1.一种显示基板，包括：
衬底基板；和
形成在衬底基板上的光学膜层，
其中，该光学膜层被构造为滤除预先指定的波长范围的光。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板为阵列基板。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述光学膜层还构成所述阵列基板的栅绝缘层和/或钝化层。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述阵列基板还包括：栅绝缘层和/或钝化层，所述光学膜层形成为与所述栅绝缘层和/或钝化层不同的层。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板为彩膜基板，所述光学膜层仅形成在与预定基色亚像素对应的位置处。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板，其中，所述预先指定的波长范围的中心波长为580nm和/或485nm，半高峰宽为25-55nm。
7.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，所述阵列基板为根据上述权利要求1-4和6中任一项所述的显示基板，和/或所述彩膜基板是根据上述权利要求1和5-6中任一项所述的显示基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述阵列基板包括第一衬底基板和形成在该第一衬底基板上的第一光学膜层，并且所述彩膜基板包括第二衬底基板和形成在该第二衬底基板上的第二光学膜层，并且其中，
所述第一光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为580nm、半高峰宽为25-55nm，并且所述第二光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为485nm、半高峰宽为25-55nm；或者，所述第一光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为485nm、半高峰宽为25-55nm，并且所述第二光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为580nm、半高峰宽为25-55nm。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述阵列基板包括第一衬底基板和形成在该第一衬底基板上的第一光学膜层和第二光学膜层，并且其中，
所述第一光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为580nm、半高峰宽为25-55nm，并且所述第二光学膜层滤除的预先指定的波长范围的中心波长为485nm、半高峰宽为25-55nm。
10.一种显示基板的制造方法，包括如下步骤：
提供衬底基板；和
在所述衬底基板上形成光学膜层，
其中，该光学膜层被构造为滤除预先指定的波长范围的光。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述衬底基板为阵列基板的衬底基板。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述光学膜层还构成所述阵列基板的栅绝缘层和/或钝化层。
13.根据权利要求11所述的制造方法，还包括如下步骤：
在所述阵列基板的衬底基板上形成栅绝缘层和/或钝化层。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的制造方法，其中，在所述衬底基板上形成光学膜层的步骤包括：通过沉积工艺，在所述衬底基板上形成光学膜层。
15.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述衬底基板为彩膜基板的衬底基板，所述制造方法还包括如下步骤：在所述彩膜基板的衬底基板上形成多基色亚像素，
其中，在所述彩膜基板的衬底基板上形成光学膜层的步骤包括：使用掩膜版，以仅在与预定基色亚像素对应的位置处形成所述光学膜层；或者
在所述彩膜基板的衬底基板上形成光学膜层的步骤包括：在全部亚像素上均形成光学膜层，采用蚀刻工艺蚀刻掉与除预定基色亚像素之外的其它基色亚像素对应的位置处的光学膜层，以仅在与预定基色亚像素对应的位置处形成光学膜层。