一种液晶显示面板、制作方法及显示装置与流程

本发明属于液晶显示技术领域，具体地说，尤其涉及一种液晶显示面板、制作方法及显示装置。

背景技术：

TFT-LCD具有体积小、功耗低、亮度高、对比度高和颜色饱和度高等优点，目前已发展为市场主流显示技术。

传统的TFT-LCD显示面板包括：阵列基板、彩膜基板以及夹在两者之间的液晶分子。阵列基板包括：栅极走线、数据走线、公共电极走线、TFT器件、像素电极和公共电极，如图1和图2所示；而彩膜基板包括：遮光黑矩阵BM、RGB彩膜、公共电极ITO和间隔物PS。其中，BM的作用主要是遮挡TFT侧的金属走线和半导体，BM的线宽设计直接影响到面板的开口率，进而影响面板的穿透率和功耗。

BM除了用来遮挡金属线之外，还要遮挡像素边缘的数据线与像素电极之间的电场造成的漏光，如图3所示。为了克服像素电极与数据线之间的边缘电场，现有技术通过在数据线和像素电极之间利用栅极金属制作一条屏蔽电极线用作屏蔽边缘电场，如图4和图5所示。但是，增加屏蔽电极线的设计势必也会降低面板开口率，不利于高开口率液晶显示面板设计。

技术实现要素：

为解决以上问题，本发明提供了一种液晶显示面板、制作方法及显示装置，用以改善像素周边漏光问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种液晶显示面板，包括数据线，其中，在所述数据线上设置有屏蔽电极，通过调节屏蔽电极的电压，实现屏蔽像素边缘电场。

根据本发明的一个实施例，所述屏蔽电极的走线宽度小于所述数据线的宽度。

根据本发明的一个实施例，所述面板设置有总线，用以将调节屏蔽电极的电压引入至所述屏蔽电极。

根据本发明的一个实施例，所述总线设置于所述面板的显示区域外围并延伸到所述面板的外围。

根据本发明的一个实施例，所述屏蔽电极为ITO薄膜。

根据本发明的一个实施例，所述屏蔽电极与所述面板上的像素电极同层设置。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种液晶显示装置，包括以上任一项所述的面板。

根据本发明的一个实施例，还包括外围端子区，用于将外部提供的屏蔽电极的电压信号引入所述面板。

根据本发明的再一个方面，还提供了一种液晶显示面板制作方法，包括：

在基底上形成栅极层；

在所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成薄膜晶体管的源漏极、数据线和扫描线；

在所述源漏极、所述数据线和扫描线上形成钝化层；

在所述钝化层上同时形成像素电极和屏蔽电极。

根据本发明的一个实施例，在所述面板的显示区域外围形成总线，用以将调节屏蔽电极的电压引至所述屏蔽电极。

本发明的有益效果：

本发明通过在数据走线上设置一层屏蔽电极ITO，并使得屏蔽电极ITO的线宽小于数据走线，屏蔽电极ITO在显示区的外围与总线相连，总延伸到面板的外围端子区，并通过端子去接入外部控制信号。在盒组对组完成后，通过调节屏蔽电极ITO的电压，实现屏蔽像素边缘电场进而改善像素周边漏光。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是现有技术中一种TFT-LCD显示面板结构图；

图2是图1中沿A-A’的剖面结构图；

图3是图1中沿B-B’的剖面结构图；

图4是现有技术中一种克服像素电极与数据线之间边缘电场的TFT-LCD显示面板结构图；

图5是图4中沿C-C’的剖面结构图；

图6是根据本发明的一个实施例的TFT-LCD显示面板结构图；

图7是图6中沿D-D’的剖面结构图；

图8是图6的电路原理示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

为增加液晶显示面板的开口率，降低数据线和像素电极之间的边缘电场，本发明提供了一种高开口率的液晶显示面板，如图6所示。以下参考图6来对本发明进行详细说明。

该液晶显示面板包括数据线，其中，在数据线上设置有屏蔽电极，通过调节屏蔽电极的电压，实现屏蔽像素边缘电场。具体的，如图7所示，在玻璃基板上设置有栅绝缘层，在栅绝缘层上设置有数据线，在数据线上设置有钝化层，在钝化层上设置有像素电极和屏蔽电极。通过调节屏蔽电极的电压，可以实现屏蔽像素边缘电场，如图7所示，该屏蔽电极的电压为第三电位(并非公共电极电压和像素电压)。并且，与图4和图5相比，本发明不需要在数据线和像素电极之间设置公共电极线，有利于提高显示面板的开口率。

在本发明的一个实施例中，屏蔽电极的走线宽度小于数据线的宽度。具体的，如图7所示，将屏蔽电极的走线宽度设置为小于数据线的宽度，不仅可以实现屏蔽像素边缘电场，还可以降低制作成本。并且，该屏蔽电极的电压大小取决于屏蔽电极的走线宽度、数据线宽度以及两者之间电容大小，即使以上的这些值都发生变化，也能通过屏蔽电极电压的调制来改善像素漏光，因此本发明是一种可调应用范围较广的漏光改善设计。

在本发明的一个实施例中，该面板设置有总线，用以将调节屏蔽电极的电压信号引入至屏蔽电极。具体的，如图8所示，总线Sdl将调节屏蔽电极的电压统一引入至各屏蔽电极，从而有利于面板设计。

在本发明的一个实施例中，该总线设置于面板的显示区域外围并延伸到面板的外围。具体的，如图8所示，将总线设置于面板的显示区域外围，不遮挡面板的显示区域，避免了降低显示面板的开口率。将总线延伸到显示面板的外围，可以从外部引入屏蔽电极电压信号。

在本发明的一个实施例中，该屏蔽电极为ITO薄膜，从而可以与面板上的像素电极同层设置，如图7所示，从而简化了面板制程。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括彩膜基板，还包括以上所述的液晶显示面板和两者之间的液晶分子。并且，该液晶显示装置还包括外围端子区，该外围端子区用于将外部提供的屏蔽电极的电压信号引入该液晶显示面板。

根据本发明的又一个方面，还提供了一种液晶显示面板制作方法，包括：首先在基底上形成栅极层，一般在玻璃基底上形成栅极层；然后在栅极层上形成栅极绝缘层；接着在栅极绝缘层上形成有源层；在有源层上形成薄膜晶体管的源漏极、数据线和扫描线；在源漏极、数据线和扫描线上形成钝化层；在钝化层上同时形成像素电极和屏蔽电极。

在本发明的一个实施例中，在该面板的显示区域外围形成总线，用以将调节屏蔽电极的电压引入至屏蔽电极。该总线可以在形成像素电极和屏蔽电极的同一制程中完成，也可以在其他制程中完成。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。