这些残留的抗蚀剂不是本来应该通过显影被除去的抗蚀剂。

这样，在由相邻的连接配线50夹着的区域，通过在有机绝缘膜70的边缘部形成突起部55，使有机绝缘膜70的倾斜角减小，因此，在形成上层连接配线51时涂敷的抗蚀剂的沿着边缘线的膜厚变薄。由此，在显影时应当被除去的抗蚀剂难以以连接着的状态残留，能够抑制在相邻的连接配线50间产生的漏电的发生。

＜1.2连接配线的形成方法＞

对在母玻璃基板10上形成阵列基板的形成方法进行说明。图9和图10是表示用于在母玻璃基板10上形成阵列基板的工序的图。在图9和图10中，与图8中的区域对应地从左起依次表示出连接配线50间的突起部55、连接配线50的端部、连接配线50的中央部的截面。首先，如图9(A)所示，在任一区域中，至形成共用信号配线44为止的工序都是相同的。首先，在母玻璃基板10上通过溅射法形成钛膜，进而接着形成铜膜。接着，使用光刻法形成抗蚀剂图案，以该抗蚀剂图案作为掩模依次对铜膜、钛膜进行蚀刻，形成栅极金属层61。此时，在像素形成部21形成TFT 22的栅极电极和扫描信号线32。另外，使栅极金属层61为2层结构并在其表面层叠铜膜，是为了使栅极金属层61低电阻化。

利用等离子体CVD法形成硅氮化膜(SiNx)。然后，使用光刻法形成抗蚀剂图案，以该抗蚀剂图案作为掩模对硅氮化膜进行图案化，形成栅极绝缘层62。此时，在TFT部22，在栅极电极上形成栅极绝缘膜。接着，通过形成非晶硅膜并对其进行图案化，在TFT部22形成半导体层。此外，在连接配线50，将形成的非晶硅膜除去。

进一步，形成硅氮化膜并对其进行图案化，在连接配线50在栅极绝缘层62上形成沟道蚀刻阻挡层63，在TFT部22形成用于保护半导体层的沟道蚀刻阻挡层，并且在半导体层上开设用于将源极电极与漏极电极连接的接触孔。另外，也可以考虑不形成用于保护半导体层的沟道蚀刻阻挡层的结构，在该情况下也不形成连接配线50的沟道蚀刻阻挡层63。

利用溅射法形成钛膜，进而接着形成铜膜。然后，与形成栅极金属层61时同样地，使用光刻法形成层叠的源极金属层64。此时，在TFT部22形成与沟道层连接的源极电极和漏极电极、以及数据信号线33。在源极金属层64上，使用等离子体CVD法形成成为第一无机绝缘膜65的硅氮化膜。

如图9(B)所示，作为有机绝缘膜70，使用狭缝涂敷法或旋转涂敷法例如以1～4μm的厚度涂敷感光性丙烯酸树脂，并使用光刻法进行图案化。此时，在TFT部22，在已经形成的漏极电极上的有机绝缘膜上，开设用于与后述的像素电极23电连接的接触孔。在用于对该有机绝缘膜70进行图案化而使用的掩模上，在与相邻的连接配线50间对应的位置形成有突起图案。由此，显影后的连接配线50间的有机绝缘膜70的斜面的倾斜，由于形成有突起部55，与连接配线50上的有机绝缘膜70的斜面的倾斜相比变得缓和，详细情况将在后面说明。如图9(C)所示，通过利用溅射法形成作为共用电极24的ITO膜并进行图案化，在连接配线50上的中央部形成下层连接配线52。

接着，如图10(A)所示，利用等离子体CVD法形成硅氮化膜，并利用光刻法进行图案化。由此形成第二无机绝缘膜71。第二无机绝缘膜71以在连接配线50间的突起部上和连接配线50的端部将有机绝缘膜70覆盖的方式形成。在连接配线50的中央部开设有用于与后述的上层连接配线51连接的接触区域54，第二无机绝缘膜71覆盖有机绝缘膜70的斜面。由此，在任一区域，有机绝缘膜70的边缘部均被第二无机绝缘膜71覆盖。另外，在TFT部22，在第二无机绝缘膜上开设用于在漏极电极上与后述的像素电极23连接的接触孔。

如图10(B)所示，利用溅射法形成ITO膜，并利用光刻法进行蚀刻。由此，在连接配线50的中央部形成经由接触区域54与下层连接配线52连接的上层连接配线51，在连接配线50的端部，在第二无机绝缘膜71上形成上层连接配线51，在形成于连接配线50间的区域的突起部55上，ITO膜被除去，覆盖有机绝缘膜70的第二无机绝缘膜71露出。另外，在TFT部22，形成经由接触孔与漏极电极连接的像素电极23。

此外，在上述说明中，以栅极绝缘层62、沟道蚀刻阻挡层63、第一无机绝缘膜65、第二无机绝缘膜71使用硅氮化膜的情况进行了说明。但是，也可以使用硅氧化膜(SiO₂)、硅氮化膜与硅氧化膜的层叠膜等。另外，作为半导体层也可以使用例如氧化铟镓锌(InGaZnO)。另外，作为像素电极23和共用电极24，也可以代替ITO而使用IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)等透明导电膜。

＜1.3突起图案＞

图11是将图7所示的连接配线50间的区域放大的平面图，更详细而言，图11(A)是表示形成第二无机绝缘膜71前的有机绝缘膜70的形状的图，图11(B)是表示形成第二无机绝缘膜71后的有机绝缘膜70的形状的图。如图11(A)所示，在由彼此平行的2根连接配线50夹着的区域的有机绝缘膜70的边缘线上，形成有在俯视时呈三角形形状的2个突起部55。如图11(B)所示，突起部55的前端向第二无机绝缘膜71的边缘部突出，但是与第二无机绝缘膜71的边缘部相比位于内侧，因此，有机绝缘膜70的边缘部，包括突起部55在内，被第二无机绝缘膜71覆盖。

对在利用光刻技术将突起部55图案化时使用的掩模80上形成的突起图案55a的形状进行说明。图12表示形成有呈三角形形状的突起图案55a的掩模80的一部分的图。例如，如图12所示，在相邻的连接配线间的间隔为44μm的情况下，使用形成有2个三角形的底边为10μm、高为20μm的等腰三角形的突起图案55a的掩模80。此外，突起图案55a的形状并不限定于三角形，只要前端尖即可，例如也可以为图13所示的五边形。另外，在连接配线50间形成的突起图案55a的个数并不限定于2个，也可以为1个，在连接配线50间的间隔宽的情况下也可以为3个以上。

图14是表示在连接配线50间的区域为了将ITO膜51A图案化来形成上层连接配线51而涂敷抗蚀剂后的状态的截面图。如图14所示，在连接配线50间的区域，在第二无机绝缘膜71和母玻璃基板10上形成有成为上层连接配线51的ITO膜51A，进一步在ITO膜51A上涂敷有抗蚀剂75。在该情况下，有机绝缘膜70的斜面的倾斜角变小，因此，沿着有机绝缘膜70的边缘线，抗蚀剂的膜厚T2与图6(A)所示的膜厚T1相比变薄。在该状态下，在为了将ITO膜51A图案化而使用光刻法对抗蚀剂75进行图案化时，显影后抗蚀剂75a不会连接着残留。

图15是表示由相邻的连接配线50夹着的区域的突起部55附近的有机绝缘膜70的形状的立体图。如图15所示，2个突起部55在俯视时为三角形形状，以其高度随着向前端去而降低的方式倾斜，在突起部55的侧面形成的锥形也随着向前端去而变缓。因此，在突起部55的根部附近，将ITO膜图案化而形成上层连接配线51时涂敷的抗蚀剂在显影时会不被除去而残留，因此ITO膜也残留。但是，在突起部55的前端附近，有机绝缘膜70的倾斜平缓，因此，没有抗蚀剂残留，因此ITO膜也没有残留。这样，通过在相邻的连接配线50之间设置突起部55，即使在突起部55的根部附近有ITO膜沿着突起部55的边缘残留，在前端附近ITO膜也不会残留。因此，在相邻的连接配线50间不会形成沿着有机绝缘膜70的边缘将它们连接的ITO膜。由此，相邻的连接配线50不会被电连接，在它们之间不会发生漏电。

对突起部55的截面形状更详细地进行说明。图16是表示突起部55的形状的平面图，图17是表示图16所示的突起部55的截面的形状的截面图。更详细而言，图17(A)是表示沿图16所示的箭线W1-W1的突起部55的横截面的形状的截面图，图17(B)是表示沿图16所示的箭线W2-W2的突起部55的横截面的形状的截面图，图17(C)是表示沿图16所示的箭线W3-W3的突起部55的横截面的形状的截面图，图17(D)是表示沿图16所示的箭线L-L的纵截面的形状的截面图。

若使用图12所示的三角形的突起图案55a进行过曝光(overexposure)，则曝光光会由于衍射而绕入到突起图案55a的内侧。因此，在突起部55的前端，如图17(A)所示，从掩模的两侧绕入的曝光光将有机绝缘膜70曝光，构成突起部55的有机绝缘膜70的膜厚变薄，并且宽度与对应的位置的突起图案55a的宽度相比也变窄。因此，突起部55的前端的位置也从突起图案55a的前端的位置后退。

在突起部55的中央部附近也是，如图17(B)所示，由于由曝光光的衍射引起的绕入，在左右的侧面形成有锥面，但是其倾斜与图17(A)所示的情况相比变得陡峭。另外，在突起部55的根部附近也是，如图17(C)所示在侧面形成有锥面，但是其倾斜进一步变得陡峭。如图17(D)所示，突起部55在其长度方向上，从根部附近向前端去，倾斜逐渐变得陡峭，在前端附近呈直线状倾斜。另外，根据这些截面图能够看出，突起部55随着向前端去而宽度变窄并且其高度变低。由此，在以所涂敷的抗蚀剂作为掩模对ITO膜进行蚀刻来形成上层连接配线51时，在突起部55的前端，其倾斜变得平缓，不会产生由抗蚀剂残留引起的ITO膜的残渣。其结果，ITO膜至少在突起部55的前端被可靠地除去，因此，相邻的连接配线50不会被电连接，不会发生连接配线50间的漏电。

另外，在对用于形成下层连接配线52的ITO膜进行图案化时，也与形成上层连接配线51的情况同样地，在下层连接配线52间形成突起部55是预防在下层连接配线52间发生漏电的有效方法。但是，与应用于间隔宽的下层连接配线52的形成时相比，该方法在应用于间隔窄的上层连接配线51的形成时的情况下特别有效。

＜1.4效果＞

根据本实施方式，使用在与相邻的连接配线50之间的有机绝缘膜70的图案边缘对应的位置具有前端尖的突起图案55a的形状的掩模80进行过曝光。由此，由连接配线50夹着的有机绝缘膜70的斜面的倾斜变得平缓，因此，在形成连接配线50时，抗蚀剂的膜厚沿着有机绝缘膜70的边缘线变厚的情况得到抑制。其结果，在形成连接配线50的抗蚀剂图案时，抗蚀剂不再连接着残留在由相邻的连接配线50夹着的区域，能够防止相邻的连接配线50间的漏电。

＜1.5变形例＞

图18是表示作为本实施方式的变形例的连接配线50的中央部的截面的图。与图8(C)所示的连接配线50的情况不同，本变形例的连接配线50，如图18所示，在由ITO膜等透明导电膜构成的下层连接配线52与上层连接配线51之间，还包括例如由电阻率低的铜膜构成的第二下层连接配线53。这样，通过进一步形成电阻率低的第二下层连接配线53，能够使连接配线50更加低电阻化。由此，即使使连接配线50的宽度变窄，也能够将其电阻值维持在低的值。另外，在连接配线50的电阻值相同的情况下，通过使连接配线50的宽度变窄，能够使相邻的连接配线50的间隔变宽，因此，能够在连接配线50间形成更多的突起部55。因此，能够更进一步防止连接配线50间的漏电。另外，有时也将第二下层连接配线53称为“第三连接配线”。另外，有时将栅极金属层61、源极金属层64称为“导电层”。

另外，可作为第二下层连接配线53使用的金属膜并不限定于铜膜，可以使用钼(Mo)膜、铝(Al)膜或铝膜与钼膜的层叠膜等电阻率比透明导电膜的电阻率低的金属膜。另外，在图18中，第二下层连接配线53形成在下层连接配线52的上表面，但是也可以形成在下层连接配线52的下表面，或者不形成下层连接配线52而仅形成第二下层连接配线53。

＜2.0.第二实施方式＞

应用本发明的第二实施方式的液晶显示装置和在母玻璃基板上形成的单元的结构，与图1所示的液晶显示装置1和图2所示的单元2的基本结构相同，因此省略其说明。另外，图19是表示本实施方式的连接配线50的结构的平面图。对图19所示平面图中与图4所示平面图不同的部分进行说明。在本实施方式中，如图19所示，在有机绝缘膜70的边缘部中由相邻的上层连接配线51夹着的区域形成有中间区域56。这样，在本实施方式中，在由相邻的连接配线50夹着的区域，代替由有机绝缘膜70构成的突起部55，在其斜面设置有中间区域56。关于该中间区域56将在后面进行说明。其它的构成要素和位置关系与图4所示的情况相同，因此省略其说明。

另外，如图19所示，在本实施方式中也是，为了防止水分侵入到有机绝缘膜70内，有机绝缘膜70的边缘部，包括中间区域56在内，形成为与第二无机绝缘膜71的边缘部相比更靠内侧。因此，有机绝缘膜70的边缘部由第二无机绝缘膜71的边缘部覆盖，因此，不会因空气中的水分而导致连接配线50的可靠性出现问题。

图20是表示图19所示的相邻的连接配线50间的区域的沿箭线C1-C1线的截面的形状的截面图。如图20所示，在本实施方式中，在由相邻的连接配线50夹着的区域，在有机绝缘膜70的斜面设置有中间区域56，除了这一点以外与图5(A)所示的截面相同，因此，对于相同的部分，标注相同的参照符号，省略其说明。另外，在连接配线50上不形成中间区域56，因此，连接配线50的端部和中央部的截面图分别与图5(B)和图5(C)所示的情况相同。因此这些截面图省略。

在由相邻的连接配线50夹着的区域的有机绝缘膜70的斜面形成有具有台阶的中间区域56，在中间区域56形成有与母玻璃基板10的表面大致平行的平面。图21是表示在具有中间区域56的有机绝缘膜70上涂敷了抗蚀剂时的状态的截面图。在有机绝缘膜70上，隔着第二无机绝缘膜71形成ITO膜51A，进一步涂敷了用于将ITO膜51A图案化的抗蚀剂75时，沿着有机绝缘膜70的边缘线形成的抗蚀剂的膜厚T3与图6(A)所示的膜厚T1相比变薄。由此，在连接配线50间的区域不再有抗蚀剂连接着残留，相邻的连接配线50彼此不会被电连接。

图22是将图19所示的连接配线50间的区域放大的平面图，图22(A)是表示在有机绝缘膜70的斜面上形成的中间区域56的平面图，图22(B)是表示形成第二无机绝缘膜71后的中间区域56的平面图。如图22(A)所示，中间区域56形成在由相邻的连接配线50夹着的区域的有机绝缘膜70的斜面上，而不形成在连接配线50上。接着，如图22(B)所示，形成第二无机绝缘膜71并进行图案化。由此，有机绝缘膜70的边缘部与第二无机绝缘膜71的边缘部相比位于内侧，因此，有机绝缘膜70的边缘部被第二无机绝缘膜71覆盖。

接着，对在有机绝缘膜70的斜面上形成台阶部的方法进行说明。图23是表示使用半色调掩模81(以下称为“掩模81”)进行了图案化的有机绝缘膜70的截面的截面图。在图23中，在有机绝缘膜70的下方形成的共用信号配线44的结构，与作为基本结构的图5(A)所示的结构相同，因此，标注相同的参照符号，省略其说明。在对有机绝缘膜70进行图案化时使用的掩模80，不仅包括遮光部81a和开口部81c，还包括曝光光的透射率被调整为例如30～45％左右的半色调部81b，与有机绝缘膜70的中间区域56对应的图案被设置在半色调部81b。因此，以使得半色调部81b位于连接配线50间的要形成中间区域56的位置的方式对掩模81进行定位，并进行曝光。由此，与半色调部81b对应的有机绝缘膜70被照射能量比与遮光部81a对应的有机绝缘膜70被照射的能量高、并且比与开口部81c对应的有机绝缘膜70被照射的能量低的曝光光。由此，通过显影被除去的与半色调部81b对应的有机绝缘膜70的膜厚，被除去与开口部81c对应的膜厚的一半左右。其结果，在有机绝缘膜70的倾斜面上形成具有平坦的平面的中间区域56。

另外，半色调部81b的透射率并不限定于开口部81c的30～45％左右，也能够在20～80％左右的范围内适当变更。另外，为了在有机绝缘膜70形成中间区域56，也可以使用代替半色调部81b而具有灰色调部81d的掩模。是表示第二实施方式中能够使用的灰色调部的结构的一个例子的图。灰色调部81d，如图24所示，通过在遮光膜上设置透明的微细图案，使透射的曝光光的光量减少，实现半色调。作为在灰色调部81d上设置的微细图案，例如能够使用通过在遮光膜上形成狭缝而使1.5μm宽度的线和1.5μm宽度的狭缝交替地排列的图案。

这样，根据本实施方式，通过使用在与相邻的连接配线50间的有机绝缘膜70的斜面对应的位置具有半色调部81b或灰色调部81d的掩模，对由感光性树脂构成的有机绝缘膜70进行曝光，在有机绝缘膜70的斜面上形成中间区域56。由此，由连接配线50夹着的有机绝缘膜70的斜面的倾斜变得平缓，因此，在形成连接配线50时，抗蚀剂的膜厚沿着有机绝缘膜70的边缘线变厚的情况得到抑制。其结果，抗蚀剂不再连接着残留在由相邻的连接配线50夹着的区域，能够防止相邻的连接配线50间的漏电。

＜3.0.第三实施方式＞

应用本发明的第三实施方式的液晶显示装置和在母玻璃基板上形成的单元的结构，与图1所示的液晶显示装置1和图2所示的单元2的基本结构相同，因此省略其说明。另外，图25是表示在图2所示的单元2的阵列基板上形成的经由检查用端子40将检查用配线42与共用检查配线46连接的连接配线50的配置的平面图。图25所示的图案的配置与图3所示的图案的配置相同，因此省略其说明。但是，与图3所示的情况不同，由虚线包围的区域是母玻璃基板10的废料基板区域31上的形成有共用检查配线46的区域。

在本实施方式中，防止由于在形成于废料基板区域31上的共用检查配线46的附近的有机绝缘膜70的边缘线上抗蚀剂也连接着残留而发生的连接配线50间的漏电。图26是表示母玻璃基板10的废料基板区域31的连接配线50附近的图案配置的平面图。图26所示的各图案是将图9所示的各图案在上下方向翻转而得到的图案。在该情况下，在相邻的连接配线50间的有机绝缘膜70的边缘部也形成有突起部55。另外，由有机绝缘膜70构成的突起部55的前端位于第二无机绝缘膜71的内侧，因此，包括突起部55的有机绝缘膜70被第二无机绝缘膜71覆盖。

根据本实施方式，不仅在单元2内，在废料基板区域31也在有机绝缘膜70的边缘形成突起部55。由此，在废料基板区域31，由连接配线50夹着的有机绝缘膜70的斜面的倾斜也变得平缓，因此，在形成连接配线50时，抗蚀剂的膜厚沿着有机绝缘膜70的边缘线变厚的情况得到抑制。其结果，抗蚀剂不再连接着残留在由相邻的连接配线50夹着的区域，能够防止相邻的连接配线50间的漏电。

另外，图26所示的共用检查配线46仅由栅极金属层构成，因此，有机绝缘膜70的倾斜面的倾斜与第一实施方式的情况相比平缓。因此，与第一实施方式的情况相比，难以发生由抗蚀剂连接着残留引起的连接配线50间的漏电。

另外，与第一实施方式的情况同样地，突起部55的形状并不限定于三角形，只要是五边形等前端尖的形状即可。此外，与第二实施方式的情况同样地，也可以代替设置突起部55，而使用具有半色调部或灰色调部的掩模在有机绝缘膜70的斜面形成中间区域56。

＜4.0其它＞

在具有广视野角特性的液晶显示装置中，多采用量产性优异的垂直取向(VA)模式，尤其是在便携设备用途方面，广泛采用使液晶分子以像素电极的中央部为取向中心呈辐射状取向的CPA(Continuous Pinwheel Alignment：连续焰火状排列)模式。在该CPA模式中，出于改善响应特性的目的，多应用“Polymer Sustained Alignment Technology”的技术(以下称“PSA技术”)。在PSA技术中，在制作单元后，对预先混合在液晶材料中的光聚合性单体(或低聚物)，在对液晶层施加有电压的状态下照射紫外线使其聚合从而形成取向维持层(“聚合物层”)，利用该取向维持层对液晶分子赋予预倾斜。取向维持层发挥作用，使得即使在不对液晶层施加电压的状态下也维持对液晶层施加有电压的状态的液晶分子的取向，因此，没有施加电压时液晶分子倾斜的方位，与施加电压时液晶分子倾斜的方位匹配。当这样使用PSA技术时，通过调整使单体聚合时施加的电场的分布和强度，能够控制液晶分子的预倾斜方位和预倾角，改善响应特性。

图27是CPA模式的液晶面板的截面图，更详细而言，图27(A)是进行光聚合前的CPA模式的液晶面板的截面图，图27(B)是进行光聚合后的CPA模式的液晶面板的截面图。如图27(A)所示，在CPA模式的液晶面板中，在阵列基板98的绝缘膜91上配置有多个像素电极23，在其表面形成有垂直取向膜92。在与阵列基板98相对的对置基板99的基板10上，形成有共用电极24和垂直取向膜92。在阵列基板98与对置基板99之间，夹持着混合有光聚合性单体的液晶层95。

接着，如图27(B)所示，在该状态下对像素电极23与共用电极24之间施加电压。当在该状态下照射紫外线时，会发生光聚合性单体的聚合，在垂直取向膜92的表面形成取向维持层96。其结果，液晶层95内的液晶分子95a在没有被施加电压的状态下由于取向维持层96的作用而相对于与基板10垂直的方向稍微倾斜(例如2°～3°)地排列。这样，取向维持层96控制液晶分子95a的取向方向。

在形成这样的取向维持层96时需要对像素电极23施加电压，其存在以下2种方法。其一是，从与数据信号线33连接的连接配线50经由数据信号线33对像素电极23输入信号，在像素电极23与共用电极24之间对液晶层95施加电压的方法。此外，为了从数据信号线33对像素电极23写入信号，用于使扫描信号线32有效的信号也需要经由与扫描信号线32连接的连接配线50同时写入。根据该方法，能够利用在上述各实施方式中说明的连接配线50施加用于形成取向维持层96的电压。

另一方法是，经由显示部3的辅助电容配线输入信号，并经由辅助电容配线与像素电极23之间的寄生电容，在像素电极23与共用电极24之间对液晶层95施加电压的方法。图28是表示具有辅助电容配线A1～An的液晶显示装置101的结构的框图。如图28所示，在图1所示的液晶显示装置1中追加了辅助电容主干配线7和与该辅助电容主干配线7连接的n根辅助电容配线A1～An，而其它的结构与液晶显示装置1相同，因此省略其说明。在图28所示的像素形成部121，以与图1所示的在像素形成部21形成的液晶电容25并联的方式，还连接有在辅助电容配线A1～An与像素电极之间形成的辅助电容26。在该情况下，经由与辅助电容主干配线7连接的连接配线50，从共用检查配线46对辅助电容配线A1～An输入用于形成取向维持层96的信号。该与辅助电容配线A1～An连接的连接配线50的结构与在上述各实施方式中说明的连接配线50相同，因此省略其说明。

产业上的可利用性

本发明的连接配线用于在从母玻璃基板切出液晶面板之前从外部输入液晶面板的检查信号等。

符号说明

2…单元

10…母玻璃基板(透明基板)

23…像素电极

24…共用电极

31…废料基板区域

40…检查用端子

43…检查用配线

44…共用信号配线(台阶部)

46…共用检查配线

50…连接配线

51…上层连接配线

52…下层连接配线

54…接触区域

55…突起部

56…中间区域

70…有机绝缘膜

71…第二无机绝缘膜

95…液晶层

96…取向维持层