用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器的制作方法

本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器。

背景技术：

随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。

目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)，但a-Si TFT LCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD与a-Si TFT LCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。

LTPS TFT显示面板制造过程十分复杂，良率提升对于LTPS TFT显示面板的成本控制及应用推广意义重大。在LTPS TFT显示面板良率提升中经常需要检测LTPS TFT显示面板像素区的LTPS TFT的电性，以确定LTPS TFT显示面板发生异常的原因，从而找到有针对性的改进措施。但在LTPS TFT显示面板中，栅极金属线及源漏极金属线大部分埋于几微米厚的有机平坦层之下，这样导致利用探针量测各金属线电信号及LTPS TFT的电性的难度很大。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种易量测薄膜晶体管的电性的用于液晶面板的阵列基板、液晶面板及液晶显示器。

根据本发明的一方面，提供了一种用于液晶面板的阵列基板，其包括：彼此平行排列的多条栅极线以及彼此平行排列的多条数据线，所述栅极线与所述数据线交叉设置，以限定出构成显示区的多个像素区；布置在每个像素区中的像素；布置在每个像素上的像素电极；布置在每个像素区中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到相应的栅极线、相应的数据线以及相应的像素电极；布置在所述显示区之外且连接每条栅极线的栅极驱动器；布置在所述显示区之外且连接每条数据线的数据驱动器；布置在所述显示区之外的公共电极线；布置在所述显示区中的虚拟栅极线；布置在所述显示区之外的第一连接垫和第二连接垫，所述第一连接垫与所述公共电极线连接，所述虚拟栅极线延伸到所述显示区之外与所述第二连接垫连接。

进一步地，当对薄膜晶体管进行电性量测时，使连接被电性量测的薄膜晶体管的栅极线位于所述显示区之外的部分与所述公共电极线连接，且使连接被电性量测的薄膜晶体管的数据线与所述虚拟栅极线位于所述显示区内的部分连接。

进一步地，利用激光熔融焊接的方式将连接被电性量测的薄膜晶体管的栅极线位于所述显示区之外的部分与所述公共电极线熔融焊接在一起，且利用激光熔融焊接的方式将连接被电性量测的薄膜晶体管的数据线与所述虚拟栅极线位于所述显示区内的部分熔融焊接在一起。

进一步地，所述虚拟栅极线与所述栅极线同时形成。

进一步地，所述虚拟栅极线与所述栅极线位于同一层。

进一步地，所述虚拟栅极线位于所述显示区的部分与所述栅极线平行。

进一步地，所述第一连接垫和所述第二连接垫位于所述数据驱动器的同一侧。

进一步地，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

根据本发明的另一方面，还提供了一种液晶面板，包括对盒设置的彩色滤光片基板和阵列基板，所述阵列基板为上述的阵列基板。

根据本发明的又一方面，又提供了一种液晶显示器，包括相对设置的背光模块和液晶面板，所述液晶面板为上述的液晶面板。

本发明的有益效果：当对薄膜晶体管进行电性量测时，在无需去除有机平坦层的前提下能够较简便、快速地量测薄膜晶体管的电性。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本发明的实施例的液晶显示器的结构示意图；

图2是根据本发明的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的架构图；

图3是根据本发明的实施例的对薄膜晶体管进行电性量测的示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。

图1是根据本发明的实施例的液晶显示器的结构示意图。

参照图1，根据本发明的实施例的液晶显示器包括：液晶面板1000、背光模块2000。背光模块2000设置在液晶面板1000的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200背向彩色滤光片基板100的一侧，以使背光模块2000发出的光线依次通过低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200和彩色滤光片基板100，从而显示影像。

根据本发明的实施例的液晶面板1000包括：彩色滤光片基板(或称CF基板)100、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板(或称Array基板)200以及液晶层300。

彩色滤光片基板100和低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200对盒设置。液晶层300夹设于彩色滤光片基板100和低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200之间，其中，液晶层300中具有若干液晶分子。

在本实施例中，彩色滤光片基板100具有黑色矩阵、多个彩色滤光片(诸如红色滤光片、蓝色滤光片、绿色滤光片等)等必要的元器件，更加具体的构造可以参照现有的相关技术，在此不再赘述。

以下对根据本发明的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200进行详细说明。图2是根据本发明的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的架构图。

参照图2，根据本发明的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200包括：基板1以及设置在基板1上的栅极驱动器2、公共电极线3、扇出(fan-out)4、绑定(Bonding)区5、第一测试垫6、数据驱动器7、第二测试垫8、虚拟栅极线9、多条数据线10、像素11、像素电极12、多条栅极线13以及薄膜晶体管16。在本实施例中，薄膜晶体管16可例如是低温多晶硅薄膜晶体管，但本发明并不限制于此，例如薄膜晶体管16也可以为非晶硅薄膜晶体管。

具体而言，多条栅极线13彼此平行排列且用于传送栅极信号，多条数据线10彼此平行排列且用于传送数据信号。每条栅极线13沿行方向延伸，每条数据线10沿列方向延伸，从而栅极线13与数据线10交叉设置，以限定出多个像素区(未示出)。所有的像素区构成显示区AA(虚线框表示)。

在每个像素区中布置一个像素11，每个像素11包括液晶电容器。如果必要，每个像素11也可以包括存储电容器，其与液晶电容器并联连接。在每个像素11上布置一个像素电极12，其连接到液晶电容器。在每个像素区中布置一个薄膜晶体管16，其包括连接到相应栅极线13的栅极、连接到相应数据线10的源极和连接到相应像素电极12的漏极。

在显示区AA的两侧分别布置一个栅极驱动器2，且多条栅极线13连接到两个栅极驱动器2的每一个。然而，本发明不限于此。也就是说，在较小尺寸LCD的情况下，可以在显示区AA的一侧布置一个栅极驱动器2，并且多条栅极线13连接到该一个栅极驱动器2。栅极驱动器2可以被嵌入在基板1中形成GOA(Gate driver on Array)。

绑定(Bonding)区5位于显示区AA的布置栅极驱动器2的两侧的相邻一侧，扇出(fan-out)4位于绑定区5与显示区AA之间。数据驱动器7布置在绑定区5中。多条数据线10通过扇出4连接到数据驱动器7。

公共电极线3布置在显示区AA之外。进一步地，公共电极线3环绕在栅极驱动器2于显示区AA之间以及显示区AA的与布置数据驱动器的一侧相对的一侧。公共电极线3用于传送公共电压信号。应当说明的是，在显示区AA内也布置有公共电极线，显示区AA之外的公共电极线3将公共电压信号传送到显示区AA内布置的公共电极线。

虚拟栅极线9布置在显示区AA内。进一步地，虚拟栅极线9布置在显示区AA的邻近扇出4的区域内。

作为本发明的一种优选实施方式，在制作低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板200时，利用相同的材料同时制作形成虚拟栅极线9和栅极线13，并且虚拟栅极线9和栅极线13位于同一层，并且虚拟栅极线9位于显示区AA的部分与栅极线13平行设置。虚拟栅极线9不用于传送栅极信号。

第一测试垫6和第二测试垫8布置在显示区AA之外。本发明并不对第一测试垫6的数量与第二测试垫8的数量进行限定。第一测试垫6和第二测试垫8之上均未覆盖有机平坦层，因此在之后的测试中可直接利用探针点触到第一测试垫6和第二测试垫8上。

作为本发明的一种优选实施方式，第一测试垫6和第二测试垫8布置在绑定区5的同一侧。

公共电极线3通过扇出4连接到第一测试垫6，而虚拟栅极线9延伸到显示区AA之外与第二测试垫8直接连接。

以下对薄膜晶体管16的电性量测过程进行描述。图3是根据本发明的实施例的对薄膜晶体管进行电性量测的示意图。

参照图3，当需要对薄膜晶体管16做电性量测时，使连接被电性量测的薄膜晶体管16的栅极线13的位于显示区AA之外的部分与公共电极线3连接，且使连接被电性量测的薄膜晶体管16的数据线10与虚拟栅极线9的位于显示区AA之内的部分连接。

作为本发明的一优选实施方式，利用激光熔融焊接的方式使连接被电性量测的薄膜晶体管16的栅极线13的位于显示区AA之外的部分与公共电极线3熔融焊接在一起，图3中以黑色区域15示出；并且利用激光熔融焊接的方式使连接被电性量测的薄膜晶体管16的数据线10与虚拟栅极线9的位于显示区AA之内的部分熔融焊接在一起，图3中以黑色区域14示出。

这样，点触第一测试垫6的探针可以把电信号给到显示区AA之内的栅极线13，点触第二测试垫8的探针可以把电信号给到显示区AA之内的数据线10，点触待被电性量测的薄膜晶体管16连接的像素电极12的探针可以向像素电极12充入不同电压并量测对应的电流。通过这样的方法，即使不去除有机平坦层，薄膜晶体管16的电性也可以被快速量出。

综上所述，根据本发明的实施例，当对薄膜晶体管进行电性量测时，在无需去除有机平坦层的前提下也能较简便、快速地量测薄膜晶体管的电性。

虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。