显示装置及其显示面板、显示面板的制造方法与流程

文档序号:17849400发布日期:2019-06-11 22:04阅读:131来源:国知局

本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示装置及其显示面板、显示面板的制造方法。



背景技术:

随着液晶显示装置的分辨率和反应速度的不断提升,在设计时对于复杂度和精细度的要求越来越高。因此设置空间不断压缩,线宽变细,导致线阻抗增大,特别在不同跳层连接处。

现有技术中ITO(Indium tin oxide,铟锡氧化物半导体透明导电膜)层分别通过连接线分别与第一金属层和第二金属层连接。ITO层与第一金属层和第二金属层形成串联电路,导致阻抗过大。此外,由于ITO层的阻抗大,导致不同跳层连接处容易被ESD(Electro-Static discharge,静电释放)炸伤。



技术实现要素:

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示装置及其显示面板、显示面板的制造方法,以解决上述问题。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,其包括:

第一基板;

第一金属层,设置在第一基板上;

绝缘层,设置在第一金属层上;

第二金属层,设置在绝缘层上;

钝化层,设置在第二金属层上;

第一ITO层,设置在钝化层上;

若干个第一通孔,第一ITO层通过若干个第一通孔与第二金属层连接;

若干个第二通孔,第二通孔与第一通孔相邻设置,第一ITO层通过若干个第二通孔与第一金属层连接。

其中,若干个第一通孔均设置在钝化层上,且穿过钝化层;若干个第二通孔设置在钝化层、第二金属以及绝缘层上,且穿过钝化层、第二金属以及绝缘层。

其中,第一ITO层、第一金属层以及第二金属层并联连接。

其中,显示面板进一步包括第二基板以及第二ITO层,第二基板与第一基板间隔设置,第二ITO层设置在第二基板靠近第一基板的表面上。

其中,显示面板进一步包括液晶层,液晶层设置在第一ITO层和第二ITO层之间。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,其包括背光模组和显示面板,背光模组用于为显示面板提供光源,显示面板包括:

第一基板;

第一金属层,设置在第一基板上;

绝缘层,设置在第一金属层上;

第二金属层,设置在绝缘层上;

钝化层,设置在第二金属层上;

第一ITO层,设置在钝化层上;

若干个第一通孔,第一ITO层通过若干个第一通孔与第二金属层连接;

若干个第二通孔,第二通孔与第一通孔相邻设置,第一ITO层通过若干个第二通孔与第一金属层连接。

其中,若干个第一通孔均设置在钝化层上,且穿过钝化层;若干个第二通孔设置在钝化层、第二金属以及绝缘层上,且穿过钝化层、第二金属以及绝缘层。

其中,第一ITO层、第一金属层以及第二金属层并联连接。

其中,显示面板进一步包括第二基板以及第二ITO层,第二基板与第一基板间隔设置,第二ITO层设置在第二基板靠近第一基板的表面上。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板的制造方法,其用于制造显示面板,制造方法包括:

设置第一基板;

在第一基板上设置第一金属层;

在第一金属层上设置绝缘层;

在绝缘层上设置第二金属层;

在第二金属层上设置钝化层;

在钝化层上设置若干个第一通孔;

在钝化层、第二金属层以及绝缘层上设置若干个第二通孔,第二通孔与第一通孔相邻设置;

在钝化层上设置第一ITO层,第一ITO层通过若干个第一通孔和若干个第二通孔分别与第二金属层和第一金属层连接。

本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明的显示面板设置有若干个第一通孔和若干个第二通孔,第二通孔和第一通孔相邻设置,第一ITO层通过若干个第一通孔与第二金属层连接,第一ITO层通过若干个第二通孔与第一金属层连接;通过交叉设置第一通孔和第二通孔,以使第一ITO层与第一金属层和第二金属层形成并联电路,降低阻抗,进而改善跳层连接处的ESD和阻抗过大问题,提高产品的良率,提升产品竞争力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,进一步可以根据这些附图获得其他的附图。其中:

图1是本发明第一实施例显示面板的结构示意图;

图2是图1中第一通孔和第二通孔的俯视图;

图3是图1中第一ITO层、第一金属层以及第二金属层并联连接的等效电路图;

图4是本发明第一实施例显示装置的结构示意图;

图5是本发明第一实施例显示面板的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参见图1所示,图1是本发明第一实施例显示面板的结构示意图。本实施例所揭示的显示面板优选为TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的显示面板,如图1所示,本实施例所揭示的显示面板10包括第一基板11、第一金属层12、绝缘层13、第二金属层14、钝化层15、第一ITO层16、第二基板17、第二ITO层18以及液晶层19。

其中,第一金属层12设置在第一基板11上,第一基板11优选为玻璃基板。在第一金属层12上设置绝缘层13,在绝缘层13上设置第二金属层14,在第二金属层14上设置钝化层15。

显示面板10进一步包括若干个第一通孔101和若干个第二通孔102,其中第二通孔102与第一通孔101相邻设置,即设置在第二通孔102四周的通孔为第一通孔101,第一通孔101和第二通孔102交叉设置。如图2所示,其中每行通孔依次交替设置第一通孔101和第二通孔102,例如第一行通孔依次设置第二通孔102、第一通孔101、第二通孔102以及第一通孔101;每列通孔依次交替设置第一通孔101和第二通孔102,例如第一列通孔依次设置第二通孔102和第一通孔101;进而使得第一通孔101和第二通孔102交叉设置。

若干个第一通孔101设置在钝化层15上,并且若干个第一通孔101穿过钝化层15,第一ITO层16通过若干个第一通孔101与第二金属层14连接。

若干个第二通孔102设置在钝化层15、第二金属层14以及绝缘层13上,并且若干个第二通孔102穿过钝化层15、第二金属层14以及绝缘层13,第一ITO层16通过若干个第二通孔102与第一金属层12连接。

第一ITO层16、第一金属层12以及第二金属层14并联连接,等效电路图如图3所示,其中电阻Rm1为第一金属层12的电阻,电阻Rito为第一ITO层16的电阻,电阻Rm2为第二金属层14的电阻,电阻Rcontect为第一ITO层16分别与第一金属层12和第二金属层14连接的连接线电阻。

由于第一ITO层16、第一金属层12以及第二金属层14并联连接,因此该等效电路的阻抗降低为现有技术中串联连接的阻抗的一半,进而改善跳层连接处(即与第一金属层12和第二金属层14连接的第一ITO层16)的ESD和阻抗过大问题,提高产品的良率,提升产品竞争力。

第二基板17与第一基板11间隔设置,第二基板17优选为玻璃基板;第二ITO层18设置在第二基板17靠近第一基板11的表面上。

液晶层19设置在第一ITO层16和第二ITO层18之间,在向第一ITO层16提供电压,以使第一ITO层16和第二ITO层18产生压差,进而液晶层19在第一ITO层16和第二ITO层18之间产生的电场实现偏转。

本发明还提供第一实施例的显示装置,其在第一实施例所揭示的显示面板10的基础上进行描述。如图4所示,该显示装置包括背光模组31和显示面板10,显示面板10设置背光模组31的上方,背光模组31用于为显示面板10提供光源。本实施例中的显示面板10为前述实施例中图1所示的显示面板10,其结构在此不再赘述。

本发明还提供第一实施例的显示面板的制造方法,其在第一实施例所揭示的显示面板10的基础上进行描述。本实施例所揭示的制造方法用于制造显示面板10,如图5所示,该制造方法包括以下步骤:

步骤S41:设置第一基板11;

步骤S42:在第一基板11上设置第一金属层12;

步骤S43:在第一金属层12上设置绝缘层13;

步骤S44:在绝缘层13上设置第二金属层14;

步骤S45:在第二金属层14上设置钝化层15;

步骤S46:在钝化层15上设置若干个第一通孔101;

步骤S47:在钝化层15、第二金属层14以及绝缘层13上设置若干个第二通孔102,第二通孔102与第一通孔101相邻设置;

步骤S48:在钝化层15上设置第一ITO层16,第一ITO层16通过若干个第一通孔101和若干个第二通孔102分别与第二金属层14和第一金属层12连接。

在步骤S46中,对钝化层15进行蚀刻,以设置若干个第一通孔101。

在步骤S47中,对钝化层15、第二金属层14以及绝缘层13进行蚀刻,以设置若干个第二通孔102。

在步骤S48中,第一ITO层16、第一金属层12以及第二金属层14并联连接。

综上所述,本发明的显示面板设置有若干个第一通孔和若干个第二通孔,第二通孔和第一通孔相邻设置,第一ITO层通过若干个第一通孔与第二金属层连接,第一ITO层通过若干个第二通孔与第一金属层连接;通过交叉设置第一通孔和第二通孔,以使第一ITO层与第一金属层和第二金属层形成并联电路,降低阻抗,进而改善跳层连接处的ESD和阻抗过大问题,提高产品的良率,提升产品竞争力。

以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

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